專利名稱：：帶有保護層系的刀具的制作方法本說明書包括附件A本發(fā)明關于一種帶有刀體和保護層系的刀具，保護層系在這里包括至少一層MeX，其中-Me包括鈦和鋁；-X至少是氮和碳中的一種。定義·術語QI被定義為I(200)與I(111)的衍射強度比，在采用θ-2θ方法的情況下，分別規(guī)定(200)平面和(111)平面在一材料的X衍射中具有上述衍射強度。因此，QI＝I(200)/I(111)。利用以下設備和設定參數(shù)來測量強度值西門子衍射計D500功率工作電壓30千伏工作電流25毫安孔徑光闌光闌位置I1°光闌位置II0.1°探頭光闌Soller縫隙時間常量4秒2θ角速度0.05°/分放射線Cu-Kα(0.15406nm)當我們提到“根據MS測量”時，我們是指該設備和這些設定參數(shù)。因此，本申請中的所有QI和I的數(shù)值結果都是根據MS測得的。·我們把“刀體”理解為未鍍覆的刀具?！の覀儼选坝操|材料”理解為為了耐磨而給在工作中承受很高機械力和熱負荷的刀具鍍覆上的材料。以下將這樣的材料的優(yōu)選例子稱為MeX材料。在刀具保護領域內，眾所周知的是，鍍覆上包括至少一層如被定義為MeX的硬質材料的耐磨層系。本發(fā)明的目的是顯著延長這樣的刀具的壽命。通過為所述的至少一層硬質材料選擇QI值來達到上述目的，為此QI≥1。刀體在這里為高速鋼或燒結型硬質合金，而不是整體硬質合金端銑刀或整體硬質合金球頭銑刀。另外，當根據MS測量時，數(shù)值I(200)比平均聲強級高至少20倍。根據本發(fā)明已經認識到，如果這樣的刀具是所指的這類型的刀具，則所述QI值導致了耐磨性能令人吃驚地提高，由此延長了刀具壽命。迄今為止，無論刀體材料與刀具在工作中所受的機械負荷和熱負荷之間是如何相互作用的，都鍍覆由MeX硬質材料構成的耐磨層系。因此，本發(fā)明基于這樣的事實，即認識到，當有選擇地將指定QI值與所指類型的刀具結合起來時，耐磨性能令人吃驚地得到了提高，由此實現(xiàn)了I(200)比平均聲強級高至少20倍，兩者數(shù)值都是根據MS測量的。關于本發(fā)明的對燒結的硬質合金刀體涂覆層，業(yè)已被承認，如果這種燒結的硬質合金刀具為鑲嵌刀，鉆頭或切齒刀具，如滾刀或成形刀，則在刀具壽命方面有極大的改善，其中對于鑲嵌刀或鉆頭之類來說則特別明顯。如果QI被選擇成至少為2，則更加提高了本發(fā)明的改進效果，而且甚至通過將QI選擇成至少為5，則獲得了更好的改進效果。如果QI至少為10，則達到最大的改進效果。必須說明的是，如果涂層材料根據當趨于零的衍射強度I(111)時的一個衍射強度I(2000)而獲得了獨特的晶體取向，則QI可以無限增加。因此，沒有給只來自實踐的QI設定任何上限。如本領域普通技術人員所知道的那樣，層硬度與層應力之間存在著內在聯(lián)系。應力越高，硬度就越高。而且，在應力增加的情況下，涂層與刀體的粘結會減弱。對于本發(fā)明的刀具來說，高粘結性比可能有的最高硬度更為重要。因此，MeX層中的應力有利地被選擇為以下所述的應力范圍的下極限。這些考慮實際上限制了可利用的QI值。在本發(fā)明刀具的一個優(yōu)選實施例中，刀具的MeX材料是氮化鈦鋁、碳氮鈦鋁或硼氮化鈦鋁，因此與硼氮化鈦鋁相比，目前優(yōu)選前兩種材料。在本發(fā)明刀具的另一個實施例中，涂層材料MeX的Me可能還包括硼、鋯、鉿、釔、硅、鎢、鉻中的至少一種元素，因此在這些族外地，最好采用釔和/或硅和/或硼。這樣的除鈦鋁外的附加元素被加入涂層材料中且其含量最好為i，為此，0.05at.％(原子百分比)≤i≤60at.％，其中認為Me為100at.％。在至少一層MeX的完全不同的實施例中，通過將一個厚為d的氮化鈦附加層加入MeX層和刀體之間而獲得了更大的改善，為此，0.05微米≤d≤5微米。就要提出一種能夠成本盡可能低并因而最經濟地制造的本發(fā)明刀具的總發(fā)明目的而言，還提出了刀具只有一層MeX材料和沉積在MeX層與刀體之間的附加層。另外，MeX層中的應力σ最好被選擇為1GPa≤σ≤4GPa，并且最好是1.5GPa≤σ≤2.5Gpa。鈦在Me層的Me成分中的含量x最好選擇為70at.％≥x≥40at.％，在一個更好的實施例中，上述含量范圍為65at.％≥x≥55at.％。另一方面，鋁在MeX材料的Me成分中的含量y最好選擇為30at.％≤y≤60at.％，在一個更佳的實施例中，上述含量范圍為35at.％≤y≤45at.％。在另一個更優(yōu)選的實施例中，這兩種范圍即與鈦和鋁有關的范圍均被滿足。尤其是鍍覆MeX層可以是通過任何已知的真空沉積技術實現(xiàn)的，而且尤其是通過反應性的PVD鍍覆技術實現(xiàn)的，如通過反應陰極電弧蒸發(fā)或反應濺射方式。通過適當?shù)乜刂朴绊懲繉由傻墓に噮?shù)，獲得了發(fā)明所用的QI范圍。為獲得優(yōu)異的且可重復的涂層對刀體的粘結性，作為準備性的步驟并且在附件A所述的氬等離子的基礎上采用了等離子蝕刻技術，就這樣的蝕刻和和后續(xù)鍍覆工序來說，這篇文獻作為參考被引入本文。這篇文獻與本申請的發(fā)明人(兩個發(fā)明人)和申請人相同的美國申請08/710095一致。例1如表1所示進行操作地使用一臺采用附件A所述的磁控弧源電弧離子鍍覆裝置，以便將表1所列的MeX層沉積到燒結的硬質合金鑲片。MeX鍍層的厚度總是為5微米。因此，在第1-7號樣品中獲得了本發(fā)明所述的QI值，而為了對比，在第8-12號樣品中，沒有滿足這一條件。I(200)值總是明顯地比平均聲強值高20倍，它們都是根據MS測量得到的。鍍覆的鑲片被用于在下述狀況下進行銑削，結果發(fā)現(xiàn)可獲的直到分層的銑削。根據這種刀具壽命而獲得的銑削距離也在表1中示出了。表1實驗切削條件-被切除材料SKD61(HRC45)-切削速度100米/分-推進速度0.1米/刃-切削深度2毫米被涂覆及試驗的鑲片的形狀符合SEE42TN(G9)顯然可以從表1中認識到，根據本發(fā)明的具有涂層的鑲片明顯比按照對比例條件鍍覆的鑲片更不易分層。此外，樣品7的結果清楚表明，該層的應力和硬度降低了，導致比高QI值(22.5)預期切削距離要低，但仍滿足以上所定義的應力要求。