本發(fā)明涉及有機發(fā)光材料技術領域，具體涉及一種金屬配合物及應用該金屬配合物的發(fā)光器件。
背景技術：
有機電致發(fā)光器件(organicelectroluminescencedevices，簡稱oleds)，又稱發(fā)光二極管，是在其中施加電壓而將電能轉化為光能的裝置，是理想的手機、彩電等顯示屏。電致發(fā)光材料與器件的研究引起了世界科技界和工業(yè)界的極大興趣，el器件被普遍認為能同時兼有低能耗、廣視角、大面積的平板顯示技術。
oleds器件的獨特優(yōu)點與器件采用的載流子傳輸材料、發(fā)光材料、電極材料以及器件的結構有緊密的關系，其中發(fā)光材料是oleds器件的核心部件，可分為熒光材料和磷光材料兩種。熒光產生于同種多重態(tài)間的電子躍遷，最大效率只有25％。電致磷光材料由于同時可收獲單重態(tài)和三重態(tài)激子，使得oleds的內量子效率有達到100％的潛在可能，金屬電致磷光材料的研究日益廣泛。
在室溫固態(tài)下，一般有機化合物材料的磷光發(fā)射很微弱，由于金屬的重原子和配位效應，使得金屬配合物的磷光顯著增強。金屬元素中，ⅷ族金屬元素、ⅰb族金屬元素、ia族金屬元素和iia族金屬元素均有一定的增強效應。其中，又以ⅷ族金屬元素的配合物表現最為突出，特別是ir和pt金屬配合物。此類材料具有熱穩(wěn)定性好、光色可調、發(fā)光效率高的優(yōu)點，故而成為電致磷光發(fā)光染料的主要類型。
采用金屬配合物制作的器件被稱為磷光器件。磷光器件的壽命較低，尤其是非摻雜器件的發(fā)光效率滾降非常嚴重。通常將磷光材料與相應的主體材料進行摻雜使用，但壽命和效率滾降依然還有很大的提升空間。改善壽命和發(fā)光性能的一個方式，是提高器件的空穴和電子傳輸平衡性。如武漢大學楊楚羅教授于2008年提出了雙極主體材料的概念(angew.chem.int.ed.,2008,47,8104-8107)，采用電子和空穴傳輸較平衡的主體材料，以提高器件的載流子平衡性，之后業(yè)內開發(fā)了大量的雙極主體材料，在降低驅動電壓、降低效率滾降、提高壽命方面取得了不錯的成果。當能量通過電流注入到發(fā)光層時，通常有兩種方式，一種是能量先轉移到主體材料，然后經由主體材料轉移到摻雜磷光材料，一種是能量直接轉移到摻雜的磷光材料。當摻雜濃度較低、電流較弱時，以前一種能量傳遞的形式為主，當摻雜濃度較高、電流較強時，以后一種能量傳遞為主。然而，鮮有研究通過改善磷光材料傳輸性能提高器件的壽命和發(fā)光性能。
因此，具有良好的電荷傳輸性能的磷光材料是急切而必要的。
鑒于此，特提出本發(fā)明。
技術實現要素：
本發(fā)明的首要發(fā)明目的在于提出一種金屬配合物。
本發(fā)明的第二發(fā)明目的在于提出應用該金屬配合物的發(fā)光器件。
為了完成本發(fā)明的目的，采用的技術方案為：
本發(fā)明提供一種具有通式i所示結構的金屬配合物，
其中，rf表示氟原子或含氟取代基；
ro表示氟原子、氰基、烷基、含氟取代基；rf與ro不同時表示相同基團；
m表示金屬原子，所述金屬原子選自ⅷ族金屬元素、ⅰb族金屬元素、ⅰa族金屬元素、ⅱa族金屬元素；
a1表示含氮雜環(huán)，b1表示芳環(huán)或雜環(huán)，x表示1～4的整數；
環(huán)結構a1和至少一個環(huán)結構b1與相鄰的環(huán)結構在任意位置稠合；
l1表示與金屬m配位的烷基或芳基配體，且不為四苯基磷酰亞胺、四(氟苯基)膦酰亞胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亞胺；
p表示0～3的整數，q表示0～3的整數；m、n表示0～2的整數。
本發(fā)明還提供一種具有通式iii所示結構的金屬配合物，
其中，rf表示氟原子或含氟取代基；
ro表示氟原子、氰基、烷基、含氟取代基；rf與ro不同時表示相同基團；
m表示金屬原子，所述金屬原子選自ⅷ族金屬元素、ⅰb族金屬元素、ⅰa族金屬元素、ⅱa族金屬元素；
a2表示含氮雜環(huán)；b2表示芳環(huán)或雜環(huán)，x表示1～4的整數；
環(huán)結構a2和至少一個環(huán)結構b2與相鄰的環(huán)結構在任意位置稠合；
l2表示四苯基磷酰亞胺、四(氟苯基)膦酰亞胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亞胺；
p表示0～3的整數，q表示0～3的整數；m、n表示0～2的整數；
當m為ir、m為2、p為2、q為0、rf為三氟甲基且在吡啶環(huán)的2、6位置取代時，a2環(huán)和b2環(huán)稠合后的結構不包括以下通式表示的結構：
本發(fā)明的技術方案至少具有以下有益的效果：
本發(fā)明設計的金屬配合物，在吡啶環(huán)上連接有含氟取代基，并將吡啶環(huán)與含氮稠雜環(huán)連接，在分子內部對配合物的光電性能進行調控。吡啶基團的引入提高了材料的電子傳輸性能，進而增加電子和空穴在發(fā)光層中的復合幾率，提高了電致發(fā)光器件的效率和亮度性能。
