掩膜板及其制作方法、掩膜組件的制作方法

掩膜板及其制作方法、掩膜組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種掩膜板及其制作方法、掩膜組件，該掩膜板包括至少一個掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域上設置有彎曲緩解結構，所述彎曲緩解結構用于當所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。本發(fā)明提供的掩膜板，通過在掩膜板上設置彎曲緩解結構，當該掩膜板焊接在框架上被拉伸時，通過彎曲緩解結構可以有效緩解掩膜板上蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲，避免在蒸鍍過程中在蒸鍍的產品的對應位置上產生不良。
【專利說明】
掩膜板及其制作方法、掩膜組件
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種掩膜板及其制作方法、掩膜組件。
【背景技術】
[0002]目前，有機電致發(fā)光顯不器件(OrganicElectroluminesecent Display，0LED)憑借其低功耗、高色飽和度、廣視角、薄厚度、能實現(xiàn)柔性化等優(yōu)異性能，已經(jīng)逐漸成為顯示領域的主流。
[0003]OLED顯示面板包括陣列排布的多個子像素單元，每一個子像素單元包括陽極、發(fā)光層和陰極，其中，發(fā)光層采用有機發(fā)光材料形成，目前主要采用掩膜板(例如精細金屬掩膜版，英文為Fine metal mask，簡稱FMM)并通過蒸鍍工藝制作在各子像素單元中，在進行蒸鍍工藝時，掩膜板必須焊接在框架上放在蒸鍍機里面使用，掩膜板和框架焊接在一起稱為MFA(Mask Frame Assemble，掩膜組件)，當掩膜板焊接在框架上時，掩膜板在框架的作用下通常處于被拉伸的狀態(tài)，從而容易使掩膜板上蒸鍍有效區(qū)兩側的邊緣存在不同程度的卷曲問題，在蒸鍍工藝中，容易在蒸鍍的產品的對應位置上產生不良。

【發(fā)明內容】

[0004](一)要解決的技術問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術問題是:如何解決現(xiàn)有的掩膜板安裝在框架時，由于掩膜板被拉伸而造成的蒸鍍有效區(qū)邊緣卷曲問題。
[0006](二)技術方案
[0007]為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案提供了一種掩膜板，包括至少一個掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域上設置有彎曲緩解結構，所述彎曲緩解結構用于當所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。
[0008]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結構包括第一條狀結構，且所述第一條狀結構的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向不平行。
[0009]優(yōu)選地，所述第一條狀結構的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向垂直。
[0010]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結構還包括與所述第一條狀結構相交叉的第二條狀結構。
[0011]優(yōu)選地，所述第二條狀結構的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向平行。
[0012]優(yōu)選地，每一個所述彎曲緩解結構包括多個所述第一條狀結構。
[0013]優(yōu)選地，所述邊緣區(qū)域包括在所述第一邊沿的延伸方向上相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離大于所述第二區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離，所述第一區(qū)域上相鄰兩個第一條狀結構之間的距離大于所述第二區(qū)域上相鄰兩個第一條狀結構之間的距離。
[0014]優(yōu)選地，每一個掩膜單元包括多個所述彎曲緩解結構。
[0015]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結構的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結構的厚度。
[0016]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結構的周邊為鏤空區(qū)域。
[0017]優(yōu)選地，所述掩膜板包括多個掩膜單元，所述多個掩膜單元按照所述第一邊沿的延伸方向排列。
[0018]優(yōu)選地，所述彎曲緩解結構與所述掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)為相同材料。
[0019]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種掩膜組件，其特征在于，包括框架以及上述的掩膜板，所述掩膜板安裝在所述框架上并配置為在所述第一邊沿的延伸方向被拉伸。
[0020]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種掩膜板的制作方法，包括形成至少一個掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，還包括在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構，所述彎曲緩解結構用于當所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。
[0021]優(yōu)選地，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構包括:
[0022]通過半刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結構的圖案，所述彎曲緩解結構的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結構的厚度。
[0023]優(yōu)選地，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構包括:
[0024]通過全刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結構的圖案，所述彎曲緩解結構的周邊為鏤空區(qū)域。
[0025](三)有益效果
[0026]本發(fā)明提供的掩膜板，通過在掩膜板上設置彎曲緩解結構，當該掩膜板焊接在框架上被拉伸時，通過彎曲緩解結構可以有效緩解掩膜板上蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲，避免在蒸鍍過程中在蒸鍍的產品的對應位置上產生不良。
【附圖說明】
[0027]圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜板的示意圖；
