研磨裝置的制作方法

本發(fā)明涉及對半導體晶片等被加工物進行研磨的研磨裝置。

背景技術(shù)：

在半導體器件制造工序中，在大致圓板形狀的半導體晶片的正面上通過呈格子狀排列的被稱為間隔道的切斷線而劃分出多個矩形區(qū)域，在該矩形區(qū)域的各個區(qū)域內(nèi)形成IC、LSI等器件。將這樣形成有多個器件的半導體晶片沿著間隔道分割，由此，形成各個半導體器件。為了實現(xiàn)半導體器件的小型化和輕量化，通常，先將半導體晶片沿著間隔道切斷而分割成各個矩形區(qū)域，然后對半導體晶片的背面進行磨削而形成為規(guī)定的厚度。半導體晶片的背面的磨削通常是通過如下方式來完成的：利用如樹脂粘合劑那樣合適的粘合劑將金剛石磨粒固結(jié)而形成磨削磨具，一邊使該磨削磨具高速旋轉(zhuǎn)一邊將該磨削磨具按壓在半導體晶片的背面。當通過這樣的磨削方式對半導體晶片的背面進行磨削時，在半導體晶片的背面殘存有磨削痕，這成為被分割成各個半導體芯片的抗折強度降低的原因。作為將產(chǎn)生在該磨削得到的半導體晶片的背面上的磨削痕去除的對策，還實用化了如下的研磨裝置：向磨削得到的半導體晶片的背面提供包含有游離磨粒的研磨液(漿料)并對該背面進行研磨。

一般地，在使用漿料的研磨裝置中，需要經(jīng)常持續(xù)地向被加工物與研磨墊之間提供漿料，在采用了經(jīng)常提供新的漿料的結(jié)構(gòu)的情況下，一邊在沒能充分地活用漿料所包含的游離磨粒的性能的狀態(tài)下廢棄了漿料，一邊提供新的漿料，因此，存在與所投入的漿料的量對應的加工成本變高的問題，為了解決該問題，提出了如下的結(jié)構(gòu)：使在研磨中使用的漿料循環(huán)而進行再利用(例如，參照專利文獻1。)。

專利文獻1：日本特開平06-302567號公報

但是，在上述專利文獻1中公開的研磨裝置中，存在如下的問題：需要用于不使泥狀的漿料中斷而可靠地循環(huán)提供漿料的復雜的循環(huán)機構(gòu)，因此裝置自身的成本增加。并且，在設(shè)置了使?jié){料循環(huán)的循環(huán)機構(gòu)的情況下，由于按照所貯存的漿料的量而利用漿料對多個晶片進行連續(xù)地研磨，所以由于漿料所包含的游離磨粒的劣化以及因研磨而從被加工物脫離的物質(zhì)在漿料中增加等理由，漿料的研磨能力隨著研磨工序的經(jīng)過時間而逐漸降低。其結(jié)果是，存在如下問題：研磨得到的晶片的品質(zhì)逐漸降低，連續(xù)研磨得到的晶片的品質(zhì)變得不均勻。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述事實而完成的，其目的在于提供一種研磨裝置，解決如下的待解決課題：充分利用研磨裝置中的漿料的研磨能力而不使?jié){料浪費，進而使研磨品質(zhì)保持均勻。

為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種研磨裝置，其提供漿料而對晶片進行研磨，其中，該研磨裝置至少包含：卡盤工作臺，其在上部具有對晶片進行保持的保持面；研磨單元，其具有能夠旋轉(zhuǎn)的研磨墊，該研磨墊與該卡盤工作臺所保持的晶片相對而進行研磨；研磨墊進給單元，其使該研磨單元接近和遠離該卡盤工作臺，而使該研磨墊相對于該卡盤工作臺所保持的晶片接觸和遠離；以及漿料提供機構(gòu)，其對該卡盤工作臺所保持的晶片和該研磨墊提供漿料，該漿料提供機構(gòu)至少包含：容器，其形成圍繞該卡盤工作臺而上部開放的空間，并且對所提供的漿料進行貯存；以及漿料飛散單元，其配設(shè)在該容器的底部，使該容器中所貯存的漿料飛散而提供給從該卡盤工作臺懸突的該研磨墊。

