用于涂覆可移動基板的沉積源和沉積設(shè)備的制作方法

本文所描述的實施例涉及用于涂覆基板的沉積源以及具有至少一個用于涂覆基板的沉積源的沉積設(shè)備。實施例尤其涉及用于在待抽空的源外殼中涂覆可移動基板、尤其是柔性基板的沉積源以及用于涂覆可移動基板的沉積設(shè)備，所述沉積設(shè)備具有用于固持基板的工藝腔室和用于涂覆處理的源外殼。具體來說，實施例涉及用于涂覆可移動基板的沉積源以及用于涂覆可移動基板的沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

諸如柔性基板之類的基板在移動經(jīng)過處理裝備時被整齊地處理。處理可以包含為了所需應(yīng)用而在基板上進行的、利用所需材料(例如，金屬，尤其是鋁、半導(dǎo)體或電介質(zhì)材料)對柔性基板的涂覆。具體來說，涂覆金屬、半導(dǎo)體或塑料膜或箔在包裝行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)和其他行業(yè)中具有高需求。執(zhí)行這一任務(wù)的系統(tǒng)大體包括耦合至用于移動基板的處理系統(tǒng)的處理滾筒(例如，圓柱形輥子)，基板的至少部分在所述處理滾筒上經(jīng)處理。允許基板在處理滾筒的引導(dǎo)表面上移動時被涂覆的所謂卷對卷(roll-to-roll)涂覆系統(tǒng)可以提供高產(chǎn)量。

通常，可以利用蒸發(fā)工藝(諸如，熱蒸發(fā)工藝)以便將涂覆材料的薄層沉積到柔性基板上。因此，在顯示器行業(yè)和光伏(photovoltaic；PV)行業(yè)中，卷對卷沉積系統(tǒng)也正在經(jīng)歷需求的強勁增長。例如，觸摸板元件、柔性顯示器和柔性PV模塊導(dǎo)致對于以低制造成本在卷對卷涂覆機中沉積適宜層的日益增長的需求。此類器件通常用若干涂覆材料層制成，這可在連續(xù)地利用若干沉積源的卷對卷涂覆設(shè)備中生產(chǎn)。每一個沉積源可調(diào)適成當正在將基板移向下一沉積源時，以特定涂覆材料來涂覆此基板。通常，使用PVD(物理氣相沉積)和/或CVD(化學(xué)氣相沉積)工藝并且尤其是PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)處理進行涂覆。

多年來，顯示器器件中的層已經(jīng)演化為每個層都致力于不同的功能的多個層?？梢越?jīng)由多個沉積源將多個層沉積到多個基板上。傳送多個基板通過多個真空腔室可能減少產(chǎn)量。因此，本領(lǐng)域中需要用于以各種層涂覆可移動基板的高效設(shè)備，其中可以確保高基板產(chǎn)量同時維持改善的涂覆效率和準確性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上文，根據(jù)獨立權(quán)利要求，提供用于涂覆可移動基板的沉積源和包括至少一個沉積源的用于涂覆可移動基板的沉積設(shè)備。進一步的方面、優(yōu)點和特征通過從屬權(quán)利要求、說明書和所附附圖是顯而易見的。

根據(jù)本文所描述的實施例，提供用于涂覆可移動基板的沉積源。沉積源包括：源外殼，以可以在沉積期間移動基板經(jīng)過所述源外殼的敞開的前側(cè)的方式附接到工藝腔室(例如，真空工藝腔室)；氣體入口，用于將工藝氣體引入到源外殼的涂覆處理區(qū)域中；抽空出口，用于將工藝氣體從源外殼的泵送區(qū)域去除；以及抽空分割單元，布置在涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域之間，所述抽空分割單元具有界定從涂覆處理區(qū)域到泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的至少一個開口。

在實施例中，抽空分割單元包括界定從涂覆處理區(qū)域到泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的多個開口。在一些實施中，絲線或細線組合件布置在涂覆處理區(qū)域中，使得沉積源配置成用于HWCVD(熱絲化學(xué)氣相沉積)涂覆處理。

根據(jù)進一步的方面，提供用于涂覆可移動基板的沉積設(shè)備。沉積設(shè)備包括源外殼和工藝腔室。工藝腔室連接到源外殼并且設(shè)有基板支撐件，所述基板支撐件包括基板引導(dǎo)表面，所述基板引導(dǎo)表面用于移動基板經(jīng)過源外殼的敞開的前側(cè)。源外殼包括：氣體入口，用于將工藝氣體引入到源外殼的涂覆處理區(qū)域中；抽空出口，用于將工藝氣體從源外殼的泵送區(qū)域去除；以及抽空分割單元，布置在涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域之間，所述抽空分割單元具有界定從涂覆處理區(qū)域到泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的至少一個開口。在實施例中，抽空分割單元包括界定從涂覆處理區(qū)域到泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的至少一組多個開口。

實施例也涉及用于進行所公開的方法的設(shè)備并且包括用于執(zhí)行單獨的方法操作的設(shè)備部件。這一方法可以經(jīng)由硬件組件、通過適當軟件編程的計算機，通過這兩者的任何組合或以任何其他方式執(zhí)行。此外，實施例也涉及操作所描述設(shè)備的方法。

