限制板單元和蒸鍍單元以及蒸鍍裝置的制作方法

本案是申請(qǐng)日為2014年3月10日、申請(qǐng)?zhí)枮?u>201480033438.8、發(fā)明名稱為限制板單元和蒸鍍單元以及蒸鍍裝置的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本發(fā)明涉及用于在被成膜基板上形成規(guī)定圖案的蒸鍍膜的限制板單元和蒸鍍單元以及蒸鍍裝置。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，在各種商品和領(lǐng)域中利用平板顯示器，要求平板顯示器進(jìn)一步大型化、高畫質(zhì)化、低消耗電力化。

在這樣的狀況下，具備利用有機(jī)材料的電場(chǎng)發(fā)光(電致發(fā)光；以下記為“el”)的有機(jī)el元件的有機(jī)el顯示裝置，作為全固體型且在低電壓驅(qū)動(dòng)、高速響應(yīng)性、自發(fā)光性等方面優(yōu)異的平板顯示器，受到高度關(guān)注。

有機(jī)el顯示裝置，例如在有源矩陣方式的情況下，具有如下結(jié)構(gòu)：在設(shè)置有tft(薄膜晶體管)的由玻璃基板等構(gòu)成的基板上，設(shè)置有與tft電連接的薄膜狀的有機(jī)el元件。

在全彩色的有機(jī)el顯示裝置中，一般而言，在基板上作為子像素排列形成有紅色(r)、綠色(g)、藍(lán)色(b)的各色的有機(jī)el元件，使用tft使這些有機(jī)el元件有選擇地以期望的亮度發(fā)光，由此，進(jìn)行圖像顯示。

因此，為了制造這樣的有機(jī)el顯示裝置，需要在每個(gè)有機(jī)el元件以規(guī)定圖案形成至少發(fā)光層，該發(fā)光層包含發(fā)出各色的光的有機(jī)發(fā)光材料。

作為以規(guī)定圖案形成這樣的發(fā)光層的方法，已知有例如真空蒸鍍法、噴墨法、激光轉(zhuǎn)印法等。例如，在低分子型有機(jī)el顯示裝置(oled)中，發(fā)光層的圖案化主要使用真空蒸鍍法。

在真空蒸鍍法中，使用形成有規(guī)定圖案的開(kāi)口的蒸鍍掩模(也被稱為陰影掩模(shadowmask))。使來(lái)自蒸鍍?cè)吹恼翦冾w粒(蒸鍍材料、成膜材料)通過(guò)蒸鍍掩模的開(kāi)口蒸鍍?cè)诒徽翦兠嫔希纱诵纬梢?guī)定圖案的薄膜。此時(shí)，按發(fā)光層的每種顏色進(jìn)行蒸鍍(將此稱為“分涂蒸鍍”)。

真空蒸鍍法大致分為：通過(guò)使被成膜基板和蒸鍍掩模固定或依次移動(dòng)而使它們密合來(lái)進(jìn)行成膜的方法；和在使被成膜基板和蒸鍍用的掩模隔開(kāi)而進(jìn)行掃描的同時(shí)進(jìn)行成膜的掃描蒸鍍法。

在前者的方法中，使用與被成膜基板同等大小的蒸鍍掩模。然而，當(dāng)使用與被成膜基板同等大小的蒸鍍掩模時(shí)，伴隨著基板的大型化，蒸鍍掩模也大型化。因此，當(dāng)被成膜基板變大時(shí)，與此相伴，由于蒸鍍掩模的自重彎曲和伸長(zhǎng)，在被成膜基板與蒸鍍掩模之間容易產(chǎn)生間隙。因此，在大型基板的情況下，難以進(jìn)行高精度的圖案化，會(huì)發(fā)生蒸鍍位置的錯(cuò)位或混色，難以實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化。

另外，當(dāng)被成膜基板變大時(shí)，不僅蒸鍍掩模變得巨大，而且保持蒸鍍掩模等的框架等也變得巨大，其重量也增加。因此，當(dāng)被成膜基板變大時(shí)，蒸鍍掩模和框架等的操作變得困難，有可能對(duì)生產(chǎn)率和安全性造成障礙。另外，蒸鍍裝置本身和附隨于其的裝置也同樣巨大化、復(fù)雜化，因此，裝置設(shè)計(jì)變得困難，設(shè)置成本也變高。

因此，近年來(lái)，在使用比被成膜基板小的蒸鍍掩模進(jìn)行掃描的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍(掃描蒸鍍)的掃描蒸鍍法受到關(guān)注。

在這樣的掃描蒸鍍法中，使用例如帶狀的蒸鍍掩模，將蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)匆惑w化等，在使被成膜基板與蒸鍍掩模和蒸鍍?cè)粗械闹辽僖环较鄬?duì)移動(dòng)的同時(shí)，在被成膜基板整面上蒸鍍蒸鍍顆粒。

因此，在掃描蒸鍍法中，不需要使用與被成膜基板同等大小的蒸鍍掩模，能夠改善使用大型的蒸鍍掩模的情況下特有的上述問(wèn)題。

在掃描蒸鍍法中，一般而言，在蒸鍍?cè)?，在與掃描方向垂直的方向上以一定間距設(shè)置有通過(guò)對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行加熱使其蒸發(fā)或升華而作為蒸鍍顆粒射出(飛散)的多個(gè)射出口(噴嘴)。

因此，近年來(lái)，提出了如下方法：在掃描蒸鍍時(shí)，通過(guò)使用限制板對(duì)蒸鍍流(蒸鍍顆粒的流動(dòng))進(jìn)行限制，使得在與某個(gè)噴嘴對(duì)應(yīng)的蒸鍍區(qū)域(成膜區(qū)域)，不會(huì)飛來(lái)來(lái)自相鄰噴嘴的蒸鍍顆粒，該相鄰噴嘴使蒸鍍顆粒射出到與該蒸鍍區(qū)域相鄰的蒸鍍區(qū)域。

例如，專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了在蒸鍍?cè)吹囊粋?cè)設(shè)置遮斷壁組件，該遮斷壁組件具備將蒸鍍?cè)磁c蒸鍍掩模之間的空間劃分成多個(gè)蒸鍍空間的多個(gè)遮斷壁作為限制板。根據(jù)專利文獻(xiàn)1，通過(guò)利用作為限制板的遮斷壁來(lái)限制蒸鍍范圍，能夠不使蒸鍍圖案變寬而進(jìn)行高精細(xì)的圖案蒸鍍。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本公開(kāi)專利公報(bào)“特開(kāi)2010-270396號(hào)公報(bào)(2010年12月2日公開(kāi))”

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題

然而，當(dāng)蒸鍍密度變高時(shí)(即，在高速率時(shí))，在以往的限制板的情況下，不能防止來(lái)自相鄰噴嘴的蒸鍍顆粒的飛來(lái)，不能將蒸鍍顆粒適當(dāng)?shù)貙?dǎo)向蒸鍍區(qū)域。

圖22的(a)、(b)是示意性地表示在蒸鍍?cè)?01與蒸鍍掩模302之間，沿著與掃描方向(掃描軸)垂直的方向設(shè)置有多個(gè)限制板320的情況下，由蒸鍍密度的不同導(dǎo)致的蒸鍍流的差異的圖。

其中，圖22的(a)表示蒸鍍密度相對(duì)低的情況(低速率時(shí))，圖22的(b)表示蒸鍍密度相對(duì)高的情況(高速率時(shí))。

另外，圖22的(a)、(b)中，y軸表示沿著被成膜基板200的掃描方向的水平方向軸，x軸表示沿著與被成膜基板200的掃描方向垂直的方向的水平方向軸，z軸表示作為被成膜基板200的被蒸鍍面201(被成膜面)的法線方向和與該被蒸鍍面201正交的蒸鍍軸線延伸的方向的、與x軸和y軸垂直的垂直方向軸(上下方向軸)。

穿過(guò)限制板320的上部開(kāi)口邊緣320a的蒸鍍顆粒401(蒸鍍流)，如在圖22的(a)中用×符號(hào)表示的那樣，在低速率時(shí)，被蒸鍍掩模302的非開(kāi)口部截?cái)唷?/p>

然而，如圖22的(b)所示，在為高速率時(shí)，在限制板320的上部開(kāi)口邊緣320a附近，蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射程度變強(qiáng)，由限制板320限制后的蒸鍍流在穿過(guò)限制板320的開(kāi)口部321的瞬間擴(kuò)展。擴(kuò)展后的蒸鍍流的一部分會(huì)侵入由相鄰的噴嘴301a進(jìn)行成膜的被成膜基板200上的相鄰成膜區(qū)域。

其結(jié)果，會(huì)發(fā)生來(lái)自相鄰噴嘴的蒸鍍顆粒401混入正常圖案膜，或者在正常圖案膜間形成在低速率時(shí)不會(huì)形成的異常圖案膜等異常成膜。這些現(xiàn)象會(huì)引起混色發(fā)光等異常發(fā)光，有可能會(huì)大大損害顯示品質(zhì)。

本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而作出的，其目的在于提供能夠防止異常成膜的發(fā)生的限制板單元和蒸鍍單元以及蒸鍍裝置。

用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)方案的蒸鍍單元具備：蒸鍍掩模；向上述蒸鍍掩模射出蒸鍍顆粒的蒸鍍?cè)?；和設(shè)置在上述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)粗g，限制從蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的通過(guò)角度的限制板單元，上述限制板單元具備多段的限制板，該多段的限制板至少具備：在第一方向相互隔開(kāi)地設(shè)置的多個(gè)第一限制板；和在俯視時(shí)設(shè)置在上述第一限制板上、在上述第一方向相互隔開(kāi)并且沿著上述第一限制板設(shè)置的多個(gè)第二限制板，在上述第一方向，相對(duì)于每1塊上述第一限制板設(shè)置有至少2塊上述第二限制板。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)方案的蒸鍍單元具備：蒸鍍掩模；向上述蒸鍍掩模射出蒸鍍顆粒的蒸鍍?cè)矗缓驮O(shè)置在上述蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)粗g，限制從蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的通過(guò)角度的限制板單元，上述限制板單元具備在第一方向相互隔開(kāi)地設(shè)置的多個(gè)第一限制板，在上述第一限制板的上表面，沿著上述第一限制板，在上述第一方向設(shè)置有至少2個(gè)突起部。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)方案的蒸鍍裝置具備：本發(fā)明的一個(gè)方案的上述蒸鍍單元；和在上述蒸鍍單元的蒸鍍掩模與被成膜基板相對(duì)配置的狀態(tài)下，使上述蒸鍍單元和上述被成膜基板中的一個(gè)在與上述第一方向垂直的第二方向相對(duì)移動(dòng)的移動(dòng)裝置，上述蒸鍍掩模的上述第二方向的寬度小于上述第二方向的被成膜基板的寬度，在沿著上述第二方向掃描的同時(shí)，使從上述蒸鍍?cè)闯錾涞恼翦冾w粒通過(guò)上述限制板單元和上述蒸鍍掩模的開(kāi)口部蒸鍍?cè)谏鲜霰怀赡せ迳稀?/p>

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)方案的限制板單元為設(shè)置在蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)粗g，限制從蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的通過(guò)角度的限制板單元，該限制板單元具備多段的限制板，該多段的限制板至少具備：在第一方向相互隔開(kāi)地設(shè)置的多個(gè)第一限制板；和在俯視時(shí)設(shè)置在上述第一限制板上、在上述第一方向相互隔開(kāi)并且沿著上述第一限制板設(shè)置的多個(gè)第二限制板，在上述第一方向，相對(duì)于每1塊上述第一限制板設(shè)置有至少2塊上述第二限制板。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)方案的限制板單元為設(shè)置在蒸鍍掩模與蒸鍍?cè)粗g，限制從蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的通過(guò)角度的限制板單元，該限制板單元具備在第一方向相互隔開(kāi)地設(shè)置的多個(gè)第一限制板，在上述第一限制板的上表面，沿著上述第一限制板，在上述第一方向設(shè)置有至少2個(gè)突起部。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，從蒸鍍?cè)瓷涑龅恼翦冾w粒的流動(dòng)(蒸鍍流)被第一限制板抑制擴(kuò)展。由此，指向性差的蒸鍍成分被截?cái)?捕捉)，被限制成指向性高的分布。被控制的蒸鍍流在蒸鍍密度高的情況下(即，高速率時(shí))，由于因其高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒間的碰撞、散射，在通過(guò)第一限制板間的開(kāi)口區(qū)域后，要再次擴(kuò)展，但通過(guò)由至少包括第二限制板的后段的限制板或上述突起部捕捉，擴(kuò)展被抑制，維持?jǐn)U展被抑制的狀態(tài)通過(guò)蒸鍍掩模。此時(shí)，在第一方向，相對(duì)于每1塊第一限制板設(shè)置有至少2塊第二限制板、或者設(shè)置有至少2個(gè)上述突起部，由此，能夠有效地捕捉向第一限制板的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠有效地抑制蒸鍍流向上述方向的擴(kuò)展。其結(jié)果，能夠防止異常圖案膜等異常成膜的發(fā)生，能夠形成高精細(xì)的蒸鍍膜圖案。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，第二限制板在俯視時(shí)配置在第一限制板上，第二限制板不存在于第一限制板間的開(kāi)口區(qū)域正上方，因此，能夠完全不降低蒸鍍速率而僅有效地捕捉指向性變差的成分。

附圖說(shuō)明

圖1是將實(shí)施方式1的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板一起表示的截面圖。

圖2是將實(shí)施方式1的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板一起表示的立體圖。

圖3是表示實(shí)施方式1的限制板單元的主要部分的概略構(gòu)成的平面圖。

圖4的(a)、(b)是表示實(shí)施方式1的限制板單元中的第二限制板組件的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的立體圖。

圖5是示意性地表示實(shí)施方式1的蒸鍍裝置中的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。

圖6的(a)～(d)是作為比較例，分別表示相對(duì)于1塊第一限制板，僅設(shè)置有1塊比第一限制板小的第二限制板的例子的截面圖。

圖7是作為比較例，表示相對(duì)于1塊第一限制板，僅設(shè)置有1塊具有從第一限制板上到蒸鍍掩模的下端的高度的第二限制板的例子的截面圖。

圖8是表示第二限制板的優(yōu)選配置的一個(gè)例子的實(shí)施方式1的蒸鍍單元的主要部分截面圖。

圖9是將設(shè)置有圖8所示的第二限制板的情況下的蒸鍍單元和不設(shè)置第二限制板而將第一限制板在z軸方向延伸到與第二限制板相同高度的情況下的蒸鍍單元并排表示的截面圖。