優(yōu)選該容器的底構(gòu)成為以向研磨墊懸突的一側(cè)降低的方式傾斜而對漿料進行匯集，該漿料飛散單元使所匯集的漿料飛散而提供給該研磨墊。

能夠在該容器的底部形成有將所匯集的漿料排出的排出口，另外，能夠構(gòu)成為該漿料飛散單元在該容器的底部具有氣體噴射口，該氣體噴射口朝向該研磨墊噴射高壓氣體，該漿料飛散單元將匯集在底部的漿料與從該噴射口噴射的氣體一起提供給研磨墊。而且，能夠?qū)⒃搰娚淇诩孀鲗R集在該容器的底部的漿料排出的排出口，該漿料飛散單元能夠利用翅片使?jié){料飛散而提供給該研磨墊。

并且，還可以是當該卡盤工作臺和該容器被定位在該裝拆位置時，通過漿料提供單元對該容器提供漿料，并且在該研磨單元中配設(shè)有蓋體，在研磨工序時該蓋體將該容器的開放的上部封閉。

根據(jù)以本發(fā)明為基礎(chǔ)的研磨裝置，該研磨裝置至少包含：卡盤工作臺，其在上部具有對晶片進行保持的保持面；研磨單元，其具有能夠旋轉(zhuǎn)的研磨墊，該研磨墊與該卡盤工作臺所保持的晶片相對而進行研磨；研磨墊進給單元，其使該研磨單元接近和遠離該卡盤工作臺，而使該研磨墊相對于該卡盤工作臺所保持的晶片接觸和遠離；以及漿料提供機構(gòu)，其對該卡盤工作臺所保持的晶片和該研磨墊提供漿料，該漿料提供機構(gòu)至少包含：容器，其形成圍繞該卡盤工作臺而上部開放的空間，并且對所提供的漿料進行貯存；以及漿料飛散單元，其配設(shè)在該容器的底部，使該容器中所貯存的漿料飛散而提供給從該卡盤工作臺懸突的該研磨墊，由此，該研磨裝置能夠充分利用所提供的所需最低限度的漿料的研磨能力，并能夠通過少量的漿料來執(zhí)行研磨工序。進而，如果構(gòu)成為在該容器中設(shè)置漿料的排出口，當該卡盤工作臺和該容器被定位在該裝拆位置時通過漿料提供單元對該容器提供漿料，則在每研磨1張晶片時能夠容易地對新的漿料進行更換，還容易實現(xiàn)使研磨品質(zhì)總是保持為恒定。

附圖說明

圖1是示出按照本發(fā)明而構(gòu)成的研磨裝置的一實施方式的立體圖。

圖2是示出裝備于圖1所示的研磨裝置的卡盤工作臺和容器的說明圖。

圖3是示出裝備于圖1所示的研磨裝置的研磨單元的圖。

圖4是用于對由圖1所示的研磨裝置實施的研磨工序進行說明的說明圖。

圖5是示出圖4所示的研磨工序時的漿料飛散單元的其他實施方式的圖。

標號說明

1：研磨裝置；2：裝置外殼；3：研磨單元；4：研磨墊進給單元；5：旋轉(zhuǎn)工作臺；11：第1盒；12：第2盒；13：臨時載置單元；14：清洗單元；15：被加工物搬送單元；16：被加工物搬入單元；17：被加工物搬出單元；18：漿料提供噴嘴；32：主軸單元；52：容器；53：蓋體。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的研磨裝置的優(yōu)選的實施方式進行詳細地說明。

在圖1中示出了按照本發(fā)明而構(gòu)成的研磨裝置的立體圖。

圖1所示的研磨裝置1具有由標號2示出整體的裝置外殼。裝置外殼2具有長方體形狀的主部21和設(shè)置于該主部21的后端部(在圖1中的右上側(cè))且實際上向鉛直上方延伸的直立壁22。在直立壁22的前表面設(shè)置有在上下方向上延伸的一對導軌221、221。研磨單元3以能夠在上下方向上移動的方式安裝在該一對導軌221、221上。另外，以下將圖1中箭頭X所示的方向設(shè)為X軸方向，箭頭Y所示的方向設(shè)為Y軸方向，箭頭Z所示的方向設(shè)為Z軸方向來進行說明。

研磨單元3具有移動基臺31和安裝在移動基臺31上的主軸單元32。在移動基臺31上，在后表面兩側(cè)設(shè)置有在上下方向(Z軸方向)上延伸的一對腿部311、311，該一對腿部311、311形成有被引導槽312、312，上述一對導軌221、221以能夠滑動的方式與該被引導槽312、312卡合。在這樣以能夠滑動的方式安裝在設(shè)置于直立壁22的一對導軌221、221上的移動基臺31的前表面設(shè)置有朝向前方突出的支承部313。在該支承部313上安裝有主軸單元32。