可以與本文所描述的實施例組合的其他優(yōu)點、特征、方面和細節(jié)通過從屬權(quán)利要求、說明書和附圖是明顯的。

附圖說明

為了可詳細地理解本實用新型的上述特征的方式，上文簡要概述的本實用新型的更具體的描述可以參考實施例進行。所附圖式涉及本實用新型的實施例并且在下文中描述：

圖1A顯示根據(jù)本文所描述的實施例的用于在可移動基板上沉積薄膜的沉積源的示意性截面圖；

圖1B以沿C-C的截面圖顯示圖1A的沉積源，此截面圖用于說明在源外殼內(nèi)的工藝氣流路徑；

圖2A顯示根據(jù)本文所描述的實施例的用于涂覆可移動基板的沉積源的示意性截面圖，所述沉積源具有用于HWCVD操作的絲線組合件；

圖2B以沿C-C的截面圖顯示圖2A的沉積源，此截面圖貫穿抽空分割單元中的開口，并且用于說明源外殼內(nèi)的處理氣流路徑；

圖3A顯示根據(jù)本文所描述的實施例的用于涂覆可移動基板的沉積源的示意性截面圖，所述沉積源具有用于HWCVD操作的絲線組合件；

圖3B以沿C-C的截面圖顯示圖3A的沉積源，此沉積源貫穿抽空分割單元中的開口，并且用于說明源外殼內(nèi)的處理氣流路徑；

圖4A顯示根據(jù)本文所描述的實施例的用于涂覆可移動基板的沉積源的截面圖，其中橫截平面穿過抽空分割單元的閉合部分；

圖4B顯示圖4A的沉積源的截面圖，其中橫截平面穿過抽空分割單元的開口；

圖5A顯示根據(jù)本文所描述的實施例的結(jié)合氣體遮蔽板組件而在沉積源中使用的噴淋頭組合件的透視圖；

圖5B是圖5A的噴淋頭組合件的部分的放大視圖。

圖6是圖5A的噴淋頭組合件的部分的透視圖。

圖7顯示根據(jù)本文所描述的實施例的沉積源的透視圖；

圖8顯示根據(jù)本文所描述的實施例的具有兩個沉積源的沉積設(shè)備的簡化視圖。以及

圖9顯示操作沉積設(shè)備的方法的流程圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細參考本文所描述的各種實施例，一個或多個在附圖中說明實施例的一個或多個示例。在以下對附圖的描述中，相同的參考編號指相同的組件。大體上，僅描述關(guān)于個別實施例的差異。各示例以解釋方式提供并且不意味著限制。此外，說明或描述為一個實施例的部分的特征可以用于其他實施例或結(jié)合其他實施例來使用以產(chǎn)生更進一步的實施例。說明書旨在包括此類修改和變型。

根據(jù)本文所描述的實施例的沉積源經(jīng)配置用于涂覆可移動基板。可移動基板可以是可被表征為可彎曲的柔性基板或卷材(web)。術(shù)語“卷材”可以與術(shù)語“箔”、“條帶”或“柔性基板”同義地使用。例如，如本文中的實施例所描述，卷材可以是箔或另一柔性材料基板。然而，如下文中更詳細地描述，本文所描述的實施例的益處也可以提供用于其他直列式(inline)沉積系統(tǒng)的非柔性基板或載體，所述非柔性基板或載體可以在涂覆處理期間移動經(jīng)過或通過沉積源的處理區(qū)域。然而，對于柔性基板和設(shè)備可實現(xiàn)特別的益處以在柔性基板上制造器件。

本文所描述的實施例涉及用于涂覆可移動基板(例如，用于在基板上沉積一種或若干種薄膜的沉積源)。沉積源可以配置為CVD沉積源以通過化學(xué)氣相沉積來涂覆基板(例如，配置為PECVD和/或HWCVD沉積源)，或者沉積源可以配置為PVD沉積源以通過物理氣相沉積來涂覆基板(例如，配置為濺射沉積源)。

如圖1A中所示，根據(jù)一些實施例的沉積源100包括源外殼120，此源外殼120具有涂覆處理區(qū)域125，此涂覆處理區(qū)域125可以占據(jù)源外殼120的大部分內(nèi)部容積。為了允許移動基板20經(jīng)過或通過源外殼120的處理區(qū)域125，源外殼設(shè)有敞開側(cè)122。源外殼的敞開側(cè)122可以作為源外殼的外壁中的開口來提供，其中可移動待涂覆的基板經(jīng)過所述開口。在實施例中，源外殼的前側(cè)可以部分或完全地敞開以允許移動基板經(jīng)過敞開的前側(cè)。在一些實施例中，敞開的前側(cè)在源外殼的外壁中可設(shè)有槽，使得基板可以經(jīng)由入口槽進入源外殼并且經(jīng)由出口槽離開源外殼。在沉積期間，能以預(yù)定速度移動待涂覆的基板20經(jīng)過源外殼的敞開側(cè)122。由于源外殼120在外壁中包括開口并且因此不完全閉合，因此源外殼也可以稱為源套或源蓋。

沉積源100經(jīng)調(diào)適以安裝到工藝腔室(例如，真空工藝腔室)以固持基板20并且以可移動基板經(jīng)過源外殼的敞開的前側(cè)122的方式輸送基板20。工藝腔室以及基板不是沉積源的部分。然而，與工藝腔室組合的源外殼可以提供密封的沉積設(shè)備，此密封的沉積設(shè)備具有在涂覆處理期間經(jīng)抽空的內(nèi)部容積。沉積源可以設(shè)有緊固元件113(例如，真空法蘭、真空密封件、螺釘孔、螺桿和/或螺釘)以便以氣密方式將沉積源100附接到工藝腔室。

如圖1A中顯示，沉積源100的源外殼120包括至少一個抽空出口140以用于抽空源外殼120。在涂覆處理期間，通常通過將抽空設(shè)備(例如真空泵(未顯示))連接到抽空出口以在源外殼120中生成真空。隨后，可使用各種真空沉積技術(shù)(尤其是化學(xué)氣相沉積技術(shù))以在基板上沉積薄膜。

圖1A顯示用于在卷對卷沉積設(shè)備中利用以用于執(zhí)行化學(xué)氣相沉積的沉積源100。經(jīng)由氣體入口130將工藝氣體引入涂覆處理區(qū)域125中。工藝氣體沿工藝氣流路徑155從氣體入口130流向待涂覆基板所位于的源外殼120的敞開的前側(cè)122。隨后，工藝氣體在基板表面上反應(yīng)和/或分解以產(chǎn)生所需的固相沉積物。通常，揮發(fā)性殘留產(chǎn)物或副產(chǎn)物在基板表面上生成，并且可能與未消耗的工藝氣體一起流向抽空出口140(以下也稱為工藝氣體)，在所述排空出口140處，所述工藝氣體被排除。因此，可以在源外殼120的涂覆處理區(qū)域125內(nèi)維持必要的真空條件。

通常，在涂覆處理區(qū)域125中的特定區(qū)域中維持所需的且尤其是均勻的工藝氣流分配是有益的，這在具有敞開的前側(cè)的源外殼120的情況下可能難以實現(xiàn)。在這種情況下，緊靠基板提供抽空出口通常是不太可能的，因為基板是可移動的，并且在處理期間，敞開的前側(cè)沒有為提供抽吸出口提供任何空閑空間。具體而言，在沉積期間，源外殼前側(cè)可能部分或完全地由移動的基板覆蓋，使得基板可能在前進方向上阻塞潛在的工藝氣體去除路徑并且可能阻礙從圍繞基板的區(qū)域均勻地去除殘留工藝氣體。

