技術總結
本發(fā)明提供一種通過濺射法制成氧化物半導體薄膜時能獲得低載流子濃度、高載流子遷移率的氧化物燒結體以及使用該氧化物燒結體的濺射靶。所述氧化物燒結體含有以氧化物方式存在的銦、鎵以及選自由鎳、鈷、鈣、鍶和鉛組成的組中的一種以上的正二價元素。以Ga/(In+Ga)原子數比計的鎵的含量為0.20以上且0.45以下，以M/(In+Ga+M)原子數比計的所述正二價元素M的含量為0.0001以上且0.05以下。將所述氧化物燒結體作為濺射靶而形成的非晶質的氧化物半導體薄膜，載流子濃度小于3.0×1018cm?3，載流子遷移率為10cm2V?1sec?1以上。
技術研發(fā)人員：中山德行;西村英一郎;松村文彥;井藁正史
受保護的技術使用者：住友金屬礦山株式會社
文檔號碼：201580029806
技術研發(fā)日：2015.06.24
技術公布日：2017.02.15