一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提出的一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，將含苯基硅烷與含氨丙基硅烷兩種單體在強極性非質(zhì)子溶劑體系中通過水解縮合反應(yīng)，經(jīng)抽真空除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含有氨基的超支化聚硅氧烷，并將其用于聚酰亞胺材料的改性，制備了含有HBPSi結(jié)構(gòu)的聚酰胺酸，經(jīng)熱酰亞胺化后獲得了一系列超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜（HBPSi-PI）。合成HBPSi的反應(yīng)條件溫和，成本低廉，且最終以化學(xué)鍵的形式將HBPSi結(jié)構(gòu)引入聚酰亞胺分子主鏈，賦予了該材料優(yōu)異的本征抗原子氧性能與良好的光透性。HBPSi-PI雜化薄膜綜合性能優(yōu)異，制備成本低廉，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利說明】一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，涉及含氨基超支化聚硅氧烷(HBPSi)的制備以及含有HBPSi結(jié)構(gòu)的太空用抗原子氧聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，各國都在努力拓展自己的太空領(lǐng)域?？臻g技術(shù)的發(fā)展對材料提出越來越多的要求。航天器要在低地球軌道(LEO)這種高原子氧(AO)含量的環(huán)境下進(jìn)行作業(yè)而保 證不被損壞，就必須具有優(yōu)異的抗原子氧性能。聚酰亞胺(PI)作為一種綜合性能優(yōu)異的工程材料在航天領(lǐng)域具有廣泛的用途，但AO的侵蝕使未經(jīng)改性的PI使用壽命大打折扣，因此提高PI的抗原子氧性能成為了各國學(xué)者研究的焦點。
[0003]近年來，一類特殊結(jié)構(gòu)的含硅基團-籠形低聚倍半硅氧烷(POSS)在改善PI抗原子氧特性研究中受到了廣泛重視。目前，關(guān)于含POSS結(jié)構(gòu)PI的研究已經(jīng)十分充分。通過控制POSS的含量以及聚合方式，可以制得具有高透明性、高耐熱穩(wěn)定性、低介電常數(shù)的功能性POSS-PI雜化材料。以色列研究者們將未封角POSS與PI前驅(qū)體共混，獲得了 POSS改性的PI材料。與純凈的PI材料相比，該材料對AO呈現(xiàn)出了良好的抵抗作用，并且保持了 PI基體良好的機械性能。遺憾的是，該種方法僅僅是簡單的物理共混，并沒有在分子尺度上改善PI基體的抗原子氧性能。當(dāng)POSS含量較高時，材料呈現(xiàn)出明顯的相分離且機械性能嚴(yán)重劣化，透光性明顯下降。美國空軍研究實驗室(AFRL)的研究人員則把研究目光集中在了 POSS-PI的本征抗原子氧特性方面，并對此進(jìn)行了深入系統(tǒng)的研究。他們將POSS基團通過共聚的方式引入目前商業(yè)化Kapton的分子結(jié)構(gòu)中，合成了主鏈含POSS結(jié)
構(gòu)(MC-POSS-Kaptonu)的聚酰亞胺。地面模擬實驗結(jié)果表明，POSS結(jié)構(gòu)的引入可明顯提
高PI的抗AO性能。為了降低生產(chǎn)成本，研究者們又合成了一種側(cè)鏈含有POSS結(jié)構(gòu)的聚
酰亞胺(SC-POSS-Kaptons),由于POSS結(jié)構(gòu)位于側(cè)鏈，因而SC-POSS-Kapton?可以負(fù)載
更高含量的POSS基團，而不至于引起材料光學(xué)性能與力學(xué)性能的降低。原子氧輻照前后，
SC-POSS-Kapton?的模量、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以及熱膨脹系數(shù)的變化情況與Kapton H1?薄
膜相當(dāng)。
[0004]盡管在提高PI抗AO性能方面，各國研究者相繼開展了卓有成效的研究，并取得了相當(dāng)大的進(jìn)展，但在兼顧PI材料抗原子氧性能與機械性能方面仍面臨著很多問題，一般抗原子氧性能優(yōu)異的PI材料的獲得，往往是以犧牲該材料的其他性能，尤其是力學(xué)性能和光學(xué)性能為代價的?；诖?，國內(nèi)外目前在聚酰亞胺薄膜表面通過沉積法涂覆金屬涂層、SiO2, A1203、Cr2O3以及氟化聚合物，以隔絕基層材料與AO的接觸，進(jìn)而對材料起到保護作用。該方法雖在一定程度上提高了材料在高空中的使用壽命，但仍有相當(dāng)大的缺陷。首先涂覆工藝需要特殊的設(shè)備，并且受薄膜尺寸和形狀的限制；其次涂層厚度的均一性在涂覆過程中很難得到有效控制，并且在大規(guī)模生產(chǎn)、手動操作、儲存、裝載、以及高空微粒的碰撞下不能保證涂層的完好無損；再次涂層材料和基層材料具有不同的熱膨脹系數(shù)，溫度變化時，粘附界面由于膨脹收縮不均一，從而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力、斷裂、分層等現(xiàn)象，嚴(yán)重影響了材料的綜合性能。因此對PI樹脂基體做進(jìn)一步的改性依舊是當(dāng)前迫切需要解決的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]要解決的技術(shù)問題