根據(jù)本文所描述的實施例，通過氣體入口130和抽空出口140的特定配置改善氣體分配，并且源外殼125內(nèi)部的工藝氣流分配可以更均勻，在卷材涂覆或卷對卷涂覆設(shè)備的源外殼120的情況下也是這樣。為實現(xiàn)這一目標，抽空出口140經(jīng)配置以從源外殼120的泵送區(qū)域126去除工藝氣體。此外，抽空分割單元150布置在涂覆處理區(qū)域125與泵送區(qū)域126之間，并且至少一個開口152界定從涂覆處理區(qū)域125到泵送區(qū)域126中的工藝氣流路徑155。

根據(jù)一些實現(xiàn)方式，抽空分割單元150具有至少一組多個開口152，所述多個開口界定從涂覆處理區(qū)域125到泵送區(qū)域126中的工藝氣流路徑155。

換句話說，源外殼120的內(nèi)部容積被分成至少兩個區(qū)域，即，由抽空分割單元150分開的涂覆處理區(qū)域125和泵送區(qū)域126，其中抽空分割單元中的一個或若干個開口152允許在這兩個區(qū)域之間的流體式連通。工藝氣流路徑155可以從氣體入口130穿過源外殼流而去往源外殼的敞開的前側(cè)。隨后，可以使工藝氣流路徑155彎曲以側(cè)向地行進和/或在反向方向上通過抽空分割單元150中的至少一個開口152而行進至泵送區(qū)域126中。隨后，經(jīng)由抽空出口140從泵送區(qū)域126去除工藝氣體，所述抽空出口140在泵送區(qū)域126中提供。

通過經(jīng)由抽空分割單元150提供與涂覆處理區(qū)域125分離但與其流體地連通的泵送區(qū)域126，可以提供更均勻的工藝氣體分配。圖1B中說明在涂覆處理區(qū)域125內(nèi)的靠近基板的所述均勻的工藝氣流分布，其中沿線C-C顯示穿過圖1A的源外殼120的示意性截面圖。氣體入口130和抽空出口140的位置以虛線指示。

在抽空分割單元150中提供的至少一個開口152可以具有任意形狀，例如槽、圓形、方形、橢圓形，等等。通過在抽空分割單元中提供多個開口(其中，每一個開口都位于靠近待涂覆的基板20的不同部分處)，能以更均質(zhì)的方式將工藝氣體從基板吸走。此外，涂覆處理區(qū)域中的總壓力可以保持在更為恒定的水平。例如，可以例如以相等的間隔在抽空分割單元150中提供五個、十個、二十個或更多個開口。

如圖1A中示例性地顯示，抽空分割單元150可以至少部分地作為突出到源外殼120的內(nèi)部容積中的內(nèi)壁來提供，所述內(nèi)壁將內(nèi)部容積劃分為兩個區(qū)域。在抽空分割單元150中提供的開口152可以位于靠近源外殼120的敞開前側(cè)處，使得工藝氣體可以在剛與基板表面接觸之后就側(cè)向地進入開口。為了提供特別均勻的工藝氣體分配，可以至少部分地圍繞源外殼的敞開的前側(cè)布置開口，例如，可在敞開的前側(cè)的一個、兩個或更多個側(cè)處布置開口和/或開口可以沿待涂覆基板的完整的寬度延伸。

由于在沉積期間前進氣體流動方向通常可能被移動的基板阻塞，因此可以在源外殼的內(nèi)側(cè)壁中提供開口152，所述內(nèi)側(cè)壁橫向地約束涂覆處理區(qū)域。在本文所描述的實施例中，可以在源外殼的至少兩個內(nèi)側(cè)壁中、尤其是在于基板20的移動方向S上彼此相對的兩個橫向內(nèi)側(cè)壁中提供開口152。在這種情況下，工藝氣流路徑可以彎曲，而涂覆處理區(qū)域中的工藝氣流路徑的第一主方向X從氣體入口在后-前的方向上流入敞開的前側(cè)，并且工藝氣流路徑的第三主方向Z通過開口側(cè)向地流入泵送區(qū)域，如例如在圖1A中所說明。泵送區(qū)域內(nèi)的工藝氣流路徑的第三主方向Y可以是與第一主方向X相對的方向。

能以抽空裝置(例如，真空泵)可以連接到其上的方式將至少一個抽口出口140布置在源外殼120的外壁中。抽空出口140可以位于橫向外壁中和/或位于與源外殼的敞開的前側(cè)相對的后外壁中。在圖1A中顯示的實施例中，抽空出口位于與敞開的前側(cè)相對的后外壁中，因為甚至是在已經(jīng)將沉積源100安裝到工藝腔室之后，此后外壁也可提供用于連接真空泵的足夠的安裝空間。

隨后，參考圖2A和圖2B，將描述根據(jù)實施例的沉積源200。沉積源200的源外殼120的基本配置對應(yīng)于沉積源100的配置，因此可以參考上文解釋。

沉積源200可配置成用于熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)。出于這個原因，包括一個或多個加熱絲162的絲線組合件160布置在涂覆處理區(qū)域125中。工藝氣流路徑流行進通過絲線162之間的空間，使得可以在工藝氣體到達基板20之前預(yù)加熱這些工藝氣體。在一些實施例中，絲線布置在氣體入口130與敞開的前側(cè)122之間，使得工藝氣流路徑從其間穿過。

沉積源可以將加熱絲或加熱細線實施為熱元件以得到改善的涂覆結(jié)果。具體來說，可以將若干加熱絲加熱到足夠高的溫度。一般而言，工藝氣體當在基板表面上反應(yīng)之前與經(jīng)加熱的絲線相互作用(例如，通過在絲線上方流動或得以與絲線實體地接觸)。待沉積材料與經(jīng)加熱絲線的相互作用可以誘發(fā)沉積材料上的物理和/或化學(xué)轉(zhuǎn)化，這通常稱為沉積前體。例如，經(jīng)加熱的絲線可以誘發(fā)工藝氣體的溫升，使得公司氣體通過化學(xué)反應(yīng)被分解。

圖2A中顯示的絲線組合件160包括布置在氣體入口130與基板20之間的總共九條絲線，單獨的絲線160平行于基板表面和/或垂直于處理氣流路徑行進。然而，在其他實施例中，可以提供多于或少于九條絲線，例如，提供在5條與30條絲線之間的數(shù)量的絲線。