[0028]圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜板上彎曲緩解結構的示意圖；
[0029]圖3是圖2中彎曲緩解結構被拉伸時的示意圖；
[0030]圖4是本發(fā)明實施方式提供的另一種掩膜板上彎曲緩解結構的示意圖；
[0031 ]圖5是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜組件的示意圖。
【具體實施方式】
[0032]下面結合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0033]本發(fā)明實施方式提供了一種掩膜板，該掩膜板包括至少一個掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域上設置有彎曲緩解結構，所述彎曲緩解結構用于當所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲(即減小蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲程度)。
[0034]本發(fā)明實施方式提供的掩膜板，通過在掩膜板上設置彎曲緩解結構，當該掩膜板焊接在框架上被拉伸時，通過彎曲緩解結構可以有效緩解掩膜板上蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲，避免在蒸鍍過程中在蒸鍍的產品的對應位置上產生不良。
[0035]例如，可以在掩膜板的上述邊緣區(qū)域設置一個或多個條狀結構作為彎曲緩解結構，并且該條狀結構的延伸方向與第一邊沿的延伸方向不平行，當該掩膜板按照第一邊沿的延伸方向被拉伸時，該條狀結構會產生彎曲變形，使蒸鍍有效區(qū)產生向外的拉伸效果，進而緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣的卷曲狀態(tài)。優(yōu)選地，該條狀結構的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向垂直。
[0036]參見圖1，圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜板的示意圖，該掩膜板的形狀為矩形，其包括兩條第一邊沿Ia和兩條第二邊沿Ib，其上設置有多個掩膜單元(FMM SheetCelI) 100，該多個掩膜單元按照第一邊沿Ia的延伸方向排列，其中，每一個掩膜單元100包括蒸鍍有效區(qū)110以及位于蒸鍍有效區(qū)110與掩膜板第一邊沿Ia之間的邊緣區(qū)域，該邊緣區(qū)域上設置有彎曲緩解結構120，該彎曲緩解結構120用于當掩膜板按照所述第一邊沿Ia的延伸方向被拉伸時緩解蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲；
[0037]參見圖2，圖2是圖1中虛線框內的放大示意圖，其中，每一個彎曲緩解結構120包括第二條狀結構121以及與第二條狀結構121相交叉的第一條狀結構122，且第一條狀結構122的延伸方向與第一邊沿Ia的延伸方向不平行；
[0038]如圖3所示，當該掩膜板按照第一邊沿Ia的延伸方向被拉伸時，拉伸力F和F’通過第二條狀結構121進行傳動，帶動第一條狀結構122進行形變，第一條狀結構122的彎曲變形，會帶動掩膜單元邊緣區(qū)域的外邊沿向內收縮，所以產生力f和f’，由于彎曲緩解結構120與掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)110是相互連接的，所以內縮的力f會通過相互作用力使蒸鍍有效區(qū)110產生向外的拉伸效果，進而緩解蒸鍍有效區(qū)110邊緣的卷曲狀態(tài)；
[0039]優(yōu)選地，在上述的彎曲緩解結構120中，第一條狀結構122的延伸方向與第一邊沿Ia的延伸方向垂直，第二條狀結構121的延伸方向與第一邊沿Ia的延伸方向平行，即第一條狀結構122與第二條狀結構121可以垂直設置，以提高緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣卷曲的效果，另夕卜，還可以如圖2所示，每一個彎曲緩解結構120可以包括多個第一條狀結構122。
[0040]優(yōu)選地，在同一個掩膜單元中，所述邊緣區(qū)域包括在所述第一邊沿的延伸方向上相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離大于所述第二區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離，所述第一區(qū)域上相鄰兩個第一條狀結構之間的距離大于所述第二區(qū)域上相鄰兩個第一條狀結構之間的距離，即對于同一個掩膜單元，可以在其中邊緣區(qū)域的中間部分(即邊緣區(qū)域上距離蒸鍍有效區(qū)中心較近的部分)設置較多的第一條狀結構，從而在該位置上提高緩解邊緣卷曲的效果，使該位置上邊緣卷曲緩解效果更為突出，這樣有利于提高整個邊緣區(qū)域的邊緣卷曲緩解效果。
[0041]另外，每一個彎曲緩解結構120也可以只包括第一條狀結構122，而不再設置第二條狀結構121，從而相應的降低彎曲緩解結構的制作難度。
[0042]為進一步地提高緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣卷曲的效果，每一個掩膜單元100可以包括多個彎曲緩解結構120，每一個掩膜單元中彎曲緩解結構的個數(shù)可以根據(jù)其上蒸鍍有效區(qū)邊緣卷曲的程度進行設置，例如，可以在每一個掩膜單元中蒸鍍有效區(qū)域的兩側各設置一個彎曲緩解結構，也可以如圖1所示，在每一個掩膜單元中的蒸鍍有效區(qū)域的兩側各設置兩個彎曲緩解結構。
[0043]本發(fā)明實施方式提供的掩膜板，通過在其上設置彎曲緩解結構，該彎曲緩解結構包括第二條狀結構以及與第二條狀結構相交叉的第一條狀結構，在拉伸的過程中，通過第二條狀結構傳輸拉伸力，使第一條狀結構產生彎曲，帶動掩膜單元的邊緣區(qū)域的外邊界向內移動，進而產生內縮的趨勢，在內縮的過程中，會帶動掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)向外拉伸，從而緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣的卷曲狀態(tài)，避免在蒸鍍過程中在蒸鍍的產品的對應位置上產生不良。
[0044]為形成上述的彎曲緩解結構，可以對現(xiàn)有的掩膜板的邊緣區(qū)域進行刻蝕，通過刻蝕工藝形成上述的彎曲緩解結構，彎曲緩解結構與掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)為相同材料；
[0045]例如，可以對掩膜板的邊緣區(qū)域進行半刻蝕(Half Etching)，在經(jīng)過半刻蝕工藝后，彎曲緩解結構為形成的邊緣區(qū)域的凸起結構，彎曲緩解結構的周邊為非鏤空區(qū)域，，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結構的厚度，即彎曲緩解結構的表面高度高于其周邊區(qū)域的表面高度；
