本實(shí)用新型屬于基板玻璃加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種磁控濺射靶罩。
背景技術(shù):
圖1為磁控濺射鍍膜工藝示意圖,請(qǐng)參圖1,磁控濺射是通過(guò)在靶11陰極表面引入磁場(chǎng)和電場(chǎng),利用磁場(chǎng)和電場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子密度來(lái)增加濺射率。電子在電場(chǎng)的作用下,在飛向固定于鍍膜小車(chē)13上的基片15的過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生Ar+和新的電子:新電子飛向基片15,Ar+在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶11,并以高能量轟擊靶11表面,使靶材發(fā)生濺射。在濺射過(guò)程中,一部分帶電粒子與器壁發(fā)生碰撞,發(fā)生復(fù)合,這部分與器壁發(fā)生復(fù)合的粒子,對(duì)磁控室腔體的污染嚴(yán)重。現(xiàn)有技術(shù)通過(guò)設(shè)置一個(gè)靶罩12,來(lái)屏蔽掉這部分濺射粒子。
在濺射過(guò)程中,還有一部分電子和負(fù)離子飛向陽(yáng)極17并沉積于基片15表面,這部分電子和負(fù)離子會(huì)對(duì)靶材在基片15表面沉積成膜的效果產(chǎn)生一定影響,其中能量較低的電子和負(fù)離子會(huì)使靶材沉積成膜的效果變差。圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的靶罩12的結(jié)構(gòu)示意圖,請(qǐng)參圖2,靶罩12包括罩面12a和多個(gè)側(cè)面12b,罩面12a上設(shè)置有濺射窗口12c,濺射窗口12c是Ar+、電子、負(fù)離子以及濺射出的靶材運(yùn)動(dòng)的通道。能量較低的電子可以直接從濺射窗口12c飛出沉積在基片15表面,從而使靶材在基片15表面沉積成膜的效果變差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種磁控濺射靶罩,可有效提升靶材在基片表面沉積成膜的效果。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用如下的技術(shù)方案:
一種磁控濺射靶罩,包括罩面和側(cè)邊,側(cè)邊設(shè)置于罩面外邊緣,側(cè)邊與罩面的交界線圍合成一個(gè)封閉的圖形,罩面上設(shè)置有濺射窗口,還包括至少一金屬絲,金屬絲兩端固定于側(cè)邊,金屬絲在罩面上的投影部分位于濺射窗口。
進(jìn)一步地,金屬絲為鉬絲。
進(jìn)一步地,金屬絲的數(shù)量為3。
進(jìn)一步地,其中一根金屬絲垂直于另兩根金屬絲,且穿過(guò)另外兩根金屬絲的中點(diǎn)。
進(jìn)一步地,3根金屬絲一體成型。
進(jìn)一步地,金屬絲的直徑為4-6mm。
進(jìn)一步地,金屬絲與罩面的距離等于側(cè)邊在垂直于靶罩方向上的長(zhǎng)度的三分之一。
進(jìn)一步地,金屬絲焊接固定于側(cè)邊。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁控濺射靶,通過(guò)設(shè)置金屬絲,可以捕捉能量較低的電子和負(fù)離子,避免其沉積于基片表面,提高了靶材在基片表面沉積成膜的質(zhì)量。
附圖說(shuō)明
下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明,附圖中:
圖1為磁控濺射鍍膜工藝示意圖。
圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的靶罩的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁控濺射靶罩在某一視角的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為圖3中磁控濺射靶罩在另一視角的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁控濺射靶罩,以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖及文字說(shuō)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。
圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁控濺射靶罩在某一視角的立體結(jié)構(gòu)示意圖,圖4為圖3中磁控濺射靶罩在另一視角的立體結(jié)構(gòu)示意圖,請(qǐng)參圖3和圖4,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁控濺射靶罩30包括罩面30a、側(cè)邊30b和至少一金屬絲50。
罩面30a呈平板狀,至少包括一第一表面31a,優(yōu)選地,罩面30a的外邊緣形成為矩形。第一表面31a的中央?yún)^(qū)域形成有濺射窗口30c,優(yōu)選地,濺射窗口30c的邊緣形成為特定的形狀。