在實施例中，可將致動器系統(tǒng)提供給沉積源，所述致動器系統(tǒng)具有用于在涂覆期間張緊絲線的機動化驅(qū)動器。包括機動化驅(qū)動器的此類致動器系統(tǒng)促進適當?shù)慕z線張緊并且防止絲線上的過度應(yīng)力。根據(jù)可以與本文所描述的其他實施例結(jié)合的更進一步的實施例，也可以利用此致動器系統(tǒng)以在加熱絲線所在的涂覆處理區(qū)域中饋送絲線。替代地或附加地，可以實現(xiàn)耦合到絲線以用于張緊的彈簧張緊系統(tǒng)。

根據(jù)典型的實施例，絲線是包括適于被加熱的材料的伸長的細線片(細長的和/或繩狀的)。例如(但不局限于此)，絲線可以由柔性材料制成，所述柔性材料包括可以通過電流流過而被加熱到適宜的操作溫度的電阻性材料。

在一些實施例中，提供配置成用于饋送以及正確地定位絲線的絲線輥子系統(tǒng)。此外，可以提供配置成用于在涂覆期間和/或以預(yù)定時間間隔自動地供應(yīng)新絲線部分的饋送控制系統(tǒng)。

通常，在處理期間，絲線162與基板20之間(或絲線162與源外殼120的敞開的前側(cè)122之間)的距離在40mm與80mm之間，特別是約60mm。通常，絲線162與氣體入口130(此氣體入口130可作為噴淋頭組合件132而提供)之間的距離在40mm與150mm之間，特別是在60mm與100mm之間。在實施例中，可以使絲線162與用于引入工藝氣體的噴淋頭組合件之間的距離可調(diào)節(jié)，以便使工藝氣流路徑適配于各種涂覆條件和/或涂覆和基板材料。例如，在第一操作位置中，絲線160與噴淋頭組合件之間的距離可以是60mm，在第二操作位置中，絲線與噴淋頭組合件之間的距離可以是80mm，并且在第三操作位置中，絲線與噴淋頭組合件之間的距離可以是100mm。

應(yīng)注意，絲線組合件160是任選的特征，并且沉積源200不一定經(jīng)調(diào)適用于執(zhí)行HWCDV。例如，沉積源200可以可替代地或附加地經(jīng)調(diào)適以執(zhí)行其他CVD技術(shù)(例如，PECVD)。然而，在工藝氣流均勻性方面的特定益處可以將如本文所描述的抽空分割單元150提供給用于卷對卷應(yīng)用的HWCVD沉積源來實現(xiàn)。

在圖2A中顯示的實施例中，氣體入口130作為氣體分配系統(tǒng)來提供，所述氣體分配系統(tǒng)諸如例如，噴淋頭組合件132所述噴淋頭組合件132具有多個孔用于以均勻且均質(zhì)的方式將工藝氣體引入到涂覆處理區(qū)域125中。噴淋頭組合件的一個或多個孔可以包括一個或多個噴嘴。

在本文中，氣體分配系統(tǒng)或噴淋頭組合件可以理解為包括具有孔的殼體，使得在處理期間，在例如噴淋頭組合件被布置在的源外殼的涂覆處理區(qū)域中，殼體的內(nèi)部容積中的壓力比此內(nèi)部容積外部的壓力高例如至少一個數(shù)量級。在一個示例中，在處理期間，殼體的內(nèi)部容積中的壓力可以在約10^-2到10^-1mbar之間，或在約10^-2到約10^-3mbar之間。根據(jù)一些實施例，涂覆處理區(qū)域中的壓力可以在約10^-5到約10^-7mbar之間。

噴淋頭組合件132可以是可加熱的以便預(yù)加熱或回火從流過此噴淋頭組合件132的工藝氣體。例如，噴淋頭組合件132可以具備回火通道用于回火流體。

然而，應(yīng)注意，噴淋頭組合件盡管是有益的特征但卻是任選的，并且在一些實施例中可以省略。例如，替代地，可將與圖1A中顯示的氣體入口類似的單個氣體入口開口或氣體入口管提供給圖2A中顯示的沉積源200。

在一些實現(xiàn)方式中，氣體入口130位于源外殼120的后側(cè)處，使得工藝氣流路徑從源外殼的后側(cè)延伸直到源外殼的前側(cè)。

根據(jù)可以與本文所描述的實施例結(jié)合的一些實施例，多個開口152以線性布置并排地布置。在圖2B的截面圖中顯示開口152的此類線性布置，橫截平面沿圖2A中指示的線C-C行進，線C-C貫穿通過開口152。

并排式開口的線性布置在用于涂覆可移動基板的沉積源的情況下是特別有益的，因為開口可以布置在敞開的前側(cè)122的基板入口側(cè)處和/或基板出口側(cè)處。在可以與本文所描述的其他實施例結(jié)合的一些實施例中，可將基本上矩形的開口提供給源外殼的敞開的前側(cè)，其中多個開口沿矩形開口的至少一個側(cè)、尤其是沿垂直于基板移動方向S延伸的側(cè)線性地延伸，使得工藝氣體可以在已經(jīng)以均質(zhì)方式沿基板20的寬度在基板上反應(yīng)之后被吸到開口中。

在一些實施例中，抽空分割單元150在涂覆處理區(qū)域的第一橫向側(cè)上具有第一組多個開口152，并且在與第一橫向側(cè)相對的涂覆處理區(qū)域的第二橫向側(cè)上具有第二組多個開口。如圖2B的截面圖中所說明，第一組多個開口可以靠近源外殼前開口的基板入口側(cè)以線性并排布置來布置，并且第二組多個開口可以靠近源外殼前開口的基板出口側(cè)以線性并排布置來布置。工藝氣體中的大約一半當已在基板表面上反應(yīng)之后，平行于基板移動方向S流過第一組多個開口而到泵送區(qū)域126的第一部分中，并且工藝氣體中的另一半當已在基板表面上反應(yīng)之后，在相反的方向上流過第二組多個開口而到泵送區(qū)域126的第二部分中。在一些實施例中，可以在布置在源外殼120內(nèi)的至少一個抽吸管道的壁中提供開口。

在圖2A和圖2B中顯示的實施例中，引導(dǎo)通過開口152的工藝氣流路徑方向Z基本上垂直于如圖2B中所示的泵送區(qū)域126內(nèi)的工藝氣流路徑的主方向。此外，泵送區(qū)域126內(nèi)的工藝氣流路徑的主方向平行于多個開口152的線性布置的延伸方向。抽空出口140可以布置在開口152的線性布置的至少一端處。因此，給定量的工藝氣流過每一個開口而進入泵送區(qū)域中，并且與通過附近開口而來的氣體量重疊，使得泵送區(qū)域內(nèi)的氣壓可以隨距抽空出口140的距離的變化而減小。進入泵送區(qū)域中的此“系列”工藝氣體入口可能導(dǎo)致泵送區(qū)域中的氣體堵塞，至少當泵送區(qū)域的橫截面不夠大時如此。

