本發(fā)明涉及一種材料，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光材料及其在oled器件中的應(yīng)用。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)的發(fā)展，顯示器件在信息科學(xué)的各個(gè)方面得到了廣泛的應(yīng)用。其中，平面顯示器發(fā)光技術(shù)是現(xiàn)階段的一個(gè)研究熱點(diǎn)，而有機(jī)電致發(fā)光器件(organiclightemissiondiode，簡(jiǎn)稱oled)，作為一種低電壓、低功率、高亮度、寬視角、全固化、全彩顯、重量輕、價(jià)格低的顯示器件，也成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員研究的重點(diǎn)。
一般情況下，oled器件(無(wú)論何種結(jié)構(gòu))的發(fā)光過(guò)程通常由以下步驟完成：(1)載流子的注入，即電子和空穴分別從陰極和陽(yáng)極注入夾在電極間的有機(jī)功能薄膜層；(2)載流子的遷移，即載流子分別從電子傳輸層和空穴傳輸層向發(fā)光層遷移；(3)激子的形成和擴(kuò)散，即電子和空穴在發(fā)光層中相遇，并形成激子；(4)發(fā)光，即激子的激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射弛像過(guò)程而產(chǎn)生光子，釋放出光能。
目前來(lái)看，雖然針對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的研究已經(jīng)很多，例如：其中，cn105070845a公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括空穴傳輸層和發(fā)光層，以及位于所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層之間的界面修飾層，所述界面修飾層的材料包括具有空穴傳輸能力的材料，且所述界面修飾層的能級(jí)介于所述空穴傳輸層的能級(jí)和所述發(fā)光層的能級(jí)之間，可以用于提高有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；其中，cn104966786a公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一電極層、若干個(gè)發(fā)光單元層和第二電極層，所述的發(fā)光單元層包括依次設(shè)置在所述第一電極層上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，所述空穴傳輸層包括第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料，所述第二空穴傳輸材料小于所述第一空穴傳輸材料的homo能級(jí)，且所述第二空穴傳輸材料與發(fā)光主體材料的homo能級(jí)差≤0.2ev；第一空穴傳輸材 料和第二空穴傳輸材料均高于發(fā)光主體材料的三線態(tài)能級(jí)et；能夠有效地引起ttf現(xiàn)象，進(jìn)而帶來(lái)器件的功耗明顯降低，效率大為提高的有益效果。
但是，事實(shí)上，在有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)際生產(chǎn)和應(yīng)用過(guò)程中，仍然存在很多不足，包括生產(chǎn)成本高、次品率高、工藝復(fù)雜、發(fā)光效率低下、穩(wěn)定性差、壽命短等。而決定oled器件的主要因素還是材料問(wèn)題，因此，一種設(shè)計(jì)并合成一種新型有機(jī)發(fā)光材料以克服其在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的不足，是oled領(lǐng)域研究工作中的重點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
基于上述背景內(nèi)容，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光材料及其在oled器件中的應(yīng)用。其中，本申請(qǐng)發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了一種新的化合物，其制備簡(jiǎn)單、原料易得，進(jìn)一步地，將其應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光材料中，可以實(shí)現(xiàn)材料的發(fā)光效率高、玻璃化轉(zhuǎn)化溫度高、結(jié)晶溫度高等有益效果，更重要的是所述有機(jī)發(fā)光材料處于激發(fā)態(tài)時(shí)不容易退化，電化學(xué)穩(wěn)定性高。進(jìn)一步地，將其應(yīng)用于oled器件中，可以實(shí)現(xiàn)器件的生產(chǎn)成本低、發(fā)光效率高、穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)。