在本發(fā)明優(yōu)選的技術方案中，引入了具有位阻效應的含氟取代基，提高了材料的空間分布性能，能夠有效的遏制了效率滾降的現象出現。并且含氟基團的引入，還可提高材料的升華效率，進一步降低能耗和成本，提高產品的附加價值。
附圖說明
圖1為本發(fā)明具體實施方式中發(fā)光器件的結構示意圖。
10-發(fā)光器件；
11-陽極；
12-空穴傳輸層；
13-發(fā)光層；
14-電子傳輸層；
15-陰極。
具體實施方式
下面結合具體實施例，進一步闡述本申請。應理解，這些實施例僅用于說明本申請而不用于限制本申請的范圍。
本發(fā)明涉及一種金屬配合物，該金屬配合物的結構式如通式i所示，
其中，rf表示氟原子或含氟取代基；
ro表示氟原子、氰基、烷基、含氟取代基；rf與ro不同時表示相同基團；
m表示金屬原子，所述金屬原子選自ⅷ族金屬元素、ⅰb族金屬元素、ⅰa族金屬元素、ⅱa族金屬元素；
a1表示含氮雜環(huán)，b1表示芳環(huán)或雜環(huán)，x表示1～4的整數；
環(huán)結構a1和至少一個環(huán)結構b1與相鄰的環(huán)結構在任意位置稠合；
l1表示與金屬m配位的烷基或芳基配體，且不為四苯基磷酰亞胺、四(氟苯基)膦酰亞胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亞胺；
p表示0～3的整數，q表示0～3的整數；m、n表示0～2的整數。
在本發(fā)明的上述金屬配合物中，在吡啶環(huán)上連接有兩個含氟取代基，并將吡啶環(huán)與含氮稠雜環(huán)連接，在分子內部對配合物的光電性能進行調控。本發(fā)明通過吡啶基團的引入提高了材料的電子傳輸性能，進而增加電子和空穴在發(fā)光層中的復合幾率，提高了電致發(fā)光器件的效率和亮度性能。
本發(fā)明還涉及一種金屬配合物，該金屬配合物的結構式如通式iii所示，
其中，rf表示氟原子或含氟取代基；
ro表示氟原子、氰基、烷基、含氟取代基；rf與ro不同時表示相同基團；
m表示金屬原子，所述金屬原子選自ⅷ族金屬元素、ⅰb族金屬元素、ⅰa族金屬元素、ⅱa族金屬元素；
a2表示含氮雜環(huán)；b2表示芳環(huán)或雜環(huán)，x表示1～4的整數；
環(huán)結構a2和至少一個環(huán)結構b2與相鄰的環(huán)結構在任意位置稠合；
l2表示四苯基磷酰亞胺、四(氟苯基)膦酰亞胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亞胺；
p表示0～3的整數，q表示0～3的整數；m、n表示0～2的整數；
當m為ir、m為2、p為2、q為0、rf為三氟甲基且在吡啶環(huán)的2、6位置取代時，a2環(huán)和b2環(huán)稠合后的結構不包括以下通式表示的結構：
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，ⅷ族金屬元素選自ir、pt或os，ⅰb族金屬元素選自cu，ⅰa族金屬元素選自li，ⅱa族金屬元素選自be。優(yōu)選的，金屬原子為ir原子。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，rf選自氟取代的c1～18烷基、氟取代的c6～26芳基。其中，取代基上的氫原子可被氟原子全部取代或部分取代。更優(yōu)選的，rf選自三氟甲基或五氟苯基。本發(fā)明通過引入具有位阻效應的含氟取代基，提高了材料的空間分布性能，能夠有效的遏制了效率滾降的現象出現。并且含氟基團的引入，還可提高材料的升華效率，進一步降低能耗和成本。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，a1表示取代或未取代的吡啶環(huán)、取代或未取代的嘧啶環(huán)、取代或未取代的吡嗪環(huán)、取代或未取代的三嗪環(huán)、取代或未取代的吡唑環(huán)、取代或未取代的噻唑環(huán)、取代或未取代的咪唑環(huán)、取代或未取代的噁唑環(huán)、取代或未取代的三氮唑環(huán)、取代或未取代的吡咯環(huán)；
b1表示取代或未取代的苯環(huán)、取代或未取代的吡啶環(huán)、取代或未取代的吡咯環(huán)、取代或未取代的噻吩環(huán)、取代或未取代的嘧啶環(huán)、取代或未取代的吡嗪環(huán)、取代或未取代的三嗪環(huán)、取代或未取代的噻唑環(huán)、取代或未取代的咪唑環(huán)、取代或未取代的呋喃環(huán)、取代或未取代的環(huán)戊二烯環(huán)；x表示1～2的整數；
