一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的制作方法

本發(fā)明屬于光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)。

背景技術(shù)：

隨著光伏市場(chǎng)的日趨成熟，競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，客戶需求不再集中在成本低的產(chǎn)品上，而是轉(zhuǎn)向高品質(zhì)的光伏產(chǎn)品。影響光伏產(chǎn)品品質(zhì)的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)就是硅片的光衰問(wèn)題，現(xiàn)在的硅片光衰率偏高，因此，如何獲得光衰較低且可大規(guī)模生產(chǎn)，不影響生產(chǎn)效率和成本的光伏產(chǎn)品是目前主要的問(wèn)題。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了得到低光衰硅片，主要是使用鎵作為母合金，但由于多晶硅錠在摻鎵后電阻率分布范圍較大，不同熱區(qū)的硅錠頭部電阻率分布不均勻，頭部采用同樣劃線的情況下，會(huì)產(chǎn)生很多電阻率較低的硅片，低電阻位置的漏電流較高，電池效率較低，增加了生產(chǎn)的操作困難，導(dǎo)致生產(chǎn)效率不高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區(qū)域，減少品檢操作人員對(duì)摻鎵硅錠不同區(qū)域頭部電阻率一一測(cè)試的繁瑣操作，提高生產(chǎn)效率。

本發(fā)明提供的一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，包括側(cè)部加熱器和頂部加熱器，所述頂部加熱器的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度比所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度小預(yù)設(shè)數(shù)值。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場(chǎng)中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)榭拷粋€(gè)角或兩個(gè)角的區(qū)域。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場(chǎng)中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)榭拷粋€(gè)邊的位置。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場(chǎng)中，所述預(yù)設(shè)數(shù)值為3毫米至10毫米。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場(chǎng)中，所述頂部加熱器還包括設(shè)置于所述預(yù)設(shè)區(qū)域和所述其他區(qū)域之間的斜坡式平面。

優(yōu)選的，在上述多晶硅鑄錠熱場(chǎng)中，所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度范圍為18毫米至22毫米。

通過(guò)上述描述可知，本發(fā)明提供的上述多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，由于所述頂部加熱器的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度比所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度小預(yù)設(shè)數(shù)值，因此能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區(qū)域，減少品檢操作人員對(duì)摻鎵硅錠不同區(qū)域頭部電阻率一一測(cè)試的繁瑣操作，提高生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的頂部加熱器的示意圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的頂部加熱器的橫截面圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的核心思想在于提供一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區(qū)域，減少品檢操作人員對(duì)摻鎵硅錠不同區(qū)域頭部電阻率一一測(cè)試的繁瑣操作，提高生產(chǎn)效率。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，包括側(cè)部加熱器和頂部加熱器，所述頂部加熱器如圖1所示，圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的頂部加熱器的示意圖，該頂部加熱器的預(yù)設(shè)區(qū)域1的厚度比所述預(yù)設(shè)區(qū)域1以外的其他區(qū)域的厚度2小預(yù)設(shè)數(shù)值。更多的細(xì)節(jié)參考圖2，圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的頂部加熱器的橫截面圖，可以明顯的看出，預(yù)設(shè)區(qū)域1的厚度比其他區(qū)域2的厚度更小，這樣就能夠增加這個(gè)預(yù)設(shè)區(qū)域的電阻，雜質(zhì)都聚集到該區(qū)域，只需要后續(xù)檢查此位置的參數(shù)即可，從而降低品檢人員的工作量。

通過(guò)上述描述可知，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，由于所述頂部加熱器的預(yù)設(shè)區(qū)域的厚度比所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度小預(yù)設(shè)數(shù)值，因此能夠使頭部電阻率偏低的硅塊集中在固定的區(qū)域，減少品檢操作人員對(duì)摻鎵硅錠不同區(qū)域頭部電阻率一一測(cè)試的繁瑣操作，提高生產(chǎn)效率。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第二種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)榭拷粋€(gè)角或兩個(gè)角的區(qū)域。

當(dāng)預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)榭拷粋€(gè)角的區(qū)域時(shí)，頂部加熱器在這種靠近一個(gè)角的區(qū)域中電阻率偏低，從而，頭部電阻率偏低的硅塊集中在該區(qū)域，后續(xù)就可以減少繁瑣操作，而當(dāng)預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)榭拷鼉蓚€(gè)角的區(qū)域時(shí)則同理，此處不再贅述。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第三種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)榭拷粋€(gè)邊的位置。

在這種情況下，就能夠?qū)㈦娮杪势偷墓鑹K集中在靠近一個(gè)邊的位置，而不像現(xiàn)有技術(shù)中那樣分散在各個(gè)位置，這樣也方便后續(xù)質(zhì)檢人員的操作，提高工作效率。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第四種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述預(yù)設(shè)數(shù)值為3毫米至10毫米。

需要說(shuō)明的是，這種減薄的厚度范圍能夠有效保證鎵元素分凝到預(yù)設(shè)區(qū)域，使固定增強(qiáng)熱區(qū)的電阻率偏低。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第五種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，是在上述第一種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

繼續(xù)參考圖2，所述頂部加熱器還包括設(shè)置于所述預(yù)設(shè)區(qū)域1和所述其他區(qū)域2之間的斜坡式平面3。這種斜坡式平面能夠增加結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，防止在安裝過(guò)程中出現(xiàn)折斷或者在使用過(guò)程中出現(xiàn)拉弧現(xiàn)象，當(dāng)然不做斜坡式也是可以的。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的第六種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)，是在上述第一種至第四種多晶硅鑄錠熱場(chǎng)中任一種的基礎(chǔ)上，還包括如下技術(shù)特征：

所述預(yù)設(shè)區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度范圍為18毫米至22毫米。

需要說(shuō)明的是，可以根據(jù)所需的電阻率來(lái)選擇對(duì)應(yīng)的厚度值。

綜上所述，上述各個(gè)方案中，在鑄錠爐內(nèi)頂部加熱器任一邊角位置的加熱區(qū)變薄，增加其電阻，強(qiáng)行在預(yù)設(shè)位置產(chǎn)生了熱區(qū)，使得硅錠頭部電阻率偏低集中在預(yù)定好的位置，避免現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)不同區(qū)域硅錠電阻率一一測(cè)試而采用不同劃線標(biāo)準(zhǔn)的問(wèn)題，提高了工作效率。另外需要說(shuō)明的是，上述熱場(chǎng)除了適用于摻雜鎵元素的硅錠之外，還同樣適用于硅基體中磷等低分凝系數(shù)的摻雜劑。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。