本發(fā)明的技術(shù)方案包括一種有機(jī)發(fā)光材料，其含有一種化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)為通式i所示：
其中，x表示o或s；
r1至r4分別獨(dú)立地表示：氫、鹵素、(c1-c60)鏈烷基、(c6-c60)芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的(c6-c60)雜芳基、嗎啉基、硫代嗎啉基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的5元或6元雜環(huán)烷基、(c3-c60)環(huán)烷基、三(c1-c60)烷基甲硅烷基、二(c1-c60)烷基(c6-c60)芳基甲硅烷基、三(c6-c60)芳基甲硅烷基、金剛烷基、(c7-c60)二環(huán)烷基、(c2-c60)烯基、(c2-c60)炔基、氰基、(c1-c60)烷氧基、(c1-c60)烷硫基、(c6-c60)芳氧基、(c6-c60)芳硫基、(c1-c60)烷氧基羰基、(c6-c60)芳基羰基、羧基或硝基或羥基或烷基取代的(c6-c60)芳基；
r5表示：氫、鹵素、(c1-c60)鏈烷基、(c6-c60)芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的(c6-c60)雜芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的5元或6元雜環(huán)烷基、(c3-c60)環(huán)烷基、三(c1-c60)烷基甲硅烷基、二(c1-c60)烷基(c6-c60)芳基甲硅烷基、三(c6-c60)芳基甲硅烷基、金剛烷基、(c7-c60)二環(huán)烷基、(c2-c60)烯基、(c2-c60)炔基、(c1-c60)烷氧基、(c1-c60)烷硫基、氰基、(c1-c60)烷基胺基、(c6-c60)芳基胺基、、(c6-c60)芳氧基、(c6-c60)芳硫基、(c1-c60)烷氧基羰基、(c6-c60)芳基羰基、羧基或硝基或羥基或烷基取代的(c6-c60)芳基。
優(yōu)選地，所述r1-r5中的雜原子選自n、o、s、si。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，r1至r4分別獨(dú)立地表示：氫、(c6-c20)芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的(c6-c20)雜芳基，更優(yōu)選地，r1、r3、r4分別表示h，r2表示h、苯環(huán)、萘。
在本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例中，r5表示氫、(c6-c20)芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的(c6-c20)雜芳基，其中，更優(yōu)選地，所述雜原子為n、o或s，最優(yōu)選為n。進(jìn)一步地，r3表示氫、苯環(huán)、萘、異喹啉。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述化合物選自如下結(jié)構(gòu)：
本發(fā)明的技術(shù)方案還包括一種含有上述所述有機(jī)發(fā)光材料的空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料。
本發(fā)明的技術(shù)方案還包括一種含有上述所述有機(jī)發(fā)光材料的紅光主體材料、綠光主體材料。
本發(fā)明的技術(shù)方案還包括一種含有上述所述有機(jī)發(fā)光材料的oled器件。
本發(fā)明的技術(shù)方案還包括一種上述所述oled器件的制備方法，其特征在于，包括：
1)將透明陽(yáng)極電極ito基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘；
2)將處理后的ito基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備，首先蒸鍍空穴傳輸層材料作為空穴傳輸層，然后混合蒸鍍發(fā)光層材料以及質(zhì)量含量為5％-10％的(piq)2iracac作為發(fā)光層，隨后蒸鍍電子傳輸層材料作為電子傳輸層，再蒸鍍lif和金屬al，得到所述oled器件；
其中，所述空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料中的任意一種或 幾種中含有通式(i)所示的化合物。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述空穴傳輸層為30-50nm，電子傳輸層為20-40nm，lif為0.5-2nm和金屬al為100-200nm。
本發(fā)明提供的所述有機(jī)發(fā)光材料制備工藝簡(jiǎn)單，成本低，并具有熱穩(wěn)定性好、發(fā)光效率高、玻璃化轉(zhuǎn)化溫度高、結(jié)晶溫度高等有益效果，更重要的是所述有機(jī)發(fā)光材料處于激發(fā)態(tài)時(shí)不容易退化，電化學(xué)穩(wěn)定性高。含有所述材料的oled器件具有生產(chǎn)成本低、發(fā)光效率高、穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了包括一種有機(jī)發(fā)光材料，其含有一種化合物，所述化合物的結(jié)構(gòu)為通式i所示：