主軸單元32具有：主軸外殼321，其安裝在支承部313上；旋轉(zhuǎn)主軸322，其自由旋轉(zhuǎn)地配設(shè)在該主軸外殼321中；以及電動機殼體323，在該電動機殼體323中內(nèi)設(shè)有伺服電動機，該伺服電動機作為用于對該旋轉(zhuǎn)主軸322進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的驅(qū)動源。旋轉(zhuǎn)主軸322的下端部越過主軸外殼321的下端而向下方突出，在其下端設(shè)置有圓板形狀的工具安裝部件324。另外，該工具安裝部件324在周向上隔開間隔地形成有多個螺栓貫穿插入孔(省略了圖示)。在該工具安裝部件324的下表面上安裝有研磨工具325。研磨工具325由圓板形狀的支承部件326和圓板形狀的研磨墊327構(gòu)成(也同時參照圖4)，研磨墊327由粘接在支承部件326上的無紡布、聚氨酯等形成。

當繼續(xù)進行進一步說明時，圖示的研磨裝置1具有研磨墊進給單元4，該研磨墊進給單元4使上述研磨單元3沿著上述一對導軌221、221在上下方向(Z軸方向)上移動。該研磨墊進給單元4具有配設(shè)在直立壁22的前側(cè)且實際上鉛直地延伸的外螺紋桿41。該外螺紋桿41的上端部和下端部被軸承部件42、43支承為自由旋轉(zhuǎn)，該軸承部件42、43被安裝在直立壁22上。在上側(cè)的軸承部件42上配設(shè)有作為用于對外螺紋桿41進行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的驅(qū)動源的脈沖電動機44，該脈沖電動機44的輸出軸與外螺紋桿41傳動連結(jié)。在移動基臺31的后表面形成有從其寬度方向中央部朝向后方突出的連結(jié)部(省略了圖示)，該連結(jié)部形成有在鉛直方向上延伸的貫通內(nèi)螺紋孔，該外螺紋桿41與該內(nèi)螺紋孔螺合。因此，當脈沖電動機44正轉(zhuǎn)時，研磨單元3下降，當脈沖電動機44反轉(zhuǎn)時，研磨單元3上升。

在裝置外殼2的主部21的后半部上表面上配設(shè)有圓板形狀的旋轉(zhuǎn)工作臺5。該旋轉(zhuǎn)工作臺5被安裝成以實際上鉛直延伸的中心軸線為中心而自由旋轉(zhuǎn)，通過收納在裝置外殼21內(nèi)的合適的電動機(省略了圖示)來使該旋轉(zhuǎn)工作臺5旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。不過，在本實施方式中，如后述的那樣，構(gòu)成為該旋轉(zhuǎn)工作臺以180度的角度在周向上往復運動。在旋轉(zhuǎn)工作臺5上，在周向上隔開180度的間隔，即，在夾著該旋轉(zhuǎn)工作臺5的中心而相對的位置處配設(shè)有第1卡盤工作臺51a、第2卡盤工作臺51b。并且，在該旋轉(zhuǎn)工作臺5的配設(shè)有該第1、第2卡盤工作臺51a、51b的位置處配設(shè)有容器52、52以便對該第1、第2卡盤工作臺51a、51b的各個卡盤工作臺進行收納。另外，將圖1中第1卡盤工作臺51a所位于的位置稱為對被加工物進行研磨的研磨位置，將第2卡盤單元51b所位于的位置稱為將被加工物相對于該卡盤工作臺裝拆的裝拆位置。

參照圖2對該容器52和第1卡盤工作臺51a的結(jié)構(gòu)進行更具體地說明。

圖2是在第1卡盤工作臺51a位于圖1所示的研磨位置的狀態(tài)下作為為了方便說明而將容器52在X軸方向上切開的剖視圖的說明圖。該容器52由側(cè)壁部52a和底部52b構(gòu)成，以便封閉設(shè)置于旋轉(zhuǎn)工作臺5的開口孔501且包圍第1卡盤工作臺51a。該底部52b設(shè)置有后述的漿料排出兼氣體噴出用的開口52c，并將底部52b設(shè)置成以使該開口52c成為底部52b中最低的位置的方式傾斜。并且，在該底部52b的下表面?zhèn)仍O(shè)置有對第1卡盤工作臺51a進行驅(qū)動的電動機M，其驅(qū)動力經(jīng)由對該電動機M的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動力進行傳遞的皮帶V和配設(shè)于第1卡盤工作臺51a的旋轉(zhuǎn)軸511的轉(zhuǎn)動接頭512而進行傳遞。并且，該旋轉(zhuǎn)軸511的旋轉(zhuǎn)通過設(shè)置在該底部52b且對該旋轉(zhuǎn)軸511進行保持的旋轉(zhuǎn)凸部52d來使第1卡盤工作臺51a旋轉(zhuǎn)。