側(cè)邊30b設(shè)置于罩面30a的外邊緣處,側(cè)邊30b與罩面30a垂直設(shè)置,優(yōu)選地,側(cè)邊30b與罩面30a一體成型。本實(shí)施例中,側(cè)邊30b的數(shù)量為四個(gè),四個(gè)側(cè)邊30b分別設(shè)置于罩面30a四個(gè)邊緣處,四個(gè)側(cè)邊30b首尾相連圍合成一個(gè)封閉的“口”字形。
金屬絲50的兩端分別固定在側(cè)邊30b上,金屬絲50在第一表面31a上的投影部分位于濺射窗口30c,優(yōu)選地,每一金屬絲50焊接固定在相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)側(cè)邊30b上。優(yōu)選地,金屬絲50與罩面30a間的距離為側(cè)邊30b在垂直于罩面30a方向上的長(zhǎng)度的三分之一。
金屬絲50的數(shù)量?jī)?yōu)選為三根,其中一根金屬絲50穿過(guò)另外兩根金屬絲50的中點(diǎn)并垂直于另外兩根金屬絲50,優(yōu)選地,三根金屬絲50一體成型。
金屬絲50的直徑優(yōu)選為四至六毫米。金屬絲50在罩面30a上的投影位于濺射窗口30c內(nèi)。
罩面30a與側(cè)邊30b的制作材質(zhì)為紫銅,金屬絲50的制作材質(zhì)優(yōu)選為鉬。
靶材通過(guò)磁控濺射在基片表面沉積成膜的過(guò)程中,電子在電場(chǎng)的作用下,與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生Ar+,Ar+在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,穿過(guò)濺射窗口30c后以高能量轟擊靶表面,使靶材發(fā)生濺射。
在濺射過(guò)程中,側(cè)邊30b以及靶面上濺射窗口30c以外區(qū)域阻擋了濺射出的靶材的運(yùn)動(dòng),濺射出的靶材只能通過(guò)濺射窗口30c運(yùn)動(dòng)到基片表面。濺射窗口30c的外邊緣呈特定的形狀,該特定形狀根據(jù)靶材在基片表面的沉積規(guī)律而設(shè)計(jì),濺射出的靶材通過(guò)濺射窗口30c后,在基片表面均勻沉積成膜。
在濺射過(guò)程中,還有一部分電子和負(fù)離子從靶陰極濺射出,飛向陽(yáng)極并沉積于基片表面。該部分電子和負(fù)離子中,能量較低的電子和負(fù)離子被金屬絲50捕捉,從而無(wú)法濺射出濺射窗口30c。
可以理解,本實(shí)用新型實(shí)施例提供的磁控濺射靶,設(shè)置有金屬絲50,可以捕捉能量較低的電子和負(fù)離子,避免其沉積于基片表面,提高了靶材在基片表面沉積成膜的質(zhì)量。
進(jìn)一步地,該金屬絲50的制作材質(zhì)為鉬。通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)證明,以鉬作為該金屬絲50的制作材質(zhì),捕捉低能量的電子和負(fù)離子的效果最佳。
進(jìn)一步地,金屬絲50與罩面30a間的距離為側(cè)邊30b在垂直于罩面30a方向上的長(zhǎng)度的三分之一。通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)證明,金屬絲50與罩面30a間的距離為側(cè)邊30b在垂直于罩面30a方向上的長(zhǎng)度的三分之一,金屬絲50捕捉低能量的電子和負(fù)離子的效果最佳。
進(jìn)一步地,金屬絲50的數(shù)量為三根,其中一根金屬絲50穿過(guò)另外兩根金屬絲50的中點(diǎn)并垂直于另外兩根金屬絲50,三根金屬絲50一體成型。通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)證明,該種設(shè)計(jì),金屬絲50捕捉低能量的電子和負(fù)離子的效果最佳。
進(jìn)一步地,金屬絲50的直徑為四至六毫米。通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)證明,金屬絲50的直徑為四至六毫米,捕捉低能量的電子和負(fù)離子的效果最佳。
以上為本實(shí)用新型提供的磁控濺射靶罩,并不能理解為對(duì)本實(shí)用新型權(quán)利保護(hù)范圍的限制,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)知曉,在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可做多種改進(jìn)或替換,所有的改進(jìn)或替換都應(yīng)在本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍內(nèi),即本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求為準(zhǔn)。
在不沖突的情況下,本文中上述實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互結(jié)合。