例2根據例1而被用于鍍覆的裝置也被用于鍍覆表2的第13-22號樣品?？偟耐繉拥暮穸仍俅螢?微米。除了例1所述的涂層外，還可以看到如表2所列的在MeX層和刀體之間鍍覆了一個氮化鈦、中間層和各自材料的最外層。根據MS測量的與I(200)有關的條件和平均聲強級基本得到滿足。表2</tables>可以注意到，在MeX層和刀體之間的中間層已經導致了進一步的改善。通過鍍覆一個由碳氮化鈦、氧氮化鈦鋁中的一種材料構成的最外層而獲得了進一步改善，并且尤其是通過鍍覆氧化鋁最外層而獲得上述改善。另外，可以看到，與對比例的第19-22號樣品相比地通過實現(xiàn)了本發(fā)明所述的QI值，獲得了明顯改善。0.5微米厚的氧化鋁最外層是通過等離子CVD形成的。上述燒結的硬質合金鑲片在與例1相同的切削條件下接受實驗，并根據MS測量QI。例3另外，用例1的裝置給燒結的硬質合金鑲片鍍覆上表3所示的MeX層，這仍然如本發(fā)明所述地滿足了QI條件并遠遠滿足了與平均聲強級有關的I(200)條件。由此，以上述數(shù)量在Me中加入鋯、鉿、釔、硅、鉻。鍍覆過的鑲片在空氣烘箱中保持在750℃約30分鐘以便氧化。隨后測量所形成的氧化層厚度。在表3中列出了測量結果。為了對比，也對按照本發(fā)明地鍍有MeX材料的不同Me成分的鍍覆過的鑲片進行了實驗。顯然，由于在Me中加入了如樣品第23-32所示的任何一種元素，所以所形成的氧化膜厚度明顯減小了。通過添加硅或釔而獲得了氧化的最佳效果。表3必須指出，本領域普通技術人員都知道，對于MeX材料來說，有這樣的說法即耐氧化能力越強且因而所形成的氧化膜越薄，則切削性能越高。例4再次使用例1的鍍覆方法和裝置。直徑為6毫米的HSS鉆頭被鍍覆上了4.5微米的MeX層及在MeX層與刀體之間0.1微米厚的氮化鈦中間層。實驗條件是這樣的刀具HSS鉆頭，直徑6毫米材料DIN1.2080(AISID3)切削參數(shù)Vc＝35米/分f＝0.12毫米/轉15毫米深盲孔，用冷卻劑。表4</tables>計算鉆頭失效以前所鉆的孔數(shù)來確定刀具壽命。本發(fā)明鍍覆過的鉆頭的結果示于表面中第36和37號樣品，而第38及39號再次用作比較例。對于第36和37號樣品來說，I(200)再次遠遠超過平均聲強級的20倍，這是根據MS測量的。例5再次使用例1的裝置和方法來給直徑為12毫米的HSS粗加工銑刀鍍覆上4.5微米的MeX層。還在MeX層與刀體之間設0.1微米厚的氮化鈦中間層。實驗條件如下刃具HSS粗加工銑刀，直徑12毫米，Z＝4材料AISIH13(DIN1.2344)640N/mm2切削參數(shù)Vc＝47.8米/分ft＝0.07毫米ap＝18毫米ae＝6毫米順銑，干燥一直使用HSS粗加工銑刀，直到達到0.2mm側面磨損的平均寬度。表5表5中的第40號樣品示出按本發(fā)明鍍覆的工具的結果，第41號樣品作為比較例。同樣地，第40號樣品I(200)滿足了根據MS測量的噪音條件。例6再次使用例1的裝置和方法。直徑為10毫米的六齒整體硬質合金端銑刀被鍍覆上3.0微米的MeX層。還在MeX層與刀體之間設0.08微米厚的氮化鈦中間層。實驗條件如下刀具整體硬質合金端銑刀，直徑10毫米，Z＝6材料AISID2(DIN1.2379)60HRC切削參數(shù)Vc＝20米/分ft＝0.031毫米ap＝15毫米ae＝1毫米順銑，干燥一直使用整體硬質合金端銑刀，直到達到0.20mm側面磨損的平場寬度?？勺⒁獾?，整體硬質合金端銑刀并不屬于按本發(fā)明鍍覆有QI≥1的硬材料層的刀具組。從表6的結果可以清楚看出，對于這種刀具，QI＞1并不導致有改善之效果。同樣地，第42號樣品滿足了根據MS測量的噪音條件的I(200)，而對第43號樣品來說，滿足了噪音條件的I(III)。表6例7再次采用例1樣品的裝置和方法。直徑為11.8mm的整體硬質合金鉆頭被鍍覆上4.5微米的MeX層。還在MeX層與刀體之間設氮化鈦中間層。實驗條件如下刀具整體硬質合金鉆頭，直徑11.8mm工件鑄鐵GG25機加工條件Vc＝110米/分f＝0.4米/轉盲孔3×11.8無冷卻劑一直使用整體硬質合金鉆頭，直到達到0.8毫米側面磨損的最大寬度。同樣地，根據MS測量，噪音條件I(200)得到滿足。表7</tables>例8再次使用例1的裝置和方法。依CNGP432的與一形體一起轉動的燒結型硬質合金鑲片被鍍覆上4.8微米的MeX層。還在MeX層與刀體之間設0.12微米的氮化鈦中間層。實驗條件如下刀具硬質合金鑲片(CNGP432)材料DIN1.4306(X2CrNi1911)切削參數(shù)Vc＝224米/分f＝0.22毫米/轉ap＝1.5毫米用乳化液該刀具壽命以分鐘計算。所示的值為三次測量的平均值。同樣地，根據MS測量，I(200)/噪音條件得到滿足。表8在圖1中，以氮氣部分壓力對刀體偏電壓的直線曲線示出了當利用了反應陰極電弧蒸發(fā)法和反應性的PVD沉積法時的情況，這些方法被用于實現(xiàn)上述例子。陰極電弧蒸發(fā)法的所有工藝參數(shù)保持不變，即弧電流、加工溫度、沉積速度、蒸發(fā)材料、弧源附近的磁場強度和形狀、待處理刀具工件的幾何形狀和尺寸以及工藝室保持不變。其余工藝參數(shù)即反應氣體的部分壓力(或總壓力)和將作為工件被鍍覆的刀體的偏電壓以及預定基準電勢和室壁接地電勢是可以變化的。就這樣沉積氮化鈦鋁。關于反應氣體部分壓力和刀體偏電壓而建立不同的工作點，并且根據MS測量沉積硬材料層的QI值。結果在圖1的曲線中存在區(qū)域P，它從至少靠近曲線坐標軸起點的地方起首先大約成直線地延伸，所形成的層導致了很低的I(200)和I(111)的XRD強度值。為了精確地確定P的極限，顯然必須進行許多次測量。其中根據MS測量，I(200)和I(111)都不是平均聲強級的20倍。在此區(qū)域P的一側上并且如圖1所示地，QI值大于1，在P的其它區(qū)域內，QI值小于1。在這些區(qū)域內，根據MS測量結果，至少I(200)和I(111)中的一個值是平均聲強級的20倍。如圖1箭頭所示，反應氣體的部分壓力(或總壓，如果它實際上等于該部分壓力的話)的降低和/或提高鍍覆刀體偏電壓導致了QI值的降低。