其中，x表示o或s；
r1至r4分別獨(dú)立地表示：氫、鹵素、(c1-c60)鏈烷基、(c6-c60)芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的(c6-c60)雜芳基、嗎啉基、硫代嗎啉基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的5元或6元雜環(huán)烷基、(c3-c60)環(huán)烷基、三(c1-c60)烷基甲硅烷基、二(c1-c60)烷基(c6-c60)芳基甲硅烷基、三(c6-c60)芳基甲硅烷基、金剛烷基、(c7-c60)二環(huán)烷基、(c2-c60)烯基、(c2-c60)炔基、氰基、(c1-c60)烷氧基、(c1-c60)烷硫基、(c6-c60)芳氧基、(c6-c60)芳硫基、(c1-c60)烷氧基羰基、(c6-c60)芳基羰基、羧基或硝基或羥基或烷基取代的(c6-c60)芳基；
r5表示：氫、鹵素、(c1-c60)鏈烷基、(c6-c60)芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的(c6-c60)雜芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的5元或6元雜環(huán)烷基、(c3-c60)環(huán)烷基、三(c1-c60)烷基甲硅烷基、二(c1-c60)烷基(c6-c60)芳基甲硅烷基、三(c6-c60)芳基甲硅烷基、金剛烷基、(c7-c60)二環(huán)烷基、(c2-c60)烯基、(c2-c60)炔基、(c1-c60)烷氧基、(c1-c60)烷硫基、氰基、(c1-c60)烷基胺基、(c6-c60)芳基胺基、、(c6-c60)芳氧基、(c6-c60) 芳硫基、(c1-c60)烷氧基羰基、(c6-c60)芳基羰基、羧基或硝基或羥基或烷基取代的(c6-c60)芳基。
優(yōu)選地，所述r1-r5中的雜原子選自n、o、s、si。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，r1至r4分別獨(dú)立地表示：氫、(c6-c20)芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的(c6-c20)雜芳基，更優(yōu)選地，r1、r3、r4分別表示h，r2表示h、苯環(huán)、萘。
在本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例中，r5表示氫、(c6-c20)芳基、含一個(gè)或多個(gè)雜原子的(c6-c20)雜芳基，其中，更優(yōu)選地，所述雜原子為n、o或s，最優(yōu)選為n。進(jìn)一步地，r3表示氫、苯環(huán)、萘、異喹啉。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述化合物選自如下結(jié)構(gòu)：
本發(fā)明還提供了一種含有上述所述有機(jī)發(fā)光材料的空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料。
本發(fā)明還提供了一種含有上述所述有機(jī)發(fā)光材料的紅光主體材料、綠光主體材料。
本發(fā)明還提供了一種含有上述所述有機(jī)發(fā)光材料的oled器件。
本發(fā)明還提供了一種上述所述oled器件的制備方法，其特征在于，包括：
1)將透明陽(yáng)極電極ito基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘；
2)將處理后的ito基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備，首先蒸鍍空穴傳輸層材料作為空穴傳輸層，然后混合蒸鍍發(fā)光層材料以及質(zhì)量含量為5％-10％的(piq)2iracac作為發(fā)光層，隨后蒸鍍電子傳輸層材料作為電子傳輸層，再蒸鍍lif和金屬al，得到所述oled器件；
其中，所述空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料中的任意一種或幾種中含有通式(i)所示的化合物。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述空穴傳輸層為30-50nm，電子傳輸層為20-40nm，lif為0.5-2nm和金屬al為100-200nm。
結(jié)合上述技術(shù)方案，現(xiàn)通過(guò)以下具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步地解釋和說(shuō)明。
實(shí)施例1
1、一種有機(jī)發(fā)光材料，其含有通式(1)所示的化合物，所述化合物的制備路線為：
2、所述化合物的制備步驟為：
