一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種鍍膜機，其包括鐘形罩體，罩體上方設(shè)置真空罩頂端法蘭，罩體下部連接真空系統(tǒng)，罩體內(nèi)部設(shè)置有基片架旋轉(zhuǎn)輪圈、蒸發(fā)源以及擋板，基片架旋轉(zhuǎn)輪圈通過傳動桿與罩體底部相連，蒸發(fā)源設(shè)置于擋板下方，擋板通過蒸發(fā)擋板轉(zhuǎn)動桿與所述罩體底部相連，基片架旋轉(zhuǎn)輪圈一端安裝有可旋轉(zhuǎn)的濺射基片架，位于檔板的上方且在濺射基片架豎直方向上安裝有蒸發(fā)基片架，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈中部安裝有靶體，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈另一端豎直方向安裝有預濺射擋板，所述預濺射擋板一側(cè)安裝有加熱烘烤裝置。本實用新型通過安裝內(nèi)裝式磁控濺射靶,增加了原有鍍膜機的功能,使所能鍍制的薄膜范圍大大地增加。
【專利說明】
一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及一種鍍膜機，具體而言，特別涉及一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機。
【背景技術(shù)】
[0002]鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種基于這一點，需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材?；c靶材同在真空腔中。
[0003]蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程散點一島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長形成薄膜。對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，最終形成薄膜。
[0004]本
【申請人】對原有的真空電阻加熱蒸發(fā)鍍膜機進行了改造，在保留其真空蒸發(fā)鍍膜原有功能的基礎(chǔ)上，根據(jù)鍍膜機的結(jié)構(gòu)特點，設(shè)計了一種集蒸發(fā)鍍膜以及磁控鍍膜于一體的內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種集蒸發(fā)鍍膜以及磁控鍍膜于一體的內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機。
[0006]本實用新型解決問題采用的技術(shù)方案是:
[0007]—種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機，包括鐘形罩體，所述罩體上方設(shè)置真空罩頂端法蘭，所述罩體下部連接真空系統(tǒng)，所述罩體內(nèi)部設(shè)置有基片架旋轉(zhuǎn)輪圈、蒸發(fā)源以及擋板，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈通過傳動桿與罩體底部相連，所述蒸發(fā)源設(shè)置于擋板下方，所述擋板通過蒸發(fā)擋板轉(zhuǎn)動桿與所述罩體底部相連，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈一端安裝有可旋轉(zhuǎn)的濺射基片架，位于檔板的上方且在濺射基片架豎直方向上安裝有蒸發(fā)基片架，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈中部安裝有靶體，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈另一端豎直方向安裝有預濺射擋板，所述預濺射擋板一側(cè)安裝有加熱烘烤裝置。
[0008]在上述一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機中，所述靶體為釹鐵硼永磁鐵。
[0009]在上述一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機中，所述靶體內(nèi)部通有冷卻水。
[0010]在上述一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機中，所述罩體內(nèi)部上端設(shè)置有烘烤加熱裝置。
[0011 ]在上述一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機中，所述靶體下方安裝有靶座。
[0012]本實用新型的有益效果是:本實用新型通過安裝內(nèi)裝式磁控濺射靶，增加了原有鍍膜機的功能，使之能同時滿足蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜的要求，提高了設(shè)備與制備薄膜的質(zhì)量，并使所能鍍制的薄膜范圍大大地增加。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中:1、罩體，2、真空罩頂端法蘭，3、真空系統(tǒng)，4、基片架旋轉(zhuǎn)輪圈，5、蒸發(fā)源，6、擋板，7、傳動桿，8、蒸發(fā)擋板轉(zhuǎn)動桿，9、濺射基片架，10、蒸發(fā)基片架，11、靶體，12、加熱烘烤裝置，13、預濺射擋板，14、烘烤加熱裝置，15、靶座。
【具體實施方式】
[0015]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明
