一種減反射結(jié)構(gòu)的制備方法和減反射結(jié)構(gòu)與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種減反射結(jié)構(gòu)的制備方法和減反射結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有顯示面板的襯底基板通常為玻璃，玻璃對(duì)光的反射率較高，所以在較強(qiáng)的燈光或太陽(yáng)光的照射下，顯示面板的玻璃表面對(duì)光源形成鏡面反射，使得用戶(hù)無(wú)法看清顯示面板上顯示的圖像。為了解決上述問(wèn)題，目前通常在顯示面板的表面形成減反射結(jié)構(gòu)，減反射結(jié)構(gòu)的表面為不規(guī)則形狀，以形成漫反射，從而減少玻璃表面對(duì)于強(qiáng)光源的鏡面反射?，F(xiàn)有減反射結(jié)構(gòu)是通過(guò)模具對(duì)減反結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行刻蝕或納米壓印，以形成不規(guī)則形狀。

但是，不同尺寸的顯示面板需要形成不同尺寸的減反結(jié)構(gòu)，不同尺寸的減反結(jié)構(gòu)需要不同尺寸的模具制備，由于模具的采購(gòu)成本較高，從而導(dǎo)致制備減反結(jié)構(gòu)的成本較高，相應(yīng)增加顯示面板的生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種減反射結(jié)構(gòu)的制備方法和減反射結(jié)構(gòu)，用以至少部分解決現(xiàn)有減反結(jié)構(gòu)的制備成本較高的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種減反射結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

將多個(gè)顆粒與聚合物溶液混合；

在基板上涂覆所述混合有多個(gè)顆粒的聚合物溶液；

對(duì)所述混合有多個(gè)顆粒的聚合物溶液進(jìn)行固化，以形成聚合物薄膜，所述顆粒裸露于所述聚合物薄膜之外。

優(yōu)選的，通過(guò)旋涂工藝在所述基板上涂覆所述混合有多個(gè)顆粒的聚合物溶液。

優(yōu)選的，所述對(duì)所述混合有多個(gè)顆粒的聚合物溶液進(jìn)行固化，具體包括：

對(duì)所述混合有多個(gè)顆粒的聚合物溶液進(jìn)行加熱、低壓或紫外光照處理。

本發(fā)明提供一種減反射結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：將多個(gè)顆粒與聚合物溶液混合，在基板上涂覆所述混合有多個(gè)顆粒的聚合物溶液，并對(duì)基板上的混合有多個(gè)顆粒的聚合物溶液進(jìn)行固化，以形成聚合物薄膜，所述顆粒裸露于所述聚合物薄膜之外。相比于現(xiàn)有減反結(jié)構(gòu)的制備方法，無(wú)需通過(guò)模具制備，從而制備成本較低，而且，也無(wú)需通過(guò)刻蝕工藝和壓印工藝，進(jìn)而制備過(guò)程簡(jiǎn)單。

本發(fā)明還提供一種減反射結(jié)構(gòu)，形成在基板上，包括形成在所述基板上的摻雜有多個(gè)顆粒的聚合物薄膜，所述顆粒裸露于所述聚合物薄膜之外。

優(yōu)選的，所述顆粒為納米粒子。

優(yōu)選的，所述顆粒的裸露于所述聚合物薄膜之外的部分的體積，在鄰近所述聚合物薄膜的方向上逐漸增大。

優(yōu)選的，所述顆粒的形狀為以下形狀之一或任意組合：球形、半球形、圓錐和圓臺(tái)。

優(yōu)選的，所述顆粒裸露于所述聚合物薄膜之外部分的排布周期為200-1000nm。

優(yōu)選的，所述聚合物薄膜的材料為透明材料。

優(yōu)選的，所述顆粒的材料為金屬、金屬氧化物和有機(jī)化合物中的一種或多種。

本發(fā)明提供一種減反射結(jié)構(gòu)，包括形成在基板上的摻雜有多個(gè)顆粒的聚合物薄膜，且顆粒裸露于聚合物薄膜之外。由于顆粒裸露于聚合物薄膜之外，且顆粒具有一定的幾何形狀，從而使聚合物薄膜的表面較為粗糙，當(dāng)光線(xiàn)照射至減反射結(jié)構(gòu)時(shí)，粗糙的表面使減反射結(jié)構(gòu)對(duì)光的反射率較低，進(jìn)而減小對(duì)光的鏡面反射。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)施例1提供的減反射結(jié)構(gòu)的制備方法中步驟2的示意圖；

圖2為本實(shí)施例1提供的減反射結(jié)構(gòu)的制備方法中步驟3的示意圖；

圖3為本實(shí)施例2提供的減反射結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖3中顆粒裸露于聚合物薄膜之外的部分所在的區(qū)域的等效結(jié)構(gòu)示意圖。

圖例說(shuō)明：

1、顆粒2、基板3、聚合物溶液4、聚合物薄膜

51、第一層52、第二層53、第三層54、第四層

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的一種減反射結(jié)構(gòu)的制備方法和減反射結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。