圖10是將實(shí)施方式1的第二限制板的變形例1的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板一起表示的截面圖。

圖11的(a)～(e)是表示實(shí)施方式1的第二限制板的變形例2的限制板單元的主要部分中的第二限制板的圖案例的平面圖。

圖12是將實(shí)施方式1的第二限制板的變形例3的限制板單元的主要部分中的第二限制板的圖案例與射出口一起表示的平面圖。

圖13是將實(shí)施方式1的第二限制板的變形例4的限制板單元的主要部分中的第二限制板的圖案例與射出口一起表示的平面圖。

圖14是將實(shí)施方式2的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板一起表示的截面圖。

圖15是表示將圖1所示的第二限制板的x軸方向的厚度加厚的例子的蒸鍍單元的主要部分截面圖。

圖16是表示在第一限制板組件與蒸鍍掩模之間設(shè)置有第二限制板組件和第三限制板組件的蒸鍍單元的概略構(gòu)成的截面圖。

圖17是表示實(shí)施方式3的變形例2的蒸鍍單元的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的截面圖。

圖18是表示實(shí)施方式3的變形例3的蒸鍍單元的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的截面圖。

圖19的(a)、(b)是表示實(shí)施方式3的變形例3的各段的限制板的配設(shè)方法的一個(gè)例子的截面圖。

圖20是表示實(shí)施方式3的變形例4的蒸鍍單元1的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的截面圖。

圖21是將實(shí)施方式4的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板200一起表示的截面圖。

圖22的(a)、(b)是示意性地表示在蒸鍍?cè)磁c蒸鍍掩模之間，沿著與掃描方向垂直的方向設(shè)置有多個(gè)限制板的情況下，由蒸鍍密度的不同導(dǎo)致的蒸鍍流的差異的圖。

具體實(shí)施方式

以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的一個(gè)例子進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

〔實(shí)施方式1〕

根據(jù)圖1～圖13對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明如下。

＜蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成＞

圖1是將本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100(參照?qǐng)D5)的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板200一起表示的截面圖。另外，圖2是將上述蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板200一起表示的立體圖。

此外，以下，將沿著被成膜基板200的掃描方向(掃描軸)的水平方向軸作為y軸，將沿著與被成膜基板200的掃描方向垂直的方向的水平方向軸作為x軸，將作為被成膜基板200的被蒸鍍面201(被成膜面)的法線方向和與該被蒸鍍面201正交的蒸鍍軸線延伸的方向的、與x軸和y軸垂直的垂直方向軸(上下方向軸)作為z軸進(jìn)行說(shuō)明。另外，為了說(shuō)明方便起見(jiàn)，只要沒(méi)有特別說(shuō)明，將z軸方向的箭頭符號(hào)一側(cè)(圖1的紙面的上側(cè))作為“上側(cè)”進(jìn)行說(shuō)明。

如圖1和圖2所示，本實(shí)施方式的蒸鍍單元1具備蒸鍍?cè)?0、蒸鍍掩模50和設(shè)置在蒸鍍?cè)?0與蒸鍍掩模50之間的限制板單元20。

限制板單元20具備多段的限制板，利用各段的限制板，分別形成限制板組件。即，限制板單元20具備在z軸方向配置的多個(gè)限制板組件。在本實(shí)施方式中，如圖1和圖2所示，限制板單元20具備第一限制板組件30和第二限制板組件40這2個(gè)限制板組件。

蒸鍍?cè)?0、第一限制板組件30、第二限制板組件40、蒸鍍掩模50沿著z軸方向從蒸鍍?cè)?0側(cè)起依次例如彼此具有一定空隙(即，隔開(kāi)一定距離)地相對(duì)配置。

蒸鍍裝置100為使用掃描蒸鍍方式的蒸鍍裝置。因此，在蒸鍍裝置100中，在蒸鍍掩模50與被成膜基板200之間設(shè)置有一定空隙的狀態(tài)下，使被成膜基板200和蒸鍍單元1中的至少一個(gè)相對(duì)移動(dòng)(掃描)。

因此，蒸鍍?cè)?0、第一限制板組件30、第二限制板組件40和蒸鍍掩模50彼此的相對(duì)位置被固定。因此，這些蒸鍍?cè)?0、第一限制板組件30、第二限制板組件40和蒸鍍掩模50，可以如例如圖5所示的保持件(holder)60那樣，由同一保持件等未圖示的保持部件保持，也可以一體化。

(蒸鍍?cè)?0)

蒸鍍?cè)?0例如是在內(nèi)部容納蒸鍍材料的容器。蒸鍍?cè)?0可以是在容器內(nèi)部直接容納蒸鍍材料的容器，也可以形成為具有負(fù)載鎖定式的配管，從外部供給蒸鍍材料。

蒸鍍?cè)?0，如圖2所示，形成為例如矩形狀。蒸鍍?cè)?0，如圖1和圖2所示，在其上表面(即，與第一限制板組件30相對(duì)的相對(duì)面)，具有使蒸鍍顆粒401射出的多個(gè)射出口11(貫通口、噴嘴)。這些射出口11在x軸方向(第一方向、與掃描方向垂直的方向)以一定間距配置。

蒸鍍?cè)?0通過(guò)對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行加熱使其蒸發(fā)(在蒸鍍材料為液體材料的情況下)或升華(在蒸鍍材料為固體材料的情況下)來(lái)產(chǎn)生氣態(tài)的蒸鍍顆粒401。蒸鍍?cè)?0將這樣成為氣體的蒸鍍材料作為蒸鍍顆粒401從射出口11向第一限制板組件30射出。

此外，在圖1、圖2和圖5中，列舉在x軸方向設(shè)置有1個(gè)蒸鍍?cè)?0，并且在1個(gè)蒸鍍?cè)?0設(shè)置有多個(gè)射出口11的情況為例進(jìn)行了圖示。然而，x軸方向的蒸鍍?cè)?0的數(shù)量以及在1個(gè)蒸鍍?cè)?0設(shè)置的射出口11的數(shù)量沒(méi)有特別限定。例如，可以在x軸方向配置有多個(gè)蒸鍍?cè)?0。另外，在1個(gè)蒸鍍?cè)?0只要形成有至少1個(gè)射出口11即可。

另外，射出口11可以如圖2所示在x軸方向呈一維狀(即，線狀)排列，也可以呈二維狀(即，面狀(瓦片狀))排列。

(蒸鍍掩模50)

如圖1、圖2和圖5所示，蒸鍍掩模50是作為其主面(面積最大的面)的掩模面與xy平面平行的板狀物。在進(jìn)行掃描蒸鍍的情況下，作為蒸鍍掩模50，使用至少y軸方向的尺寸比被成膜基板200小的蒸鍍掩模。

在蒸鍍掩模50的主面設(shè)置有用于在蒸鍍時(shí)使蒸鍍顆粒401通過(guò)的多個(gè)掩模開(kāi)口51(開(kāi)口部、貫通口)。掩模開(kāi)口51與被成膜基板200的作為目標(biāo)的蒸鍍區(qū)域的一部分的圖案對(duì)應(yīng)地設(shè)置，使得在上述蒸鍍區(qū)域以外的區(qū)域不附著蒸鍍顆粒401。僅通過(guò)掩模開(kāi)口51的蒸鍍顆粒401到達(dá)被成膜基板200，在被成膜基板200上形成與掩模開(kāi)口51對(duì)應(yīng)的圖案的蒸鍍膜402。

此外，在上述蒸鍍材料為有機(jī)el顯示裝置中的發(fā)光層的材料的情況下，有機(jī)el蒸鍍工藝中的發(fā)光層的蒸鍍，按發(fā)光層的每種顏色進(jìn)行。

(限制板單元20)

圖3是表示限制板單元20的主要部分的概略構(gòu)成的平面圖。

如圖1～圖3和圖5所示，限制板單元20具備第一限制板組件30和第二限制板組件40。

第一限制板組件30具備第一限制板列31，該第一限制板列31包括在x軸方向(第一方向)相互隔開(kāi)并且相互平行地設(shè)置的多個(gè)第一限制板32。

另外，第二限制板組件40具備第二限制板列41，該第二限制板列41包括在第一限制板32上在x軸方向(第一方向)相互隔開(kāi)并且沿著第一限制板32相互平行地設(shè)置的多個(gè)第二限制板42。

第一限制板32和第二限制板42分別配置成：以yz平面為主面，各個(gè)主面在x軸方向相鄰，并且與以xy平面為主面的蒸鍍掩模50的主面以及被成膜基板200的被蒸鍍面201垂直。

因此，第一限制板32在俯視時(shí)(換言之，在從與蒸鍍掩模50的主面垂直的方向、即與z軸平行的方向看時(shí))分別與y軸平行地延伸設(shè)置，分別以同一間距在x軸方向相互平行地排列有多個(gè)。由此，在x軸方向上相鄰的第一限制板32間，在俯視時(shí)，分別作為開(kāi)口區(qū)域形成有限制板開(kāi)口33。

此外，在本實(shí)施方式中，第一限制板32以蒸鍍?cè)?0的射出口11分別位于各限制板開(kāi)口33的x軸方向中央的方式配置。另外，限制板開(kāi)口33的間距形成得比掩模開(kāi)口51的間距大，在從與蒸鍍掩模50的主面垂直的方向看時(shí)，在x軸方向上相鄰的第一限制板32間配置有多個(gè)掩模開(kāi)口51。

另一方面，在第一限制板32上，對(duì)每1塊第一限制板32在x軸方向設(shè)置有至少2塊第二限制板42。在圖1～圖3和圖5中，列舉在第一限制板32上沿著第一限制板32在x軸方向以2塊1組設(shè)置有第二限制板42的情況為例進(jìn)行了表示。

因此，第二限制板42在俯視時(shí)分別與y軸平行地延伸設(shè)置，以2塊1組設(shè)置的各組的第二限制板42分別以同一間距在x軸方向相互平行地排列有多個(gè)。由此，在x軸方向上相鄰的各組的第二限制板42間，分別作為開(kāi)口區(qū)域形成有限制板開(kāi)口43b。

另外，在俯視時(shí)設(shè)置在同一第一限制板32上的成對(duì)的第二限制板42相互隔開(kāi)地設(shè)置，在成對(duì)的第二限制板42間作為開(kāi)口區(qū)域形成有限制板開(kāi)口43a。

此外，在本實(shí)施方式中，第一限制板32和第二限制板42分別形成為例如長(zhǎng)方形狀。第一限制板32和第二限制板42分別以其短軸與z軸方向平行的方式垂直地配置。因此，第一限制板32和第二限制板42的長(zhǎng)軸與y軸方向(第二方向)平行地配置。

另外，在圖2中，列舉第一限制板組件30為在相鄰的第一限制板32間分別設(shè)置有限制板開(kāi)口33的塊狀的單元的情況為例進(jìn)行了表示。

圖4的(a)、(b)為表示第二限制板組件40的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的立體圖。

第二限制板組件40，可以是如圖4的(a)所示，以隔著限制板開(kāi)口43a設(shè)置的一對(duì)第二限制板42為1組，在相鄰的各組第二限制板42間分別設(shè)置有限制板開(kāi)口43b的塊狀的單元，或者也可以具有例如如圖4的(b)所示的構(gòu)成。

圖4的(b)所示的第二限制板組件40中，隔著上述的限制板開(kāi)口43a、43b排列的第二限制板42，分別利用例如焊接等方法一體地保持在由與x軸方向平行的一對(duì)第一保持部件44和與y軸方向平行的一對(duì)第二保持部件45構(gòu)成的框狀的保持體46。

此外，第一限制板組件30，與第二限制板組件40同樣，可以具有以下的構(gòu)成：隔著限制板開(kāi)口33排列的第一限制板32，分別利用例如焊接等方法一體地保持在由與x軸方向平行的一對(duì)第一保持部件和與y軸方向平行的一對(duì)第二保持部件構(gòu)成的、與保持體46同樣的框狀的保持體。

即，各限制板可以如例如圖2和圖4的(a)所示，與保持(支撐)各限制板的保持體一體地形成，也可以如圖4的(b)所示分體地形成。

只要能夠?qū)⒌谝幌拗瓢?2和第二限制板42的相對(duì)位置和姿勢(shì)維持為一定，保持這些第一限制板32和第二限制板42的方法不限于上述的方法。

限制板單元20利用這些第一限制板32和第二限制板42，將蒸鍍掩模50與蒸鍍?cè)?0之間的空間劃分成包括限制板開(kāi)口33、43b的多個(gè)蒸鍍空間，由此，限制從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的通過(guò)角度。

當(dāng)蒸鍍密度變高時(shí)，蒸鍍流的擴(kuò)展變大，因此，為了抑制蒸鍍流的擴(kuò)展，需要使蒸鍍流的擴(kuò)展立體地縮小。

從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401，通過(guò)限制板開(kāi)口33后，通過(guò)限制板開(kāi)口43b之間，通過(guò)在蒸鍍掩模50形成的掩模開(kāi)口51，被蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00上。

第一限制板組件30和第二限制板組件40，將入射到這些第一限制板組件30和第二限制板組件40的蒸鍍顆粒401，如圖1所示，根據(jù)其入射角度有選擇地截?cái)?捕捉)。即，第一限制板組件30和第二限制板組件40捕捉與第一限制板32和第二限制板42碰撞的蒸鍍顆粒401的至少一部分，由此，限制蒸鍍顆粒401向第一限制板32和第二限制板42的配設(shè)方向(即，x軸方向和傾斜方向)的移動(dòng)。

由此，第一限制板組件30和第二限制板組件40將向蒸鍍掩模50的掩模開(kāi)口51入射的蒸鍍顆粒401的入射角限制在一定范圍內(nèi)，防止來(lái)自傾斜方向的蒸鍍顆粒401附著在被成膜基板200上。