可以通過提供如圖3A和圖3B中所示的泵送區(qū)域配置和氣體出口140位置來克服此問題。圖3A顯示根據(jù)本文所描述的實施例的用于涂覆可移動基板的沉積源300的截面圖，而圖3B顯示在圖3A中指示的C-C的橫向截面中的沉積源300。沉積源300的源外殼120的基本配置對應(yīng)于沉積源200的配置，使得可以參考上文解釋。任選地，可將絲線布置160和/或噴淋頭組合件132提供給作為HWCVD沉積源的沉積源300。

在圖3A和圖3B中顯示的實施例中，抽空出口140布置在與敞開的前側(cè)122相對的源外殼的后側(cè)處?？梢栽O(shè)有噴淋頭132的氣體入口130也可以布置在后腔室側(cè)處。換句話說，在一些實現(xiàn)方式中，氣體入口130與抽空出口140 兩者都可以布置在源外殼120的相同側(cè)處。這一側(cè)可以提供足夠的安裝空間。這是因為后側(cè)不面對基板，并且可以經(jīng)引導(dǎo)朝向沉積源可附接到的工藝腔室的外部。因此，可以容易地將排氣管線或排氣管附接到抽空出口140。

為了允許將抽空出口140布置在后腔室側(cè)處，涂覆處理區(qū)域125內(nèi)的工藝氣流路徑的第一主方向X(后-前方向)可以與泵送區(qū)域內(nèi)的工藝氣流路徑的第二主方向Y(前-后方向)相反。具體來說，在已經(jīng)到達基板20之后，工藝氣流路徑可以逆轉(zhuǎn)方向，并且通過泵送區(qū)域往回去往源外殼的后側(cè)，抽空出口可以布置在所述后側(cè)。開口可以布置在涂覆處理區(qū)域125的側(cè)處，使得開口內(nèi)的工藝氣流方向Z(側(cè)路方向)可以基本上垂直于第一和第二主方向X、Y。

抽空分割單元150可以包括兩個氣體遮蔽板158和159，所述氣體遮蔽板158和159布置成沿涂覆處理區(qū)域125的第一側(cè)以及沿可以是與所述第一側(cè)相對的涂覆處理區(qū)域的第二側(cè)線性地延伸。工藝氣體可以通過形成在氣體遮蔽板158、159與源外殼的外側(cè)壁之間的橫向邊緣區(qū)域而返回到氣體遮蔽板158、159“后面的”后腔室側(cè)。例如，第一氣體遮蔽板158可以基本上平行于源外殼的第一外側(cè)壁、以距所述第一外側(cè)壁較近的距離延伸，并且第二氣體遮蔽板159可以基本上平行于源外殼的與所述第一外側(cè)壁相對的第二外側(cè)壁、以距所述第二外側(cè)壁較近的距離延伸。

可將多個開口152提供給每一個氣體遮蔽板158、159，所述多個開口152在在涂覆處理區(qū)域125與泵送區(qū)域126的相應(yīng)的區(qū)段之間形成工藝氣流路徑155。

與圖2B中顯示的實施例相對照，在圖3B中顯示的實施例中的實施例中，泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的主方向Y垂直于開口布置的延伸方向而延伸。因此，流動通過鄰近開口的氣體量朝向抽空出口140被平行地吸走，使得可以減小氣體堵塞產(chǎn)生的可能性。

此外，在本文所描述的實施例中，在垂直地貫穿靠近開口152的泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的第一截面中的第一氣體通量密度與在垂直地貫穿遠離開口152的泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的第二截面中的第二氣體通量密度可以基本上相同。在一些實施例中，在泵送區(qū)域126中的單獨的開口152后面的氣體通量密度可變化小于50％，特別是小于20％?？梢蕴峁┚鶆虻某槲?。

可以在基板移動方向S上將抽空出口140布置在源外殼的后側(cè)壁中的中心位置處。具體來說，在圖3A中顯示的截面(平行于后-前方向并且平行于基板移動方向S)中，第一組多個開口與居中定位的抽空出口140之間的第一距離可以基本上對應(yīng)于在第二組多個開口與抽空出口140之間的第二距離。如本文中所用的術(shù)語“基本上”可以意味著在第一距離與第二距離之間的比率在0.8與1.2之間。

在本文中所公開的一些實施例中，抽空分割單元150固定到噴淋頭組合件132的至少第一側(cè)，并且特別固定到噴淋頭組合件132的兩個相對側(cè)，并且至少部分地朝源外殼的敞開前側(cè)122延伸，從而橫向地約束涂覆處理區(qū)域125。如在圖3A中顯示，第一氣體遮蔽板158固定到噴淋頭132的左側(cè)，并且朝敞開的前側(cè)122突出到源外殼120的內(nèi)部容積中，而第一組多個開口152可以在第一氣體遮蔽板158的前邊緣與源外殼120的接觸表面129之間形成。類似地，第二氣體遮蔽板159可以固定到噴淋頭132的右側(cè)，并且朝敞開的前側(cè)122、平行于第一氣體遮蔽板158而突出到源外殼120的內(nèi)部容積中。第二組多個開口可以在第二氣體遮蔽板159與源外殼120的接觸表面之間形成。

在一些實施例中，至少一個氣體遮蔽板的前邊緣可能形成有凹陷(例如，多個槽)，當前邊緣抵靠源外殼120的接觸表面129時，所述凹陷形成開口152。具體來說，氣體遮蔽板158、159兩者可以具有凹口的前邊緣用于緊靠接觸表面129，其中工藝氣流路徑在凹口的前邊緣與接觸表面之間形成。例如，氣體遮蔽板可以設(shè)有凹口的鏟狀前邊緣。

圖4A顯示根據(jù)實施例的用于涂覆可移動基板的沉積源400的詳細截面圖，其中截面穿過抽空分割單元150的閉合部分。圖4B顯示沉積源400的詳細截面圖，其中截面穿過抽空分割單元的開口152。沉積源400的配置與上文參考圖3A和圖3B解釋的沉積源300的配置類似，使得可以參考上文解釋(這里不再重復(fù))。