取代基選自鹵素原子、鹵素取代或未取代的c1～12烷基、鹵素取代或未取代的c6～12芳基、鹵素取代或未取代的c6～12雜芳基。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，l1表示取代或未取代的c5～36烷基配體、取代或未取代的c6～36芳基配體、取代或未取代的c4～36芳雜基配體，取代基選自鹵素原子、鹵素取代或未取代的c1～12烷基；
且不為四苯基磷酰亞胺、四(氟苯基)膦酰亞胺、四(三氟甲基苯基)膦酰亞胺。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，l1選自以下通式表示的結構：
其中，c1、c2各自獨立的表示苯環(huán)、稠環(huán)烴、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)或三嗪環(huán)；
d1、d2、d3、d4各自獨立的表示苯環(huán)、稠環(huán)烴、含氮六元雜環(huán)、含氮五元雜環(huán)、苯并含氮六元雜環(huán)或苯并含氮五元雜環(huán)；
e1、e2、e3各自獨立的表示苯環(huán)、稠環(huán)烴、含氮六元雜環(huán)、含氮五元雜環(huán)、苯并含氮六元雜環(huán)或苯并含氮五元雜環(huán)；
r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8、r9各自獨立的表示氫原子、鹵素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代芳香基、取代或未取代的雜環(huán)芳香基；取代基選自鹵素、芳基、雜芳基；
a、b、c、d、e、f、g、h、i各自獨立的表示0～4的整數；
z1表示氧原子或硫原子。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，通式i所示的金屬配合物進一步優(yōu)選如通式ii所示的結構式，
在通式ii中，r11、r12各自獨立的選自氟取代的c1～18烷基、氟取代的c6～26芳基，其他取代基的含義同通式i。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，通式ii所示金屬配合物的進一步優(yōu)選通式iia、通式iib、通式iic、通式iid、通式iie或通式iif的至少一種所示的結構式：
其中，n1、n2、n3、n4、n5、n6、n7、n8、n9、n10、n11、n12各自獨立的表示n原子、c原子或rc基團取代的c原子；
rc基團表示鹵素取代或未取代的c1-24的烷基、取代或未取代c6-36的芳基、取代或未取代的c4-36的雜芳基；
芳基和雜芳基的取代基團為鹵素、鹵素取代或未取代的c1-16烷基。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，通式iia～通式iif所示的金屬配合物進一步優(yōu)選通式iia1、通式iib1、通式iic1或通式iid1所示的結構式：
其中，y表示1或2，
n11、n12、n13、n14、n15、n16、n21、n22、n23、n24、n25、n26、n31、n32、n33、n34、n35、n36、n41、n42、n43、n44、n45、n46、n47、n48、n51、n52、n53、n54、n55、n56、n57、n58、n61、n62、n63、n64、n65、n66、n67、n68各自獨立的表示n原子、c原子或rc基團取代的c原子；
rc基團表示被鹵素取代或未取代的c1-24烷基、取代或未取代c6-36芳基、取代或未取代的c4-36雜芳基；芳基和雜芳基的取代基團選自鹵素、c1-16烷基、鹵素取代的c1-16烷基；
px表示取代或未取代的c6-36芳基、取代或未取代的c3-36雜芳基、取代或未取代c10-36稠環(huán)芳基、取代或未取代c10-36稠環(huán)雜芳基；取代基為鹵素、烷基、鹵素取代的烷基、芳基、稠環(huán)芳基、稠環(huán)雜芳基、芳香胺基、芳香硼基、芳香硅基，且不為苯基、氟苯基和三氟甲基苯基。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，px選自甲苯基、乙基苯基、叔丁基苯基、二甲苯基、三甲苯基、氟苯基苯基、萘基、聯苯基、吡啶基、甲基吡啶基、乙基吡啶基、叔丁基吡啶基、二甲基吡啶基、氟吡啶基、三氟甲基吡啶基、苯基吡啶基、喹啉基、嘧啶基、甲基嘧啶基、乙基嘧啶基、叔丁基嘧啶基、二甲基嘧啶基、氟嘧啶基、三氟甲基嘧啶基、苯基嘧啶基、吡嗪基、甲基吡嗪基、乙基吡嗪基、叔丁基吡嗪基、二甲基吡嗪基、氟吡嗪基、三氟甲基吡嗪基、苯基吡嗪基、三嗪基、甲基三嗪基、乙基三嗪基、叔丁基三嗪基、二甲基三嗪基、氟三嗪基、三氟甲基三嗪基、苯基三嗪基。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，a2表示取代或未取代的吡啶環(huán)、取代或未取代的嘧啶環(huán)、取代或未取代的吡嗪環(huán)、取代或未取代的三嗪環(huán)、取代或未取代的吡唑環(huán)、取代或未取代的噻唑環(huán)、取代或未取代的咪唑環(huán)、取代或未取代的噁唑環(huán)、取代或未取代的三氮唑環(huán)、取代或未取代的吡咯環(huán)；
