一種PECVD鍍膜方法及裝置與流程

本發(fā)明主要涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域，特指一種pecvd鍍膜方法及裝置。

背景技術(shù)：

pecvd裝置是太陽能電池片生產(chǎn)過程中用于鍍減反射膜的設(shè)備，減反射膜能有效提高電池片的效率，一批電池片如果片間膜厚的均勻性不好，就會影響這批電池片的整體效率，所以控制好電池片膜厚的片間均勻性很重要，同一個石墨舟中電池片膜厚的均勻性受石英管中壓力場，溫度場，氣體流量等均勻性的影響，而其中溫度場的均勻性是最難控制的，它受外部環(huán)境、工藝氣體溫度、爐體加熱爐絲的加熱強(qiáng)度影響。做工藝時(shí)，工藝氣體一直是流動的，從石英管口進(jìn)入，流過石英管發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后被真空泵抽走；由于工藝氣體進(jìn)入石英管前溫度比石英管內(nèi)部溫度低，所以工藝氣體進(jìn)入石英管后必然影響石英管內(nèi)的溫度，導(dǎo)致整個溫度場的不均勻。

現(xiàn)有的技術(shù)是通過提高石英管管口處的爐體爐絲的加熱強(qiáng)度，也就是提高爐絲的加熱電流，使工藝氣體在經(jīng)過爐口處吸收更多的熱量來使氣體迅速升溫，從而盡量減小工藝氣體對整個石英管溫度場的影響。但這種方法有兩個顯著的缺點(diǎn)：

1、爐口（石英管口）處加熱爐絲的電流過高，導(dǎo)致在工藝過程中石英管口處溫度比石英管其他部位溫度稍高，對此電池片的鍍膜存在較大影響，這是加大爐絲電流后不可避免的。

2、爐口處爐絲的電流調(diào)節(jié)難度較大，每一管電流都需要調(diào)節(jié)到一個合適的值，要在多次工藝中反復(fù)實(shí)驗(yàn)，使低溫工藝氣體對溫度場的影響降到很低，同時(shí)又不能使?fàn)t口處加熱能力過大而導(dǎo)致的爐口處溫度過高，導(dǎo)致工作效率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題就在于：針對現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種提高鍍膜均勻性的pecvd鍍膜方法，并相應(yīng)提供一種結(jié)構(gòu)簡單、操作簡便的pecvd裝置。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的技術(shù)方案為：

一種pecvd鍍膜方法，在工藝氣體進(jìn)入pecvd裝置的腔體之前，對工藝氣體進(jìn)行預(yù)熱。

優(yōu)選地，將工藝氣體預(yù)熱至與腔體內(nèi)的溫度一致。

本發(fā)明還公開了一種pecvd裝置，包括腔體，所述腔體上設(shè)置有進(jìn)氣口和出氣口，所述腔體的進(jìn)氣口前端設(shè)置有用于對工藝氣體進(jìn)行預(yù)熱的預(yù)熱組件。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)：

所述腔體的進(jìn)氣口前端設(shè)置有流量計(jì)，所述預(yù)熱組件安裝于所述流量計(jì)與腔體進(jìn)氣口之間。

所述預(yù)熱組件包括加熱爐，所述加熱爐的兩端設(shè)置有端蓋，所述加熱爐的內(nèi)部設(shè)置有加熱爐絲以及用于輸送工藝氣體的輸送管道。

所述輸送管道呈螺旋狀分布在加熱爐內(nèi)。

所述加熱爐的外部包有金屬套。

所述加熱爐上設(shè)置有用于測量加熱爐內(nèi)溫度的溫度檢測件。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

本發(fā)明的pecvd鍍膜方法，對進(jìn)入腔體的工藝氣體進(jìn)行預(yù)熱，保證進(jìn)入腔體內(nèi)的工藝氣體溫度與腔體內(nèi)的溫度接近或一致，從而保證腔體內(nèi)工藝氣體溫度的均勻性，提高鍍膜的均勻性。本發(fā)明的pecvd裝置同樣具有如上方法所述的優(yōu)點(diǎn)，而且結(jié)構(gòu)簡單、操作簡便且易于實(shí)現(xiàn)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的方框結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的預(yù)熱組件的剖視圖。

圖3為本發(fā)明的預(yù)熱組件的立體結(jié)構(gòu)圖。

圖4為本發(fā)明的加熱爐的立體結(jié)構(gòu)圖。

圖5為本發(fā)明的金屬套的立體結(jié)構(gòu)圖。

圖6為本發(fā)明的端蓋立體結(jié)構(gòu)圖之一。

圖7為本發(fā)明的輸送管道立體結(jié)構(gòu)圖。

圖中標(biāo)號表示：1、腔體；11、進(jìn)氣口；12、出氣口；2、預(yù)熱組件；21、加熱爐；22、端蓋；23、加熱爐絲；24、輸送管道；25、金屬套；26、溫度檢測件；3、流量計(jì)。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。