此外，第一限制板32和第二限制板42為了將傾斜的蒸鍍成分截?cái)?，不加熱或者通過(guò)沒(méi)有圖示的熱交換器來(lái)冷卻。因此，第一限制板32和第二限制板42成為比蒸鍍?cè)?0的射出口11的溫度低的溫度(更嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，比蒸鍍材料變成氣體的蒸鍍顆粒產(chǎn)生溫度低的溫度)。

因此，在第一限制板組件30，可以如在圖5中用雙點(diǎn)劃線表示的那樣，根據(jù)需要，設(shè)置有對(duì)第一限制板32進(jìn)行冷卻的具備熱交換器等的冷卻機(jī)構(gòu)38。同樣，在第二限制板組件40，可以如在圖5中用雙點(diǎn)劃線表示的那樣，根據(jù)需要，設(shè)置有對(duì)第二限制板42進(jìn)行冷卻的具備熱交換器等的冷卻機(jī)構(gòu)48。由此，與被成膜基板200的法線方向不完全平行的不需要的蒸鍍顆粒401被第一限制板32和第二限制板42冷卻而固化。由此，在第一限制板32和第二限制板42能夠容易地捕捉不需要的蒸鍍顆粒401，能夠使蒸鍍顆粒401的行進(jìn)方向接近被成膜基板200的法線方向。

此外，關(guān)于使用限制板單元20的情況下的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)(蒸鍍流)以及第二限制板42的優(yōu)選設(shè)計(jì)在后面說(shuō)明。

＜蒸鍍裝置100的概略構(gòu)成＞

接著，參照?qǐng)D5，對(duì)使用上述蒸鍍單元1的蒸鍍裝置100的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。

圖5是示意性地表示本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100的主要部分的概略構(gòu)成的截面圖。此外，圖5表示本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100的與x軸方向平行的截面。

如圖5所示，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100具備真空室101(成膜室)、基板保持件102(基板保持部件)、基板移動(dòng)裝置103、蒸鍍單元1、蒸鍍單元移動(dòng)裝置104、圖像傳感器105等對(duì)齊觀測(cè)單元和未圖示的閘門(shutter)、用于對(duì)蒸鍍裝置100進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制的未圖示的控制電路等。

其中，基板保持件102、基板移動(dòng)裝置103、蒸鍍單元1、蒸鍍單元移動(dòng)裝置104設(shè)置在真空室101內(nèi)。

此外，在真空室101中，為了在蒸鍍時(shí)將該真空室101內(nèi)保持為真空狀態(tài)，設(shè)置有通過(guò)在該真空室101設(shè)置的未圖示的排氣口對(duì)真空室101內(nèi)進(jìn)行真空排氣的未圖示的真空泵。

＜基板保持件102＞

基板保持件102為保持被成膜基板200的基板保持部件?；灞３旨?02保持由tft基板等構(gòu)成的被成膜基板200，使得其被蒸鍍面201面向蒸鍍單元1的蒸鍍掩模50。

被成膜基板200和蒸鍍掩模50隔開(kāi)一定距離相對(duì)配置，在被成膜基板200與蒸鍍掩模50之間設(shè)置有一定高度的空隙。

基板保持件102優(yōu)選使用例如靜電卡盤等。通過(guò)利用靜電卡盤等方法將被成膜基板200固定于基板保持件102，被成膜基板200以沒(méi)有由自重造成的彎曲的狀態(tài)被保持于基板保持件102。

＜基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104＞

在本實(shí)施方式中，利用基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104中的至少一個(gè)，使被成膜基板200和蒸鍍單元1以y軸方向?yàn)閽呙璺较虻姆绞较鄬?duì)移動(dòng)來(lái)進(jìn)行掃描蒸鍍。

基板移動(dòng)裝置103例如具備未圖示的電動(dòng)機(jī)，通過(guò)利用未圖示的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部來(lái)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)，使被保持于基板保持件102的被成膜基板200移動(dòng)。

另外，蒸鍍單元移動(dòng)裝置104例如具備未圖示的電動(dòng)機(jī)，通過(guò)利用未圖示的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部來(lái)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)，使蒸鍍單元1相對(duì)于被成膜基板200相對(duì)移動(dòng)。

另外，這些基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104，例如驅(qū)動(dòng)未圖示的電動(dòng)機(jī)，由此，利用在蒸鍍掩模50的非開(kāi)口區(qū)域設(shè)置的對(duì)齊標(biāo)記52和在被成膜基板200的非蒸鍍區(qū)域設(shè)置的對(duì)齊標(biāo)記202進(jìn)行位置校正，使得蒸鍍掩模50與被成膜基板200的位置錯(cuò)位被消除。

這些基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104例如可以為輥式的移動(dòng)裝置，也可以為油壓式的移動(dòng)裝置。

這些基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104例如可以具備：由步進(jìn)電動(dòng)機(jī)(脈沖電動(dòng)機(jī))等電動(dòng)機(jī)(xyθ驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī))、滾輪、和齒輪等構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)部；和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部等驅(qū)動(dòng)控制部，利用驅(qū)動(dòng)控制部來(lái)驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部，由此，使被成膜基板200或蒸鍍單元1移動(dòng)。另外，這些基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104可以具備由xyz臺(tái)等構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)部，設(shè)置成在x軸方向、y軸方向和z軸方向的任意方向都移動(dòng)自由。

但是，只要被成膜基板200和蒸鍍單元1中的至少一個(gè)設(shè)置成能夠相對(duì)移動(dòng)即可。換言之，只要設(shè)置有基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104中的至少一個(gè)即可。

在例如被成膜基板200設(shè)置成能夠移動(dòng)的情況下，蒸鍍單元1可以被固定于真空室101的內(nèi)壁。相反，在蒸鍍單元1設(shè)置成能夠移動(dòng)的情況下，基板保持件102可以被固定于真空室101的內(nèi)壁。

＜蒸鍍單元1＞

蒸鍍單元1具備蒸鍍?cè)?0、第一限制板組件30、第二限制板組件40、蒸鍍掩模50、保持件60、防附著板65和未圖示的閘門等。其中，對(duì)于蒸鍍?cè)?0、第一限制板組件30、第二限制板組件40、蒸鍍掩模50已經(jīng)進(jìn)行了說(shuō)明，因此，在此省略其說(shuō)明。

此外，在圖5中，作為一個(gè)例子，列舉以下情況為例進(jìn)行了圖示：成對(duì)的第二限制板42位于其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部附近，具體而言，成對(duì)的第二限制板42的各個(gè)第一限制板32的x軸方向端部側(cè)的邊緣與第一限制板32的x軸方向端部位于一條直線上。

(保持件60)

保持件60為保持蒸鍍?cè)?0、第一限制板組件30、第二限制板組件40和蒸鍍掩模50的保持部件。

保持件60中，例如，為了支撐第一限制板組件30和第二限制板組件40，與它們分別對(duì)應(yīng)地設(shè)置有例如一對(duì)滑動(dòng)裝置61和支撐部件62。

滑動(dòng)裝置61與保持件60的x軸方向兩端部分別相對(duì)地配設(shè)。另外，支撐部件62設(shè)置在各滑動(dòng)裝置61的相對(duì)面?zhèn)?。這些支撐部件62能夠以相互相對(duì)的狀態(tài)在z軸方向和x軸方向滑動(dòng)位移，通過(guò)與滑動(dòng)裝置61和未圖示的限制板控制裝置的協(xié)同作用，控制其動(dòng)作。

另外，在第一限制板組件30的x軸方向的兩端部，分別設(shè)置有以能夠相對(duì)于支撐部件62裝卸的方式設(shè)置的支撐部37。另外，在第二限制板組件40的x軸方向的兩端部，分別設(shè)置有以能夠相對(duì)于支撐部件62裝卸的方式設(shè)置的支撐部47。由此，第一限制板組件30和第二限制板組件40能夠相對(duì)于保持件60裝卸，從而能夠定期回收沉積在這些第一限制板組件30和第二限制板組件40上的蒸鍍材料。

此外，蒸鍍材料在加熱時(shí)會(huì)熔融或蒸發(fā)，因此，能夠通過(guò)進(jìn)行加熱處理容易地回收。蒸鍍掩模50，其開(kāi)口寬度、平面度等要求的尺寸精度高，因此，有可能導(dǎo)致變形，無(wú)法進(jìn)行加熱處理。然而，第一限制板組件30和第二限制板組件40不要求像蒸鍍掩模50那樣高度的尺寸精度，因此，能夠進(jìn)行加熱處理，能夠?qū)⒊练e的蒸鍍材料簡(jiǎn)單地回收。因此，能夠確保高的材料利用效率。

另外，優(yōu)選在蒸鍍單元1，例如在保持件60，設(shè)置有對(duì)蒸鍍掩模50施加張力的張力機(jī)構(gòu)63。由此，能夠在對(duì)蒸鍍掩模50施加有張力的狀態(tài)下水平地保持蒸鍍掩模50，能夠?qū)⒄翦冄谀?0與蒸鍍?cè)?0、第一限制板組件30和第二限制板組件40的相對(duì)位置關(guān)系固定。

＜防附著板65＞

在上述蒸鍍裝置100中，可以構(gòu)成為：從蒸鍍?cè)?0飛散的蒸鍍顆粒401被調(diào)整為向蒸鍍掩模50內(nèi)飛散，向蒸鍍掩模50外飛散的蒸鍍顆粒由防附著板65(遮蔽板)等適當(dāng)除去。

＜閘門＞

在不使蒸鍍顆粒向被成膜基板200的方向飛來(lái)時(shí)，優(yōu)選使用未圖示的閘門，控制蒸鍍顆粒401向蒸鍍掩模50的到達(dá)。

因此，例如在蒸鍍?cè)?0與第一限制板組件30之間，為了控制蒸鍍顆粒401向蒸鍍掩模50的到達(dá)，根據(jù)需要，可以根據(jù)蒸鍍off(關(guān)閉)信號(hào)或者蒸鍍on(啟動(dòng))信號(hào)能夠進(jìn)退(能夠插拔)地設(shè)置有未圖示的閘門。

通過(guò)在蒸鍍?cè)?0與第一限制板組件30之間適當(dāng)插入閘門，能夠防止在不進(jìn)行蒸鍍的非蒸鍍區(qū)域的蒸鍍。此外，閘門可以與蒸鍍?cè)?0一體地設(shè)置，也可以與蒸鍍?cè)?0分開(kāi)設(shè)置。

＜蒸鍍裝置100中的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)＞

接著，參照?qǐng)D1，對(duì)上述蒸鍍裝置100中從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)(蒸鍍流)進(jìn)行說(shuō)明。

從蒸鍍?cè)?0的射出口11出射的蒸鍍顆粒401(蒸鍍流)從射出口11各向同性地?cái)U(kuò)展。具有各向同性分布的蒸鍍流，其x軸方向兩端側(cè)被第一限制板32截?cái)?捕捉)，由此，擴(kuò)展被抑制。

擴(kuò)展被第一限制板32抑制后的蒸鍍流，由于在高速率時(shí)由高的蒸鍍密度產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射，在通過(guò)作為第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域的限制板開(kāi)口33后，再次擴(kuò)展。

然而，通過(guò)限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展的蒸鍍流，被第二限制板42截?cái)?捕捉)，由此，擴(kuò)展再次被抑制。

維持?jǐn)U展被第二限制板42抑制后的狀態(tài)的蒸鍍流，通過(guò)蒸鍍掩模50的掩模開(kāi)口51，被蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00上。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)使用使上述蒸鍍單元1和上述被成膜基板200中的一個(gè)在作為掃描軸方向的y軸方向相對(duì)移動(dòng)的移動(dòng)裝置(基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104中的至少一個(gè))使上述蒸鍍單元1和上述被成膜基板200中的一個(gè)相對(duì)移動(dòng)，在掃描軸方向(y軸方向)掃描被成膜基板200，由此，能夠形成各分涂層(例如各色的發(fā)光層)。

＜比較例＞

在此，為了與本實(shí)施方式的限制板單元20進(jìn)行比較，對(duì)相對(duì)于1塊第一限制板32僅設(shè)置有1塊比第一限制板32小的第二限制板42的情況進(jìn)行說(shuō)明。

專利文獻(xiàn)1中，作為限制板的變形例，公開(kāi)了在蒸鍍?cè)磁c蒸鍍掩模之間，具備多個(gè)第一遮斷壁的第一遮斷壁組件和具備多個(gè)第二遮斷壁的第二遮斷壁組件相互對(duì)應(yīng)地配置(例如參照專利文獻(xiàn)1的圖27)。

然而，在專利文獻(xiàn)1中，相對(duì)于一個(gè)作為第一限制板的第一遮斷壁，僅設(shè)置有1個(gè)作為第二限制板的第二遮斷壁。因此，利用專利文獻(xiàn)1中記載的方法，不能完全抑制向第一遮斷壁的兩側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流的擴(kuò)展。以下對(duì)其理由進(jìn)行說(shuō)明。

圖6的(a)～(d)是作為比較例，分別表示相對(duì)于1塊第一限制板32，僅設(shè)置有1塊比第一限制板32小的第二限制板42的例子的截面圖。另外，圖7是作為比較例，表示相對(duì)于1塊第一限制板32，僅設(shè)置有1塊具有從第一限制板32上到蒸鍍掩模50的下端的高度的第二限制板42的例子的截面圖。

在相對(duì)于1塊第一限制板32僅設(shè)置有1塊第二限制板42的情況下，在如專利文獻(xiàn)1那樣將第二限制板42在第一限制板32的中央接近第一限制板32設(shè)置的情況下，如圖6的(a)所示，不能抑制在高速率時(shí)，通過(guò)第一限制板32后的蒸鍍流的x軸方向的兩側(cè)的擴(kuò)展。

另外，在如圖6的(b)所示，將第二限制板42配置在第一限制板32的x軸方向的一個(gè)端部側(cè)的情況下，不能抑制在高速率時(shí)，第一限制板32的x軸方向的另一個(gè)端部側(cè)的蒸鍍流的擴(kuò)展。