稱取化合物a1g(4.3mmol)、b2.1g(6.4mmol)和2,2-二甲基-丙酸2.2g(21.3mmol)于反應(yīng)瓶中，量取二氯乙烷30ml到反應(yīng)瓶?jī)?nèi)，80℃下攪拌反應(yīng)。反應(yīng)12h后，向反應(yīng)液加入蒸餾水200ml，然后用乙醚150ml萃取三次后，有機(jī)相溶液用10％稀氨水溶液100ml洗滌兩次，收集有機(jī)相后，用mgso4干燥后，旋蒸除去溶劑，用柱層析提純，得產(chǎn)物1.4g，產(chǎn)率為73％；
稱取化合物a-10.5g(1.1mmol)、naoac0.27g(3.3mmol)和50mg的pd/c(10wt％)于反應(yīng)瓶中，量取dmf30ml到反應(yīng)瓶?jī)?nèi)，140℃下攪拌反應(yīng)。反應(yīng)16h后，將反應(yīng)液冷卻至室溫，加入蒸餾水100ml，然后用乙醚150ml萃取三次后，用mgso4干燥，旋蒸除去溶劑，用柱層析提純，得產(chǎn)物0.29g，產(chǎn)率為85％。
3、結(jié)構(gòu)表征
ms:計(jì)算值309.09，實(shí)測(cè)值309.25。
1hnmr(cdcl3,400mhz):δ＝9.01(1h,s),7.99(1h,s),7.79(1h,s),7.65(2h,m),7.45(2h,m),7.19(2h,m),7.14(1h,m),6.98(1h,m)。
實(shí)施例2
1、一種有機(jī)發(fā)光材料，其含有通式(2)所示的化合物，所述化合物的制備路線為：
2、所述化合物的制備步驟為：
稱取化合物a1g(4.3mmol)、c2.9g(6.4mmol)和2,2-二甲基-丙酸2.2g(21.3mmol)于反應(yīng)瓶中，量取二氯乙烷30ml到反應(yīng)瓶?jī)?nèi)，80℃下攪拌反應(yīng)。反應(yīng)12h后，向反應(yīng)液加入蒸餾水200ml，然后用乙醚150ml萃取三次后，有機(jī)相溶液用10％稀氨水溶液100ml洗滌兩次，收集有機(jī)相后，用mgso4干燥后，旋蒸除去溶劑，用柱層析提純，得產(chǎn)物1.7g，產(chǎn)率為69％；
稱取化合物a-10.6g(1.1mmol)、naoac0.27g(3.3mmol)和60mg的pd/c(10wt％)于反應(yīng)瓶中，量取dmf30ml到反應(yīng)瓶?jī)?nèi)，140℃下攪拌反應(yīng)。反 應(yīng)16h后，將反應(yīng)液冷卻至室溫，加入蒸餾水100ml，然后用乙醚150ml萃取三次后，用mgso4干燥，旋蒸除去溶劑，用柱層析提純，得產(chǎn)物0.39g，產(chǎn)率為81％。
3、結(jié)構(gòu)表征
ms:計(jì)算值435.14，實(shí)測(cè)值435.42。
1hnmr(cdcl3,400mhz):δ＝9.02(1h,s),7.98(1h,s),7.77(1h,s),7.65(5h,m),7.59(1h,m),7.52(1h,d),7.47(1h,d),7.40(1h,d),7.33(1h,m),7.31(2h,m),7.23(2h,m)。
實(shí)施例3
1、一種有機(jī)發(fā)光材料，其含有通式(3)所示的化合物，所述化合物的制備路線為：
2、所述化合物的制備步驟為：
取化合物d1.1g(4.3mmol)、b2.1g(6.4mmol)和2,2-二甲基-丙酸2.2g(21.3mmol)于反應(yīng)瓶中，量取二氯乙烷30ml到反應(yīng)瓶?jī)?nèi)，80℃下攪拌反應(yīng)。反應(yīng)12h后，向反應(yīng)液加入蒸餾水200ml，然后用乙醚150ml萃取三次后，有機(jī)相溶液用10％稀氨水溶液100ml洗滌兩次，收集有機(jī)相后，用mgso4干燥后，旋蒸除去溶劑，用柱層析提純，得產(chǎn)物1.38g，產(chǎn)率為72％；
稱取化合物d-10.5g(1.1mmol)、naoac0.27g(3.3mmol)和50mg的pd/c(10wt％)于反應(yīng)瓶中，量取dmf30ml到反應(yīng)瓶?jī)?nèi)，140℃下攪拌反應(yīng)。反應(yīng)16h后，將反應(yīng)液冷卻至室溫，加入蒸餾水100ml，然后用乙醚150ml萃取三次后，用mgso4干燥，旋蒸除去溶劑，用柱層析提純，得產(chǎn)物0.29g，產(chǎn)率為82％。
3、結(jié)構(gòu)表征
ms:計(jì)算值325.07，實(shí)測(cè)值325.23。
1hnmr(cdcl3,400mhz):δ＝8.99(1h,s),7.97(1h,s),7.78(2h,m),7.71(1h,d),7.66(2h,m),7.32(2h,m),7.21(2h,m)。
實(shí)施例4
1、一種有機(jī)發(fā)光材料，其含有通式(4)所示的化合物，所述化合物的制備路線為：
2、所述化合物的制備步驟為：
稱取化合物d1.1g(4.3mmol)、c2.9g(6.4mmol)和2,2-二甲基-丙酸2.2g(21.3mmol)于反應(yīng)瓶中，量取二氯乙烷30ml到反應(yīng)瓶?jī)?nèi)，80℃下攪拌反應(yīng)。反應(yīng)12h后，向反應(yīng)液加入蒸餾水200ml，然后用乙醚150ml萃取三次后，有機(jī)相溶液用10％稀氨水溶液100ml洗滌兩次，收集有機(jī)相后，用mgso4干燥后，旋蒸除去溶劑，用柱層析提純，得產(chǎn)物1.6g，產(chǎn)率為65％；
