1.一種用于涂覆可移動基板的沉積源(100)，包含：
源外殼(120)，所述源外殼以可以在沉積期間移動基板(20)經(jīng)過所述源外殼的敞開的前側(cè)(122)的方式而附接到工藝腔室；
氣體入口(130)，所述氣體入口用于將工藝氣體引入到所述源外殼(120)的涂覆處理區(qū)域(125)中；
抽空出口(140)，所述抽空出口用于將所述工藝氣體從所述源外殼(120)的泵送區(qū)域(126)去除；以及
抽空分割單元(150)，所述抽空分割單元布置在所述涂覆處理區(qū)域(125)與所述泵送區(qū)域(126)之間，所述抽空分割單元具有至少一個開口(152)，所述至少一個開口界定從所述涂覆處理區(qū)域(125)到所述泵送區(qū)域(126)中的工藝氣流路徑(155)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積源，其特征在于，所述抽空分割單元(150)具有界定所述工藝氣流路徑的至少一組多個開口(152)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積源，其特征在于，所述至少一組多個開口(152)以線性布置并排地布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的沉積源，其特征在于，所述泵送區(qū)域(126)內(nèi)的所述工藝氣流路徑的主方向(Y)垂直于所述線性布置的延伸方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求2到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述抽空分割單元(150)在所述涂覆處理區(qū)域(125)的第一橫向側(cè)上具有第一組多個開口，并且在第二橫向側(cè)上具有第二組多個開口，所述第二橫向側(cè)在基板移動方向(S)上與所述第一橫向側(cè)相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積源，其特征在于，在截面中，所述第一組多個開口與所述抽空出口之間的第一距離對應(yīng)于所述第二組多個開口與所述抽空出口之間的距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述涂覆處理區(qū)域(125)內(nèi)的所述工藝氣流路徑的第一主方向(X)是與所述泵送區(qū)域內(nèi)的所述工藝氣流路徑的第二主方向(Y)相反的方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的沉積源，其特征在于，所述涂覆處理區(qū)域(125)內(nèi)的所述工藝氣流路徑的第一主方向(X)是垂直于所述開口(152)內(nèi)的所述工藝氣流路徑的第三主方向(Z)的方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述氣體入口(130)和/或所述抽空出口(140)布置在與所述敞開的前側(cè)(122)相對的所述源外殼(120)的后側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述抽空分割單元(150)包括至少一個氣體遮蔽板(158、159)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的沉積源，其特征在于，第一氣體遮蔽板(158)經(jīng)布置以沿所述涂覆處理區(qū)域的第一側(cè)線性地延伸，并且第二氣體遮蔽板(159)經(jīng)布置以沿所述涂覆處理區(qū)域的第二側(cè)線性地延伸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的沉積源，其特征在于，每一個氣體遮蔽板在所述涂覆處理區(qū)域與所述泵送區(qū)域之間提供至少一個開口。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的沉積源，其特征在于，每一個氣體遮蔽板在所述涂覆處理區(qū)域與所述泵送區(qū)域之間提供多個開口(152)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的沉積源，其特征在于，所述至少一個氣體遮蔽板(158、159)具有抵靠所述源外殼的接觸表面(129)的凹口的前邊緣(157)，其中所述工藝氣流路徑(155)形成在所述凹口的前邊緣(157)與所述接觸表面(129)之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述氣體入口(130)被提供為布置在與所述敞開的前側(cè)(122)相對的涂覆處理區(qū)域(125)中的噴淋頭組合件(132)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其特征在于，所述噴淋頭組合件的至少部分將所述涂覆處理區(qū)域與所述泵送區(qū)域分離。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其特征在于，所述噴淋頭組合件的至少部分在所述噴淋頭組合件與所述源外殼的后外壁之間延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其特征在于，兩個氣體遮蔽板固定至所述噴淋頭組合件的兩個相對側(cè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其特征在于，所述抽空分割單元(150)固定至所述噴淋頭組合件(132)的至少第一側(cè)且至少部分地朝所述源外殼的所述敞開的前側(cè)(122)延伸，從而橫向地約束所述涂覆處理區(qū)域(125)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其特征在于，所述至少一個氣體遮蔽板與所述噴淋頭組合件的至少部分一體地形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其特征在于，提供調(diào)節(jié)元件以用于調(diào)節(jié)所述噴淋頭組合件的主表面與所述抽空分割單元的所述至少一個開口之間的距離。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其特征在于，所述噴淋頭組合件包括噴淋頭回火件。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的沉積源，其特征在于，所述噴淋頭回火件包括附接到所述噴淋頭組合件的主表面的一個或多個回火通道或回火線圈。