因此，本發(fā)明提出的用于制造一具有刀體和至少包括一硬質材料層的耐磨層系的刀具的方法包括以下步驟在真空室內反應性的PVD沉積至少一層硬質材料，為此，除了那兩個工藝參數(shù)外，即除了反應氣體的部分壓力和/或刀體偏電壓外，針對反應性的PVD沉積工序預先選擇工藝參數(shù)值。接著調節(jié)這兩個或其中一個參數(shù)以便獲得所需的QI值，因此根據本發(fā)明，降低偏電壓和/或提高反應氣體的部分壓力以便獲得QI值，QI值如上所述至少大于1并且優(yōu)選地至少大于或甚至為5及甚至最好為10。除了本發(fā)明所用的QI值外，在此P區(qū)域的左手區(qū)域內，I(200)比較大，根據MS測量，它在大多數(shù)情況下至少是平均聲強級的20倍。在圖2中，針對沉積在根據發(fā)明圖1的QI≥1的區(qū)域內的氮化鈦鋁硬質材料層，示出了一條典型的強度對角度2θ的曲線，結果QI值為5.4。平均聲強級N*比I(200)/20小許多。測量是根據MS進行的。在圖3中示出了一條與圖2相似的曲線，但是通過偏電壓和氮氣部分壓力至QI≤1來控制氮化鈦鋁的沉積。所形成的QI值為0.03。在這里，根據MS測量，I(111)值比平均聲強級高。請注意，在圖1中，在各區(qū)域內的各QI值被標注在根據MS測量的各工作點上。在圖4中，針對圖1的P1工作點示出了一條與圖2、3相似的曲線?？梢钥吹?，與那些在P區(qū)域外的值相比，I(111)和I(200)明顯降低。I(111)和I(200)都沒有達到平均聲強級N*的20倍。因此，由于簡單地調節(jié)兩個控制QI值的反應PVD工藝參數(shù)中的至少一個，即調節(jié)反應氣體部分壓力和工件偏電壓，就控制了本發(fā)明所采用的QI值。在圖1中，通常在QI＜0的情況下，示出了降低QI值的調節(jié)方向。顯然，在調節(jié)這兩個控制工藝參數(shù)的相反方向上，獲得了QI值的提高。附件A工件鍍覆方法和裝置本發(fā)明涉及一種如權利要求1所述類型的鍍覆裝置以及一種根據權利要求14所述類型的工件鍍覆方法。在許多已知的真空處理工藝中，工件表面的清理是在真空鍍覆前進行的。另外，可以在清理步驟前或后，將工件加熱到所需溫度。原則上需要這樣的步驟來保證待鍍涂層的足夠粘結強度。在工件且尤其是刀具要被鍍覆上耐磨保護涂層的應用場合中，這是十分重要的。在刀具如鉆頭、銑刀、拉削刀和成型模具上，這樣的涂層承受著很高的機械應力和摩擦力。與基材的良好連接因此對有效經濟的使用它們而言是非常重要的。一種已被證實的刀具預處理方法是利用電子轟擊方式來加熱并進行離子蝕刻如濺蝕。例如，已經從DE3330144中知道了根據等離子放電的電子轟擊加熱方式。等離子放電路徑也可被用于產生重的稀有氣體離子如氬離子，從等離子氣體起使這些離子加速沖向工件或基材，它們如DE2823876所述地在基材或工件上產生濺蝕。除了濺蝕外，另一種已知的技術是利用附加反應氣體帶動等離子放電并化學蝕刻工件，但是，融合了反應性蝕刻和濺蝕的加工技術也是可以想到的。所有這些預處理工藝的目的都是為了準備好工件表面，使得隨后沉積的涂層與基材良好地連接在一起。為了產生等離子，上述裝置采用了布置在裝置中心軸線上的低壓電弧放電，而以一定距離環(huán)繞電弧地沿圓柱形表面布置工件。涂層隨后通過熱蒸發(fā)或濺射而被沉積上。根據對工藝過程的控制，在鍍覆過程中通過相應的基材偏電壓而產生了附加的離子轟擊，這種技術被稱為離子鍍覆。這種布局的優(yōu)點是，可以從溫和地處理工件的低壓電弧中分離出具有小顆粒能量的大離子流。但缺點是，工件必須布置在一個放電徑向區(qū)域內并且原則上它們必須繞中心軸線以及它們自己的軸線轉動以獲得一致且可重復出現(xiàn)的結果。另一個缺點是，由于可允許的圓柱形處理帶寬比較窄，或者可處理的工件尺寸是有限的，或者對于許多小工件來說，批量數(shù)是有限的，這嚴重地限制了已知裝置的經濟性。這種限制是由以下事實引起的，即在中心穿透處理室的低壓電弧放電本身要求某種尺寸。為了產生良好的且可重復出現(xiàn)的結果，工件必須適當?shù)剡h離放電，這意味著大部分中心處理室的空間是不可能被利用到的。還已知一種具有所謂的二極管放電結構的濺射裝置。這樣的二極管放電是在接近1000伏或更高的電壓下工作的。二極管蝕刻裝置已被證明不適用于按照理想要求進行鍍覆。一方面，可獲得的蝕刻速度和效率低下，而另一方面，這些高電壓可能對敏感的基材帶來傷害。尤其是要求三維處理的工件如刀具不可能輕松地利用這樣的裝置進行處理。刀具例如被設計成具有許多細刀刃，而放電會集中在這樣的刀刃上，結果在這樣的細刀刃和點上可能出現(xiàn)了不受控制的結果如工作刃的過熱和甚至損壞。在DE4125365專利申請中，描述了一種解決上升問題的方案。它提出，通過所謂的電弧蒸發(fā)方法鍍覆涂層。為了用這樣的蒸發(fā)器生產出粘結性能良好的涂層，在實際鍍覆前就使用了蒸發(fā)器的電弧，從而電弧產生的離子且尤其是金屬離子因施加了一般大于500伏的且通常為800-1000伏的負加速電壓而加速離開了蒸發(fā)目標并沖向工件，從而比沉積量多的材料濺離工件。在蝕刻過程后，將蒸發(fā)器作為鍍覆源投入工作。此說明書提到了，在基于電弧鍍覆技術的一般工藝中，這樣的高電壓對通過電弧蒸發(fā)方式產生粘結性能良好的涂層是很重要的。為了防止過熱問題或者在不均勻質量分布的情況下或在細微的工件形狀上進行蝕刻，此說明書提出了，除了電弧等離子外，用高電壓啟動一輔助放電路徑，它造成了與蒸發(fā)電弧相連的補充離子化。一個附加直流電源造成離子被從等離子氣中抽出并加速沖向工件，由此產生了理想的蝕刻效果。為了加強效果，設想出了一個具有另一個由獨立供電器產生的放電路徑的附加陽極。在蝕刻過程中，電弧蒸發(fā)器在閘緊閉的情況下工作，從而基材不受蒸發(fā)器的直接影響，由此防止了所謂的基材滴濺。上述布局的缺陷是，它也需要高電壓并只能獲得有限的處理均勻性，并且由于連接不同等離子路徑，對工作條件的調節(jié)能力是有限的。另外，這種結構很復雜并因而建造成本和工作成本高昂，這嚴重損害了生產系統(tǒng)的經濟性能。使用超過1000伏的電壓要求附加安全措施。如果也要求高處理質量的話，則基于電流技術的系統(tǒng)不太適用于高產量。