該第1卡盤工作臺51a的上表面由能夠通氣的多孔陶瓷形成，通過旋轉(zhuǎn)軸511和轉(zhuǎn)動接頭512來傳遞來自吸引源513的負壓，并對配置在第1卡盤工作臺51a上的被加工物進行真空吸附。并且，形成在容器52的底部52b的開口52c經(jīng)由被電磁驅(qū)動的三通閥521和撓性的管而與高壓氣體容器522和吸引源523連結(jié)，通過對該三通閥521進行合適地切換，能夠使該開口52c與高壓氣體容器522連通或與吸引源523側(cè)連通。另外，作為貯存在該高壓氣體容器522中的氣體，除了壓縮空氣之外，能夠從壓縮后的N₂、CO₂和He等合適地選擇。并且，由于第2卡盤工作臺51b和包圍該第2卡盤工作臺51b的容器52也具有與此完全同樣的結(jié)構(gòu)，所以省略了詳細的說明。

進而，在本實施方式中，如圖3、4所示，在研磨單元3上具有能夠封閉該容器52的上方開口的蓋體53。另外，在圖1中，為了方便說明，以虛線示出。如圖4所示，該蓋體53借助設(shè)置在該主軸外殼321的外周的蓋保持部件324的彈簧325而被保持成能夠相對于主軸外殼321在上下方向上滑動并相對移動。該蓋體53的下端形成為與容器52的上方開口部的形狀對應的形狀，在與該容器52接觸的部位配設(shè)有密封部件54。在該蓋體53的上表面設(shè)置有使后述的噴射到容器內(nèi)的高壓氣體逸出的排氣用的開口55。

當回到圖1繼續(xù)進行說明時，在裝置外殼2的主部21的前半部上配設(shè)有：第1盒11、第2盒12、進行被加工物的中央位置對位的臨時載置單元13、清洗單元14、被加工物搬送單元15、被加工物搬入單元16、被加工物搬出單元17以及后述的漿料提供噴嘴18。第1盒11是對研磨加工前的被加工物進行收納的盒，其被載置在裝置外殼2的主部21中的盒搬入?yún)^(qū)域。第2盒12被載置在裝置外殼2的主部21中的盒搬出區(qū)域，并對研磨加工后的被加工物進行收納。該臨時載置單元13被配設(shè)在第1盒11與被加工物的裝拆位置之間，其對將要進行研磨加工的被加工物進行臨時載置，并且能夠進行臨時載置的圓板狀的被加工物的中心對位。清洗單元14被配設(shè)在被加工物的裝拆位置與第2盒12之間，其對研磨加工后的被加工物進行清洗。

被加工物搬送單元15被配設(shè)在第1盒11與第2盒12之間，其將收納在第1盒11內(nèi)的被加工物搬出到臨時載置單元13，并且將由清洗單元14清洗后的被加工物搬入到第2盒12中。被加工物搬入單元16被配設(shè)在臨時載置單元13與被加工物的裝拆位置之間，其將載置在臨時載置單元13上的研磨加工前的被加工物搬送到被定位在該裝拆位置的卡盤工作臺上。被加工物搬出單元17配設(shè)在該裝拆位置與清洗單元14之間，其將載置在卡盤工作臺上的研磨加工后的被加工物搬送到清洗單元14，該卡盤工作臺被定位在該裝拆位置。當收納在第1盒11中的加工前的被加工物全部被加工而第1盒11變空時，將空的盒替換成收納有加工前的被加工物的新的第1盒。并且，當在第2盒12的收納部中收納有全部的從第1盒11搬出并研磨加工完的被加工物之后，替換成空的新的第2盒12。