b2表示取代或未取代的苯環(huán)、取代或未取代的吡啶環(huán)、取代或未取代的吡咯環(huán)、取代或未取代的噻吩環(huán)、取代或未取代的嘧啶環(huán)、取代或未取代的吡嗪環(huán)、取代或未取代的三嗪環(huán)、取代或未取代的噻唑環(huán)、取代或未取代的咪唑環(huán)、取代或未取代的呋喃環(huán)、取代或未取代的環(huán)戊二烯環(huán)；x表示1～2的整數；
取代基選自鹵素原子、鹵素取代或未取代的c1～12烷基、鹵素取代或未取代的c6～12芳基、鹵素取代或未取代的c6～12雜芳基；
當m為ir、m為2、p為2、q為0、rf為三氟甲基且在吡啶環(huán)的2、6位置取代時，a2環(huán)和b2環(huán)稠合后的結構不包括以下通式表示的結構：
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，通式iii所示金屬配合物的進一步優(yōu)選通式iv所示的結構式：
其中，r11、r12各自獨立的選自氟取代的c1～18烷基、氟取代的c6～26芳基，其他取代基的含義同通式iii。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，通式iv所示金屬配合物的進一步優(yōu)選如通式iva、通式ivb、通式ivc、通式ivd、通式ive或者通式ivf所示的結構式：
其中，n71、n72、n73、n74各自獨立的表示n原子、c原子或rc基團取代的c原子；且n71、n72、n73、n74至少有一個是表示n原子；
n81、n82、n83、n84、n85、n86各自獨立的表示n原子、c原子或rc基團取代的c原子；且n81、n82、n83、n84、n85、n86至少有一個是表示n原子；
n91、n92、n93、n94、n95各自獨立的表示n原子、c原子或rc基團取代的c原子；且n91、n92、n93、n94、n95至少有一個是表示n原子；
rc基團表示被鹵素取代或未取代的c1-24烷基、取代或未取代c6-36芳基、取代或未取代的c4-36雜芳基；芳基和雜芳基的取代基團選自鹵素、c1-16烷基、鹵素取代的c1-16烷基；
py選自苯基、氟苯基和三氟甲基苯基。
在上述通式的rc基團中，碳原子數為1～24的烷基，烷基可為鏈狀烷基，鏈狀烷基為直鏈或支鏈烷基；也可為環(huán)烷基，位于環(huán)烷基的環(huán)上的氫可被烷基取代。優(yōu)選地，選擇碳原子數為1～10的烷基，進一步優(yōu)選地，選擇碳原子數為1～6的鏈狀烷基，碳原子數為5～8的環(huán)烷基，更進一步優(yōu)選地，選擇碳原子數為1～4的鏈狀烷基，碳原子數為5～6的環(huán)烷基。作為烷基的實例，具體可以舉出：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、己基、2-甲基-戊基、3-甲基-戊基、1,1,2-三甲基-丙基、3,3,-二甲基-丁基、庚基、2-庚基、3-庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、異庚基、辛基。
在上述通式的rc基團中，碳原子數為6～36的芳基，例如苯基、苯烷基、至少含有一個苯基的芳基如聯苯基、稠環(huán)芳烴基如萘、蒽、菲均可，聯苯基和稠環(huán)芳烴基還可被烷基所取代。優(yōu)選地，選擇碳原子數為6～30的芳基，進一步優(yōu)選地，選擇碳原子數為6～26的芳基，更進一步優(yōu)選地，選擇碳原子數為6～16的芳基。作為芳基的實例，具體可以舉出：苯基、芐基、聯苯基、對甲苯基、鄰甲苯基、間甲苯基。
在上述通式的rc基團中，碳原子數為4～36的芳雜基，雜原子可為o、n、s、p并不限于此；具體可選自：呋喃基、噻吩基、吡咯基、噻唑基、咪唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、三嗪基、噠嗪基、吲哚基、喹啉基等。其芳香雜環(huán)上的氫原子還可被烷基所取代。
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，金屬配合物選自以下化合物中的其中一種：
作為本發(fā)明金屬配合物的一種改進，金屬配合物選自以下化合物中的其中一種：
本發(fā)明的金屬配合物，可以通過合成路線(a)進行合成，其中，a1、a2均用a表示，b1、b2均用b表示，l1、l2均用l表示。
其中通式(i-a)和(i-b)的符號定義與通式(i)相同，mz表示含金屬m的金屬鹽，z為任意其他一個或多個原子。