允許接近1000毫米和1000毫米以上的涂層寬度的系統(tǒng)在任何程度上都只能很費事地建立起來。本發(fā)明的目的是，尤其是通過設想出一種鍍覆布置結構并通過提出這樣的工藝來消除上述現(xiàn)有技術中的缺陷，即所述工藝適用于沒有損壞細微組織并具有且理想均勻性和非常經濟的處理速度地將粘附性能良好的涂層沉積在許多工件上或者質量分布不均的單個大型工件上。上述目的是通過根據權利要求1特征部分來設計前序所述的的處理布裝置并通過根據權利要求14特征所設計的鍍覆方法而實現(xiàn)的。因此，要鍍覆的工件表面通過使其相對一個熱陰極低壓電弧放電路徑的直線延長部的橫向移動而暴露在被設計成該熱陰極低壓電弧放電裝置的等離子源下。工件與一個負電壓相連，從而從電弧放電中抽出離子并使其加速沖向工件，這造成工件的濺蝕。隨后，從低壓電弧放電有效的同一側鍍覆工件。本發(fā)明的鍍覆裝置的優(yōu)選變型設計方案在從屬權利要求2-13中描述了，方法的優(yōu)選變型設計方案在權利要求14-17中描述了。以熱陰極低壓電弧放電裝置作為離子源地進行蝕刻是非常有利的，因為這樣的電弧放電可以在放電電壓小于200伏的情況下工作，這意味著蝕刻過程不受高壓蝕刻缺陷的困擾。低壓電弧放電蝕刻對工件也無害，也就是說，大型工件上的細微組織如切削刃沒有受到超負荷熱和由高能離子轟擊造成的刀刃倒角的不利影響。盡管比較低的放電電壓為DC30伏-200伏且優(yōu)選地為30-120伏，從幾十到幾百安培的且最好是100-300安培的很高的放電電流是可行的。這意味著，這種放電能夠在產生很強的低能離子流。由于可以獲得強離子流，所以可以在加速電壓比較低的情況下在基材上獲得高蝕刻速度并且如上所述地溫和地處理工件。基材上的抽離電壓或加速電壓為-50伏到-300伏且最好為-100伏到-200伏。沖向工件的離子流獲得了5-20安培的數(shù)值并且工作范圍最好為8-16安培。工件的處理寬度可以接近1000毫米。利用更復雜的裝置，更大的處理寬度也是可行的。可獲得的數(shù)值不僅取決于它們相對工件的幾何布局，而且取決于所選工作壓力。典型的工作壓力為10-3毫巴。為了使電弧放電有效工作，稀有氣體被用作工作氣體且優(yōu)選象氬氣這樣的重的稀有氣體。過去，低壓電弧放電結構是轉動對稱的，這意味著，電弧放電被布置在中心，使工件繞位于中心軸線上的電弧放電轉動。假設中心設置電弧放電的轉動對稱布置結構將對蝕刻操作的速度和一致性提供最佳的效果。但是，我們驚奇地發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明所提出的不對稱布置結構比上述對稱布置結構要有利的多。在電弧放電位于中心軸線上的對稱布置結構中，電弧放電本身就限制了大型工件移向中心。另外，這樣的工件不僅必須繞中心軸線轉動，而且必須繞其自身軸線轉動，從而在蝕刻過程后，蝕刻工件表面馬上接受設置在室壁上的鍍覆源的鍍覆。只有這樣，才能保證蝕刻過程和涂層厚度的足夠分布。還表明，在轉動對稱布局中，工件與電弧放電的距離要比在不對稱布局中更重要，在不對稱布局中，工件只由一側暴露在電弧放電下。在本發(fā)明的裝置中，可以使大型工件在電弧放電前方經過而不用附加轉動，結果處理室尺寸可以保持在合理范圍內并且重型工件的處理得到了極大的簡化。這對生產系統(tǒng)的經濟性有重要影響。本發(fā)明的布局不僅對大型工件是有利的，而且還可以容放和同時處理數(shù)量相當多的小工件。本發(fā)明布局的另一個優(yōu)點是，蝕刻裝置不再必須被建造成處理室的一體部分，因為它只需要被布置在處理室壁區(qū)域內，這意味著，它可以作為一個細長的小放電腔設置在后者的外壁上，從而可以更自由地設計處理室。我們甚至還發(fā)現(xiàn)，這種布局就電弧放電與工件表面之間的距離來說是不緊要的，這意味著在大間距變化的情況下可以獲得更高的結果重復性，而這樣的變化通常出現(xiàn)在大型工件中。從電弧放電中抽出的總離子流仍然有利地達到了很高值并且可以被完全集中到工件上，由此產生了理想的高蝕刻速度。低壓電弧放電或等離子源與處理室或處理區(qū)的實際分開使人們可以更自由地設計等離子源，因而與放電位于裝置中心軸線上的一體式轉動對稱布局相比，可以更加靈活地使等離子源設計形狀適應于工藝要求。為了在蝕刻后沉積上粘結性能好的涂層，在處理室壁上安裝了至少另一個從同一側作用的蒸發(fā)源。尤其是設置了可以如此布置的源頭，象細長的低壓放電一樣，它們鍍覆該在其前方輸送一個相應細長區(qū)域的工件。設置象濺射源或電弧蒸發(fā)源這樣的蒸發(fā)源。實踐證明，所謂的陰極火花蒸發(fā)器或電弧蒸發(fā)器是特別適宜的，因為粘性良好的涂層可以通過這些步驟和前面的蝕刻過程經濟地制成。通過這種布局而處理過的實驗刀具獲得了有效壽命，與通過已知的高壓蝕刻式電弧蒸發(fā)鍍覆所獲得的刀具相比，本發(fā)明刀具的壽命明顯并可再現(xiàn)地延長。例如，切削刀具如銑刀的有效壽命提高了至少1.5倍；在特別優(yōu)選的情況下，與傳統(tǒng)技術相比甚至提高了許多倍。另外，獲得了很均勻的蝕刻分布，這遠不必依靠工件形狀并允許在一次批量中混入不同基材。利用所提出的結構，不僅還容易利用稀有氣體而且利用化學活性氣體來進行處理，因為低壓電弧放電強烈地激活了象氮氣、氫氣這樣的氣體。由絕緣表面造成的不希望的附加放電可以容易地通過低壓放電進行控制。低壓電弧放電優(yōu)選地通過一個獨立陰極腔或裝有一熱陰極并只通過一小孔與放電腔或處理室相通的離子化室而進行工作。這導致了在處理室和鍍覆源之間的氣體分離，這減少或消除了目標污染問題。利用這樣的結構，也可以在實際鍍覆階段內利用不同工作氣體對工件進行激活處理。所需的工作條件可以通過選擇工件上的相應為負或為正的電壓來建立。由于工件一般必須在一個工序中在工作源之前經過幾次以便獲得所需的蝕刻深度或涂層厚度以及均勻和可再現(xiàn)的處理，所以以下述方式設計裝置是有利的，即可以使工件繞一個中心軸線轉動并將室壁上的工作源設置成使其都從外向內工作。在這種情況下，可以設置大型工件以使其繞其中心軸線轉動地進行處理。但在同樣的空間中，還可以在一個座上設置許多個甚至具有不同尺寸的小工件，并且使這些工件在繞中心軸線轉動的同時橫向經過工作源以獲得均勻的效果。