[0006]為了避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明提出一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，可以降低生產(chǎn)成本，使抗原子氧PI的合成朝著可工業(yè)化的方向發(fā)展。
[0007]技術(shù)方案
[0008]一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，其特征在于步驟如下:
[0009]步驟1、含氨基超支化聚硅氧烷的合成:
[0010]步驟al、向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入強極性非質(zhì)子溶劑、含苯基硅烷單體和含氨丙基硅烷單體，同時開動攪拌并給體系降溫；強極性非質(zhì)子溶劑與硅烷單體的質(zhì)量比為0.8?2: I，含苯基硅烷單體與含氨丙基硅烷單體的摩爾比為50:1?5 ;
[0011]步驟bl、當(dāng)溫度降至4?10°C時，將蒸餾水于Ih內(nèi)滴入步驟al的體系中，結(jié)束后，維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌I?2h，升溫至50°C，繼續(xù)反應(yīng)3h ;蒸餾水與硅烷單體的摩爾比為2.5?3.5: I ；
[0012]步驟C1、反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60?70°C，壓力-0.075MPa,除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含氨基HBPSi ；
[0013]步驟2、含有HBPSi結(jié)構(gòu)的抗原子氧PI雜化薄膜的制備:
[0014]步驟a2、聚酰胺酸PAA的制備:往反應(yīng)器中加入強極性非質(zhì)子溶劑，開動攪拌，通氮氣，按照質(zhì)量比為0.1?1.1:1稱取步驟Cl得到的含氨基HBPSi與4，4’ -二氨基二苯醚0DA，溶解于強極性非質(zhì)子溶劑中；待4，4’ - 二氨基二苯醚ODA完全溶解后，將等當(dāng)量的均苯四甲酸二酐PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔Ih ;維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到含有HBPSi結(jié)構(gòu)的PAA溶液HBPS1-PAA ;所述強極性非質(zhì)子溶劑與所加溶質(zhì)質(zhì)量比為85:15 ；
[0015]步驟b2:將步驟a2所得HBPS1-PAA溶液均勻涂覆于干凈的玻璃板上，并于80°C下放置30min以揮發(fā)掉表面溶劑至表面凝固；將玻璃板放置于烘箱中進(jìn)行酰亞胺化；亞胺化結(jié)束后取出玻璃板，在去離子水中浸泡24h后取下薄膜，并于120°C下真空干燥12h，得到太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜。
[0016]所述步驟b2的亞胺化工藝:升溫速率為6°C /min，溫度升至350°C時保溫lh。
[0017]所述強極性非質(zhì)子溶劑為隊 二甲基甲酰胺01 、隊 二甲基乙酰胺0獻(xiàn)(3 甲基吡咯烷酮NMP或二甲基亞砜DMSO中的任何一種或其組合。
[0018]所述含苯基硅烷單體包括苯基三甲氧基硅烷PTMS、苯基三乙氧基硅烷PTES中的任何一種或其組合。
[0019]所述含氨丙基硅烷單體包括Y-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、Y-氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的任何一種或其組合。
[0020]有益效果