本實(shí)施例的pecvd鍍膜方法，在工藝氣體進(jìn)入pecvd裝置的腔體1（如石英管）之前，對工藝氣體進(jìn)行預(yù)熱。本發(fā)明的pecvd鍍膜方法，對進(jìn)入腔體1的工藝氣體進(jìn)行預(yù)熱，保證進(jìn)入腔體1內(nèi)的工藝氣體溫度與腔體1內(nèi)的溫度接近或一致，保證腔體1內(nèi)工藝氣體溫度的均勻性，從而提高鍍膜的均勻性。

本實(shí)施例中，將工藝氣體預(yù)熱至與腔體1內(nèi)的溫度相近或一致，如400℃，進(jìn)一步提高工藝氣體在腔體1內(nèi)的均勻性。

如圖1至圖7所示，本發(fā)明還公開了一種pecvd裝置，包括腔體1，腔體1上設(shè)置有進(jìn)氣口11和出氣口12，腔體1的進(jìn)氣口11前端設(shè)置有用于對工藝氣體進(jìn)行預(yù)熱的預(yù)熱組件2。本發(fā)明的pecvd裝置同樣具有如上方法所述的優(yōu)點(diǎn)，而且結(jié)構(gòu)簡單、操作簡便。

如圖1所示，本實(shí)施例中，腔體1的進(jìn)氣口11前端設(shè)置有流量計(jì)3，預(yù)熱組件2安裝于流量計(jì)3與腔體1的進(jìn)氣口11之間且靠近進(jìn)氣口11。這樣工藝氣體經(jīng)過流量計(jì)3時(shí)仍是常溫，對流量計(jì)3沒有損壞；而且預(yù)熱后的工藝氣體能及時(shí)進(jìn)入至腔體1內(nèi)，避免熱量損失。

如圖2至圖7所示，本實(shí)施例中，預(yù)熱組件2包括加熱爐21，加熱爐21的兩端設(shè)置有端蓋22，加熱爐21的內(nèi)部設(shè)置有加熱爐絲23以及用于輸送工藝氣體的輸送管道24。其中，輸送管道24為螺旋管；加熱爐21通過加熱爐絲23進(jìn)行加熱，螺旋管處于加熱爐21中而受熱，工藝氣體經(jīng)螺旋管的一端進(jìn)入，在螺旋管內(nèi)被加熱，再經(jīng)另一端進(jìn)入至腔體1內(nèi)。其中螺旋管能夠增加受熱面積且減少占用空間，保證工藝氣體加熱到預(yù)定溫度。加熱爐21上設(shè)置有用于測量加熱爐21內(nèi)溫度的溫度檢測件26（如熱電偶），能夠?qū)訜釥t21內(nèi)的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，從而方便控制加熱爐絲23的加熱電流對溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)。

如圖3所示，本實(shí)施例中，加熱爐21采用保溫隔熱材料做成；如圖5所示，加熱爐21的外部包有金屬套25，而且加熱爐21兩端的端蓋22為隔熱端蓋22（如圖6所示），端蓋22和金屬套25通過法蘭連接，將加熱爐21和端蓋22固定，構(gòu)成一個完整的保溫隔熱空間，使其對周圍元器件的溫度產(chǎn)生盡量小的影響，并保證加熱爐21內(nèi)部溫度主要加熱爐絲23控制而較少受到外部溫度影響。

具體過程：加熱爐21經(jīng)加熱爐絲23對螺旋管進(jìn)行加熱，工藝氣體由螺旋管的一端進(jìn)入，在中間螺旋部分受熱，溫度逐漸上升，氣體在中間螺旋部分有足夠長的行程，從而當(dāng)其通過中間螺旋部分而到達(dá)另一端時(shí)，溫度達(dá)到腔體1內(nèi)的溫度，然后進(jìn)入腔體1。

以上僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例，凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進(jìn)和潤飾，應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種PECVD鍍膜方法，在工藝氣體進(jìn)入PECVD裝置的腔體之前，對工藝氣體進(jìn)行預(yù)熱。本發(fā)明還相應(yīng)公開了一種PECVD裝置，包括腔體，所述腔體上設(shè)置有進(jìn)氣口和出氣口，所述腔體的進(jìn)氣口前端設(shè)置有用于對工藝氣體進(jìn)行預(yù)熱的預(yù)熱組件。本發(fā)明的PECVD鍍膜方法及裝置均具有提高鍍膜均勻性等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：肖潔;謝振勇;吳得軼;李斌;符慧能
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湖南紅太陽光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.17
技術(shù)公布日：2017.08.18