這樣的布局特別緊湊和容易形成，這對經濟的加工的經濟性是很重要的。等離子源或低壓放電最好沿傳送方向的橫向布置在處理室壁上。低壓電弧放電器例如并最好布置在一個箱形附件中，所述附件在這里成放電腔形狀并且通過一細長孔與處理室相連，從而低壓電弧直接位于工件或要處理區(qū)域的對面。低壓電弧放電是通過電加熱或熱離子發(fā)射陰極和間隔設置的一陽極產生的。給陽極提供一相應的放電電壓，從而造成抽出弧電流。這種放電的特點是它具有一個氣體入口，通過所述入口給電弧放電提供工作氣體。這種布局最好在稀有氣體如氬氣的條件下工作，但也可以如上所述地添加反應氣體。放電路徑的大小應該至少是處理區(qū)寬度的80％并且可以如此相對處理區(qū)定位，即可以獲得所需的處理分布狀態(tài)或均勻性。為了獲得相應的工件濺蝕效果，相對電弧放電布置以一個負電壓操作工件或工件座。根據工藝類型如在鍍覆反應過程中，也可以不利用這樣的電壓或甚至利用正電壓地使裝置工作起來，就是說，利用電子轟擊地使裝置工作起來。除了DC電壓外，也可以使用AC高頻或中頻電壓，或者交流電壓加直流電壓的方式也是可行的。直流電壓也可以脈沖化，也可以將一部分直流電壓加到交流供電器上。利用這樣的供電器，可以控制某些反應過程。尤其是當存在非導電區(qū)或在裝置和工件表面上形成了這樣的區(qū)域時，可以避免或防止附加電弧。相對處理區(qū)的理想分布情況可以通過放電長度和其位置進行調節(jié)?？刂品植记闆r的另一個參數(shù)是電弧放電沿路的等離子密度分布情況。例如可以借助附加磁場來影響這種分布，所述磁場布置在放電腔區(qū)域內。為了調節(jié)和修正工作參數(shù)，沿放電腔設置了永磁鐵。但如果利用附加的獨立供電陽極啟動放電路徑的話，則可以獲得更好的效果，其中所述陽極根據分布要求而沿放電路徑布置。在這樣的結構中，可以在一定程度上影響分布曲線。因此，最好是無需修正磁鐵且沿放電路徑設置一個以上陽極的布局。但也可以讓上述優(yōu)選的布局與附加的修正磁鐵結合起來。附加陽極很容易與單個陰極配合使用。但是，如果在各陽極對面設置發(fā)射陰極以便獲得最佳電路分離效果是有利的，所述線路則改進了控制性能。熱離子發(fā)射陰極最好布置在一個獨立的小陰極腔內，所述陰極腔通過一個小孔與放電腔相連。陰極腔最好配備有一個稀有氣體入口。如果需要，也可以通過該氣體入口吸入反應氣體。反應氣體最好不被吸入陰極腔內，而是例如被吸入放電腔內。通過陰極腔內的孔，電子被吸向陽極或眾陽極，從而至少部分離子化的氣體也流出孔外。處理腔最好是如此設計的，使工件的轉動中心軸線是垂直的。陰極或陰極腔最好布置在陽極上方。在陰極腔內，出口最好向下布置。這些布置結構簡化了系統(tǒng)的整個操作并有助于避免可能由顆粒成型而引起的問題。除了低壓電弧放電布局外，處理腔還配備了至少另外一個工作源，它最好以電弧蒸發(fā)器的形式。這些工作源在同一方向從外向中心軸線或處理區(qū)地徑向地作用。如果低壓電弧放電在傳送防方向上被布置在鍍覆源前方，則這是有利的。電弧蒸發(fā)器象電弧放電結構一樣通常具有一個在傳送方向橫向上的直線延長部，從而可以按照了理想的均勻程度鍍覆整個處理區(qū)。在所提出的鍍覆結構中，最好采用幾個圓形電弧蒸發(fā)器，它們可以獲得理想均勻性地沿室壁布置。優(yōu)點是，可以將蒸發(fā)器的高功率損耗分散開并且可以更好地控制涂層厚度分布或者在某種程度上甚至可以通過供電器來進行調節(jié)。這樣一來，可以出人意料地獲得高鍍覆速度，這造成高經濟性能。例如，刀具且尤其是成型模具的方法可以按照如下方式進行設計方法例子系統(tǒng)結構對應于圖2、3的結構。不使刀具繞其自身的轉軸線轉動，而只通過使工件座繞其中心軸線轉動而讓刀具在工作源前通過。形成一個寬度b為1000毫米、直徑d為700毫米的鍍覆區(qū)，在所述區(qū)域內布置著工件。處理室的直徑為1200毫米，高度為1300毫米。蝕刻參數(shù)低壓弧電流ILVA＝200A電弧放電電壓ULVA＝50V氬氣壓力PAr＝2.0×10-3毫巴蝕刻電流Isub＝12A蝕刻時間t＝30分蝕刻深度200nm涂層各電弧蒸發(fā)器的電流IARC＝200A(具有直徑為150毫米的鈦靶的8個蒸發(fā)器)電弧放電電壓UARC＝20V氮氣壓力PN2＝1.0×10-2毫巴偏電壓UBias＝-100V鍍覆時間t＝45分TiN涂層厚度6微米包括加熱和冷卻在內的每批處理周期為150分鐘。用于工件負加速電壓的電壓發(fā)生器通常是在接近DC300伏的電壓下工作的，但是為了保護工件，電壓最好在100-220伏，在這樣的電壓下仍然可以無缺陷地獲得很好的蝕刻速度。低壓電弧布局必須在其至少遠離工件10厘米的情況下工作，但所述距離最好應該大于15厘米或者在15厘米-25厘米之間，在這樣的距離下，獲得了分布良好的高蝕刻速度。本發(fā)明的鍍覆系統(tǒng)尤其適用于處理刀具如鉆頭、銑刀和成型模具。座和傳送工具是根據這種刀具而特別設計的。本發(fā)明的鍍覆系統(tǒng)通常能夠獲得良好的鍍覆效果，即使待鍍覆的工件只繞裝置的中心軸線轉動。在極端的情況下或者如果要將非常多的小部件投入系統(tǒng)，在這樣的設計思路中很容易通過添加由本身繞中心軸線轉動的附加轉動軸線來補充繞中心軸線的轉動。隨后，通過以下附圖來舉例示意描述本發(fā)明圖1示出了根據傳統(tǒng)技術的低壓放電鍍覆布置結構(現(xiàn)有技術)；圖2是根據本發(fā)明的典型鍍覆系統(tǒng)的橫截面圖，所述系統(tǒng)具有用于低壓放電的外周放電腔；圖3示出了圖2所示系統(tǒng)的水平截面；圖4a示出了具有低壓電弧放電用放電腔和布置在該腔內的許多陽極的布置結構的局部；圖4b與圖4a相同，但是它示出了具有獨立的陰極-陽極放電路徑且陰極布置在獨立的陰極腔內的結構；圖4c與圖4a、4b相同，但是它也示出了獨立的陰極-陽極放電路線，但陰極布置一個公用陰極腔內；圖5示出了利用傳統(tǒng)技術和利用本發(fā)明的技術而鍍有涂層的刀具使用壽命的對比曲線。圖1示出了一種已知的工件鍍覆結構。一個真空室用作容放低壓電弧放電18的處理室1，所述低壓電弧放電沿真空室1的中心軸線16經過真空室中心，磁控管型濺射源14在圓周上從外側通過凸緣與與處理室1室壁相連。