在相對(duì)于1塊第一限制板32，僅設(shè)置有1塊第二限制板42的情況下，優(yōu)選第二限制板42，如圖6的(c)所示，設(shè)置在通過(guò)相鄰的限制板開(kāi)口33的蒸鍍流交叉的位置、即將第一限制板32的x軸方向兩端部和與由相鄰的射出口11得到的蒸鍍區(qū)域(相鄰成膜區(qū)域)對(duì)應(yīng)的蒸鍍掩模50的掩模開(kāi)口51連結(jié)的線交叉的區(qū)域。

然而，在如圖6的(d)所示，蒸鍍流進(jìn)一步擴(kuò)展的情況下，即使在66的(c)所示的位置設(shè)置第二限制板42，也不能截?cái)?捕捉)蒸鍍流。此外，圖6的(c)和圖6的(d)表示第二限制板42的位置相同但是蒸鍍速率不同的情況。

然而，當(dāng)為了截?cái)鄨D6的(d)所示的蒸鍍流，而降低第二限制板42的位置(使其接近第一限制板32)時(shí)，有可能如圖6的(a)所示不能截?cái)鄶U(kuò)展小的蒸鍍流。

因此，為了相對(duì)于1塊第一限制板32僅使用1塊第二限制板42應(yīng)對(duì)所有的蒸鍍流，不得不如圖7所示設(shè)置具有從第一限制板32到蒸鍍掩模50的下端的高度的第二限制板42。

然而，當(dāng)設(shè)置如圖7所示的體積大的第二限制板42時(shí)，蒸鍍顆粒401飛散的空間體積減少，壓力上升。其結(jié)果、蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射概率升高。

特別地，在圖7中，在z軸方向空間體積分布不變，并且，已將第二限制板42升高至蒸鍍掩模50附近，由此，蒸鍍顆粒401成為被關(guān)在由第二限制板42包圍的區(qū)域中的狀態(tài)。因此，蒸鍍顆粒401的顆粒間散射非常強(qiáng)。

因此，盡管利用第一限制板32限制蒸鍍流使蒸鍍流具有了指向性，但是通過(guò)使蒸鍍流通過(guò)第二限制板42間，蒸鍍流再次成為各向同性的分布。其結(jié)果，在本來(lái)要成膜的部位，成膜圖案擴(kuò)展，在成膜區(qū)域間引起圖案模糊，引起蒸鍍膜402的模糊寬度的增大、向相鄰像素的混色、蒸鍍顆粒401向相鄰噴嘴區(qū)域的侵入、由像素內(nèi)的膜厚不均勻?qū)е碌牟痪鶆虬l(fā)光等問(wèn)題。

因此，為了應(yīng)對(duì)所有的蒸鍍流，相對(duì)于1塊第一限制板32，在x軸方向至少需要2塊第二限制板42。

＜效果＞

根據(jù)本實(shí)施方式，如圖1～圖3和圖5所示，第一限制板32和第二限制板42在同一yz面平行地設(shè)置。第二限制板42與第一限制板32成對(duì)，相對(duì)于1塊第一限制板32，第二限制板42在x軸方向至少由2塊以上構(gòu)成而形成對(duì)。

根據(jù)本實(shí)施方式，這樣配置第一限制板32和第二限制板42，并且相對(duì)于每1塊第一限制板32，在x軸方向設(shè)置有至少2塊第二限制板42。因此，能夠完全抑制在x軸方向向兩側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流的擴(kuò)展，能夠利用第二限制板42高效率地捕捉通過(guò)第一限制板32的限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展的蒸鍍流，能夠防止異常圖案膜等異常成膜。

另外，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)第一限制板32后擴(kuò)展的蒸鍍流，被第二限制板42截?cái)?捕捉)，維持?jǐn)U展被抑制的狀態(tài)通過(guò)蒸鍍掩模50的掩模開(kāi)口51，被蒸鍍?cè)诒怀赡せ?00上。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠防止來(lái)自相鄰噴嘴的蒸鍍顆粒401混入正常圖案膜、或在正常圖案膜間形成異常圖案膜等異常成膜。

另外，第二限制板42在俯視時(shí)配置在第一限制板32上。即，第二限制板42配置在比第一限制板32窄的范圍。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，第二限制板42不存在于限制板開(kāi)口33正上方，因此，能夠有效地僅捕捉真正指向性差的成分，而完全不降低蒸鍍速率。

＜第二限制板42的優(yōu)選設(shè)計(jì)＞

接著，對(duì)第二限制板42的優(yōu)選設(shè)計(jì)進(jìn)行說(shuō)明。

(第二限制板42的x軸方向的位置)

圖8是表示第二限制板42的優(yōu)選配置的一個(gè)例子的本實(shí)施方式的蒸鍍單元1的主要部分截面圖。此外，在圖8中也與圖1同樣，將蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板200一起表示。

第一限制板32的上部開(kāi)口附近(即，限制板開(kāi)口33的上部附近)，蒸鍍密度高，蒸鍍顆粒401的顆粒間散射增大，蒸鍍流容易擴(kuò)展。

因此，為了截?cái)鄶U(kuò)展的蒸鍍流，優(yōu)選在俯視時(shí)設(shè)置在同一第一限制板32上的成對(duì)的第二限制板42盡可能隔開(kāi)地設(shè)置。例如如圖5所示，更優(yōu)選成對(duì)的第二限制板42位于其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部附近。特別地，成對(duì)的第二限制板42至少形成在與其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部的至少一部分接觸的位置，更優(yōu)選如圖8所示，成對(duì)的第二限制板42形成為與其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部共面，由此，能夠高效率地捕捉向第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠更有效地抑制蒸鍍流向第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)的擴(kuò)展。

但是，在有可能截?cái)啾緛?lái)要使用的蒸鍍流的擴(kuò)展的情況下，不需要如圖8所示使第一限制板32的x軸方向端部(第一限制板32的限制板開(kāi)口33的開(kāi)口邊緣)與第二限制板42的x軸方向端部(更具體而言，成對(duì)的第二限制板42的各個(gè)第一限制板32的x軸方向端部側(cè)的邊緣)共面、或者成對(duì)的第二限制板42至少形成在與其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部的至少一部分接觸的位置。

例如，在蒸鍍掩模50或要形成的面板(被成膜基板200)的設(shè)計(jì)上需要使用至第一限制板32的開(kāi)口邊緣的蒸鍍流的情況下，只要使第二限制板42的邊緣從第一限制板32的開(kāi)口邊緣離開(kāi)能夠利用第一限制板32的開(kāi)口邊緣的蒸鍍流的程度來(lái)形成即可。

即，第一限制板32僅決定了使用從射出口11出射的蒸鍍流的哪個(gè)區(qū)域，蒸鍍膜402的蒸鍍分布在射出口11(噴嘴)的正上方最厚，隨著向射出口11的端部(噴嘴端部)上去而變薄。

通常，掩模開(kāi)口51使用蒸鍍分布平坦的區(qū)域，噴嘴端部的膜厚薄的部位不設(shè)置掩模開(kāi)口51，由蒸鍍掩模50遮蔽。然而，通過(guò)設(shè)法使得隨著向噴嘴端部去而使掩模開(kāi)口51的y軸方向的長(zhǎng)度變長(zhǎng)等，能夠抵消噴嘴中央和噴嘴端部的膜厚分布。即，通過(guò)掩模設(shè)計(jì)，能夠有效利用至第一限制板32的開(kāi)口邊緣的蒸鍍流。

在掃描蒸鍍中，1個(gè)噴嘴負(fù)責(zé)的蒸鍍區(qū)域根據(jù)第一限制板32而可變，在僅利用蒸鍍流的均勻的窄寬度的情況下，需要使用大量的噴嘴進(jìn)行掃描。另外，根據(jù)情況的不同，無(wú)法通過(guò)一次掃描對(duì)面板(被成膜基板200)整個(gè)面進(jìn)行蒸鍍，需要移動(dòng)噴嘴再次進(jìn)行掃描。在這樣的情況下，噴嘴間的偏差和移動(dòng)噴嘴前后的偏差(例如熱歷史的偏差)被反映在蒸鍍膜上，成為蒸鍍不均勻，容易被觀察到。

然而，當(dāng)如上所述有效利用至第一限制板32的開(kāi)口邊緣的蒸鍍流，由此較寬地取得利用的蒸鍍流時(shí)，能夠利用數(shù)量少的射出口11(噴嘴)進(jìn)行蒸鍍，因此，具有能夠使蒸鍍不均勻的程度減輕的優(yōu)點(diǎn)。

(設(shè)置圖8所示的第二限制板42的情況與將第一限制板32在z軸方向延伸到與第二限制板42相同高度的情況的對(duì)比)

圖8所示的第二限制板42，在從x軸方向看時(shí)，具有將第一限制板32在z軸方向延伸而得到的部件相同的形狀。

因此，以下，對(duì)設(shè)置圖8所示的第二限制板42的情況和將第一限制板32在z軸方向延伸到與第二限制板42相同高度的情況下的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)的不同進(jìn)行說(shuō)明。

圖9是將設(shè)置有圖8所示的第二限制板42的情況下的蒸鍍單元1和不設(shè)置第二限制板42而將第一限制板32在z軸方向延伸到與第二限制板42相同高度的情況下的蒸鍍單元1并排表示的截面圖。

此外，圖9中，右側(cè)的蒸鍍單元1(右圖)為設(shè)置有圖8所示的第二限制板42的情況，左側(cè)的蒸鍍單元1(左圖)為將第一限制板32在z軸方向延伸到與第二限制板42相同高度的情況。另外，圖9中，虛線框區(qū)域a表示設(shè)置有第二限制板42的區(qū)域，并且表示將第一限制板32在z軸方向延伸的區(qū)域，虛線框區(qū)域b表示與虛線框區(qū)域b相鄰的沒(méi)有設(shè)置第一限制板32或第二限制板42的區(qū)域。

就圖9所示的虛線框區(qū)域a中左圖的在z軸方向延伸的第一限制板32或者右圖的第二限制板42所占的比例而言，可知前者(左圖)多。由此可知，就虛線框區(qū)域a與虛線框區(qū)域b的邊界處的壓力差而言，將第一限制板32在z軸方向延伸的左圖比設(shè)置有第二限制板42的右圖更大。

因此，在蒸鍍顆粒401從虛線框區(qū)域a侵入到虛線框區(qū)域b的情況下，由于上述的壓力差的不同，左圖所示的蒸鍍單元1中，蒸鍍顆粒401在虛線框區(qū)域b擴(kuò)展，成膜圖案擴(kuò)展，而在右圖所示的蒸鍍單元1中，能夠抑制蒸鍍流的擴(kuò)展，能夠防止異常成膜。

(第一限制板32與第二限制板42之間的z軸方向的距離)

當(dāng)?shù)谝幌拗瓢?2與第二限制板42之間存在間隙時(shí)，雖然也根據(jù)間隙的大小而不同，但是通過(guò)限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展的蒸鍍流經(jīng)有可能通過(guò)第一限制板32與第二限制板42之間的間隙而泄露，泄露的蒸鍍流有可能侵入到相鄰噴嘴區(qū)域。

因此，第一限制板32和第二限制板42優(yōu)選盡可能接近地設(shè)置，最優(yōu)選相互接觸(密合)地設(shè)置。

(第一限制板32和第二限制板42的高度)

第一限制板32和第二限制板42的高度，只要根據(jù)射出口11與蒸鍍掩模50之間的距離適當(dāng)設(shè)定即可，沒(méi)有特別限定。

但是，特別是當(dāng)?shù)诙拗瓢?2的高度過(guò)高時(shí)，如圖7所示，蒸鍍流被關(guān)起來(lái)散射變強(qiáng)，因此不優(yōu)選。相反，當(dāng)?shù)诙拗瓢?2的高度過(guò)低時(shí)，截?cái)鄶U(kuò)展的蒸鍍流的能力有可能不充分。

蒸鍍流容易根據(jù)蒸鍍材料和蒸鍍速率而變化。因此，優(yōu)選的高度不能一概地確定，但是優(yōu)選根據(jù)這些條件設(shè)定為適當(dāng)?shù)母叨?，使得捕捉效率變高?/p>

此外，第二限制板42與蒸鍍掩模50之間的距離也沒(méi)有特別規(guī)定，但是，當(dāng)?shù)诙拗瓢?2與蒸鍍掩模50密合或者距離過(guò)窄時(shí)，在第二限制板42不具備冷卻機(jī)構(gòu)的情況下，熱在第二限制板42中傳導(dǎo)而傳導(dǎo)至蒸鍍掩模50，蒸鍍掩模50有可能由于熱而彎曲。另外，即使第二限制板42具備冷卻機(jī)構(gòu)，蒸鍍掩模50也有可能由于來(lái)自蒸鍍?cè)?0的輻射熱而彎曲，在該情況下，有可能與第二限制板42接觸而破損。

因此，第二限制板42與蒸鍍掩模50優(yōu)選適度地隔開(kāi)，優(yōu)選以第二限制板42與蒸鍍掩模50隔開(kāi)的方式，確定第一限制板32和第二限制板42的高度以及配置。

另外，優(yōu)選第二限制板42在第一限制板32與蒸鍍掩模50之間的空間所占的體積少，使得通過(guò)限制板開(kāi)口33的蒸鍍流的蒸鍍分布不會(huì)因急劇的壓力變化而變化。因此，優(yōu)選也考慮這一點(diǎn)來(lái)確定第一限制板32和第二限制板42的高度。

＜第二限制板42的變形例1＞

圖10是將本變形例的蒸鍍單元的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板一起表示的截面圖。

在本變形例中，如圖10所示，以設(shè)置在第一限制板32上的成對(duì)的第二限制板42間的開(kāi)口寬度越向上方越變小的方式將第二限制板42分別傾斜地設(shè)置。換言之，以設(shè)置在第一限制板32上的成對(duì)的第二限制板42成為中央開(kāi)口的倒v字狀(即“八”字狀)的方式配置第二限制板42。

此外，在本變形例中，基于上述的理由，也優(yōu)選第二限制板42與第一限制板32接觸地設(shè)置。另外，優(yōu)選以成對(duì)的第二限制板42的各個(gè)第一限制板32的x軸方向端部側(cè)的邊緣位于第一限制板32的x軸方向端部(第一限制板32的限制板開(kāi)口33的開(kāi)口邊緣)的方式設(shè)置第二限制板42。