[0021]本發(fā)明提出的一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，將含苯基硅烷與含氨丙基硅烷兩種單體在強極性非質(zhì)子溶劑體系中通過水解縮合反應(yīng)，經(jīng)抽真空除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含有氨基的超支化聚硅氧烷，并將其用于聚酰亞胺材料的改性，制備了含有HBPSi結(jié)構(gòu)的聚酰胺酸，經(jīng)熱酰亞胺化后獲得了一系列超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜(HBPS1-PI )。合成HBPSi的反應(yīng)條件溫和，成本低廉，且最終以化學(xué)鍵的形式將HBPSi結(jié)構(gòu)引入聚酰亞胺分子主鏈，賦予了該材料優(yōu)異的本征抗原子氧性能與良好的光透性。HBPS1-PI雜化薄膜綜合性能優(yōu)異，制備成本低廉，適合工業(yè)化生產(chǎn)。與未改性的Kapton聚酰亞胺標(biāo)準(zhǔn)膜相比，抗原子氧性能提高了一個數(shù)量級，對于航空航天事業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
[0022]本發(fā)明提出一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，可以降低生產(chǎn)成本，使抗原子氧PI的合成朝著可工業(yè)化的方向發(fā)展。有利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。與未改性的Kapton標(biāo)準(zhǔn)膜相比，HBPS1-PI的抗AO性能提高了一個數(shù)量級，且綜合性能優(yōu)異，能夠滿足航空航天事業(yè)發(fā)展的需求。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]圖1.是含氨基HBPSi的合成路線；
[0024]圖2.是Kapton標(biāo)準(zhǔn)膜經(jīng)AO輻照后的SEM照片；
[0025]圖3.是HBPS1-PI薄膜經(jīng)AO輻照后的SEM照片；
[0026]圖4.是Kapton標(biāo).準(zhǔn)膜經(jīng)AO輻照前的三維AFM照片；
[0027]圖5.是HBPS1-PI薄膜經(jīng)AO輻照前的三維AFM照片；
[0028]圖6.是Kapton標(biāo)準(zhǔn)膜經(jīng)AO輻照后的三維AFM照片；
[0029]圖7.是HBPS1-PI薄膜經(jīng)AO輻照后的三維AFM照片；
[0030]圖8.是未經(jīng)AO輻照的HBPS1-PI薄膜覆蓋于校徽上的數(shù)碼照片。
【具體實施方式】
[0031]現(xiàn)結(jié)合實施例、附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
[0032]1.含氨基HBPSi的合成
[0033]實施例1:向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入35g N, N- 二甲基乙酰胺(DMAc)、19.83g苯基二甲氧基娃燒與0.38g氣丙基甲基_.乙氧基娃燒，同時開動攬祥并給體系降溫。當(dāng)溫度降至5°C時，將5.5g蒸餾水于Ih內(nèi)滴入體系中。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌Ih,升溫至50°C，攪拌反應(yīng)3h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在65°C，壓力-0.075MPa,除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含氨基含量為0.16mmol/g的HBPSi。
[0034]實施例2:向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入20g N, N- 二甲基甲酰胺(DMF)、24.04g苯基三乙氧基硅烷與0.76g氨丙基甲基二乙氧基硅烷，同時開動攪拌并給體系降溫。當(dāng)溫度降至6°C時，將6g蒸餾水于Ih內(nèi)滴入體系中。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌lh，升溫至50°C，攪拌反應(yīng)3h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在70°C，壓力-0.075MPa,除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含氨基含量為0.32mmol/g的HBPSi。[0035]實施例3:向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入22g DMAc、19.83g苯基三甲氧基硅烷與1.15g氨丙基甲基二甲氧基硅烷，同時開動攪拌并給體系降溫。當(dāng)溫度降至4°C時，將4.Sg蒸餾水于Ih內(nèi)滴入體系中。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌lh，升溫至50°C，攪拌反應(yīng)3h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60°C，壓力-0.075MPa,除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含氨基含量為0.46mmol/g的HBPSi。