在處理室1上方有一個其中放有一個熱離子熱陰極3的陰極腔2，可以通過氣體入口5給所述陰極提供工作氣體且一般是稀有氣體如氬氣。也可以給反應過程補充活性氣體。陰極腔2通過閘4中的小孔與處理室1連通。陰極腔通常通過絕緣件6與處理室隔絕。閘4還通過絕緣件6與陰極腔隔絕開，從而可以根據需要在浮動電勢或附加電勢的基礎上啟動閘4。陽極7在中心軸線16的方向上布置在陰極腔2的相反側面上。陽極可以成坩堝形狀并且盛放待通過低壓電弧放電被蒸發(fā)的材料。在蝕刻過程中，不采用蒸發(fā)方案，只從低壓電弧放電中抽出離子并且使其加速地沖向工件，從而它們?yōu)R蝕工件。為了啟動低壓電弧放電18，用加熱器加熱陰極3，從而陰極3發(fā)射電子。在陰極3和陽極7之間設有一個用于啟動電弧放電的附加供電器8。它通常在陽極7上產生了正直流電壓以便維持低壓電弧18。在電弧放電18與處理室室壁之間，設置了安放工件11的工件座，可以使工件繞其垂直中心軸線17轉動以便獲得足夠的處理均勻性。工件座10支撐在一個附加工件座機構12上，所述機構配備了一個轉動驅動機構，通過所述驅動機構使工件座10繞其中心軸線16轉動。在這種裝置中，還需要通過附加線圈13如海耳莫霍茨線圈使低壓電弧放電18會聚。顯然，可以利用低壓電弧放電18來處理工件11，當對基材施加負電壓時，產生離子轟擊，可以通過施加正基材電壓來實現(xiàn)電子轟擊。這樣一來，可以借助低壓電弧放電通過熱引發(fā)式電子轟擊或通過濺蝕式離子轟擊而對工件進行預處理。隨后，可以通過低壓電弧蒸發(fā)來自坩堝7的材料或通過由供電器15供電的磁控管型濺射源14的濺射來鍍覆工件11。顯然，在這種布局中，基材移動用的機械組件和低壓電弧放電布置結構相當復雜。另一方面，自由度也受到了嚴重的限制，因為工件只能布置在位于中心的低壓電弧放電與外室壁之間。對于處理大型工件或大批量處理來說，這種系統(tǒng)是不經濟的。一個根據本發(fā)明的優(yōu)選鍍覆系統(tǒng)的例子在圖2的橫截面圖中示出了。在處理室1中放有一個如此布置的工件座10，即可以使工件繞處理室的中心軸線轉動。通常，通過將工件保持在處理所需壓力下的真空泵19降低了處理室壓力。在所提出的結構中，一個超過中心軸線16的大型工件11例如可以如此布置在處理室1內，即大型工件11可以通過布置在處理室壁上的鍍覆源得到處理?？捎糜谌莘殴ぜ膮^(qū)域基本上占據了整個處理室1。在這樣的布局中，可以安放單個大型工件11或許多個基本上填滿整個處理室的小工件。使工件11繞中心軸線16轉動的工件座沿轉動方向的橫向跨過了涂層寬度b。在本發(fā)明的系統(tǒng)中，可以在整個涂層寬度b范圍內或在從中心軸線16起到涂層寬度外周的整個深度范圍內即在整個直徑D范圍內獲得一致且可重復出現(xiàn)的涂層結果是非常有利的。在根據其中這些條件非常重要的傳統(tǒng)技術的同心布置結構的基礎上，本發(fā)明的偏心布置結構將產生更好多效果是出乎意料的。在此大區(qū)域內，可以在沒有與熱應力或不希望的電弧產生有關的問題下處理各種具有細邊和切削邊的工件幾何形狀。在處理室外壁上，蝕刻鍍覆源是如此定位的，即它們都從外側作用于工件上。對于重要的準備性濺蝕工藝來說，室壁的特點是它具有一條縫形孔，孔長度至少等于處理寬度b。在孔26的后面是一個箱形放電腔21，低壓電弧18就產生于所述放電腔內。此低壓電弧放電18基本上平行于處理寬度b并且其有效長度應該至少等于處理寬度b的80％。放電長度最好應該等于處理寬度b或超過所述寬度。電弧放電18的軸線與最近的處理區(qū)即下一個工件區(qū)的間隔為d。此間距d應該至少為10厘米且最好為15-25厘米，這樣就導致了良好的工藝一致性并可以保持快速濺射。在放電腔21的下部內，陰極腔2帶有凸緣，并通過孔4與放電腔21相連。在陰極腔2中安放著一個通過加熱供電器9而得到供電的熱陰極3。這種供電可以利用交流電或直流電進行。陰極腔2的特點是它具有一個用于供應工作氣體且通常是象氬氣這樣的稀有氣體或某些反應過程用的活性氣體與稀有氣體的混合氣的氣體入口5。還可以通過輔助氣體入口22并經過處理室1吸收工作氣體?；钚詺怏w最好通過氣體入口22被直接吸入處理室1。在放電腔21的上部內設有一個電極7，它被設計成陽極。直流電源8被如此連接到陰極3和陽極7之間，即正極位于陽極7上，并可以抽出低壓電弧放電。在借助工件11與低壓電弧放電結構之間的電壓發(fā)生器的情況下，通過給工件座或工件11施加負電壓，使氬離子加速沖向工件，從而濺蝕工件表面。這可以通過將電壓提高到接近DC300伏而最好是100伏-200伏地實現(xiàn)濺蝕，從而保證了溫和處理工件11?？梢酝ㄟ^適當?shù)囟ㄎ魂帢O腔2并通過相對根據工藝規(guī)定待處理工件的處理寬度b布置陽極而設定工藝均一性。另一個因素是陽極7的形狀。陽極例如可以成平面形狀、盤子形狀或矩形，或者被設計成管形冷陽極。圖3示出了基于圖2的系統(tǒng)的水平橫截面。還示出了在處理室1外壁上的箱形放電腔21，所述放電腔通過縫形孔26與處理區(qū)連通。當然，幾個這樣的放電腔可根據需要被布置在一個系統(tǒng)上以便進一步加強處理效果。還示出了蒸發(fā)源23，它們通過凸緣與室壁相連。例如，磁控管型濺射源可被用作蒸發(fā)源23，但是為了低成本地獲得高處理速度。優(yōu)選所謂的電弧蒸發(fā)源。這種結構的優(yōu)點是，電弧蒸發(fā)源23可以從外部自由地布置，使得通過多個蒸發(fā)源的分散布置，可以調節(jié)所需的鍍覆均勻性并可以維持高鍍覆速度。還示出了，不使用單個矩形蒸發(fā)源而是使用幾個圓形小蒸發(fā)源是更加有利的，其中所述小蒸發(fā)源根據工藝要求設置在系統(tǒng)外周上。圖4a示出了根據本發(fā)明的結構的另一個有利變形，其中陰極腔2位于放電腔21的上面。優(yōu)點是，放電路徑的工作最不受總是出現(xiàn)在這樣的鍍覆系統(tǒng)中的顆粒的干擾。還示出了通過使用幾個陽極-陰極電路并可以調節(jié)放電1沿路強度來細分放電路徑。主放電是通過主陽極7與陰極腔2之間的供電器8產生的。附加的輔助放電可以通過輔助陽極24和輔助供電器25來產生。