根據(jù)本變形例，如圖10所示，能夠在z軸方向改變空間體積。具體而言，越向作為蒸鍍掩模50側(cè)的上方去，第一限制板32間的限制板開(kāi)口33上的空間體積(具體而言，第二限制板42間的限制板開(kāi)口43b的空間體積)越擴(kuò)展。

根據(jù)本變形例，不需要如圖7所示將第二限制板42的高度提高到蒸鍍掩模50附近，另外，因?yàn)槭沟迷较蛏戏饺ィ谝幌拗瓢?2間的限制板開(kāi)口33上的空間體積越擴(kuò)展，所以能夠抑制蒸鍍顆粒401的散射。因此，能夠消除在圖7中看到的問(wèn)題，能夠更有效地捕捉通過(guò)第一限制板32間的限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展的蒸鍍流。

＜第二限制板42的變形例2＞

圖11的(a)～(e)是表示本變形例的限制板單元20的主要部分中的第二限制板42的圖案例的平面圖。

在圖3中，列舉第二限制板42在俯視時(shí)設(shè)置在第一限制板32上、具有與第一限制板32的y軸方向的長(zhǎng)度相同的長(zhǎng)度、且在y軸方向連續(xù)設(shè)置的情況為例進(jìn)行了表示。

然而，如圖11的(a)～(e)所示，第二限制板42也可以比第一限制板32的y軸方向的長(zhǎng)度短，在俯視時(shí)在第一限制板32上，多個(gè)第二限制板42在y軸方向斷續(xù)地(不連續(xù)地)設(shè)置。

另外，在該情況下，如圖11的(b)～(e)所示，不需要在y軸方向的特定的位置(特定的y坐標(biāo))使x軸方向的各位置的第二限制板42(例如在x軸方向上相鄰的第二限制板42)的不連續(xù)部位(在y軸方向上相鄰的第二限制板42彼此的相對(duì)端部間的區(qū)域)對(duì)齊，也不需要使不連續(xù)部位的長(zhǎng)度一致。

另外，在該情況下，如圖11的(c)～(e)所示，也不需要使x軸方向的各位置的第二限制板42的不連續(xù)部位的個(gè)數(shù)一致。另外，不僅不需要在x軸方向上相鄰的成對(duì)的第二限制板42的配設(shè)圖案相同，而且，如圖11的(c)～(d)所示，也不需要各組的第二限制板42的配設(shè)圖案相同。

通過(guò)如圖11的(a)～(e)所示，使第二限制板42不連續(xù)，能夠進(jìn)行更精細(xì)的調(diào)整，進(jìn)而第二限制板42的更換作業(yè)也變得容易。

但是，在該情況下，優(yōu)選：如圖11的(d)～(e)所示，在成對(duì)的第二限制板42的形成區(qū)域內(nèi)(即，俯視時(shí)的各第一限制板32上的區(qū)域)，在y軸方向的任何位置(坐標(biāo))，從與x軸方向平行的方向看，至少存在1個(gè)第二限制板42(即，從與x軸方向平行的方向看，沒(méi)有不存在第二限制板42的y坐標(biāo)位置)，使得蒸鍍顆粒401不會(huì)通過(guò)不連續(xù)部位而到達(dá)相鄰成膜區(qū)域(相鄰的掩模開(kāi)口區(qū)域)。

此外，在該情況下，只要配置第二限制板42使得在成對(duì)的第二限制板42的形成區(qū)域內(nèi)，在y軸方向的任何位置，從與x軸方向平行的方向看，至少存在1個(gè)第二限制板42即可，因此，在該區(qū)域內(nèi)不需要使第二限制板42的y軸方向的延伸距離一致。另外，也不需要使第一限制板32和第二限制板42的y軸方向的長(zhǎng)度一致。

另外，在圖11的(a)～(e)中，列舉在x軸方向上相鄰的成對(duì)的第二限制板42分別設(shè)置在從其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部離開(kāi)的位置的情況為例進(jìn)行了圖示。然而，在該情況下，也優(yōu)選在x軸方向上相鄰的成對(duì)的第二限制板42的至少一部分(例如，至少在俯視時(shí)與射出口11相鄰的第二限制板42)形成在與其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部的至少一部分接觸的位置。

＜第二限制板42的變形例3＞

圖12是將本變形例的限制板單元20的主要部分中的第二限制板42的圖案例與射出口11一起表示的平面圖。

如上所述，蒸鍍膜402的蒸鍍分布在射出口11(噴嘴)的正上方最厚，隨著向射出口11的端部(噴嘴端部)上去而變薄。因此，射出口11的附近上方，蒸鍍密度高，蒸鍍顆粒401的碰撞、散射多。

因此，第二限制板42的y軸方向的長(zhǎng)度和配設(shè)位置，優(yōu)選考慮蒸鍍材料和蒸鍍密度(蒸鍍速率)來(lái)確定。

因此，在第二限制板42的y軸方向的長(zhǎng)度比第一限制板32的y軸方向的長(zhǎng)度短的情況下，優(yōu)選第二限制板42在俯視時(shí)與射出口11相鄰地設(shè)置。另外，在該情況下，第二限制板42并不一定需要沿著第一限制板32在y軸方向斷續(xù)地形成，也可以如圖12所示，僅設(shè)置在俯視時(shí)與射出口11相鄰的位置。

即，射出口11的附近上方，蒸鍍密度高，蒸鍍顆粒401的碰撞、散射多，因此，蒸鍍流的指向性容易變差。因此，優(yōu)選在射出口11的附近上方設(shè)置有第二限制板42。然而，當(dāng)遠(yuǎn)離射出口11時(shí)，蒸鍍密度變低，碰撞、散射少，因此，蒸鍍流的指向性難以變差。因此，在俯視時(shí)遠(yuǎn)離射出口11的位置，可以不設(shè)置第二限制板42。

因此，通過(guò)采用圖12所示的結(jié)構(gòu)，能夠僅在需要的部位設(shè)置第二限制板42，因此，能夠制成廉價(jià)的結(jié)構(gòu)。

此外，在圖12中，列舉成對(duì)的第二限制板42設(shè)置在遠(yuǎn)離其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部的位置的情況為例進(jìn)行了圖示。然而，在該情況下，也優(yōu)選成對(duì)的第二限制板42形成在與其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部(即，x軸方向的兩端部的一部分)接觸的位置(更具體而言，形成為與上述x軸方向的兩端部的一部分共面)。

＜第二限制板42的變形例4＞

圖13是將本變形例的限制板單元20的主要部分中的第二限制板42的圖案例與射出口11一起表示的平面圖。

在本實(shí)施方式特別是圖3、圖11的(a)～(e)和圖12中，列舉第二限制板42為長(zhǎng)方體的情況為例進(jìn)行了圖示，但是第二限制板42的形狀也可以不是長(zhǎng)方體。

例如，考慮俯視時(shí)射出口11的附近和其以外的區(qū)域的蒸鍍密度的不同，在俯視時(shí)第二限制板42的y軸方向的端部可以具有逐漸變細(xì)的形狀。

優(yōu)選第二限制板42所占的體積少，使得通過(guò)第一限制板32間的限制板開(kāi)口33的蒸鍍流的分布不會(huì)因急劇的壓力變化而變化。因此，通過(guò)采用圖13所示的形狀，能夠抑制通過(guò)限制板開(kāi)口33的蒸鍍流的分布(蒸鍍膜402的蒸鍍分布)的變化，因此，能夠進(jìn)行精度更高的控制。

此外，在圖13中，也與圖12同樣，列舉成對(duì)的第二限制板42設(shè)置在遠(yuǎn)離其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部的位置的情況為例進(jìn)行了圖示，但是，在該情況下，也優(yōu)選成對(duì)的第二限制板42形成在與其正下方的第一限制板32的x軸方向的兩端部(即，x軸方向的兩端部的一部分)接觸的位置。

＜第二限制板42的變形例5＞

此外，在本實(shí)施方式中，列舉第二限制板42具有均勻的高度的情況為例進(jìn)行了圖示，但是第二限制板42的高度并不一定需要是均勻的。

各射出口11(噴嘴)各自具有個(gè)體差異，因此，來(lái)自各射出口11的蒸鍍分布也會(huì)產(chǎn)生差異。因此，為了降低各射出口11的個(gè)體差異，可以對(duì)第二限制板42的高度(z軸方向的長(zhǎng)度)進(jìn)行微調(diào)整。

〔實(shí)施方式2〕

根據(jù)圖14和圖15對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明如下。

此外，在本實(shí)施方式中，主要對(duì)與實(shí)施方式1的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于與實(shí)施方式1中使用的構(gòu)成要素具有相同功能的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。

在由蒸鍍顆粒401的碰撞、散射引起的蒸鍍流的擴(kuò)展比較小的情況下，通過(guò)相對(duì)于1塊第一限制板32在x軸方向設(shè)置2塊第二限制板42，能夠充分抑制異常成膜。

然而，在蒸鍍流的擴(kuò)展非常大的情況下，也存在以下的情況：相對(duì)于1塊第一限制板32在x軸方向僅設(shè)置有2塊第二限制板42時(shí)，根據(jù)其大小和配置，有可能無(wú)法捕捉比第二限制板42的配置位置寬的蒸鍍流，或者當(dāng)為了捕捉比第二限制板42的配置位置寬的蒸鍍流，而使第二限制板42的配置位置更靠?jī)?nèi)側(cè)時(shí)，有可能無(wú)法捕捉比第二限制板42的配置位置靠外側(cè)的蒸鍍流，等等，引起異常成膜的蒸鍍顆粒401的捕捉效果難以說(shuō)充分。

因此，作為蒸鍍流的擴(kuò)展非常大的情況的對(duì)策的一個(gè)例子，在第一限制板32與第二限制板42沒(méi)有密合的情況下，為了截?cái)?捕捉)穿過(guò)第一限制板32與第二限制板42的間隙而擴(kuò)展的蒸鍍流，也可以考慮例如如圖15所示，使第二限制板42的x軸方向的長(zhǎng)度變長(zhǎng)(換言之，使第二限制板42的寬度變寬)。

如圖15所示，通過(guò)使第二限制板42的寬度(x軸方向的厚度)變厚，能夠抑制通過(guò)第一限制板32間的限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展的蒸鍍流。

然而，在該情況下，與第二限制板42的寬度變厚的量相應(yīng)地，第二限制板42變重，而得不到對(duì)齊精度。另外，因?yàn)榈诙拗瓢?2的占有體積增加，所以使通過(guò)第二限制板42后的蒸鍍流產(chǎn)生急劇的壓力變化。因此，第二限制板42的x軸方向的寬度本身優(yōu)選相對(duì)于第一限制板32的x軸方向的寬度相對(duì)薄。

另外，例如，即使在第二限制板42的x軸方向的寬度比較薄的情況下，在能夠在第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)設(shè)置z軸方向的長(zhǎng)度比較長(zhǎng)的第二限制板42的情況下，也能夠通過(guò)相對(duì)于1塊第一限制板32，在x軸方向設(shè)置2塊第二限制板42，來(lái)充分抑制異常成膜。

然而，也有不能充分確保設(shè)置第二限制板42的空間的高度(即，第一限制板32與蒸鍍掩模50之間的距離)，僅使用與蒸鍍流的擴(kuò)展的大小相比z軸方向的長(zhǎng)度短的第二限制板42的情況。在該情況下，即使在第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)設(shè)置有第二限制板42，當(dāng)?shù)谝幌拗瓢?2與第二限制板42之間有間隙時(shí)，蒸鍍流也有可能從第一限制板32與第二限制板42之間的間隙，通過(guò)上述x軸方向兩端側(cè)的第二限制板42間的間隙，泄露(侵入)到相鄰成膜區(qū)域。

另外，當(dāng)為了捕捉蒸鍍流而增大第二限制板42的z軸方向的長(zhǎng)度時(shí)，蒸鍍顆粒401飛散的空間體積減少，壓力上升。因此，即使在能夠充分確保設(shè)置第二限制板42的空間的高度的情況下，根據(jù)蒸鍍流的擴(kuò)展的大小的不同，也有難以設(shè)置能夠充分應(yīng)對(duì)蒸鍍流的擴(kuò)展的大小的長(zhǎng)度的第二限制板42的情況。

圖14是將本實(shí)施方式的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板200一起表示的截面圖。

此外，圖14所示的蒸鍍單元1，在第一限制板32與第二限制板42沒(méi)有密合的情況下，相對(duì)于1塊第一限制板32，設(shè)置有3塊z軸方向的長(zhǎng)度比實(shí)施方式1短的第二限制板42，除此以外與實(shí)施方式1所示的蒸鍍單元1相同。

如在圖14中用粗虛線表示的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，不能由在第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)設(shè)置的第二限制板42捕捉的蒸鍍流，由在第一限制板32的x軸方向中央設(shè)置的第二限制板42捕捉。因此，即使在第二限制板42使用與蒸鍍流的擴(kuò)展相比z軸方向的長(zhǎng)度短的限制板的情況下，也能夠充分抑制異常成膜。

這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)相對(duì)于1塊第一限制板32設(shè)置3塊第二限制板42，特別是如圖14所示，在第一限制板32與第二限制板42沒(méi)有密合的情況下，相對(duì)于1塊第一限制板32設(shè)置3塊第二限制板42，也能夠捕捉擴(kuò)展非常大的蒸鍍流(穿過(guò)第一限制板32與第二限制板42的間隙擴(kuò)展的蒸鍍流)，而不會(huì)降低對(duì)齊精度，而且，蒸鍍流通過(guò)第一限制板32后不會(huì)產(chǎn)生急劇的壓力變化。

此外，圖14中，列舉相對(duì)于每一塊第一限制板32設(shè)置有3塊第二限制板42的情況為例進(jìn)行了圖示，但是本實(shí)施方式并不限定于此。也可以根據(jù)蒸鍍流的擴(kuò)展，相對(duì)于每一塊第一限制板32設(shè)置3塊以上的第二限制板42。但是，當(dāng)使每一塊第一限制板32的第二限制板42的塊數(shù)過(guò)多時(shí)，用于得到高精細(xì)的圖案的位置對(duì)準(zhǔn)變得復(fù)雜，第二限制板42的占有體積也增大，因此，不怎么優(yōu)選。