接著，參照圖1、2和圖4對由上述的研磨裝置執(zhí)行的研磨作業(yè)進行說明。

首先，通過被加工物搬送單元15的上下動作進退動作將作為收納在第1盒11中的研磨加工前的被加工物的半導體晶片W搬出。由被加工物搬送單元15搬出的半導體晶片W被載置在被加工物的臨時載置單元13上。載置在臨時載置單元13上的半導體晶片W在這里進行了中心對位之后通過被加工物搬入單元16的吸引和回旋動作而被運送并載置在第2卡盤工作臺51b上，該第2卡盤工作臺51b被定位在被加工物的裝拆位置。在半導體晶片W被載置在第2卡盤工作臺51b上之后，從圖2所示的吸引單元513經(jīng)由撓性的管而使負壓作用于第2卡盤工作臺51b的上表面即保持面上。其結(jié)果是，半導體晶片W被吸引保持在第2卡盤工作臺51b的上表面即保持面上。在半導體晶片W被吸引保持在第2卡盤工作臺51b上之后，從漿料提供單元18向圍繞著第2卡盤工作臺51b的容器52內(nèi)提供規(guī)定的量(例如、200ml左右)的新的研磨用的漿料。

在向圍繞著第2卡盤工作臺51b的容器52提供了漿料之后，使旋轉(zhuǎn)工作臺5旋轉(zhuǎn)180度而使第2卡盤工作臺51b移動至研磨單元3的下方的位置即研磨位置，并且之前位于研磨位置的第1卡盤工作臺51a被移動至裝拆位置。另外，此時，研磨單元3在上方位置待機以使載置在第2卡盤工作臺51b上的半導體晶片W不與研磨墊327接觸。

當載置有作為被加工物的未加工的半導體晶片W的第2卡盤工作臺51b移動至研磨位置時，通過使電動機M工作而使該第2卡盤工作臺51b以例如300rpm左右旋轉(zhuǎn)，并對內(nèi)設(shè)在上述電動機殼體323中的伺服電動機進行驅(qū)動而使研磨工具325以4000～7000rpm旋轉(zhuǎn)，并且對該研磨墊進給單元4的脈沖電動機44進行正轉(zhuǎn)驅(qū)動而使研磨單元3下降。這里，如果研磨墊327與半導體晶片W接近，則對三通閥521進行切換而使開口52c與高壓氣體容器522側(cè)連結(jié)，從容器52的底部52b的開口52c噴出高壓氣體。如圖4所示，該容器的底部構(gòu)成為傾斜成在研磨墊327相對于卡盤工作臺懸突(over hang)的一側(cè)降低而對漿料進行匯集，由于來自該開口52c的高壓氣體的噴出，貯存在該容器52的底部的泥狀的漿料朝向上方飛散，并被吹送至研磨墊327的該懸突的區(qū)域。另外，在研磨墊327與半導體晶片W接近的狀態(tài)下，容器52的上方被與研磨單元3一起下降的蓋體53封閉，使該第2卡盤工作臺51b的周圍成為大致封閉空間，但噴出到該封閉空間內(nèi)的氣體能夠從設(shè)置在該蓋體53的上表面的排氣用的開口55放出。

在漿料被吹送至研磨墊327的狀態(tài)下，使研磨單元3進一步下降而使研磨墊327以規(guī)定的負荷按壓在第2卡盤工作臺51b上的半導體晶片W的研磨面上，實施研磨加工。此時，由于提供給研磨墊327的漿料是泥狀，附著在研磨墊上的漿料以泥狀保持并也間接地提供給半導體晶片W的加工面上。另外，為了向半導體晶片W的加工面提供漿料，當將使?jié){料飛散而進行吹送的方向定位在該半導體晶片W的加工面與研磨墊327的抵接部時，進一步提高了加工效率，因此優(yōu)選。并且，通過實施規(guī)定的時間(例如，5分鐘左右)的研磨加工，將殘存在被加工面上的磨削痕去除，并結(jié)束研磨工序。

在實施針對上述的第2卡盤工作臺51b上所載置的半導體晶片W的研磨工序的期間，在定位于裝拆位置側(cè)的第1卡盤工作臺51a上，通過與上述的第2卡盤工作臺51b同樣的步驟，作為被加工物的研磨加工前的半導體晶片W從第1盒11被搬出，并通過被加工物搬入單元16載置在第1卡盤工作臺51a上而成為待機狀態(tài)。另外，當載置有未加工的半導體晶片的第2卡盤工作臺51b被定位在研磨位置并且第1卡盤工作臺51a被定位在裝拆位置時，當在第1卡盤工作臺51a上載置有研磨后的半導體晶片W的情況下，在對研磨加工前的新的半導體晶片W進行載置之前，實施后述的被加工物的搬出工序。