沉積源400包括具有敞開的前側(cè)122的源外殼120，所述敞開的前側(cè)122設(shè)有開口，此開口用于在涂覆期間在基板移動方向S上移動柔性基板20經(jīng)過所述開口。設(shè)有前開口的框架112可以固定到源外殼的主體的前側(cè)，其中框架112的前側(cè)可以彎曲或形成為圓形以確保源外殼與基板之間的近距離，所述基板可以固持在處理滾筒(未顯示)的移動表面上。具體來說，處理滾筒的曲率可以對應(yīng)于框架112的彎曲前側(cè)的曲率。具體來說，在一些實現(xiàn)方式中，可以將多于一個沉積源安裝到處理滾筒的那側(cè)，以便以層堆疊涂覆基板，而需要防止從第一沉積源到鄰近的沉積源中的氣體流動。為了防止此類不需要的氣體流動，框架112可以配置為氣體分離框架，其中可以將基板20與框架112之間的狹縫設(shè)定得盡可能小。例如，框架112可以設(shè)有調(diào)節(jié)元件用于調(diào)節(jié)基板20與框架112之間的狹縫的寬度。此外，在一些實施例中，框架112可以設(shè)有抽吸通道用于連接到抽空裝置，使得可以防止在單獨的沉積源之間的工藝氣流。

可以將石墨箔布置在框架112與源外殼的主體之間。

將具有噴淋頭132的氣體入口布置在源外殼120的后側(cè)處，用于將工藝氣體引入到源外殼120的涂覆處理區(qū)域125中。此外，也在基板移動方向S上的中心位置處的后腔室側(cè)處布置用于將工藝氣體從源外殼120的泵送區(qū)域126去除的抽空出口140。

具有兩個氣體遮蔽板158、159的抽空分割單元150布置在涂覆處理區(qū)域125與泵送區(qū)域126之間，每一個氣體遮蔽板158、159布置成具有多個開口152，所述多個開口界定從涂覆處理區(qū)域125到泵送區(qū)域126中的工藝氣流路徑。

如圖5A中詳細地顯示，氣體遮蔽板158、159可以固定到噴淋頭組合件132的兩個相對側(cè)以朝源外殼122的敞開的前側(cè)122延伸，從而橫向約束涂覆處理區(qū)域125。此外，氣體遮蔽板158、159可以設(shè)有凹口的前邊緣，其中形成多個開口152以在凹口的前邊緣與源外殼120的接觸表面129之間線性地延伸。

泵送區(qū)域126可以在由噴淋頭組合件132和氣體遮蔽板158、159構(gòu)成的布置與源外殼120的外壁之間延伸。換句話說，泵送區(qū)域126可以至少部分地既位于氣體遮蔽板158、159“后方”又位于噴淋頭組合件132“上方”，而抽空出口140可以布置在噴淋頭組合件132上方的中心位置處。此外，工藝氣體可以基本上平行地(并且不是串聯(lián)地)從相應(yīng)的開口朝抽空出口140流動，使得可以有效地防止泵送區(qū)域中的氣體堵塞。

沉積源400可以設(shè)有緊固元件113用于以氣密方式將源外殼120直接或間接地附接到工藝腔室。例如，源外殼120可以在附接之后部分或完全地布置在工藝腔室中，使得可以通過將源外殼120附接到工藝固持腔室來形成待抽空的氣密真空腔室布置。

在圖5A、圖5B和圖6中顯示可以在本文所描述的實施例中的一些實施例中使用的噴淋頭組合件132的細節(jié)。噴淋頭組合件132可以包括噴淋頭回火件134用于預(yù)加熱流過噴淋頭組合件的工藝氣體。噴淋頭回火件134可以包括附接到(例如，焊接到)噴淋頭組合件132的一個或多個表面的回火通道，所述回火通道可以與工藝氣體接觸。此外，噴淋頭組合件132可以包括工藝氣體輸入通道137，以便用于將工藝氣體引導(dǎo)到形成在覆蓋板133與噴淋頭底座139之間的噴淋頭組合件132的氣體分配容積中。在圖6中詳細地顯示具有噴淋頭回火件134的附接的回火線圈的噴淋頭底座139。當覆蓋板133接觸噴淋頭底座139時，可以間接地使覆蓋板133回火。

噴淋頭組合件可以由導(dǎo)熱材料(例如，金屬)制成或可包含熱導(dǎo)材料。例如，噴淋頭組合件可以由CuF制成，特別是由SF-CuF25制成，或可包含CuF，特別是包含SF-CuF25。

噴淋頭底座139的主表面可以設(shè)有多個小孔，用于將工藝氣體均勻地分配在涂覆處理區(qū)域125中?？椎闹睆娇梢栽?mm到4mm范圍內(nèi)，特別是約2mm。替代地或附加地，鄰近的孔之間的距離可以在10mm與50mm范圍內(nèi)，特別是約22mm。替代地或附加地，設(shè)有孔的噴淋頭底座139的形狀可以是矩形的。噴淋頭組合件132的寬度可以在1m與2m之間的范圍內(nèi)，特別是約1.65，所述噴淋頭組合件132的寬度可以基本上對應(yīng)于涂覆處理區(qū)域125的寬度，所述涂覆處理區(qū)域125的寬度可以基本上對應(yīng)于待涂覆的基板的寬度。噴淋頭組合件132的長度(其可以基本上對應(yīng)于涂覆處理區(qū)域125的長度)可以在0.1m與0.5m之間的范圍內(nèi)，特別是約0.22m。

孔能以如下方式布置在噴淋頭組合件132中：每一個孔與垂直于噴淋頭組合件的主表面的基板之間的直線分別在兩條絲線162之間基本上居中地貫穿絲線組合件160。可以防止由于氣流路徑中的絲線162導(dǎo)致的氣流異常。

在圖5A中顯示的實施例中，氣體遮蔽板158、159固定到噴淋頭組合件132的兩側(cè)。例如，氣體遮蔽板可用螺釘緊固到噴淋頭組合件132的從主表面以適當角度突出的板區(qū)段上。可以提供若干螺釘孔以允許高度調(diào)節(jié)。例如，噴淋頭底座139的主表面與氣體遮蔽板的前邊緣之間的距離可以設(shè)定為60mm、80mm或100mm。例如，由氣體遮蔽板158、159和噴淋頭132形成的組合件可以形成伸長的U形遮蔽板，此伸長的U性遮蔽板將涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域分離。在實施例中，泵送區(qū)域可以在所述組合件與源外殼的外側(cè)和后壁之間延伸。