另外，在圖14中，列舉第一限制板32與第二限制板42沒(méi)有密合的情況為例進(jìn)行了圖示，但是本實(shí)施方式并不限定于此，第一限制板32與第二限制板42也可以密合。

例如，通過(guò)在設(shè)置在第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)的第二限制板42間，設(shè)置與在該x軸方向兩端側(cè)設(shè)置的第二限制板42相比向z軸方向突出的第二限制板42(例如與上述x軸方向兩端側(cè)的第二限制板42相比z軸方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)的第二限制板42)，不論第一限制板32與第二限制板42是否密合，都能夠利用在設(shè)置在上述x軸方向兩端側(cè)的第二限制板42間設(shè)置的第二限制板42，來(lái)捕捉不能由在上述x軸方向兩端側(cè)設(shè)置的第二限制板42完全捕捉的蒸鍍流。

此外，在該情況下，在設(shè)置在上述x軸方向兩端側(cè)的第二限制板42間設(shè)置的第二限制板42的塊數(shù)也沒(méi)有特別限定。在設(shè)置在上述x軸方向兩端側(cè)的第二限制板42間，例如可以在第一限制板32的x軸方向中央僅設(shè)置有1塊第二限制板42，也可以相互隔開(kāi)地設(shè)置有2塊以上的第二限制板42。

此外，在該情況下，在設(shè)置在上述x軸方向兩端側(cè)的第二限制板42間設(shè)置的第二限制板42的高度，例如，只要根據(jù)使用的蒸鍍材料和蒸鍍速率等，在由蒸鍍顆粒401飛散的空間體積的減少造成的壓力的上升不會(huì)變得過(guò)大的范圍內(nèi)適當(dāng)設(shè)定，使得捕捉效率提高即可，沒(méi)有特別限定。

此外，關(guān)于第二限制板42的變形例，能夠反映實(shí)施方式1中表示的思想這是不言而喻的。

〔實(shí)施方式3〕

根據(jù)圖16～圖20對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明如下。

此外，在本實(shí)施方式中，主要對(duì)與實(shí)施方式1、2的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于與實(shí)施方式1、2中使用的構(gòu)成要素具有相同功能的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。

在實(shí)施方式2中，列舉如下的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明：通過(guò)增加在俯視時(shí)位于同一第一限制板32上的、同一yz平面中的第二限制板42的塊數(shù)(每一塊第一限制板的第二限制板42的塊數(shù))，在蒸鍍流的擴(kuò)展大的情況下，截?cái)?捕捉)通過(guò)第一限制板32間的限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展的蒸鍍顆粒401。

然而，當(dāng)增加每一塊第一限制板32的第二限制板42的塊數(shù)時(shí)，第二限制板42組在同一yz平面所占的占有體積變大，第二限制板42整體的塊數(shù)也增加。因此，每一塊第一限制板32的第二限制板42的塊數(shù)越增加，越容易產(chǎn)生急劇的壓力變化和用于得到對(duì)齊精度的位置對(duì)準(zhǔn)的復(fù)雜化。

因此，在本實(shí)施方式中，列舉在第一限制板組件30與蒸鍍掩模50之間設(shè)置包括第二限制板42的多段的限制板的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。

圖16是表示在第一限制板組件30與蒸鍍掩模50之間設(shè)置有第二限制板組件40和第三限制板組件70的蒸鍍單元1的概略構(gòu)成的截面圖。

第三限制板組件70，如圖16所示，具備在第一限制板32上、在x軸方向相互隔開(kāi)并且沿著第一限制板32相互平行地設(shè)置的由多個(gè)第三限制板72構(gòu)成的第三限制板列71。

第三限制板72與第二限制板42同樣，配置成：以yz平面為主面，各個(gè)主面在x軸方向相鄰，并且與以xy平面為主面的蒸鍍掩模50的主面以及被成膜基板200的被蒸鍍面201垂直。

此外，在圖16中，列舉以下的情況為例進(jìn)行了表示：第三限制板72與第二限制板42同樣，在第一限制板32上沿著第一限制板32在x軸方向以2塊1組設(shè)置。

因此，第三限制板72在俯視時(shí)分別與y軸平行地延伸設(shè)置，在x軸方向以2塊1組設(shè)置的各組的第三限制板72分別以相同間距在x軸方向相互平行地排列有多個(gè)。由此，在x軸方向上相鄰的各組的第三限制板72間，分別作為開(kāi)口區(qū)域形成有限制板開(kāi)口73b。

另外，在俯視時(shí)在同一第一限制板32上設(shè)置的成對(duì)的第三限制板72相互隔開(kāi)地設(shè)置，在成對(duì)的第三限制板72間，作為開(kāi)口區(qū)域，形成有限制板開(kāi)口73a。

此外，在本實(shí)施方式中，第三限制板72分別形成為例如長(zhǎng)方形狀。第三限制板72分別以其短軸與z軸方向平行的方式垂直地配置。因此，第三限制板72的長(zhǎng)軸與y軸方向平行地配置。

第三限制板組件70，可以是與圖4的(a)所示的第二限制板組件40同樣，以隔著限制板開(kāi)口73a設(shè)置的一對(duì)第三限制板72為1組，在相鄰的各組第三限制板72間分別設(shè)置有限制板開(kāi)口73b的塊狀的單元。或者，第三限制板組件70，也可以與例如圖4的(b)所示的第二限制板組件40同樣，具有以下的構(gòu)成：隔著上述的限制板開(kāi)口73a、73b排列的第三限制板72，分別利用例如焊接等方法一體地保持在由與x軸方向平行的一對(duì)第一保持部件和與y軸方向平行的一對(duì)第二保持部件構(gòu)成的、與保持體46同樣的框狀的保持體。

在本變形例中，只要能夠?qū)⒌谌拗瓢?2的相對(duì)位置和姿勢(shì)維持為一定，保持第三限制板72的方法并不限于上述方法。

第三限制板組件70利用第三限制板72，將第二限制板組件40與蒸鍍掩模50之間的空間劃分成包括限制板開(kāi)口73b的多個(gè)蒸鍍空間，由此，限制通過(guò)第二限制板42間的限制板開(kāi)口43b的蒸鍍顆粒401的通過(guò)角度。

在本實(shí)施方式中，如圖16所示，將第一限制板組件30、第二限制板組件40、第三限制板組件70從蒸鍍?cè)?0側(cè)起依次相互隔開(kāi)地設(shè)置，并且相對(duì)于每一塊第一限制板32，在x軸方向分別使用2塊第二限制板42和第三限制板72。

為了捕捉通過(guò)第一限制板32間的限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展非常大的蒸鍍流(例如在將第二限制板42配置在第一限制板32的x軸方向端部側(cè)的情況下，比第二限制板42的配置更寬的蒸鍍流)，將第二限制板42分別靠近第一限制板32的x軸方向中央配置。

另外，將第三限制板72配置在比第二限制板42更靠第一限制板32的x軸方向端部側(cè)的位置，使得第三限制板72位于由于將第二限制板42分別靠近第一限制板32的x軸方向中央配置而通過(guò)比第二限制板42的設(shè)置位置更靠外側(cè)的位置的蒸鍍流(例如，在比第二限制板42靠上方(蒸鍍掩模50側(cè))的位置交叉的蒸鍍流)的路徑(即，蒸鍍顆粒401的飛散路徑)上。

由此，在本實(shí)施方式中，下段的第二限制板列41(第二限制板42組)捕捉擴(kuò)展相對(duì)大的蒸鍍流，上段的第三限制板列71(第三限制板72組)捕捉擴(kuò)展相對(duì)小的蒸鍍流。

根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)這樣根據(jù)蒸鍍流的擴(kuò)展的程度利用各段的限制板使蒸鍍顆粒401的捕捉范圍不同進(jìn)行功能分離，能夠不增加同一yz平面的限制板的塊數(shù)而捕捉擴(kuò)展后的蒸鍍流。另外，能夠抑制由在同一yz平面中所占的第二限制板42的塊數(shù)的增加導(dǎo)致的第二限制板42的占有體積的增加。

因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠?qū)λ械恼翦兞鞯臄U(kuò)展，高精度地配置第二限制板42，能夠抑制通過(guò)限制板開(kāi)口33后的壓力變化，能夠有效地防止異常成膜。

＜變形例1＞

此外，在本實(shí)施方式中，列舉各段的限制板作為分別的限制板組件設(shè)置的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以形成為第二限制板組件40具備多段的限制板的結(jié)構(gòu)。即，例如，下段的第二限制板42和上段的第三限制板72可以由1個(gè)保持體保持，也可以第二限制板組件40具備第二限制板42和第三限制板72。

＜變形例2＞

另外，設(shè)置在第一限制板32上的各段的限制板，相對(duì)于每一塊第一限制板32，在x軸方向的塊數(shù)并不限定于2塊，可以為1塊，也可以為3塊以上。

另外，相對(duì)于每一塊第一限制板32的每一塊限制板的各段的限制板的塊數(shù)，可以相同也可以不同。

圖17是表示本變形例的蒸鍍單元1的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的截面圖。

在圖17中，列舉相對(duì)于1塊第一限制板32，在x軸方向設(shè)置有2塊第二限制板42、設(shè)置有1塊第三限制板72的情況為例進(jìn)行了圖示。

此外，圖17中，為了捕捉通過(guò)第一限制板32間的限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展非常大的蒸鍍流(例如在將第二限制板42配置在第一限制板32的x軸方向端部側(cè)的情況下，比第二限制板42的配置更寬的蒸鍍流)，也將第二限制板42分別靠近第一限制板32的x軸方向中央配置。

此時(shí)，以第三限制板72位于通過(guò)比第二限制板42的設(shè)置位置更靠外側(cè)的位置的蒸鍍流的路徑上的方式，在圖16中，在與在比第二限制板42靠上方(蒸鍍掩模50側(cè))的位置交叉的蒸鍍流的交叉部相比更靠上方的位置，在x軸方向設(shè)置有2塊第三限制板72，但是，在如圖17那樣，在1塊第一限制板32上僅設(shè)置1塊第三限制板72的情況下，第三限制板72優(yōu)選如圖17所示，配置在上述交叉部。

由此，能夠利用1塊第三限制板72有效地捕捉通過(guò)比第二限制板42的設(shè)置位置更靠外側(cè)的位置的蒸鍍流。

此外，在本變形例中，在第一限制板32上，相對(duì)于每1塊第一限制板僅設(shè)置有1塊第三限制板72，因此，在x軸方向上相鄰的第三限制板72間，分別作為開(kāi)口區(qū)域設(shè)置有限制板開(kāi)口73。

第三限制板組件70利用第三限制板72，將第二限制板組件40與蒸鍍掩模50之間的空間劃分成包括限制板開(kāi)口73的多個(gè)蒸鍍空間，由此，限制通過(guò)第二限制板42間的限制板開(kāi)口43b的蒸鍍顆粒401的通過(guò)角度。

＜變形例3＞

另外，在圖16和圖17中，列舉在第一限制板組件30與蒸鍍掩模50之間設(shè)置有2段限制板的情況為例進(jìn)行了圖示，但是第一限制板組件30與蒸鍍掩模50之間的限制板也可以由3段以上構(gòu)成。換言之，在第一限制板組件30與蒸鍍掩模50之間可以設(shè)置有3個(gè)以上的限制板組件。

通過(guò)蒸鍍單元1在z軸方向具備多段的限制板組件，并且各限制板組件具備多個(gè)限制板，能夠應(yīng)對(duì)所有的基板尺寸、圖案尺寸、材料等。

例如，當(dāng)蒸鍍速率與圖16和圖17所示相比進(jìn)一步變高時(shí)，通過(guò)第一限制板32間的限制板開(kāi)口33的蒸鍍流，在通過(guò)第二限制板42間的限制板開(kāi)口43b的瞬間也有進(jìn)一步擴(kuò)展的可能性。

因此，根據(jù)蒸鍍速率的不同，為了捕捉通過(guò)限制板開(kāi)口43b后擴(kuò)展的蒸鍍流，可以在z軸方向進(jìn)一步設(shè)置限制板。

圖18是表示本變形例的蒸鍍單元1的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的截面圖。另外，圖19的(a)、(b)是表示本變形例的各段的限制板的配設(shè)方法的一個(gè)例子的截面圖。

在圖18中，在第三限制板組件70與蒸鍍掩模50之間設(shè)置有第四限制板組件80。

此外，第四限制板組件80的概略構(gòu)成，除了設(shè)置在第三限制板組件70與蒸鍍掩模50之間這一點(diǎn)以外，與第三限制板組件70相同。因此，第四限制板組件80，如圖18所示，具備設(shè)置在第一限制板32上、在x軸方向相互隔開(kāi)并且沿著第一限制板32相互平行地設(shè)置的由多個(gè)第四限制板82構(gòu)成的第四限制板列81。

第四限制板82與第三限制板72同樣，配置成：以yz平面為主面，各個(gè)主面在x軸方向相鄰，并且與以xy平面為主面的蒸鍍掩模50的主面以及被成膜基板200的被蒸鍍面201垂直。

此外，在圖18中，列舉第四限制板82與第三限制板72同樣，在第一限制板32上沿著第一限制板32在x軸方向以2塊1組設(shè)置的情況為例進(jìn)行了表示。

因此，第四限制板82在俯視時(shí)分別與y軸平行地延伸設(shè)置，在x軸方向以2塊1組設(shè)置的各組的第四限制板82，分別以相同間距在x軸方向相互平行地排列有多個(gè)。由此，在x軸方向上相鄰的各組的第四限制板82間，分別作為開(kāi)口區(qū)域形成有限制板開(kāi)口83b。

另外，在俯視時(shí)設(shè)置在同一第一限制板32上的成對(duì)的第四限制板82相互隔開(kāi)地設(shè)置，在成對(duì)的第四限制板82間，作為開(kāi)口區(qū)域形成有限制板開(kāi)口83a。

此外，在本變形例中，第四限制板82分別形成為例如長(zhǎng)方形狀。第四限制板82分別以其短軸與z軸方向平行的方式垂直地配置。因此，第四限制板82的長(zhǎng)軸與y軸方向平行地配置。

