本發(fā)明涉及一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜。
背景技術(shù)：
聚酰亞胺薄膜（PI膜）自上世紀(jì)60年代投入應(yīng)用以來，以其優(yōu)異的熱性能，介電性能和機(jī)械性能等使其成為電子和航天等工業(yè)領(lǐng)域的首選材料。隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對(duì)聚酰亞胺特性要求越來越高，傳統(tǒng)的耐熱溫度已經(jīng)無法滿足現(xiàn)有的市場需求。因此需要研究一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸70~80份、溶劑10~30份、耐高溫填料2~5份、偶聯(lián)劑2~3份、催化劑2~3份、稀土1~2份和金屬鈷2~4份，其中稀土與金屬鈷的重量比為1：2，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅10~40份、氧化鈦20~40份、氧化銻10~20份和氮化硼20~30份。
所述稀土為釹、钷、釤和銪中的一種。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯(lián)劑為異氰酸酯或鈦酸酯。所述催化劑為三乙胺或二乙基吡啶。
上述耐高溫填料由氧化硅、氧化鈦、氧化銻和氮化硼這4種無機(jī)物組成，可以促進(jìn)聚酰胺酸的成膜性，并提高聚酰亞胺薄的耐熱性；同時(shí)通過加入稀土與金屬鈷，則能有效地促進(jìn)耐高溫填料發(fā)揮其特性，使得聚酰亞胺薄膜能在高溫下長期使用。
本發(fā)明得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，有較高的耐熱性，經(jīng)測試，該聚酰亞胺薄膜能夠在高溫下能保持優(yōu)良的電氣絕緣性，適用于耐高溫標(biāo)識(shí)及印刷電路板打印等，廣泛應(yīng)用于各大主機(jī)板、筆記本電腦和手機(jī)等電子電器行業(yè)。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
實(shí)施例1：
本實(shí)施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸70份、溶劑10份、耐高溫填料2份、偶聯(lián)劑2份、催化劑2份、稀土1份和金屬鈷2份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅10份、氧化鈦200份、氧化銻10份和氮化硼20份。所述稀土為釹。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯(lián)劑為異氰酸酯。所述催化劑為三乙胺。
經(jīng)測試，本實(shí)施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為5KV，表面電阻率為1.0×1013Ω。
實(shí)施例2：
本實(shí)施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸80份、溶劑30份、耐高溫填料5份、偶聯(lián)劑3份、催化劑3份、稀土2份和金屬鈷4份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅40份、氧化鈦40份、氧化銻20份和氮化硼30份。
所述稀土為釤。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯(lián)劑為異氰酸酯。所述催化劑為三乙胺。
經(jīng)測試，本實(shí)施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為4KV，表面電阻率為1.0×1013Ω。
實(shí)施例3：
本實(shí)施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸80份、溶劑20份、耐高溫填料3份、偶聯(lián)劑3份、催化劑2份、稀土1份和金屬鈷2份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅30份、氧化鈦30份、氧化銻10份和氮化硼20份。
所述稀土為銪。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯(lián)劑為鈦酸酯。所述催化劑為三乙胺。
經(jīng)測試，本實(shí)施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為5KV，表面電阻率為1.8×1013Ω。
實(shí)施例4：
本實(shí)施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸80份、溶劑20份、耐高溫填料4份、偶聯(lián)劑3份、催化劑3份、稀土2份和金屬鈷4份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅20份、氧化鈦20份、氧化銻20份和氮化硼20份。
所述稀土為釤。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯(lián)劑為鈦酸酯。所述催化劑為二乙基吡啶。
經(jīng)測試，本實(shí)施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為4KV，表面電阻率為1.5×1013Ω。
實(shí)施例5：
本實(shí)施例提供的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，各組分的重量配比為聚酰胺酸75份、溶劑20份、耐高溫填料5份、偶聯(lián)劑3份、催化劑3份、稀土1份和金屬鈷2份，所述耐高溫填料中各組分的重量配比為氧化硅40份、氧化鈦30份、氧化銻10份和氮化硼20份。
所述稀土為钷。所述溶劑為二甲基乙酰胺。所述偶聯(lián)劑為異氰酸酯。所述催化劑為二乙基吡啶。
經(jīng)測試，本實(shí)施例所得到的一種耐高溫的聚酰亞胺薄膜，其在300℃下的擊穿電壓為5KV，表面電阻率為1.5×1013Ω。