[0046]優(yōu)選地，還可以對彎曲緩解結構的周邊進行全刻蝕(FulIEtching)，使，即使彎曲緩解結構的周邊為鏤空區(qū)域，其結構如圖4所示，從而使彎曲緩解結構的第一條狀結構122獲取更大的彎曲效果，對掩膜板的蒸鍍有效區(qū)產生更大的拉伸作用，進而更好的緩解蒸鍍有效區(qū)邊緣的卷曲狀態(tài)。
[0047]此外，本發(fā)明實施方式還提供了一種掩膜組件，包括框架以及上述的掩膜板，所述掩膜板安裝在所述框架上并配置為在所述第一邊沿的延伸方向被拉伸。
[0048]參見圖5，圖5是本發(fā)明實施方式提供的一種掩膜組件的示意圖，該掩膜組件包括框架2以及多個掩膜板I，掩膜板I焊接在框架2上并在框架2的作用下處于被拉伸的狀態(tài)，其中，掩膜板I可以為上述結構的掩膜板，從而可以有效緩解掩膜板上蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲，避免在蒸鍍過程中在蒸鍍的產品的對應位置上產生不良。
[0049]此外，本發(fā)明實施方式還提供了一種掩膜板的制作方法，包括形成至少一個掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，還包括在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構，所述彎曲緩解結構用于當所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。
[0050]例如，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構包括:
[0051]通過半刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結構的圖案，所述彎曲緩解結構的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結構的厚度。
[0052]例如，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構包括:
[0053]通過全刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結構的圖案，所述彎曲緩解結構的周邊為鏤空區(qū)域。
[0054]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權利要求限定。
【主權項】
1.一種掩膜板，包括至少一個掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，其特征在于，所述邊緣區(qū)域上設置有彎曲緩解結構，所述彎曲緩解結構用于當所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。2.根據(jù)權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結構包括第一條狀結構，且所述第一條狀結構的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向不平行。3.根據(jù)權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一條狀結構的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向垂直。4.根據(jù)權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結構還包括與所述第一條狀結構相交叉的第二條狀結構。5.根據(jù)權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述第二條狀結構的延伸方向與所述第一邊沿的延伸方向平行。6.根據(jù)權利要求5所述的掩膜板，其特征在于，每一個所述彎曲緩解結構包括多個所述第一條狀結構。7.根據(jù)權利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述邊緣區(qū)域包括在所述第一邊沿的延伸方向上相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離大于所述第二區(qū)域與所述蒸鍍有效區(qū)中心的距離，所述第一區(qū)域上相鄰兩個第一條狀結構之間的距離大于所述第二區(qū)域上相鄰兩個第一條狀結構之間的距離。8.根據(jù)權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，每一個掩膜單元包括多個所述彎曲緩解結構。9.根據(jù)權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結構的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結構的厚度。10.根據(jù)權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結構的周邊為鏤空區(qū)域。11.根據(jù)權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括多個掩膜單元，所述多個掩膜單元按照所述第一邊沿的延伸方向排列。12.根據(jù)權利要求1-11任一所述的掩膜板，其特征在于，所述彎曲緩解結構與所述掩膜單元的蒸鍍有效區(qū)為相同材料。13.—種掩膜組件，其特征在于，包括框架以及權利要求1-12任一所述的掩膜板，所述掩膜板安裝在所述框架上并配置為在所述第一邊沿的延伸方向被拉伸。14.一種掩膜板的制作方法，包括形成至少一個掩膜單元，所述掩膜單元包括蒸鍍有效區(qū)以及位于所述蒸鍍有效區(qū)與所述掩膜板第一邊沿之間的邊緣區(qū)域，其特征在于，還包括在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構，所述彎曲緩解結構用于當所述掩膜板按照所述第一邊沿的延伸方向被拉伸時緩解所述蒸鍍有效區(qū)的邊緣卷曲。15.根據(jù)權利要求14所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構包括: 通過半刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結構的圖案，所述彎曲緩解結構的周邊為非鏤空區(qū)域，所述非鏤空區(qū)域的厚度小于所述彎曲緩解結構的厚度。16.根據(jù)權利要求14所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述邊緣區(qū)域上形成彎曲緩解結構包括: 通過全刻蝕工藝在所述邊緣區(qū)域上形成所述彎曲緩解結構的圖案，所述彎曲緩解結構的周邊為鏤空區(qū)域。
【文檔編號】C23C14/24GK106086785SQ201610617389
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月29日 公開號201610617389.3, CN 106086785 A, CN 106086785A, CN 201610617389, CN-A-106086785, CN106086785 A, CN106086785A, CN201610617389, CN201610617389.3
【發(fā)明人】林治明, 王震
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司