稱取化合物d-20.64g(1.1mmol)、naoac0.27g(3.3mmol)和64mgofpd/c(10wt％)于反應(yīng)瓶中，量取dmf30ml到反應(yīng)瓶?jī)?nèi)，140℃下攪拌反應(yīng)。反應(yīng)16h后，將反應(yīng)液冷卻至室溫，加入蒸餾水100ml，然后用乙醚150ml萃取三次后，用mgso4干燥，旋蒸除去溶劑，用柱層析提純，得產(chǎn)物0.39g，產(chǎn)率為78％。
3、結(jié)構(gòu)表征
ms:計(jì)算值451.11，實(shí)測(cè)值451.56。
1hnmr(cdcl3,400mhz):δ＝8.98(1h,s),7.98(2h,s),7.89(1h,d),7.81(1h,s),7.67(2h,m),7.62(2h,m),7.59(1h,d),7.52(2h,m),7.36(1h, m),7.31(2h,m),7.23(2h,m)。
應(yīng)用實(shí)施例
對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例：將透明陽(yáng)極電極ito基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘；隨后將處理后的ito基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備，首先蒸鍍一層30-50nm的npb作為空穴傳輸層，然后是發(fā)光層的蒸鍍，即混合蒸鍍cbp以及5％-10％的(piq)2iracac，隨后蒸鍍20-40nm的alq3作為電子傳輸層，隨后再蒸鍍0.5-2nmlif，隨后蒸鍍100-200nm的金屬al，獲得oled器件d。
應(yīng)用實(shí)施例1：將透明陽(yáng)極電極ito基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘；隨后將處理后的ito基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備，首先蒸鍍一層30-50nm的npb作為空穴傳輸層，然后是發(fā)光層的蒸鍍，即混合蒸鍍化合物1，以及5％-10％的(piq)2iracac，隨后蒸鍍20-40nm的alq3，隨后再蒸鍍0.5-2nmlif，隨后蒸鍍100-200nm的金屬al，獲得oled器件s1。
應(yīng)用實(shí)施例2
將對(duì)比實(shí)施例中的cbp換成化合物2，作為發(fā)光層，獲得oled器件s2。
應(yīng)用實(shí)施例3
將對(duì)比實(shí)施例中的cbp換成化合物3，作為發(fā)光層，獲得oled器件s3。
應(yīng)用實(shí)施例4
將對(duì)比實(shí)施例中的cbp換成化合物4，作為發(fā)光層，獲得oled器件s4。
應(yīng)用實(shí)施例5
將對(duì)比實(shí)施例中的alq3換成化合物1，作為電子傳輸層，獲得oled器件s5。
應(yīng)用實(shí)施例6
將對(duì)比實(shí)施例中的alq3換成化合物2，作為電子傳輸層，獲得oled器件s6。
應(yīng)用實(shí)施例7
將對(duì)比實(shí)施例中的alq3換成化合物3，作為電子傳輸層，獲得oled器件s7。
應(yīng)用實(shí)施例8
將對(duì)比實(shí)施例中的alq3換成化合物4，作為電子傳輸層，獲得oled器件s8。
其中：
各應(yīng)用實(shí)施例的oled器件結(jié)構(gòu)如下：
d：ito/npb/cbp：(piq)2iracac/alq3/lif/al；
s1：ito/npb/化合物1：(piq)2iracac/alq3/lif/al；
s2：ito/npb/化合物2：(piq)2iracac/alq3/lif/al；
s3：ito/npb/化合物3：(piq)2iracac/alq3/lif/al；
s4：ito/npb/化合物4：(piq)2iracac/alq3/lif/al；
s5：ito/npb/cbp：(piq)2iracac/化合物1/lif/al；
s6：ito/npb/cbp：(piq)2iracac/化合物2/lif/al；
s7：ito/npb/cbp：(piq)2iracac/化合物3/lif/al；
s8：ito/npb/cbp：(piq)2iracac/化合物4/lif/al。
應(yīng)用實(shí)施例1-8及對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例中的oled器件的各項(xiàng)性能在1000nits下測(cè)得，具體數(shù)據(jù)參見(jiàn)下表一，其中，drivervoltage表示驅(qū)動(dòng)電壓，cd表示電流效率，ciex、ciey代表色坐標(biāo)。
表一oled器件的各項(xiàng)性能檢測(cè)數(shù)據(jù)
上述表一所列出的數(shù)據(jù)說(shuō)明，相較于應(yīng)用對(duì)比實(shí)施例，以包含本發(fā)明實(shí)施例化合物的材料制得的發(fā)光器件所需的驅(qū)動(dòng)電壓更低、效率更高。
以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。