然而，在可以與本文所描述的其他實施例結(jié)合的一些實施例中，氣體遮蔽板158、159可以與噴淋頭組合件132的至少部分(例如，與噴淋頭底座139)一體地形成。一體式設(shè)計允許從噴淋頭回火件134到氣體遮蔽板158、159的更好的導(dǎo)熱性。在提供了噴淋頭組合件與氣體遮蔽板的一體式設(shè)計的一些實施例中，噴淋頭底座的主表面與一體形成的氣體遮蔽板的前邊緣之間的距離可以是50mm、75mm或100mm。

圖7是根據(jù)本文所描述的實施例的沉積源400的詳細透視圖。沉積源400包括矩形源外殼120，此矩形源外殼120在前側(cè)具有用于氣體分離的框架112。源外殼120可以朝諸如涂覆滾筒之類的基板支撐件突出到工藝腔室的內(nèi)部容積中。

沉積源140可以包括允許HWCVD操作的加熱絲組合件160。絲線驅(qū)動器167可以布置在源外殼120外部，用于為絲線組合件160的絲線供電或控制絲線組合件160的絲線。

抽空出口140位于源外殼120的后側(cè)處用于抽空內(nèi)部腔室容積。

在圖8中的示意圖中顯示根據(jù)本文所描述的實施例的、用于涂覆可移動基板的沉積設(shè)備500。沉積設(shè)備500包括工藝腔室520、第一沉積源510和第二沉積源511。沉積源經(jīng)由緊固元件113、以氣密方式、通過沉積源至少部分地朝基板支撐件突出到工藝腔室520的內(nèi)部容積中的方式直接或間接地附接到工藝腔室520。

基板支撐件可以提供為配置成繞旋轉(zhuǎn)軸521旋轉(zhuǎn)的涂覆滾筒522?；逯渭梢栽O(shè)有基板引導(dǎo)表面，所述基板引導(dǎo)表面用于連續(xù)地移動柔性基板20經(jīng)過沉積源的源外殼120或工藝外殼的敞開的前側(cè)。

至少第一沉積源510可以配置為根據(jù)上述實施例中的一個實施例的沉積源100、200、300、400，從而可以參考上文解釋和特征結(jié)構(gòu)，這里不再重復(fù)。第一沉積源510的源外殼120可以：包括氣體入口，用于將工藝氣體引入到源外殼的涂覆處理區(qū)域中；抽空出口，用于將工藝氣體從源外殼的泵送區(qū)域去除；以及抽空分割單元，布置在涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域之間，所述抽空分割單元具有至少一個開口，特別是多個開口，所述開口界定從涂覆處理區(qū)域到泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑。

在一些實施例中，氣體入口與抽空出口兩者都可以布置在源外殼120的后側(cè)，所述后側(cè)可以背離涂覆滾筒522。泵送區(qū)域可以由源外殼120的內(nèi)部容積的兩個側(cè)區(qū)域構(gòu)成，其中涂覆處理區(qū)域內(nèi)的工藝氣流路徑的第一主方向X是與泵送區(qū)域內(nèi)的工藝氣流路徑的第二主方向Y相反的方向。

流過抽空分割單元中的鄰近開口的氣體量可以在泵送區(qū)域內(nèi)的第二主方向Y上平行地朝源外殼的后側(cè)流動?？梢栽诒盟蛥^(qū)域的側(cè)區(qū)域中確保基本上恒定的氣體通量密度，使得可以防止氣體堵塞。

在一些實施例中，可以提供預(yù)處理等離子體源523(例如，RF等離子體源)，以便在移動基板20經(jīng)過沉積源之前用等離子體處理所述基板。替代地或附加地，沉積設(shè)備500可以包括預(yù)加熱單元529以加熱柔性基板20?？梢蕴峁┰谔幚砘逯凹訜峄宓妮椛浼訜崞?、電子束加熱器或任何其他元件。

可以附加地提供能夠確保在處理腔室520的多個部分之間的真空分離的間隙閘門524?；?0可以從第一滾輪528纏繞，并且可以通過多個中間輥子525被輸送到涂覆滾筒522，基板在所述涂覆滾筒522處被涂覆。隨后，可以通過進一步的中間輥子525將基板輸送到第二滾輪526。另外，可以提供中間滾筒527。

根據(jù)進一步的方面，描述操作用于涂覆可移動基板的沉積設(shè)備的方法。在圖9中顯示用于說明所述方法的示例性流程圖。所述方法可以利用根據(jù)本文所描述的實施例的沉積設(shè)備來執(zhí)行。

在框602中，移動基板經(jīng)過源外殼的敞開的前側(cè)，同時將工藝氣體引入到源外殼的涂覆處理區(qū)域中以涂覆正在被移動的基板。工藝氣體遵循從涂覆處理區(qū)域、通過布置在涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域之間的抽空分割單元的至少一個開口(特別是多個開口)而進入源外殼的泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑。在框604中，例如使用諸如真空泵之類的抽空單元將工藝氣體從泵送區(qū)域去除。

此方法可以進一步包括參考上述實施例來描述的活動中的一些或全部，并且這里不再對其進行重復(fù)。

根據(jù)本文所描述的實施例，提供如下沉積源和沉積設(shè)備：

1.一種用于涂覆可移動基板的沉積源，包含：源外殼，以可以在沉積期間移動基板經(jīng)過所述源外殼的敞開的前側(cè)的方式固定到工藝腔室；氣體入口，用于將工藝氣體引入到源外殼的涂覆處理區(qū)域中；抽空出口，用于將工藝氣體從源外殼的泵送區(qū)域去除；以及抽空分割單元，布置在涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域之間，所述抽空分割單元具有至少界定從涂覆處理區(qū)域到泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的至少一個開口。

2.上述沉積源，其中所述抽空分割單元具有界定工藝氣流路徑的至少一組多個開口。

3.上述沉積源中的任一個，其中所述至少一組多個開口以線性布置并排地布置。

4.上述沉積源中的任一個，其中泵送區(qū)域內(nèi)的氣體流動路徑的主方向垂直于線性布置的延伸方向。

5.上述沉積源中的任一個，其中所述抽空分割單元在在涂覆處理區(qū)域的第一橫向側(cè)上具有第一組多個開口，并且在涂覆處理區(qū)域的第二橫向側(cè)上具有第二組多個開口，所述第二橫向側(cè)在基板移動方向上與所述第一橫向側(cè)相反。