第四限制板82能夠通過(guò)與第三限制板72的保持方法同樣的方法保持。但是，與第三限制板72同樣，第四限制板82也是只要能夠?qū)⒌谒南拗瓢?2的相對(duì)位置和姿勢(shì)維持為一定，其保持方法并沒(méi)有特別限定。

第四限制板組件80利用第四限制板82，將第三限制板組件70與蒸鍍掩模50之間的空間劃分成包括限制板開(kāi)口83b的多個(gè)蒸鍍空間，由此，限制通過(guò)第三限制板72間的限制板開(kāi)口73b的蒸鍍顆粒401的通過(guò)角度。

此外，在圖18中，相對(duì)于每一塊第一限制板32，在x軸方向分別各使用2塊第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82。

在如圖18所示在z軸方向排列設(shè)置多段限制板的情況下，優(yōu)選如實(shí)施方式1所示，第一限制板32的限制板開(kāi)口33的開(kāi)口邊緣與成對(duì)的第二限制板42的各個(gè)第一限制板32的x軸方向端部側(cè)的邊緣至少一部分接觸，例如優(yōu)選共面地設(shè)置。

另外，在如圖18所示在z軸方向排列設(shè)置多段限制板的情況下，優(yōu)選在俯視時(shí)在第一限制板32上形成的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)配置成：相互至少一部分接觸，并且，在相鄰的第一限制板32上分別形成的在同一平面內(nèi)相互相對(duì)的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)間的距離，越向蒸鍍掩模50側(cè)越大。

例如，如圖18、圖19的(a)、(b)所示，優(yōu)選以在俯視時(shí)在第一限制板32上形成的限制板(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)間的開(kāi)口寬度越向上方越小的方式(即，以成為中央開(kāi)口的逆v字狀(即，“八”字狀)的方式)配置各段的限制板。

當(dāng)在z軸方向配置的各段的限制板間有間隙的情況下，存在蒸鍍流從該間隙泄露的可能性。

然而，通過(guò)形成為上述的結(jié)構(gòu)，蒸鍍流不會(huì)從在第一限制板32上形成的限制板間(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)的間隙泄露。另外，越向作為蒸鍍顆粒401飛散方向的蒸鍍掩模50側(cè)，第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)上的空間體積越大，因此，能夠抑制蒸鍍顆粒401的散射。因此，能夠更有效地捕捉通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展的蒸鍍流。

另外，在該情況下，在第一限制板32上設(shè)置的各限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)，優(yōu)選如圖19的(a)所示，具有上段限制板的第一限制板32的x軸方向端部側(cè)的端面與和該限制板接觸的下段限制板的第一限制板32的x軸方向中央部側(cè)的端面的至少一部分接觸(例如與該端面共面)地形成的結(jié)構(gòu)，更優(yōu)選如圖19的(b)所示，在第一限制板32上設(shè)置的相鄰段的限制板彼此、即相互接觸的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)彼此一部分重疊。

由此，能夠更可靠地防止蒸鍍流從相鄰段的限制板間的間隙泄露。因此，能夠更有效地捕捉通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展的蒸鍍流。

另外，在如圖19的(a)所示使相互接觸的限制板彼此僅在各自的邊緣接觸的情況下，需要將各段的限制板分別精密地對(duì)齊。與此相對(duì)，通過(guò)如圖19的(b)所示使相互接觸的限制板彼此部分重疊，還有對(duì)齊變得容易的優(yōu)點(diǎn)。

此外，在本變形例中，作為以在俯視時(shí)在第一限制板32上形成的限制板(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)間的開(kāi)口寬度越向上方越小的方式配置各段的限制板的例子，列舉在第一限制板32上設(shè)置有第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是在第一限制板32上僅設(shè)置有第二限制板42和第三限制板72的情況下也能夠得到同樣的效果，這是不言而喻的。

在如圖10所示在第一限制板32上設(shè)置的成對(duì)的第二限制板42以成為中央開(kāi)口的逆v字狀的方式配置第二限制板42的情況下，與本變形例相比具有容易設(shè)置限制板的優(yōu)點(diǎn)。然而，圖10中，限制板單元20在第一限制板上僅具備第二限制板42，因此，在為了防止由蒸鍍顆粒401附著在第二限制板42上造成的污染而更換時(shí)，需要將第二限制板42整個(gè)更換。另一方面，通過(guò)像本變形例那樣設(shè)置多段的限制板，僅將由蒸鍍顆粒401的附著造成的污染嚴(yán)重的限制板更換即可，維護(hù)性好。

＜變形例4＞

如圖18和圖19的(a)、(b)所示，在第二限制板42的最下部(下表面)與第一限制板32的最上部(上表面)接觸(密合)的情況下，雖然需要蒸鍍速率越高越增加z軸方向的限制板的段數(shù)，但是，在任何情況下，在俯視時(shí)配置在第一限制板上的各段的限制板以2塊為1組即可，另外，這是最有效的設(shè)置方式。

然而，在由于某種原因，第二限制板42的最下部與第一限制板的最上部無(wú)法密合的情況下，根據(jù)蒸鍍速率的不同，僅將在俯視時(shí)配置在第一限制板32上的各段的限制板以2塊1組配置，也有無(wú)法捕捉通過(guò)限制板開(kāi)口33后擴(kuò)展的蒸鍍流的可能性。在該情況下，優(yōu)選如實(shí)施方式2那樣，例如以3塊以上為1組構(gòu)成各段的限制板。

但是，在該情況下，限制板間的間隙的數(shù)量增加。因此，在本變形例中，也優(yōu)選以各段的限制板間沒(méi)有間隙的方式設(shè)置。

圖20是表示本變形例的蒸鍍單元1的概略構(gòu)成的一個(gè)例子的截面圖。

在本變形例中，如圖20所示，在俯視時(shí)在第一限制板32上形成的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)也配置成：相互至少一部分接觸，并且，在相鄰的第一限制板32上分別形成的在同一平面內(nèi)相互相對(duì)的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)間的距離，越向蒸鍍掩模50側(cè)越大。

因此，在本變形例中，蒸鍍流也不會(huì)從在第一限制板32上形成的限制板間(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)的間隙泄露。另外，越向作為蒸鍍顆粒401的飛散方向的蒸鍍掩模50側(cè)，第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)上的空間體積越大，因此，能夠抑制蒸鍍顆粒401的散射。因此，能夠更有效地捕捉通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展的蒸鍍流。

＜其他變形例＞

此外，在變形例3和變形例4中，列舉第四限制板組件80具備第四限制板82的情況為例進(jìn)行了圖示，但是與第三限制板72同樣，第四限制板82也可以與第二限制板42和第三限制板72中的至少一個(gè)由同一保持體保持。例如，第二限制板組件40可以具備第二限制板42、第三限制板72和第四限制板82。

另外，關(guān)于第三限制板72的變形例，能夠反映與在實(shí)施方式1、2中表示的第二限制板42同樣的思想，這是不言而喻的。另外，關(guān)于第四限制板82的變形例，能夠反映與第三限制板72同樣的思想，這也是不言而喻的。

〔實(shí)施方式4〕

根據(jù)圖21對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明如下。

此外，在本實(shí)施方式中，主要對(duì)與實(shí)施方式1、2的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于與實(shí)施方式1中使用的構(gòu)成要素具有相同功能的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的編號(hào)，省略其說(shuō)明。

圖21是將本實(shí)施方式的蒸鍍單元1的主要部分的概略構(gòu)成與被成膜基板200一起表示的截面圖。

本實(shí)施方式中，如圖21所示，在第一限制板32的上表面，沿著第一限制板32，在x軸方向設(shè)置有2個(gè)在z軸方向延伸的突起部32a，代替在第一限制板32上設(shè)置第二限制板42，除了這一點(diǎn)以外，與實(shí)施方式1相同。

如在實(shí)施方式1中說(shuō)明的那樣，第一限制板32和第二限制板42最優(yōu)選例如如圖8所示，相互接觸(密合)地設(shè)置。

將圖8和圖21對(duì)比可知，通過(guò)形成為圖21所示的結(jié)構(gòu)，能夠得到與圖8同樣的效果。

即，根據(jù)本實(shí)施方式，從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)(蒸鍍流)被第一限制板32抑制擴(kuò)展。由此，指向性差的蒸鍍顆粒401被截?cái)?捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸鍍流在蒸鍍密度高的情況下(即，高速率時(shí))，由于因其高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射，在通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)時(shí)，再次要擴(kuò)展，但是，通過(guò)由上述突起部32a捕捉，擴(kuò)展被抑制，維持?jǐn)U展被抑制的狀態(tài)通過(guò)蒸鍍掩模50。此時(shí)，在第一限制板32的上表面，沿著第一限制板32，在上述第一方向設(shè)置有2個(gè)突起部32a，由此，能夠有效地捕捉向第一限制板32的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠有效地抑制蒸鍍流向上述方向的擴(kuò)展。其結(jié)果，能夠防止異常圖案膜等異常成膜的發(fā)生，能夠形成高精細(xì)的蒸鍍膜圖案。

另外，突起部32a形成在第一限制板32的上表面，因此，與在限制板開(kāi)口33正上方設(shè)置限制板的情況不同，能夠完全不降低蒸鍍速率而有效地僅捕捉真正指向性差的成分。

此外，在限制板單元20在第一限制板32上僅具備第二限制板42的情況下，在為了防止由蒸鍍顆粒401附著在第二限制板42上造成的污染而更換時(shí)，僅更換由蒸鍍顆粒401的附著造成的污染嚴(yán)重的限制板即可，具有維護(hù)性好的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠省去在第一限制板32上配置第二限制板42時(shí)的對(duì)齊的工夫，具有限制板的設(shè)置容易的優(yōu)點(diǎn)。

此外，在第一限制板32設(shè)置突起部32a的方法沒(méi)有特別限定，能夠使用模具成形和注射成形等公知的方法。

此外，在如圖21所示，在第一限制板32的上表面設(shè)置突起部32a，代替在第一限制板32上設(shè)置第二限制板42的情況下，也與在第一限制板32上設(shè)置第二限制板42的情況同樣，優(yōu)選與第二限制板42對(duì)應(yīng)的突起部32a，與第一限制板32的x軸方向的兩端部(即，第一限制板32的突起部32a以外的x軸方向的兩端部)的至少一部分接觸(例如與上述兩端部共面)地形成。

由此，能夠高效率地捕捉向第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠更有效地抑制蒸鍍流向第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)的擴(kuò)展。

此外，在本實(shí)施方式中，突起部32a的變形例也能夠反映實(shí)施方式1、2中表示的關(guān)于第二限制板42的思想，這是不言而喻的。例如，對(duì)于突起部32a，也能夠進(jìn)行與圖11的(a)～(e)所示的第二限制板42同樣的變形。即，第二限制板42能夠替換表示為突起部32a。

另外，在圖21中，列舉在第一限制板32的上表面設(shè)置有2個(gè)突起部32a的情況為例進(jìn)行了圖示，但是也可以相對(duì)于1塊第一限制板32設(shè)置有3個(gè)以上突起部32a。

在第一限制板32的上表面設(shè)置突起部32a的情況下，也如在實(shí)施方式2中說(shuō)明的那樣，例如，通過(guò)在設(shè)置在第一限制板32的x軸方向兩端側(cè)的突起部32a間，設(shè)置比在該x軸方向兩端側(cè)設(shè)置的突起部32a向z軸方向突出的突起部32a(即，在該情況下，與上述x軸方向兩端側(cè)的突起部32a相比z軸方向的長(zhǎng)度長(zhǎng)的突起部32a)，能夠利用在設(shè)置在該x軸方向兩端側(cè)的突起部32a間設(shè)置的突起部32a，捕捉不能由在上述x軸方向兩端側(cè)設(shè)置的突起部32a完全捕捉的蒸鍍流。

此外，在該情況下，在設(shè)置在上述x軸方向兩端側(cè)的突起部32a間設(shè)置的突起部32a的數(shù)量也沒(méi)有特別限定。在設(shè)置在上述x軸方向兩端側(cè)的突起部32a間，例如可以在第一限制板32的x軸方向中央僅設(shè)置有1個(gè)突起部32a，也可以相互隔開(kāi)地設(shè)置有2個(gè)以上的突起部32a。

此外，在該情況下，在設(shè)置在上述x軸方向兩端側(cè)的突起部32a間設(shè)置的突起部32a的高度，例如，只要根據(jù)使用的蒸鍍材料和蒸鍍速率等，在由蒸鍍顆粒401飛散的空間體積的減少造成的壓力的上升不會(huì)變得過(guò)大的范圍內(nèi)適當(dāng)設(shè)定，使得捕捉效率提高即可，沒(méi)有特別限定。

此外，這些變形例是一個(gè)例子，并不限定于這些。

〔總結(jié)〕

本發(fā)明的方式1的蒸鍍單元1具備：蒸鍍掩模50；向上述蒸鍍掩模50射出蒸鍍顆粒401的蒸鍍?cè)?0；和設(shè)置在上述蒸鍍掩模50與蒸鍍?cè)?0之間，限制從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的通過(guò)角度的限制板單元20，上述限制板單元20具備多段的限制板(例如第一限制板32、第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)，該多段的限制板至少具備：在第一方向(x軸方向)相互隔開(kāi)地設(shè)置的多個(gè)第一限制板32；和在俯視時(shí)設(shè)置在上述第一限制板32上、在上述第一方向相互隔開(kāi)并且沿著上述第一限制板設(shè)置的多個(gè)第二限制板42，在上述第一方向，相對(duì)于每1塊上述第一限制板(第一限制板32)設(shè)置有至少2塊上述第二限制板42。

根據(jù)上述構(gòu)成，從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)(蒸鍍流)被第一限制板32抑制擴(kuò)展。由此，指向性差的蒸鍍顆粒401被截?cái)?捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸鍍流在蒸鍍密度高的情況下(即，高速率時(shí))，由于因其高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射，在通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后，再次要擴(kuò)展，但是通過(guò)由至少包括第二限制板42的后段的限制板(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)捕捉，擴(kuò)展被抑制，維持?jǐn)U展被抑制的狀態(tài)通過(guò)蒸鍍掩模50。此時(shí)，在第一方向，相對(duì)于每1塊第一限制板(第一限制板32)，至少設(shè)置有2塊第二限制板42，由此，能夠有效地捕捉向第一限制板32的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠有效地抑制蒸鍍流向上述方向的擴(kuò)展。其結(jié)果，能夠防止異常圖案膜等異常成膜的發(fā)生，能夠形成高精細(xì)的蒸鍍膜圖案。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，第二限制板42在俯視時(shí)配置在第一限制板32上，第二限制板42不存在于第一限制板間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)正上方，因此，能夠完全不降低蒸鍍速率而有效地僅捕捉真正指向性差的成分。