本發(fā)明實(shí)施例1提供一種減反射結(jié)構(gòu)的制備方法，結(jié)合圖1和圖2所示，所述減反射結(jié)構(gòu)的制備方法包括以下步驟：

步驟1，將多個(gè)顆粒1與聚合物溶液3混合。

具體的，可以利用物理的方法，例如機(jī)械攪拌或超聲波分散的方法，將顆粒1分散在聚合物溶液3中，也可以利用化學(xué)的方法，例如改變顆粒1表面的結(jié)構(gòu)或電荷分布的方法，使顆粒1分散在聚合物溶液3中。

顆粒1的材料可以為金屬，例如銀、鋁、金或銅，也可以為金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錳或氧化釩，還可以是有機(jī)化合物，例如聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯或聚碳酸酯，當(dāng)然，多種金屬組成的合金也是可行的。

需要說(shuō)明的是，聚合物溶液3在此沒(méi)做限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，任何不與顆粒1發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的聚合物溶液3均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

步驟2，在基板2上涂覆混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3。

具體的，如圖1所示，可以利用旋涂、噴涂或打印的方法，將混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3平鋪在基板2的表面。

優(yōu)選的，通過(guò)旋涂工藝在基板2上涂覆混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3。旋涂工藝容易控制形成在基板2上的混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3的厚度，且通過(guò)旋涂工藝形成在基板2上的混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3的均勻性較好。

步驟3，對(duì)混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3進(jìn)行固化，以形成聚合物薄膜4，顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外。

具體的，如圖2所示，對(duì)混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3進(jìn)行固化，在固化過(guò)程中，聚合物溶液3的體積收縮，由于聚合物溶液3的底面積不變，因此，在固化過(guò)程中，聚合物溶液3的厚度下降，在固化后，形成的聚合物薄膜4的厚度小于混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3的厚度，而顆粒1的高度始終保持不變，從而可以使顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外。

結(jié)合圖1和圖2所示，為了保證混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3固化后，顆粒1可以裸露于聚合物薄膜4之外，混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3的厚度h1需要小于混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3在固化過(guò)程中收縮的厚度h3與顆粒1的高度h2之和，當(dāng)然，也不是混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3的厚度越小越好，混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3的厚度越小，對(duì)涂覆工藝和涂覆設(shè)備的要求越高，優(yōu)選的，混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3的厚度h1等于顆粒1的高度h2。

需要說(shuō)明的是，固化步驟可以通過(guò)加熱方式實(shí)現(xiàn)，即對(duì)混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3進(jìn)行加熱，使混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3中的組分在熱作用下，產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)，并體積收縮，以形成聚合物薄膜4。固化步驟也可以通過(guò)紫外光照方式實(shí)現(xiàn)，即對(duì)混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3進(jìn)行紫外光照，使混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3中的單體，在光引發(fā)劑的作用下，發(fā)生聚合反應(yīng)，并體積收縮，以形成聚合物薄膜4。固化步驟還可以通過(guò)低壓處理方式實(shí)現(xiàn)，即對(duì)混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3進(jìn)行低壓處理，使混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3中的溶劑揮發(fā)，體積收縮，以形成聚合物薄膜4?；旌嫌卸鄠€(gè)顆粒1的聚合物溶液3的固化的方式可以根據(jù)聚合物溶液3的材料進(jìn)行選擇，例如當(dāng)聚合物溶液3的材料為丙酮、環(huán)己酮或環(huán)戊酮時(shí)，可以采用低壓或加熱固化方式。當(dāng)聚合物溶液3的材料為酚醛樹(shù)脂或硫化橡膠時(shí)，可以采用加熱固化方式，當(dāng)聚合物溶液3的材料為環(huán)氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或聚醚丙烯酸酯時(shí)，可以采用紫外光照固化方式。

本發(fā)明實(shí)施例1提供的減反射結(jié)構(gòu)的制備方法，在基板2上涂覆混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3，并對(duì)混合有多個(gè)顆粒1的聚合物溶液3進(jìn)行固化，以形成聚合物薄膜4，其中，顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外。由于顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外，且具有一定幾何形狀，從而使聚合物薄膜4的表面較為粗糙。當(dāng)光線(xiàn)照射至減反射結(jié)構(gòu)時(shí)，粗糙的表面使減反射結(jié)構(gòu)對(duì)光的反射率較低，進(jìn)而可以減少對(duì)光的鏡面反射。而且，相比于現(xiàn)有減反結(jié)構(gòu)的制備方法，無(wú)需通過(guò)模具制備，從而制備成本較低，而且，也無(wú)需進(jìn)行刻蝕工藝和壓印工藝，進(jìn)而制備過(guò)程簡(jiǎn)單。

實(shí)施例2

本發(fā)明實(shí)施例2提供一種減反射結(jié)構(gòu)，如圖3所示，所述減反射結(jié)構(gòu)采用實(shí)施例1中提供的方法形成在基板2上，所述減反射結(jié)構(gòu)包括形成在基板2上的摻雜有多個(gè)顆粒1的聚合物薄膜4，顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外。