通式(i-a)表示的原料經與金屬鹽mz絡合，形成通式(i-b)表示的二聚體，該二聚體在引入l后，形成通式(i)表示的本發(fā)明金屬配合物。
在本發(fā)明的合成實施例中，mz優(yōu)選自三氯化銥。
將通式(i-a)表示原料和三氯化銥按一定摩爾比例(2.4:1～2:1)溶解到2-乙氧基乙醇中，混合物在80～150℃下反應4～16小時，然后加入配體l和碳酸鈉，配體l與三氯化銥的比例為(1.5:1～1:1)，碳酸鈉與三氯銥的比例為(6:1～5:1)，繼續(xù)反應10～36小時，冷卻體系后，加入不良溶劑析出固體，清洗得到的固體，重結晶，可經柱層析提純，得到通式(i)表示的目標化合物。進一步的純度提高，可以采用梯度升華方式。
合成實施例1：irr-001的合成
將原料1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉和三氯化銥按摩爾比2:1溶解到2-乙氧基乙醇中，混合物在130℃下反應8小時，然后加入配體四(3-吡啶基)膦酰亞胺和碳酸鈉，配體四(3-吡啶基)膦酰亞胺與三氯化銥的摩爾比例為1.1:1，碳酸鈉與三氯銥的摩爾比例為6:1，繼續(xù)反應16小時，冷卻體系后，加入水析出固體，過濾并清洗固體，乙醇重結晶，得到式(irr-001)表示的目標化合物。收率24％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1295.0；實測值為[m四(3-吡啶基)膦酰亞胺+2]422.0,[m-420]874.3。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.85(s,4h),8.65(m,6h),7.91(m,8h),7.81(d,2h),7.65(t,2h),7.60(m,4h),7.35ppm(m,4h)。
合成實施例2：irr-002的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將四(4-甲苯基)膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-002)表示的目標化合物。收率30％。基質輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1347.2；實測值為[m四(4-甲苯基)膦酰亞胺+2]474.6,[m-472]874.8。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.63(d,2h),7.88(m,6h),7.60(m,6h),7.47(m,8h),7.27ppm(m,8h),2.38ppm(s,12h)。
合成實施例3：irr-003的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將4-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]喹唑啉替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，得到式(irr-003)表示的目標化合物。收率23％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1297.0；實測值為[m四(3-吡啶基)膦酰亞胺+2]422.0,[m-420]876.6。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.42(s,2h),8.85(s,2h),8.80(s,2h),8.65(d,4h),8.01(d,2h),7.91(t,4h),7.83(m,4h),7.60(m,4h),7.35ppm(m,4h)。
合成實施例4：irr-004的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將3-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，將四(4-叔丁基苯基)膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-004)表示的目標化合物。收率29％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1515.5；實測值為[m四(4-叔丁基苯基)膦酰亞胺+2]642.8,[m-641]874.7。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.34(s,2h),7.98(d,2h),7.82(4h),7.65(m,6h),7.52(m,8h),7.38(m,8h),1.28ppm(s,36h)。