6.上述沉積源中的任一個，其中在截面中，第一組多個開口與抽空出口之間的第一距離對應(yīng)于第二組多個開口與抽空出口之間的第二距離。

7.上述沉積源中的任一個，其中涂覆處理區(qū)域內(nèi)的工藝氣流路徑的第一主方向是與泵送區(qū)域內(nèi)的工藝氣流路徑的第二主方向相反、尤其是垂直于開口內(nèi)的工藝氣流路徑的第三主方向的方向。

8.上述沉積源中的任一個，其中氣體入口和/或抽空出口布置在與開放的前側(cè)相對的源外殼的后側(cè)。

9.上述沉積源中的任一個，其中抽空分割單元設(shè)有至少一個氣體遮蔽板。

10.上述沉積源中的任一個，其中第一氣體遮蔽板經(jīng)布置以沿涂覆處理區(qū)域的第一側(cè)線性地延伸，并且第二氣體遮蔽板經(jīng)布置以沿涂覆處理區(qū)域的第二側(cè)線性地延伸。

11.上述沉積源中的任一個，其中每一個氣體遮蔽板都在涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域之間提供至少一個開口、尤其是多個開口。

12.上述沉積源中的任一個，其中至少一個氣體遮蔽板具有抵靠源外殼的接觸表面的凹口的前邊緣，其中工藝氣流路徑形成在所述凹口的前邊緣與接觸表面之間。

13.上述沉積源中的任一個，其中氣體入口被提供為布置在與敞開的前側(cè)相對的涂覆處理區(qū)域中的噴淋頭組合件。

14.上述沉積源中的任一個，其中噴淋頭組合件的至少部分將涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域分離。

15.上述沉積源中的任一個，其中泵送區(qū)域的至少部分在噴淋頭組合件與源外殼的后外壁之間延伸。

16.上述沉積源中的任一個，其中抽空分割單元至少部分地從源外殼的后側(cè)朝源外殼的敞開的前側(cè)延伸，從而橫向地約束涂覆處理區(qū)域。

17.上述沉積源中的任一個，其中兩個氣體遮蔽板固定到噴淋頭組合件的兩個相對側(cè)。

18.上述沉積源中的任一個，其中泵送區(qū)域的至少部分形成在氣體遮蔽板與涂覆處理腔室的外側(cè)壁之間。

19.上述沉積源中的任一個，其中至少一個氣體遮蔽板與噴淋頭組合件的至少部分一體地形成。

20.上述沉積源中的任一個，其中提供調(diào)節(jié)元件用于調(diào)節(jié)噴淋頭組合件的主表面與抽空分割單元的至少一個開口之間的距離。

21.上述沉積源中的任一個，其中噴淋頭組合件包括噴淋頭回火件。

22.上述沉積源中的任一個，其中噴淋頭回火包括件附接到噴淋頭組合件的主表面的一個或多個回火通道或回火線圈。

23.上述沉積源中的任一個，其中源外殼具有基本上為矩形的形狀。

24.上述沉積源中的任一個，其中源外殼的寬度在1m與2m之間的范圍內(nèi)，和/或其中源外殼的長度在0.2m與0.5m之間的范圍內(nèi)。

25.上述沉積源中的任一個，其經(jīng)配置用于CVD操作。

26.以上實施例中的任一個，其經(jīng)配置用于PECVD操作和/或HWCVD操作。

27.上述沉積源中的任一個，其中抽空分割單元具有大于10個且小于100個的開口，特別是具有大于20個且小于50個的開口。

28.上述沉積源中的任一個，其中提供兩個氣體遮蔽板，這兩個氣體遮蔽板平行于源外殼的外側(cè)壁延伸。

29.上述沉積源中的任一個，所述沉積源設(shè)有機械彈簧和/或具有動力驅(qū)動以用于張緊絲線組合件的至少加熱絲。

30.上述沉積源中的任一個，所述沉積源設(shè)有包含金屬或由金屬構(gòu)成的噴淋頭組合件。

31.上述沉積源中的任一個，所述沉積源設(shè)有包含CuF或由CuF構(gòu)成的噴淋頭組合件。

32.上述沉積源中的任一個，其中包含一條或多條加熱絲的絲線組合件布置在涂覆處理區(qū)域中，特別是布置在噴淋頭組合件與敞開的前側(cè)之間。

33.上述沉積源中的任一個，其中使源外殼的開口前側(cè)彎曲以允許移動彎曲的基板經(jīng)過敞開的前側(cè)。

34.上述沉積源中的任一個，其中源外殼包含主體和固定到主體前方的框架，其中使框架的前側(cè)彎曲以允許移動彎曲的基板經(jīng)過源外殼的敞開的前側(cè)。

35.一種用于涂覆可移動基板的沉積設(shè)備，包含：源外殼，固定到設(shè)有基板支撐件的處理腔室，所述基板支撐件包含基板引導(dǎo)表面用于移動基板經(jīng)過源外殼的敞開的前側(cè)；氣體入口，用于將工藝氣體引入到源外殼的涂覆處理區(qū)域中；抽空出口，用于將工藝氣體從源外殼的泵送區(qū)域去除；以及抽空分割單元，布置在涂覆處理區(qū)域與泵送區(qū)域之間，所述抽空分割單元具有界定從涂覆處理區(qū)域到泵送區(qū)域中的工藝氣流路徑的至少一個開口、特別是多個開口。

36.以上沉積設(shè)備，進一步包含連接到抽空出口的抽空單元，例如，真空泵。

37.以上沉積設(shè)備，進一步包含第二、第三或其他沉積源，并且源外殼連續(xù)地固定到涂覆腔室。

38.以上沉積設(shè)備，其中基板支撐件包括可旋轉(zhuǎn)的涂覆滾筒。

39.以上沉積設(shè)備，其中源外殼的敞開的前側(cè)的曲率適合于涂覆滾筒的基板引導(dǎo)表面的曲率。

40.以上沉積設(shè)備，進一步包含一個或多個間隙閘門，用于確保在工藝腔室的內(nèi)部部分之間的真空分離。

41.以上沉積設(shè)備，進一步包含待涂覆的基板，所述待涂覆的基板經(jīng)由涂覆滾筒的基板引導(dǎo)表面從工藝腔室內(nèi)的第一滾輪朝第二滾輪延伸。

42.以上沉積設(shè)備，進一步包含提供為柔性基板的基板，例如，提供為卷材、箔或條帶的基板。

43.以上沉積設(shè)備，進一步包含用于抽空處理腔室的一個或多個真空泵。

盡管前述內(nèi)容涉及本實用新型的實施例，但可以設(shè)計其他和進一步的實施例而不偏離本實用新型的基本范圍，并且本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求書確定。