[0016]圖1示出了本實用新型的一種實施方式，一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機，包括鐘形罩體I，所述罩體I上方設(shè)置真空罩頂端法蘭2，所述罩體I下部連接真空系統(tǒng)3，所述罩體I內(nèi)部設(shè)置有基片架旋轉(zhuǎn)輪圈4、蒸發(fā)源5以及擋板6，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈4通過傳動桿7與罩體I底部相連，所述蒸發(fā)源5設(shè)置于擋板6下方，所述擋板6通過蒸發(fā)擋板轉(zhuǎn)動桿8與所述罩體I底部相連，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈4 一端安裝有可旋轉(zhuǎn)的濺射基片架9，位于檔板6的上方且在濺射基片架9豎直方向上安裝有蒸發(fā)基片架10，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈4中部安裝有靶體11，所述靶體11下方安裝有靶座15，靶體內(nèi)部排布一定形狀的釹鐵硼永磁鐵，并通有冷卻水，靶面濺射區(qū)的實測磁場強度為450高斯。冷卻水通過鍍膜機真空室底部備用孔引入真空室，并研制出特殊的水管接頭使靶和冷卻水管既能可靠的密封連接，又不會造成短路。所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈4另一端豎直方向安裝有預濺射擋板13，所述預濺射擋板6—側(cè)安裝有加熱烘烤裝置12，所述罩體I內(nèi)部上端設(shè)置有烘烤加熱裝置14。加熱烘烤裝置12或者烘烤加熱裝置14都是常規(guī)的電阻加熱方式，在此就不再累述。
[0017]真空室中安裝了對基片進行加熱烘烤裝置12，烘烤電源和濺射電源均從鍍膜機真空室底板上的備用孔引入。在蒸發(fā)鍍膜的基片架旋轉(zhuǎn)輪圈4上豎直安裝了濺射鍍膜用的基片架和擋板。當預濺射時擋板位于靶的對面，而濺射時接通蒸發(fā)臺原有的基片旋轉(zhuǎn)電源，使濺射基片架9面對靶、并圍繞濺射靶旋轉(zhuǎn)。蒸發(fā)與濺射隔離板使得原來的真空鍍膜室分隔成左右兩個鍍膜區(qū)域，互不影響。由于濺射鍍膜時基片能圍繞靶旋轉(zhuǎn)，因而能制備出面積大、均勻性好的薄膜?？梢栽谕淮问褂弥羞M行蒸發(fā)和濺射鍍膜。例如進行真空鍍黃銅，在做蒸發(fā)前，使濺射基片架置于靶的正對面，防止蒸發(fā)時污染濺射用的基片。做完蒸發(fā)后，把預濺射擋板旋轉(zhuǎn)至靶的正對面，在PAr = 0.5Pa、濺射功率為1300?2000W下進行預濺射，然后開啟旋轉(zhuǎn)機構(gòu)進行基片旋轉(zhuǎn)下的濺射鍍膜，能夠非常直觀的根據(jù)樣品顏色的不同，認識到合金蒸發(fā)的分解會導致薄膜的分層現(xiàn)象，而濺射鍍膜基本上能使濺射膜的成份與濺射靶材的成份保持一致。
[0018]本實用新型通過安裝內(nèi)裝式磁控濺射靶，增加了原有鍍膜機的功能，使之能同時滿足蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜的要求，提高了設(shè)備與制備薄膜的質(zhì)量，并使所能鍍制的薄膜范圍大大地增加。
[0019]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以對本實用新型進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本實用新型權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機，包括鐘形罩體(I)，所述罩體(I)上方設(shè)置真空罩頂端法蘭(2)，所述罩體(I)下部連接真空系統(tǒng)(3)，所述罩體(I)內(nèi)部設(shè)置有基片架旋轉(zhuǎn)輪圈(4)、蒸發(fā)源(5)以及擋板(6)，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈(4)通過傳動桿(7)與罩體(I)底部相連，所述蒸發(fā)源(5)設(shè)置于擋板(6)下方，所述擋板(6)通過蒸發(fā)擋板轉(zhuǎn)動桿(8)與所述罩體(I)底部相連，其特征在于:所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈(4) 一端安裝有可旋轉(zhuǎn)的濺射基片架(9)，位于擋板(6)的上方且在濺射基片架(9)豎直方向上安裝有蒸發(fā)基片架(10)，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈(4)中部安裝有靶體(11)，所述基片架旋轉(zhuǎn)輪圈(4)另一端豎直方向安裝有預濺射擋板(13)，所述預濺射擋板(6)—側(cè)安裝有加熱烘烤裝置(12)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機，其特征在于:所述靶體(11)為欽鐵棚永磁鐵。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機，其特征在于:所述靶體(11)內(nèi)部通有冷卻水。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機，其特征在于:所述罩體(I)內(nèi)部上端設(shè)置有烘烤加熱裝置(14)。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的一種內(nèi)裝式磁控濺射靶鍍膜機，其特征在于:所述靶體(11)下方安裝有靶座(15)。
【文檔編號】C23C14/34GK205590788SQ201620333221
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年4月18日
【發(fā)明人】丁進金
【申請人】紹興鑫興紡織鐳射科技有限公司