合成實施例5：irr-005的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將3-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]-2,6萘啶替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，將四(4-三氟甲基苯基)膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-005)表示的目標化合物。收率32％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1565.0；實測值為[m四(4-叔丁基苯基)膦酰亞胺+2]690.5,[m-688]876.7。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.40(s,2h),8.78(s,2h),8.70(d,2h),7.72(s,2h),7.57(m,10h),7.45(m,8h),7.28ppm(d,2h)。
合成實施例6：irr-006的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將2-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]-7-甲基-1,8-萘啶替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，將四苯基膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-006)表示的目標化合物。收率35％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1321.1；實測值為[m四苯基膦酰亞胺+2]418.4,[m-416]904.7。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.36(d,2h),8.16(d,2h),7.79(d,2h),7.60(s,2h),7.52(m,8h),7.38(m,14h),2.51ppm(s,6h)。
合成實施例7：irr-007的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]異喹啉替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，將四(4-吡啶基)膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-007)表示的目標化合物。收率25％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1295.0；實測值為[m四(4-吡啶基)膦酰亞胺+2]422.0,[m-420]874.3。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.64(d,2h),8.55(d,8h),8.15(d,2h),7.93(d,2h),7.87(d,2h),7.82(d,2h),7.62(t,2h),7.59(t,2h),7.54(d,4h),7.50(d,4h)。
合成實施例8：irr-008的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]-2,7-萘啶替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，將四苯基膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-008)表示的目標化合物。收率21％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1293.0；實測值為[m四苯基膦酰亞胺+2]418.4,[m-416]876.7。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.37(s,2h),8.78(d,2h),8.70(d,2h),8.55(m,8h),8.15(s,2h),7.54(m,10),7.28(d,2h)。
合成實施例9：irr-009的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將3-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]噌啉替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，將四(4-氟苯基)膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-009)表示的目標化合物。收率22％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1365.0；實測值為[m四(4-氟苯基)膦酰亞胺+2]490.4,[m-488]876.6。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.16(d,2h),8.07(s,2h),7.81(t,2h),7.76(s,2h),7.57(d,2h),7.50(m,8h),7.43(m,2h),7.11ppm(m,8h)。
