本發(fā)明涉及一種靶材的制備方法，尤其涉及一種碲靶的制備方法。
背景技術(shù)：
碲有晶體和非晶體兩種同素異形體。非晶體碲為黑色粉末，晶體碲為銀白色。碲兼具金屬性和非金屬性的特性，金屬性質(zhì)比硫和硒強(qiáng)；碲主要用作制備合金和半導(dǎo)體材料。碲及其許多合金和金屬間化合物都具有半導(dǎo)體性能和溫差電性能。碲的薄膜呈紅棕色到紫色，能透過紅外線而不透過可見光，通常也用于薄膜光伏和電子行業(yè)。
靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源，靶材的致密度對(duì)薄膜的質(zhì)量有很大的影響，尚未有涉及碲靶的制備方法的現(xiàn)有技術(shù)為公眾所知。
本發(fā)明旨在發(fā)明一種致密度大的碲靶的制備方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種致密度大的碲靶的制備方法。
為實(shí)現(xiàn)前述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種碲靶的制備方法，包括如下步驟：
s1：將碲制備成負(fù)325目粉末；
s2：將碲粉末裝入一模具中，并將模具放入真空熱壓爐中，對(duì)粉體預(yù)壓；
s3：預(yù)壓后對(duì)真空熱壓爐進(jìn)行抽真空，真空熱壓爐開啟加熱，以一定的升溫速率升溫至300～400℃，并保溫，保溫時(shí)間為t1；
s4：真空熱壓爐降溫，當(dāng)溫度降到150～200℃后，把壓力降為20～25mpa；
s5：真空熱壓爐繼續(xù)降溫，當(dāng)溫度降到室溫后，開爐門，泄壓脫模后，得到碲靶。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述s3中，包括s31：當(dāng)升溫到最高溫度后，保溫一段時(shí)間t2，開始加壓并保持一段時(shí)間t3。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述s31的升溫速率為2～10℃/min，保溫時(shí)間t2為1～3h。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述s31中，加壓壓力為40～60mpa，保持時(shí)間t3為20～40min。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述s2中，預(yù)壓壓力為20～35mpa。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述s3中，保溫時(shí)間t1為5～10min。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述s1中，抽真空直至絕對(duì)真空度小于10pa。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述模具為石墨模具。
本發(fā)明碲靶的制備方法步驟簡(jiǎn)單，所制備得到的碲靶的致密度高，十分接近碲靶的理論致密度，是制備碲靶的一種值得推廣的方法。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例對(duì)技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
一種碲靶的制備方法，包括如下步驟：
s1：將碲制備成負(fù)325目粉末；
s2：將碲粉末裝入一模具中，并將模具放入真空熱壓爐中，對(duì)粉體預(yù)壓；
s3：預(yù)壓后對(duì)真空熱壓爐進(jìn)行抽真空，真空熱壓爐開啟加熱，以一定的升溫速率升溫至300～400℃，并保溫，保溫時(shí)間為t1；
s4：真空熱壓爐降溫，當(dāng)溫度降到150～200℃后，把壓力降為20～25mpa；
s5：真空熱壓爐繼續(xù)降溫，當(dāng)溫度降到室溫后，開爐門，泄壓脫模后，得到碲靶。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述s3中，包括s31：當(dāng)升溫到最高溫度后，保溫一段時(shí)間t2，開始加壓并保持一段時(shí)間t3。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述s31的升溫速率為2～10℃/min，保溫時(shí)間t2為1～3h。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述s31中，加壓壓力為40～60mpa，保持時(shí)間t3為20～40min。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述s2中，預(yù)壓壓力為20～35mpa。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述s3中，保溫時(shí)間t1為5～10min。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述s1中，抽真空直至絕對(duì)真空度小于10pa。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，所述模具為石墨模具。
實(shí)施例1。
碲靶的制備按照以下步驟進(jìn)行。
1、將碲制備成負(fù)325目粉末。
2、將碲粉裝入一石墨模具中，并將石墨模具放入真空熱壓爐中，對(duì)粉體預(yù)壓，加壓壓力為25mpa。
3、預(yù)壓后對(duì)熱壓爐進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空度達(dá)到5pa后，真空熱壓爐開啟加熱，以10℃/min升溫至300℃，保溫1h，其中，當(dāng)升溫到最高溫度300℃后，保溫10min后，開始加壓，加壓壓力為60mpa，保持30min。
4、真空熱壓爐降溫，當(dāng)溫度降到190℃后，把壓力降為20mpa。
5、真空熱壓爐繼續(xù)降溫，當(dāng)溫度降到室溫后，開爐門，泄壓脫模后，得到碲靶。
用排水法檢測(cè)碲靶的致密度，碲靶的實(shí)際致密度為理論致密度的98.0%。
實(shí)施例2。
碲靶的制備按照以下步驟進(jìn)行。
1、將碲制備成負(fù)325目粉末。
2、將碲粉裝入一石墨模具中，并將石墨模具放入真空熱壓爐中，對(duì)粉體預(yù)壓，加壓壓力為35mpa。
3、預(yù)壓后對(duì)熱壓爐進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空度達(dá)到10pa后，真空熱壓爐開啟加熱，以5℃/min升溫至350℃，保溫2h，其中，當(dāng)升溫到最高溫度350℃后，保溫5min后，開始加壓，加壓壓力為40mpa，保持20min。
4、真空熱壓爐降溫，當(dāng)溫度降到200℃后，把壓力降為22mpa。
5、真空熱壓爐繼續(xù)降溫，當(dāng)溫度降到室溫后，開爐門，泄壓脫模后，得到碲靶。
用排水法檢測(cè)碲靶的致密度，碲靶的實(shí)際致密度為理論致密度的98.5%。
實(shí)施例3。
1、將碲制備成負(fù)325目粉末。
2、將碲粉末裝入一石墨模具中，并將石墨模具放入真空熱壓爐中對(duì)粉體預(yù)壓，加壓壓力20mpa。
3、預(yù)壓后對(duì)真空熱壓爐進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空度達(dá)到9pa后，真空熱壓爐開啟加熱，以8℃/min升溫至400℃，保溫2h，其中，當(dāng)升溫到最高溫度400℃后，保溫8min后，開始加壓，加壓壓力為50mpa，保持40min。
4、真空熱壓爐降溫，當(dāng)溫度降到200℃后，把壓力將為25mpa。
5、真空熱壓爐繼續(xù)降溫，當(dāng)溫度降到室溫后，開爐門，泄壓脫模后，得到碲靶。
用排水法檢測(cè)碲靶的致密度，碲靶的實(shí)際致密度為理論致密度的97.8%。
本發(fā)明碲靶的制備方法步驟簡(jiǎn)單，所制備得到的碲靶的致密度高，十分接近碲靶的理論致密度，是制備碲靶的一種值得推廣的方法。
盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的。