由此一來，可以局部地調節(jié)在陽極7與陰極2之間的整個放電沿路的功率密度，至于強度，可以根據工件均勻性要求來調節(jié)。圖4b示出了一個替換結構。可以使陽極-陰極路徑保持完全分開，甚至通過使用獨立的陽極7、24和獨立的陰極3、3’以及獨立的陰極腔2、2’而相互分開。在圖4c中示出了另一個變型方案，其中使用了兩個獨立陽極7、24，但使用了一個帶有兩個熱陰極3、3’的公用陰極腔。圖5示出了根據本發(fā)明(曲線b)和傳統(tǒng)技術(曲線a)而進行了處理的HSS精銑刀的實驗結果。在這兩種情況下，銑刀都鍍覆了3.5微米的氮化鈦層。對于根據傳統(tǒng)技術的銑刀來說(曲線a)，先按照傳統(tǒng)方式進行高壓蝕刻，而對于曲線b所代表的銑刀來說，采用了本發(fā)明的工藝。實驗條件是這樣的HSS精銑刀直徑16毫米齒數(shù)4實驗材料42CrMo4(DIN1.7225)硬度HRC38.5橫切15毫米×2.5毫米切削速度40米/分每齒送進量0.088毫米送進量280毫米/分壽命終點主軸轉矩80(單位不限)實驗結果表明出了根據本發(fā)明經過處理的刀具的壽命有明顯改善。很容易就將刀具壽命提高了至少1.5倍。重要的是，不僅刀具壽命延長了，而且表示刀具質量受損程度的轉矩曲線具有令人滿意地接近臨近刀具使用壽命終點。在圖5的例子中，這在總銑齒為15時明顯可以看到。代表傳統(tǒng)技術的曲線a表明出了，刀具質量在總銑齒為15m時急劇降低。這表示，利用傳統(tǒng)技術獲得的切削質量在刀具的整個壽命期限內具有較大波動，這意味著刀具質量不是很穩(wěn)定。如圖2-4所示地根據本發(fā)明建造而成的系統(tǒng)在獲得了上述高質量的同時獲得了遠比傳統(tǒng)技術的系統(tǒng)1高許多的產量?？梢院苋菀椎厥巩a量翻番，或者提高3-5倍，這極大地提高了經濟性。摘要為了在必須于鍍覆前進行濺蝕的高強刀具上鍍覆硬質涂層，本發(fā)明提出了利用低壓電弧放電來濺蝕刀具并且隨后從其蝕刻方向鍍覆所述刀具。權利要求書1.一種利用一真空處理室(1)和一位于該真空室上的等離子源(18)來處理工件(11)的鍍覆裝置，它具有一個布置在該真空室內的涂料源(23)，所述真空室配備有一個保持和/或傳送機構，它限定出一個處理區(qū)(b)以便定位或使工件(11)在等離子源和涂料源前經過，所述等離子源和涂料源與工件間隔某一距離布置并從同一個方向作用，其特征在于，等離子源(18)被設計用作一個熱陰極低壓放電裝置，所述等離子源在工件傳送方向橫向上的直線延長距離基本上等于處理區(qū)的寬度(b)并且裝有一個用于在電弧放電(18)和工件(11)之間產生一個電場(20)的裝置。2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，工件(11)的保持及傳送機構被布置成可以繞處理室(1)的中心軸線(16)轉動，所述等離子源和涂料源(18，23)如此布置在室壁上，即它們都從外側起在中心軸線(16)的方向上徑向起作用。3.如權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，放電腔(21)的等離子源布置在真空室(1)的外壁上，在放電腔(21)內或其上設置了一個熱離子發(fā)射陰極(3)、離開和沿處理區(qū)寬度(b)的處理區(qū)的至少80％、一個用于產生低壓電弧放電(18)的陽極，在所述結構中，一個在帶有電壓發(fā)生器(20)的放電腔(21)內的稀有氣體孔(5)布置在陽極-陰極電路和工件之間，使得負極在工件(11)上，從而等離子源裝置(2，7，18，21)的作用就象是一個濺蝕裝置。4.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，在發(fā)射陰極(3)和陽極(7)之間，布置了至少另外一個沿等離子區(qū)路徑而與所述等離子區(qū)路徑間隔一特定的距離的陽極(24)，以便沿電弧放電(18)調節(jié)等離子密度分布。5.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，使陽極(7)和另附加陽極(24)連接到獨立的功率可調的供電器(25)上，它們的特點是具有一個優(yōu)選地用于各陽極(7，25)的對置陰極(3)，所述陰極與相應的陽極(7，25)以及獨立的供電器(8，25)一起形成了自己的功率可調電路。6.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，發(fā)射陰極(3)布置在一個與放電腔(21)分開的陰極腔(2)內，所述陰極腔(2)通過孔(4)與放電腔(21)相通，電子可以通過所述孔(4)射出，稀有氣體入口(5)最好開設在陰極腔(2)上。7.如前述權利要求2-6之一所述的裝置，其特征在于，處理室(1)的中心軸線(16)是垂直的，陽極(3)或陰極腔(2)布置在陽極(7，24)上方，陰極腔(2)的孔(4)最好指向下。8.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，至少一個最好由至少一個電弧蒸發(fā)器(23)構成的鍍覆源(12)靠近等離子源(18)地布置在處理室壁上，所述等離子源又在傳送方向的前方。9.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，電壓發(fā)生器(20)被設計用來產生接近300伏直流且最好是100伏-200伏的電壓。10.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，低壓電弧放電裝置(18)與工件(11)至少間隔10厘米且最好間隔15厘米-25厘米。11.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，保持和傳送機構被設計成一個刀具座且尤其是用于鉆頭、銑刀和成型模具的座。12.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，至少一個磁場發(fā)生器布置在放電腔(21)之內或上以便調節(jié)等離子密度分布。13.