[0036]實施例4:向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入28g 二甲基亞砜(DMS0)、19.23g苯基三乙氧基硅烷與1.04g氨丙基甲基二甲氧基硅烷，同時開動攪拌并給體系降溫。當(dāng)溫度降至5°C時，將5g蒸餾水于Ih內(nèi)滴入體系中。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌lh，升溫至50°C，攪拌反應(yīng)3h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在65°C，壓力-0.075MPa，除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含氨基含量為0.62mmol/g的HBPSi。
[0037]實施例5:向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入30g N-甲基吡咯烷酮(NMP)、19.Sg苯基三甲氧基硅烷與1.63g氨丙基甲基二甲氧基硅烷，同時開動攪拌并給體系降溫。當(dāng)溫度降至4°C時，將5g蒸餾水于Ih內(nèi)滴入體系中。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌lh，升溫至50°C，攪拌反應(yīng)3h。反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60°C，壓力-0.075MPa,除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含氨基含量為0.76mmol/g的HBPSi。
[0038]2.含有HBPSi結(jié)構(gòu)的抗原子氧PI雜化薄膜的制備
[0039]步驟1:聚酰胺酸的制備
[0040]實施例·1:往反應(yīng)器中加入30.77g NMP，開動攪拌，通氮氣，稱取1.33g氨基含量為
0.62mmol/g的HBPSi與1.92g ODA溶解于NMP中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到含有超支化聚硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚酰胺酸溶液(HBPS1-PAA)。
[0041]實施例2:往反應(yīng)器中加入29.35g DMF，開動攪拌，通氮氣，稱取1.08g氨基含量為
0.76mmol/g的HBPSi與1.92g ODA溶解于DMF中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。
[0042]實施例3:往反應(yīng)器中加入32.70g DMAc，開動攪拌，通氮氣，稱取1.64g氨基含量為0.32mmol/g的HBPSi與1.95g ODA溶解于DMAc中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。
[0043]實施例4:往反應(yīng)器中加入34.96g DMSO,開動攪拌，通氮氣，稱取2.02g氨基含量為0.16mmol/g的HBPSi與1.97g ODA溶解于DMSO中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。
[0044]實施例5:往反應(yīng)器中加入27.54g DMAc,開動攪拌，通氮氣，稱取0.70g氨基含量為0.32mmol/g的HBPSi與1.98g ODA溶解于DMAc中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。
[0045]實施例6:往反應(yīng)器中加入32.47g DMF，開動攪拌，通氮氣，稱取1.65g氨基含量為
0.62mmol/g的HBPSi與1.90g ODA溶解于DMAc中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。
[0046]實施例7:往反應(yīng)器中加入25.22g DMAc，開動攪拌，通氮氣，稱取0.29g氨基含量為0.76mmol/g的HBPSi與1.98g ODA溶解于DMAc中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。[0047]實施例8:往反應(yīng)器中加入31g DMF，開動攪拌，通氮氣，稱取1.35g氨基含量為
0.46mmol/g的HBPSi與1.94g ODA溶解于DMAc中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。
[0048]實施例9:往反應(yīng)器中加入31.45g NMP，開動攪拌，通氮氣，稱取1.48g氨基含量為
0.76mmol/g的HBPSi與1.89g ODA溶解于DMAc中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。
