本發(fā)明屬于電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高靈敏性氧化鋅壓敏電阻。
背景技術(shù)：
壓敏電阻是一種具有非線性伏安特性的電阻器件，主要用于在電路承受過壓時進行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護敏感器件。英文名稱叫“voltagedependentresistor”簡寫為vdr，或者叫做“varistor"。壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，所以它是半導體電阻器的一個品種?，F(xiàn)在大量使用的"氧化鋅"（zno）壓敏電阻器，它的主體材料有二價元素鋅（zn）和六價元素氧（o）所構(gòu)成。所以從材料的角度來看，氧化鋅壓敏電阻器是一種“ⅱ-ⅵ族氧化物半導體”。在中國臺灣，壓敏電阻器稱為“突波吸收器”有時也稱為“電沖擊（浪涌）抑制器（吸收器）”。
壓敏電阻是一種限壓型保護器件。利用壓敏電阻的非線性特性，當過電壓出現(xiàn)在壓敏電阻的兩極間，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個相對固定的電壓值，從而實現(xiàn)對后級電路的保護。壓敏電阻的主要參數(shù)有：壓敏電壓、通流容量、結(jié)電容、響應時間等。
壓敏電阻的響應時間為ns級，比氣體放電管快，比tvs管稍慢一些，一般情況下用于電子電路的過電壓保護其響應速度可以滿足要求。壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千pf的數(shù)量級范圍，很多情況下不宜直接應用在高頻信號線路的保護中，應用在交流電路的保護中時，因為其結(jié)電容較大會增加漏電流，在設(shè)計防護電路時需要充分考慮。壓敏電阻的通流容量較大，但比氣體放電管小。壓敏電阻器簡稱vdr，是一種對電壓敏感的非線性過電壓保護半導體元件。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
針對上述問題，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種高靈敏性氧化鋅壓敏電阻。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為：一種高靈敏性氧化鋅壓敏電阻，制作該壓敏電阻的具體方法為：
步驟1：制備壓敏電阻本體材料，以氧化鋅、三氧化二鉍、三氧化二銻、四氧化三鈷、氧化錳、三氧化二鎳為原料加入去離子水球磨造粒制成壓敏電阻本體材料；
步驟2：加入貴金屬量子點，將粒徑為2~10nm貴金屬量子點在濃度為50~60%的酒精溶液中分散處理30~50min后，滴到壓敏電阻本體材料中，并用研磨機研磨并攪拌，所述貴金屬量子點的用量為壓敏電阻本體材料質(zhì)量的1.5%~4.5%；
步驟3：清洗，將步驟2所得到的壓敏電阻本體材料在溶液槽中清洗20~35min，溶液槽中包含清洗液，溶液槽中溶液的ph值為3~5，清洗過后再用烘干機將壓敏電阻本體材料烘干，使其表面無殘留物；
步驟4：焙燒，在高爐中以600~1000℃高溫焙燒1~3小時；
步驟5：成型冷卻，將壓敏電阻本體材料放入真空裝置中冷卻，直至壓敏電阻本體材料冷卻到室溫條件下，然后將壓敏電阻本體材料進行第二次高溫焙燒、燒銀后制得氧化鋅基壓敏電阻芯片，自動浸錫焊上引線，將焊接后的產(chǎn)品在100~150℃的烘箱中烘10~15min，即得高靈敏性氧化鋅壓敏電阻。
優(yōu)選地，所述步驟1中的原料按照質(zhì)量分數(shù)配比為氧化鋅3~10份、三氧化二鉍6~11份、三氧化二銻2~9份、四氧化三鈷6~12份、氧化錳5~10份、三氧化二鎳1~5份。
優(yōu)選地，所述步驟2中分散處理是用頻率為300000~40000hz的超聲波分散處理。
優(yōu)選地，所述步驟3中的清洗液為濃度80%~85%的硫酸溶液。
優(yōu)選地，所述步驟5中的真空裝置所保持的真空條件的真空度為0.02mpa~0.12mpa。
優(yōu)選地，所述步驟2中的研磨機為圓盤式研磨機或者轉(zhuǎn)軸式研磨機。
優(yōu)選地，所述步驟3中的烘干機內(nèi)的溫度控制80~110℃。
優(yōu)選地，所述步驟3中的烘干機內(nèi)的溫度控制90~100℃。
本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明所提供的一種提高壓敏電阻靈敏性的方法，可以大大提高壓敏電阻的靈敏度，制作成本低，通過貴金屬的量子點可控且均勻的與壓敏電阻原材料混合，并且將壓敏電阻本體材料放入真空裝置中冷卻，防止壓敏電阻原材料在焙燒后容易被氧氣氧化，在整個工藝流程中不會產(chǎn)生對人體有害的物質(zhì)，經(jīng)濟環(huán)保。