如上述那樣，在針對位于研磨位置的第2卡盤工作臺51b上的半導體晶片W的研磨工序結(jié)束之后，對三通閥521進行切換而使開口52c與吸引源523側(cè)連通，使此前停止的由吸引泵構(gòu)成的吸引源523工作。由此，貯存在容器52的底部的漿料被吸引并被從容器52去除，并且漿料被廢棄到與該吸引源523一起設(shè)置的廢棄容器(省略了圖示)中，經(jīng)過一定的時間后使該吸引源523的工作停止。并且，與此同時，使研磨墊進給單元4的脈沖電動機44反轉(zhuǎn)而使主軸單元32上升至規(guī)定的位置，并且停止研磨工具325的旋轉(zhuǎn)，使第2卡盤工作臺51b的旋轉(zhuǎn)也停止。并且，使旋轉(zhuǎn)工作臺5按照與旋轉(zhuǎn)方向相反的方向旋轉(zhuǎn)180度，并再次定位在該裝拆位置，其中，該旋轉(zhuǎn)方向是使該第2卡盤工作臺51b移動至該研磨位置時的旋轉(zhuǎn)方向。

這樣，在實施了研磨加工后的第2卡盤工作臺51b被定位在裝拆位置之后，實施被加工物的搬出工序。首先，使對第2卡盤工作臺51b的保持面作用負壓的吸引源513的工作停止，而解除對結(jié)束了研磨加工的半導體晶片W的吸引保持。通過被加工物搬出單元17將解除了第2卡盤工作臺51b的吸引保持的半導體晶片W搬出而搬送到被加工物的清洗單元14上。搬送到該清洗單元14上的半導體晶片W在這里被清洗(晶片清洗工序)，之后通過被加工物搬送單元15將其收納在第2盒12的規(guī)定的位置處。

在實施上述晶片清洗工序時，在裝拆位置處，利用未圖示的清洗單元對半導體晶片W已被搬出且沒有載置任何物體的狀態(tài)的第2卡盤工作臺51b進行清洗。另外，由于該清洗單元不是構(gòu)成本發(fā)明的主要部件，所以省略了其詳細的說明。

在實施了針對上述第2卡盤工作臺51b的清洗之后，如最初說明的那樣，在將加工前的半導體晶片W從第1盒11搬出、載置并吸引保持于第2卡盤工作臺51b的上表面上的狀態(tài)下進行待機。其間，對保持在第1卡盤工作臺51a上的半導體晶片W實施上述那樣的研磨加工。通過重復進行這樣的工序，能夠完成針對收納在第1盒11中的全部的半導體晶片W的研磨工序。

在上述的實施方式中，作為使貯存在容器52的底部52b的漿料飛散到研磨墊327上的漿料飛散單元，通過從開口52c僅噴出高壓氣體而使?jié){料以卷入到噴出氣體中的方式飛散，但作為該漿料飛散單元，并不僅限于該方式。例如，如圖5所示，相對于容器52的底部52b的開口52c，進一步在其上部設(shè)置凹部524而在凹部524中配設(shè)具有多個翅片的旋轉(zhuǎn)翼525，并通過未圖示的電動機來使該旋轉(zhuǎn)翼525旋轉(zhuǎn)。并且，能夠使保持在旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)翼的翅片的上表面的漿料朝向該研磨墊327飛散。另外，也可以不通過該電動機來使該旋轉(zhuǎn)翼525旋轉(zhuǎn)，而是通過從底部52b的開口52c噴出高壓氣體而使該旋轉(zhuǎn)翼525旋轉(zhuǎn)。

以上，對基于本發(fā)明的研磨裝置的優(yōu)選的實施方式進行了說明，但本發(fā)明可以包含權(quán)利要求書所記載的范圍中的各種變形例。例如，在上述實施方式中，具有將容器52的上方封閉的蓋體53，但由于漿料是泥狀的物質(zhì)，所以不必使該蓋體53成為必須的結(jié)構(gòu)，根據(jù)所使用的漿料的狀態(tài)，能夠省略該蓋體53。并且，如圖2、4所示，采用了開口52c兼用作高壓氣體噴出口和排出口的結(jié)構(gòu)，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)，也可以分別設(shè)置，其中，該高壓氣體噴出口用于使?jié){料飛散而向研磨墊327的懸突區(qū)域吹送漿料，該排出口用于將貯存在容器52中的漿料排出。