合成實施例10：irr-010的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將2-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]喹啉替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，將四(5-嘧啶基)膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-010)表示的目標化合物。收率20％?；|輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1299.0；實測值為[m四(5-嘧啶基)膦酰亞胺+2]426.3,[m-424]874.7。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝9.28(s,4h),9.04(d,8h),8.42(d,2h),8.24(d,2h),8.15(s,2h),7.80(m,4h),7.72(m,2h),7.54(m,2h)。
合成實施例11：irr-011的合成
采用與實施例1相同的方式，只是將2-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-4-基]-7-甲基-1,8-萘啶替換1-[2,6-二(三氟甲基)吡啶-3-基]異喹啉，將四苯基膦酰亞胺替換四(3-吡啶基)膦酰亞胺，得到式(irr-011)表示的目標化合物。收率24％。基質輔助飛行時間質譜maldi-tof,[m]計算值1321.1；實測值為[m四苯基膦酰亞胺+2]418.4,[m-416]904.7。核磁共振譜圖1hnmr(400mhz,dmso-d6):d＝8.34(d,2h),8.15(m,4h),7.79(d,2h),7.53(m,8h),7.38(m,14h),2.49(s,6h)。
作為本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明還涉及一種發(fā)光器件，請參閱圖1，為本發(fā)明提供的發(fā)光器件的結構示意圖。發(fā)光器件10包括依次沉積形成的陽極11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14和陰極15。其中所述空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層14均為有機層，陽極11與陰極15與電連接。發(fā)光層包括本發(fā)明的金屬配合物。
陽極11可由ito、石墨烯、銦鎵鋅氧化物或其它導電材料通過濺射、蒸發(fā)等方式形成；優(yōu)選為ito。ito也可以經臭氧處理，也可以通過沉積或旋涂其他材料改變其表面的功函數。
本發(fā)明的具體實施例中，空穴傳輸層12的材料為4,4'-環(huán)己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺(tapc)，電子傳輸層14材料為3,3'-(5'-(3-(吡啶-3-基)苯基)-[1,1':3',1”-三苯基]-3,3”-二基)二吡啶(tmpypb)，厚度為60nm；陰極15采用lif/al，lif厚度為1nm，al厚度為100nm。發(fā)光層13為有機發(fā)光層，采用摻雜結構，主體材料分別是用4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)和2,6-雙(3-(9-咔唑基)苯基)吡啶(26dczppy)，客體材料選用本發(fā)明的金屬配合物。發(fā)光層厚度為40nm，金屬配合物的質量占發(fā)光層13總重量的5％重量百分比。
選用以下金屬配合物材料作為發(fā)光層的客體材料，形成發(fā)光器件實施例，并對形成的發(fā)光器件進行性能測試。器件制備后，采用業(yè)內通用的測試方法進行測試，即采用keithley2400電流源和pr655光譜儀組合測試系統(tǒng)進行測試。
測試結果如表1所示：
表1：
本發(fā)明雖然以具體實施例公開如上，但并不是用來限定權利要求，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明構思的前提下，都可以做出若干可能的變動和修改，因此本申請的保護范圍應當以本申請權利要求所界定的范圍為準。