具體實施方式
實施例1
一種高靈敏性氧化鋅壓敏電阻，制作該壓敏電阻的具體方法為：
步驟1：制備壓敏電阻本體材料，以氧化鋅、三氧化二鉍、三氧化二銻、四氧化三鈷、氧化錳、三氧化二鎳為原料加入去離子水球磨造粒制成壓敏電阻本體材料；
步驟2：加入貴金屬量子點，將粒徑為2nm貴金屬量子點在濃度為50%的酒精溶液中分散處理30min后，滴到壓敏電阻本體材料中，并用研磨機研磨并攪拌，所述貴金屬量子點的用量為壓敏電阻本體材料質(zhì)量的1.5%；
步驟3：清洗，將步驟2所得到的壓敏電阻本體材料在溶液槽中清洗20~35min，溶液槽中包含清洗液，溶液槽中溶液的ph值為3，清洗過后再用烘干機將壓敏電阻本體材料烘干，使其表面無殘留物；
步驟4：焙燒，在高爐中以600℃高溫焙燒1小時；
步驟5：成型冷卻，將壓敏電阻本體材料放入真空裝置中冷卻，直至壓敏電阻本體材料冷卻到室溫條件下，然后將壓敏電阻本體材料進行第二次高溫焙燒、燒銀后制得氧化鋅基壓敏電阻芯片，自動浸錫焊上引線，將焊接后的產(chǎn)品在100℃的烘箱中烘10min，即得高靈敏性氧化鋅壓敏電阻。
所述步驟1中的原料按照質(zhì)量分數(shù)配比為氧化鋅3份、三氧化二鉍6份、三氧化二銻2份、四氧化三鈷6份、氧化錳5份、三氧化二鎳1份。
所述步驟2中分散處理是用頻率為300000hz的超聲波分散處理。
所述步驟3中的清洗液為濃度80%的硫酸溶液。
所述步驟5中的真空裝置所保持的真空條件的真空度為0.02mpa。
所述步驟2中的研磨機為圓盤式研磨機或者轉(zhuǎn)軸式研磨機。
所述步驟3中的烘干機內(nèi)的溫度控制80℃。
實施例2
一種高靈敏性氧化鋅壓敏電阻，制作該壓敏電阻的具體方法為：
步驟1：制備壓敏電阻本體材料，以氧化鋅、三氧化二鉍、三氧化二銻、四氧化三鈷、氧化錳、三氧化二鎳為原料加入去離子水球磨造粒制成壓敏電阻本體材料；
步驟2：加入貴金屬量子點，將粒徑為10nm貴金屬量子點在濃度為60%的酒精溶液中分散處理50min后，滴到壓敏電阻本體材料中，并用研磨機研磨并攪拌，所述貴金屬量子點的用量為壓敏電阻本體材料質(zhì)量的4.5%。
步驟3：清洗，將步驟2所得到的壓敏電阻本體材料在溶液槽中清洗35min，溶液槽中包含清洗液，溶液槽中溶液的ph值為5，清洗過后再用烘干機將壓敏電阻本體材料烘干，使其表面無殘留物；
步驟4：焙燒，在高爐中以1000℃高溫焙燒3小時；
步驟5：成型冷卻，將壓敏電阻本體材料放入真空裝置中冷卻，直至壓敏電阻本體材料冷卻到室溫條件下，然后將壓敏電阻本體材料進行第二次高溫焙燒、燒銀后制得氧化鋅基壓敏電阻芯片，自動浸錫焊上引線，將焊接后的產(chǎn)品在150℃的烘箱中烘15min，即得高靈敏性氧化鋅壓敏電阻。
所述步驟1中的原料按照質(zhì)量分數(shù)配比為氧化鋅10份、三氧化二鉍11份、三氧化二銻9份、四氧化三鈷12份、氧化錳10份、三氧化二鎳5份。
所述步驟2中分散處理是用頻率為40000hz的超聲波分散處理。
所述步驟3中的清洗液為濃度85%的硫酸溶液。
所述步驟5中的真空裝置所保持的真空條件的真空度為0.12mpa。
所述步驟2中的研磨機為圓盤式研磨機或者轉(zhuǎn)軸式研磨機。
所述步驟3中的烘干機內(nèi)的溫度控制110℃。
實施例3
一種高靈敏性氧化鋅壓敏電阻，制作該壓敏電阻的具體方法為：
步驟1：制備壓敏電阻本體材料，以氧化鋅、三氧化二鉍、三氧化二銻、四氧化三鈷、氧化錳、三氧化二鎳為原料加入去離子水球磨造粒制成壓敏電阻本體材料；
步驟2：加入貴金屬量子點，將粒徑為8nm貴金屬量子點在濃度為50%的酒精溶液中分散處理40min后，滴到壓敏電阻本體材料中，并用研磨機研磨并攪拌，所述貴金屬量子點的用量為壓敏電阻本體材料質(zhì)量的3.5%。
步驟3：清洗，將步驟2所得到的壓敏電阻本體材料在溶液槽中清洗30min，溶液槽中包含清洗液，溶液槽中溶液的ph值為4，清洗過后再用烘干機將壓敏電阻本體材料烘干，使其表面無殘留物；
步驟4：焙燒，在高爐中以700℃高溫焙燒2小時；
步驟5：成型冷卻，將壓敏電阻本體材料放入真空裝置中冷卻，直至壓敏電阻本體材料冷卻到室溫條件下，然后將壓敏電阻本體材料進行第二次高溫焙燒、燒銀后制得氧化鋅基壓敏電阻芯片，自動浸錫焊上引線，將焊接后的產(chǎn)品在120℃的烘箱中烘12min，即得高靈敏性氧化鋅壓敏電阻。
所述步驟1中的原料按照質(zhì)量分數(shù)配比為氧化鋅5份、三氧化二鉍10份、三氧化二銻5份、四氧化三鈷8份、氧化錳8份、三氧化二鎳3份。
所述步驟2中分散處理是用頻率為35000hz的超聲波分散處理。
所述步驟3中的清洗液為濃度80%的硫酸溶液。
所述步驟5中的真空裝置所保持的真空條件的真空度為0.08mpa。
所述步驟2中的研磨機為圓盤式研磨機或者轉(zhuǎn)軸式研磨機。
所述步驟3中的烘干機內(nèi)的溫度控制100℃。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。