本發(fā)明實(shí)施例2提供的減反射結(jié)構(gòu)，由于顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外，且顆粒1具有一定的幾何形狀，從而使聚合物薄膜4的表面較為粗糙，當(dāng)光線(xiàn)照射至減反射結(jié)構(gòu)時(shí)，粗糙的表面使減反射結(jié)構(gòu)對(duì)光的反射率較低，進(jìn)而減小對(duì)光的鏡面反射。

優(yōu)選的，顆粒1為納米粒子，這樣，當(dāng)光入射至納米粒子表面時(shí)，納米粒子可以與光波產(chǎn)生表面等離子體共振現(xiàn)象，以將光的能量耦合至納米顆粒中，因此，可以更佳的降低對(duì)光的反射。

如圖3所示，顆粒1的裸露于聚合物薄膜4之外的部分的體積，在鄰近聚合物薄膜4的方向上逐漸增大。具體的，在圖3中，顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分的體積，在從上至下的方向上逐漸增大。當(dāng)光入射至聚合物薄膜4的表面時(shí)，由于顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分的尺寸小于光波的波長(zhǎng)，因此，光波無(wú)法分辨顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分的輪廓，即在顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分所在的區(qū)域內(nèi)，光波均勻了顆粒1和顆粒1之間的間隙，從而可以將顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分所在的區(qū)域等效于多層同種介質(zhì)的層疊結(jié)構(gòu)。

結(jié)合圖3和圖4所示，在本發(fā)明實(shí)施例中，是以將顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分所在的區(qū)域等效于四層同種介質(zhì)的層疊結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明的，從上至下分別為第一層51，第二層51，第三層51和第四層51，各層的折射率由各層內(nèi)顆粒1所占的體積所決定的，顆粒1所占的體積比越大，折射率越大，由于在從上至下的方向上，裸露于聚合物薄膜4之外的顆粒1的體積逐漸增大，因此，第一層51的折射率n1＜第二層52的折射率n2＜第三層53的折射率n3＜第四層54的折射率n4，即在從上至下的方向上，層疊結(jié)構(gòu)的折射率漸變。光從空氣進(jìn)入層疊結(jié)構(gòu)，再?gòu)膶盈B結(jié)構(gòu)進(jìn)入聚合物薄膜4內(nèi)的過(guò)程中，折射率逐漸漸變，由于沒(méi)有折射率突變的界面，因此可以更佳的減少光的反射，使光線(xiàn)更多的透射。

為保證光波無(wú)法分辨顆粒1的輪廓，以更佳的減小光的反射，提高光線(xiàn)的透視，顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分的高度h4為200-900nm。優(yōu)選的，顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分的高度h4為300-900nm，在所述范圍內(nèi)，光線(xiàn)的反射率更低，透過(guò)率更高。

需要說(shuō)明的是，顆粒1的形狀可以為球形或類(lèi)球形，也可以為圓錐體或圓臺(tái)體，還可以為不規(guī)則的多面體。優(yōu)選的，顆粒的形狀為以下形狀之一或任意組合：球形、半球形、圓錐和圓臺(tái)，上述形狀均可以保證顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外的部分的體積，在鄰近聚合物薄膜4的方向上逐漸增大，從而可以更佳的減少光的反射，使光線(xiàn)更多的透射。

如圖3所示，顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外部分的排布周期d為200-1000nm。具體的，顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外部分的排布周期d為第一顆粒裸露于聚合物薄膜4之外的部分在聚合物薄膜4上的正投影的第一邊界，與第二顆粒裸露于聚合物薄膜4之外的部分在聚合物薄膜4上的正投影的第二邊界之間的距離，其中，第一顆粒和第二顆粒為相鄰的兩個(gè)顆粒1，第一邊界與第二邊界為第一顆粒和第二顆粒的同側(cè)邊界。顆粒1裸露于聚合物薄膜4之外部分的排布周期d在200-1000nm的范圍內(nèi)，可以保證光波無(wú)法分辨顆粒1的輪廓，以更佳的減小光的反射，提高光線(xiàn)的透視。

優(yōu)選的，聚合物薄膜4的材料為透明材料，這樣，可以進(jìn)一步的提高光的透過(guò)率。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例2提供的減反射結(jié)構(gòu)，可以形成在顯示面板的表面，當(dāng)較強(qiáng)的光線(xiàn)照射至減反射結(jié)構(gòu)的表面時(shí)，由于減反射結(jié)構(gòu)的表面較為粗糙，所以對(duì)光的反射率較低，從而可以減少顯示面板對(duì)光的鏡面反射，而且，減反射結(jié)構(gòu)的光透過(guò)率較高，可以保證顯示面板的顯示亮度。本發(fā)明實(shí)施例2提供的減反射結(jié)構(gòu)，也可以形成在太陽(yáng)能電池的接收層的表面，由于減反射結(jié)構(gòu)的光反射率較低，光透過(guò)率較高，從而可以減小光能由于反射所導(dǎo)致的損失，使接收層可以吸收更多的光能，以提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例2提供的減反射結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于其他，例如相機(jī)鏡頭、眼鏡片、天文儀器等需要減少光線(xiàn)反射，提高光線(xiàn)透射的產(chǎn)品或裝置上。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。