如前述權利要求之一所述的裝置，其特征在于，放電腔(21)沿其整個處理區(qū)寬度(b)具有一個孔，所述孔面向著所述處理區(qū)，從而使處理區(qū)暴露在電弧放電下。14.一種用于在一真空處理室(1)內利用一個布置在處理室上的等離子源(18)和一個鍍覆源(23)并利用一個布置在真空室(1)內的且限定出一個處理區(qū)(b)以便定位或使工件(11)在所述等離子源和鍍覆源(18，23)前經過的保持和/或傳送機構而至少部分鍍覆工件(11)的方法，其中等離子源和鍍覆源從同一方向上作用并且與工件(11)間隔一特定的距離，在所述方法中，等離子源(18)基本上在80％的處理區(qū)寬度(b)范圍內沿工件傳送方向的橫向產生了一個熱陰極低壓電弧(18)，在電弧放電與工件之間加有一個電壓以便從等離子區(qū)中抽出載荷子，從而它們可以加速地沖向基材。15.如權利要求14所述的方法，其特征在于，工件最好連續(xù)地繞一處理室的中心軸線(16)轉動并且在等離子源和鍍覆源(18，23)前面經過，在所述方法中，等離子處理是通過在第一步驟中的載荷子轟擊和在第二步驟中的工件(11)鍍覆而實現(xiàn)的。16.如權利要求14或15所述的方法，其特征在于，載荷子是由直接在一負工件電壓的幫助下從電弧放電(18)中抽出的離子構成的，使得所述離子濺蝕工件(11)。17.如權利要求14-16之一所述的方法，其特征在于，可以通過選擇弧長、電弧與工件之間的距離(d)、電弧相對工件的位置以及通過調節(jié)電弧沿線的等離子密度分布而將在整個鍍覆區(qū)(b)內的蝕刻分布均勻性調節(jié)到預定值。權利要求1.一種帶有一刀體和一耐磨層系的刀具，所述耐磨層系包括至少一層MeX，其中-Me包括鈦和鋁；-X至少是氮和碳中的一種，以及其中所述層具有一個QI值Q≥1和所述的刀體由下述之一的材料組成；-高速鋼(HSS)；-燒結型硬質合金；所述刀具為非整體硬質合金端銑刀和非整體硬質合金球頭銑刀-其中在都是根據MS測量的情況下，I(200)值至少是平均聲強級的20倍。2.如權利要求1所述的刀具，其特征在于所述刀具為燒結型硬質合金鑲片、燒結型硬質合金鉆頭及燒結型硬質合金齒輪切削刀具之一，優(yōu)選為燒結型硬質合金鑲片或燒結型硬質合金鉆頭。3.如權利要求1或2所述的刀具，其特征在于對QI的有效數(shù)值的范圍為QI≥2，優(yōu)選是QI≥5，最佳為QI≥10。4.如權利要求1或3所述的刀具，其特征在于，MeX是氮化鈦鋁、碳氮化鈦鋁、硼氮化鈦鋁中的一種，其中最好是氮化鈦鋁和碳氮化鈦鋁中的一種。5.如權利要求1-4之一所述的刀具，其特征在于，Me還包括硼、鋯、鉿、釔、硅、鎢、鉻組中的至少一種元素，在此最好采用釔、硅、硼中的一種。6.如權利要求5所述的刀具，其特征在于，元素在Me中的含量i為0.05at.％(原子百分比)≤i≤60at.％，其中以Me含量為100at.％。7.如權利要求1-6之一所述的刀具，其特征在于，它還包括在所述的至少一層與該刀體之間的另一氮化鈦層，其中該氮化鈦層的厚度為d，對于d來說，0.05μm≤d≤5.0μm。8.如權利要求7所述的刀具，其特征在于，該層系是由所述的至少一層和所述的另一層構成的。9.如權利要求1-8之一所述的刀具，其特征在于，所述的至少一層中的應力σ為1GPa≤σ≤6GPa，并且優(yōu)選是1GPa≤σ≤4Gpa，最好為1.5GPa≤σ≤2.5GPa。10.如權利要求1-9之一所述的刀具，其特征在于，Me中的鈦含量x為70at.％≥x≥40at.％，優(yōu)選為65at.％≥x≥55at.％。11.如權利要求1-10之一所述的刀具，其特征在于，Me中的鋁含量y為30at.％≤y≤60at.％，在此最好為35at.％≤y≤45at.％。12.一種制造一個包括一刀體和一耐磨層系的刀具的方法，所述層系包括至少一層硬質材料，所述方法包括-在一真空室內用反應性的PVD沉積所述的至少一層硬質材料；-除了真空室內的反應氣體部分壓力和相對預定基準電勢的刀體偏電壓中至少一個外，為所述的PVD沉積工序選擇預定工藝參數(shù)；-調節(jié)所述部分壓力和該偏電壓的至少一個，使所述層具有理想的QI值并且使I(200)和I(111)中的至少一個值至少是平均聲強級的20倍，其中這些數(shù)值都是根據MS測量的。13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，它還包括降低該部分壓力以便降低所述的QI值或反之的步驟。14.如權利要求12或13所述的方法，其特征在于，它包括提高所述偏電壓以便降低所述QI值或反之的步驟。15.如權利要求12-14之一所述的方法，其特征在于，它還包括通過反應陰極電弧蒸發(fā)法進行所述的反應PVD沉積的預成形步驟。16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，它還包括磁控所述電弧蒸發(fā)過程的步驟。17.如權利要求12-16之一所述的方法，其特征在于，它還包括在該刀體上沉積上一個MeX層，其中Me包括鈦和鋁，X至少是氮、碳中的一種并且它通過反應氣體被加入所述的PVD沉積層。18.如權利要求12-17之一所述的方法，其特征在于，所述刀具的材料由高速鋼及燒結型硬質合金之一制成，該刀具為非整體硬質合金端銑刀及非整體硬質合金球頭銑刀，在這里通過調節(jié)用于所述反應性的PVD沉積過程的反應壓力和偏電壓中的至少一個而將QI值選擇為QI≥1。19.如權利要求18所述的方法，其特征在于，將QI值選擇為QI≥2，最好為QI≥5。20.如權利要求19所述的方法，其特征在于，將QI值選擇為QI≥10。全文摘要本發(fā)明提出了一種具有一刀體和一耐磨層系的刀具,所述耐磨層系包括至少一層MeX。Me包括鈦和鋁,X是氮或碳。刀具是高速鋼(HSS)或燒結型硬質合金,但不是整體硬質合金端銑刀及整體硬質合金球頭銑刀。在這里,在MeX層中,被定義為Ⅰ(200)與Ⅰ(111)衍射強度之比的商Q文檔編號C23C14/06GK1276024SQ97182439公開日2000年12月6日申請日期1997年9月12日優(yōu)先權日1997年9月12日發(fā)明者H·布倫德勒,N·施馬申請人:巴爾策斯有限公司