24.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述抽空分割單元至少部分地從所述源外殼的后側(cè)朝所述源外殼的所述敞開的前側(cè)延伸，從而橫向地約束所述涂覆處理區(qū)域。
25.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述泵送區(qū)域的至少部分形成在氣體遮蔽板與所述涂覆處理腔室的外側(cè)壁之間。
26.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述源外殼具有基本上矩形的形狀。
27.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述源外殼的寬度在1m與2m之間的范圍內(nèi)，和/或其中所述源外殼的長度在0.2m與0.5m之間的范圍內(nèi)。
28.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，所述沉積源配置成用于CVD操作。
29.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，所述沉積源配置成用于PECVD操作和/或HWCVD操作。
30.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述抽空分割單元具有大于10個且小于100的開口。
31.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述抽空分割單元具有大于20個且小于50的開口。
32.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，提供兩個氣體遮蔽板，所述兩個氣體遮蔽板平行于所述源外殼的外側(cè)壁延伸。
33.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，所述沉積源設(shè)有機械彈簧和/或設(shè)有機電驅(qū)動器以用于張緊至少絲線組合件的加熱絲。
34.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，所述沉積源設(shè)有包含金屬或由金屬構(gòu)成的噴淋頭組合件。
35.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，所述沉積源設(shè)有包含CuF或由CuF構(gòu)成的噴淋頭組合件。
36.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，使源外殼的敞開的前側(cè)彎曲以允許移動彎曲的基板經(jīng)過所述敞開的前側(cè)。
37.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，所述源外殼包含主體和固定到所述主體前方的框架，其中使所述框架的前側(cè)彎曲以允許移動彎曲的基板經(jīng)過源外殼的所述敞開的前側(cè)。
38.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任一權(quán)利要求所述的沉積源，其特征在于，包含一條或多條加熱絲(162)的絲線組合件(160)布置在所述涂覆處理區(qū)域中。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的沉積源，其特征在于，所述絲線組合件(160)布置在噴淋頭組合件與所述敞開的前側(cè)之間。
40.一種用于涂覆可移動基板的沉積設(shè)備，包含：
連接到工藝腔室的源外殼(120)，
其中，所述工藝腔室設(shè)有基板支撐件，所述基板支撐件包含基板引導(dǎo)表面，所述基板引導(dǎo)表面用于移動基板(20)經(jīng)過所述源外殼(120)的敞開的前側(cè)(122)；
氣體入口(130)，所述氣體入口用于將工藝氣體引入到所述源外殼的涂覆處理區(qū)域(125)中；
抽空出口(140)，所述抽空出口用于將所述工藝氣體從所述源外殼的泵送區(qū)域(126)去除；以及
抽空分割單元(150)，所述抽空分割單元布置在所述涂覆處理區(qū)域與所述泵送區(qū)域之間，所述抽空分割單元具有至少一個開口、特別是多個開口(152)，所述一個開口、特別是多個開口界定從所述涂覆處理區(qū)域(125)到所述泵送區(qū)域(126)中的工藝氣流路徑(155)。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的沉積設(shè)備，進一步包含連接到真空出口的抽空單元。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的沉積設(shè)備，其特征在于，所述抽空單元是真空泵。
43.根據(jù)權(quán)利要求40到42中的任一權(quán)利要求所述的沉積設(shè)備，進一步包含第二沉積源、第三沉積源或進一步的沉積源，并且源外殼連續(xù)地固定到所述涂覆腔室。
44.根據(jù)權(quán)利要求40到42中的任一權(quán)利要求所述的沉積設(shè)備，其特征在于，所述基板支撐件包括可旋轉(zhuǎn)的涂覆滾筒。
45.根據(jù)權(quán)利要求40到42中的任一權(quán)利要求所述的沉積設(shè)備，其特征在于，所述源外殼的敞開的前側(cè)的曲率適合于所述涂覆滾筒的基板引導(dǎo)表面的曲率。
46.根據(jù)權(quán)利要求40到42中的任一權(quán)利要求所述的沉積設(shè)備，進一步包含一個或多個間隙閘門，用于確保工藝腔室的內(nèi)部部分之間的真空分離。
47.根據(jù)權(quán)利要求40到42中的任一權(quán)利要求所述的沉積設(shè)備，進一步包含待涂覆的基板，所述待涂覆的基板經(jīng)由涂覆滾筒的基板引導(dǎo)表面從所述工藝腔室內(nèi)的第一滾輪朝第二滾輪延伸。
48.根據(jù)權(quán)利要求40到42中的任一權(quán)利要求所述的沉積設(shè)備，進一步包含作為柔性基板提供的基板，例如，作為卷材、箔或條帶提供的基板。
49.根據(jù)權(quán)利要求40到42中的任一權(quán)利要求所述的沉積設(shè)備，進一步包含用于抽空所述工藝腔室的一個或多個真空泵。