[0049]實施例10:往反應(yīng)器中加入28.67g DMS0，開動攪拌，通氮氣，稱取0.92g氨基含量為0.46mmol/g的HBPSi與1.96g ODA溶解于DMAc中。待ODA完全溶解后，將2.18g PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔lh。維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到HBPS1-PAA。
[0050]步驟2:雜化薄膜的制備
[0051]將步驟I中10組實施例所獲得的HBPS1-PAA溶液均勻涂覆于干凈的玻璃板上，并于80°C下放置30min以揮發(fā)掉表面溶劑至表面凝固。將玻璃板放置于烘箱中進(jìn)行酰亞胺化(具體亞胺化工藝:升溫速率為6°C /min，溫度升至350°C時保溫Ih)。亞胺化結(jié)束后取出玻璃板，在去離子水中浸泡24h后取下薄膜，并于120°C下真空干燥12h，得到抗原子氧聚酰亞胺雜化薄膜(HBPS1 -PI )。
【權(quán)利要求】
1.一種太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，其特征在于步驟如下: 步驟1、含氨基超支化聚硅氧烷的合成: 步驟al、向裝有磁力攪拌器的容器中依次加入強極性非質(zhì)子溶劑、含苯基硅烷單體和含氨丙基硅烷單體，同時開動攪拌并給體系降溫；強極性非質(zhì)子溶劑與硅烷單體的質(zhì)量比為0.8?2: I，含苯基硅烷單體與含氨丙基硅烷單體的摩爾比為50:1?5 ; 步驟bl、當(dāng)溫度降至4?10°C時，將蒸餾水于Ih內(nèi)滴入步驟al的體系中，結(jié)束后，維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌I?2h，升溫至50°C，繼續(xù)反應(yīng)3h ;蒸餾水與硅烷單體的摩爾比為 2.5 ?3.5: I ； 步驟Cl、反應(yīng)結(jié)束后，旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)，溫度控制在60?70°C，壓力-0.075MPa,除去反應(yīng)生成的小分子揮發(fā)物，得到含氨基HBPSi ； 步驟2、含有HBPSi結(jié)構(gòu)的抗原子氧PI雜化薄膜的制備: 步驟a2、聚酰胺酸PAA的制備:往反應(yīng)器中加入強極性非質(zhì)子溶劑，開動攪拌，通氮氣，按照質(zhì)量比為0.1?1.1:1稱取步驟Cl得到的含氨基HBPSi與4，4’-二氨基二苯醚ODA，溶解于強極性非質(zhì)子溶劑中；待4，4’ - 二氨基二苯醚ODA完全溶解后，將等當(dāng)量的均苯四甲酸二酐PMDA分三次加入，相鄰兩次加料時間間隔Ih ;維持反應(yīng)條件不變，繼續(xù)攪拌24h，得到含有HBPSi結(jié)構(gòu)的PAA溶液HBPS1-PAA ;所述強極性非質(zhì)子溶劑與所加溶質(zhì)質(zhì)量比為85:15 ； 步驟b2:將步驟a2所得HBP S1-PAA溶液均勻涂覆于干凈的玻璃板上，并于80°C下放置30min以揮發(fā)掉表面溶劑至表面凝固；將玻璃板放置于烘箱中進(jìn)行酰亞胺化；亞胺化結(jié)束后取出玻璃板，在去離子水中浸泡24h后取下薄膜，并于120°C下真空干燥12h，得到太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，其特征在于:所述步驟b2的亞胺化工藝:升溫速率為6°C /min，溫度升至350°C時保溫lh。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，其特征在于:所述強極性非質(zhì)子溶劑為N，N- 二甲基甲酰胺DMF、N, N- 二甲基乙酰胺DMAc、N-甲基吡咯烷酮NMP或二甲基亞砜DMSO中的任何一種或其組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，其特征在于:所述含苯基硅烷單體包括苯基三甲氧基硅烷PTMS、苯基三乙氧基硅烷PTES中的任何一種或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述太空用超支化聚硅氧烷聚酰亞胺透明雜化薄膜的制備方法，其特征在于:所述含氨丙基硅烷單體包括Y-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、Y-氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的任何一種或其組合。
【文檔編號】C08J5/18GK103435827SQ201310384547
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月29日
【發(fā)明者】張秋禹, 雷星鋒, 張和鵬, 陳營, 姚盼, 孫婉露 申請人:西北工業(yè)大學(xué)