本發(fā)明的方式2的蒸鍍單元1，在上述方式1中優(yōu)選：上述第二限制板42的與上述第一方向垂直的第二方向(y軸方向)的長(zhǎng)度比該第二方向的上述第一限制板32的長(zhǎng)度短，上述第二限制板42在俯視時(shí)設(shè)置在上述第一限制板32上且在與上述第一方向垂直的第二方向斷續(xù)地設(shè)置有多個(gè)。

根據(jù)上述構(gòu)成，第二限制板42設(shè)置在第一限制板32上且在與上述第一方向垂直的第二方向斷續(xù)地設(shè)置有多個(gè)，由此，能夠更精細(xì)地調(diào)整第二限制板42的配置，并且第二限制板42的更換作業(yè)變得容易。

本發(fā)明的方式3的蒸鍍單元1，在上述方式1中優(yōu)選：在從與上述蒸鍍掩模50的主面垂直的方向看時(shí)，在上述第一限制板32間分別設(shè)置有上述蒸鍍?cè)?0的蒸鍍顆粒401的射出口11，上述第二限制板42的與上述第一方向垂直的第二方向的長(zhǎng)度比該第二方向的上述第一限制板32的長(zhǎng)度短，在從與上述蒸鍍掩模50的主面垂直的方向看時(shí)，上述第二限制板42與上述射出口11相鄰地設(shè)置。

上述射出口11附近上方，蒸鍍密度高，因高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射多，因此，優(yōu)選設(shè)置有第二限制板42。另一方面，當(dāng)遠(yuǎn)離上述射出口11時(shí)，蒸鍍密度變低，蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射少，因此，可以不設(shè)置第二限制板42。

通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，能夠僅在需要的部位設(shè)置第二限制板42，因此，能夠制成廉價(jià)的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的方式4的蒸鍍單元1，在上述方式3中優(yōu)選：在從與上述蒸鍍掩模50的主面垂直的方向看時(shí)，上述第二限制板42的上述第二方向的端部具有逐漸變細(xì)的形狀。

優(yōu)選第二限制板42所占的體積少，使得通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)的蒸鍍流的分布不會(huì)因急劇的壓力變化而變化。當(dāng)采用上述結(jié)構(gòu)時(shí)，能夠抑制通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域的蒸鍍流的分布的變化，因此，能夠進(jìn)行更高精度的控制。

本發(fā)明的方式5的蒸鍍單元1，在上述方式1～4中的任一個(gè)方式中優(yōu)選上述第二限制板42至少形成在與上述第一限制板32的上述第一方向的兩端部的至少一部分接觸的位置。例如，上述蒸鍍單元1優(yōu)選：上述第二限制板42與上述第一限制板32接觸地設(shè)置，并且至少形成在與上述第一限制板32的上述第一方向的兩端部共面的位置。

第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)的上部附近，蒸鍍密度高，蒸鍍顆粒401間的散射增大，蒸鍍流容易擴(kuò)展。因此，通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，能夠高效率地捕捉向第一限制板32的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流，能夠更有效地抑制蒸鍍流向上述第一方向兩端側(cè)的擴(kuò)展。

本發(fā)明的方式6的蒸鍍單元1，在上述方式1～5中的任一個(gè)方式中優(yōu)選：在上述第一方向，相對(duì)于每1塊上述第一限制板(第一限制板32)設(shè)置有3塊上述第二限制板42。

通過(guò)在上述第一方向相對(duì)于每1塊第一限制板(第一限制板32)設(shè)置3塊第二限制板42，根據(jù)第二限制板42的位置，也能夠捕捉通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展的蒸鍍流、或者通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展非常大的蒸鍍流，而不會(huì)降低尺寸精度，而且，不會(huì)產(chǎn)生急劇的壓力變化。

本發(fā)明的方式7的蒸鍍單元1，在上述方式1～6中的任一個(gè)方式中優(yōu)選至少具備在俯視時(shí)設(shè)置在上述第一限制板32上的比上述第二限制板42靠上方的位置、在上述第一方向相互隔開(kāi)并且沿著上述第一限制板32設(shè)置的多個(gè)第三限制板72。

根據(jù)上述構(gòu)成，在比第二限制板42靠上方的位置至少設(shè)置第三限制板72，由此，能夠抑制第一方向(x軸方向)的相對(duì)于第一限制板32的第二限制板42的塊數(shù)的增加，并且捕捉通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展的蒸鍍流。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，能夠在第一限制板32上，對(duì)于所有蒸鍍流的擴(kuò)展，高精度地設(shè)置限制板(第二限制板42和第三限制板72)，能夠抑制通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域后的壓力變化，有效地防止異常成膜。

本發(fā)明的方式8的蒸鍍單元1，在上述方式1中優(yōu)選至少具備在俯視時(shí)設(shè)置在上述第一限制板32上的比上述第二限制板42靠上方的位置、在上述第一方向相互隔開(kāi)并且沿著上述第一限制板32設(shè)置的多個(gè)第三限制板72，并且在俯視時(shí)在上述第一限制板32上形成的包括上述第二限制板42和第三限制板72的多段的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)配置成：至少一部分接觸，并且，在相鄰的第一限制板32上分別形成的在同一平面內(nèi)相互相對(duì)的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)間的距離，越向上述蒸鍍掩模50側(cè)越大。

根據(jù)上述構(gòu)成，蒸鍍流不會(huì)從在第一限制板32上形成的限制板間(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)的間隙泄露。另外，因?yàn)樵较蜃鳛檎翦冾w粒401的飛散方向的蒸鍍掩模50側(cè)，第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)上的空間體積越大，所以能夠抑制蒸鍍顆粒401的散射。因此，能夠更有效地捕捉通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展的蒸鍍流。

本發(fā)明的方式9的蒸鍍單元1，在上述方式8中優(yōu)選在俯視時(shí)在上述第一限制板32上形成的包括上述第二限制板42和第三限制板72的多段的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)中，相鄰段的限制板彼此一部分重疊。

根據(jù)上述構(gòu)成，能夠更可靠地防止蒸鍍流從相鄰段的限制板間的間隙泄露。另外，因?yàn)樵较蜃鳛檎翦冾w粒401的飛散方向的蒸鍍掩模50側(cè)，第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)上的空間體積越大，所以能夠抑制蒸鍍顆粒401的散射。因此，能夠更有效地捕捉通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展的蒸鍍流。

本發(fā)明的方式10的蒸鍍單元1，在上述方式1中優(yōu)選：在上述第一方向，相對(duì)于每1塊上述第一限制板設(shè)置有2塊上述第二限制板42，并且設(shè)置在上述第一限制板32上的成對(duì)的第二限制板42以該成對(duì)的第二限制板42間的開(kāi)口寬度越向上方越小的方式傾斜地設(shè)置。

根據(jù)上述構(gòu)成，因?yàn)樵较蜃鳛檎翦冾w粒401的飛散方向的蒸鍍掩模50側(cè)，第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)上的空間體積越大(換言之，在相鄰的第一限制板上分別形成的在同一平面內(nèi)相互相對(duì)的第二限制板42間的距離(限制板開(kāi)口43b的上述第一方向的長(zhǎng)度)越向蒸鍍掩模50側(cè)越大)，所以能夠抑制蒸鍍顆粒401的散射，能夠更有效地捕捉通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后擴(kuò)展的蒸鍍流。

本發(fā)明的方式11的蒸鍍單元1具備：蒸鍍掩模50；向上述蒸鍍掩模50射出蒸鍍顆粒401的蒸鍍?cè)?0；和設(shè)置在上述蒸鍍掩模50與蒸鍍?cè)?0之間，限制從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的通過(guò)角度的限制板單元20，上述限制板單元20具備在第一方向(x軸方向)相互隔開(kāi)地設(shè)置的多個(gè)第一限制板32，在上述第一限制板32的上表面，沿著上述第一限制板32，在上述第一方向設(shè)置有至少2個(gè)突起部32a。

根據(jù)上述構(gòu)成，從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)(蒸鍍流)被第一限制板32抑制擴(kuò)展。由此，指向性差的蒸鍍顆粒401被截?cái)?捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸鍍流在蒸鍍密度高的情況(即，高速率時(shí))下，由于因其高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射，在通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)時(shí)，再次要擴(kuò)展，但是通過(guò)由上述突起部32a捕捉，擴(kuò)展被抑制，維持?jǐn)U展被抑制的狀態(tài)通過(guò)蒸鍍掩模50。此時(shí)，在第一限制板32的上表面，沿著第一限制板32，在上述第一方向設(shè)置有至少2個(gè)突起部32a，由此，能夠有效地捕捉向第一限制板32的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠有效地抑制蒸鍍流向上述方向的擴(kuò)展。其結(jié)果，能夠防止異常圖案膜等異常成膜的發(fā)生，能夠形成高精細(xì)的蒸鍍膜圖案。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，突起部32a形成在第一限制板32的上表面，因此，與在第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)正上方設(shè)置限制板的情況不同，能夠完全不降低蒸鍍速率而有效地僅捕捉真正指向性差的成分。

本發(fā)明的方式12的蒸鍍單元1，在上述方式11中優(yōu)選：在從與上述蒸鍍掩模50的主面垂直的方向看時(shí)，在上述第一限制板32間分別設(shè)置有上述蒸鍍?cè)?0的蒸鍍顆粒401的射出口11，與上述第一方向垂直的第二方向(y軸方向)的上述突起部32a的長(zhǎng)度比該第二方向的上述第一限制板32的長(zhǎng)度短，在從與上述蒸鍍掩模50的主面垂直的方向看時(shí)，上述突起部32a與上述射出口11相鄰地設(shè)置。

上述射出口11附近上方，蒸鍍密度高，因高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射多。另一方面，當(dāng)遠(yuǎn)離上述射出口11時(shí)，蒸鍍密度變低，蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射少。

因此，優(yōu)選突起部32a與上述射出口11相鄰地設(shè)置。通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，能夠僅在需要的部位設(shè)置突起部32a，因此，能夠制成廉價(jià)的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的方式13的蒸鍍單元1，在上述方式11或12中，上述突起部32a至少形成在與上述第一限制板32的上述第一方向的兩端部共面的位置。

第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)的上部附近，蒸鍍密度高，蒸鍍顆粒401間的散射增大，蒸鍍流容易擴(kuò)展。因此，通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，能夠高效率地捕捉向第一限制板32的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流，能夠更有效地抑制蒸鍍流向上述第一方向兩端側(cè)的擴(kuò)展。

本發(fā)明的方式14的蒸鍍裝置100具備：上述方式1～13中的任一方式的蒸鍍單元1；和在上述蒸鍍單元1的蒸鍍掩模50與被成膜基板200相對(duì)配置的狀態(tài)下，使上述蒸鍍單元1和上述被成膜基板200中的一個(gè)在與上述第一方向垂直的第二方向相對(duì)移動(dòng)的移動(dòng)裝置(基板移動(dòng)裝置103和蒸鍍單元移動(dòng)裝置104中的至少一個(gè))，上述蒸鍍掩模50的上述第二方向的寬度比上述第二方向的被成膜基板200的寬度小，在沿著上述第二方向掃描的同時(shí)，使從上述蒸鍍?cè)?0出射的蒸鍍顆粒401通過(guò)上述限制板單元20和上述蒸鍍掩模50的開(kāi)口部(限制板開(kāi)口33、34b、82b、92b)蒸鍍?cè)谏鲜霰怀赡せ?00上。

根據(jù)上述構(gòu)成，從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)(蒸鍍流)被第一限制板32抑制擴(kuò)展。由此，指向性差的蒸鍍顆粒401被截?cái)?捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸鍍流在蒸鍍密度高的情況下(即，高速率時(shí))，由于因其高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射，在通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后，再次要擴(kuò)展，但是通過(guò)由至少包括第二限制板42的后段的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)或者上述突起部32a捕捉，擴(kuò)展被抑制，維持?jǐn)U展被抑制的狀態(tài)通過(guò)蒸鍍掩模50。此時(shí)，在第一方向，相對(duì)于每1塊第一限制板至少設(shè)置有2塊第二限制板42，由此，能夠有效地捕捉向第一限制板32的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠有效地抑制蒸鍍流向上述方向的擴(kuò)展。

因此，根據(jù)上述構(gòu)成，在進(jìn)行使用掃描方式的掃描蒸鍍時(shí)，能夠防止異常圖案膜等異常成膜的發(fā)生，能夠形成高精細(xì)的蒸鍍膜圖案，其中，在掃描蒸鍍中，在使被成膜基板200與蒸鍍單元1相對(duì)移動(dòng)而掃描的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。

本發(fā)明的方式15的限制板單元20是設(shè)置在蒸鍍掩模50與蒸鍍?cè)?0之間，限制從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的通過(guò)角度的限制板單元，該限制板單元具備多段的限制板(第一限制板32、第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)，該多段的限制板至少具備：在第一方向(x軸方向)相互隔開(kāi)地設(shè)置的多個(gè)第一限制板32；和在俯視時(shí)設(shè)置在上述第一限制板32上、在上述第一方向相互隔開(kāi)并且沿著上述第一限制板設(shè)置的多個(gè)第二限制板42，在上述第一方向，相對(duì)于每1塊上述第一限制板設(shè)置有至少2塊上述第二限制板42。

根據(jù)上述構(gòu)成，從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)(蒸鍍流)被第一限制板32抑制擴(kuò)展。由此，指向性差的蒸鍍顆粒401被截?cái)?捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸鍍流在蒸鍍密度高的情況下(即，高速率時(shí))，由于因其高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射，在通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)后，再次要擴(kuò)展，但是通過(guò)由至少包括第二限制板42的后段的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)捕捉，擴(kuò)展被抑制，維持?jǐn)U展被抑制的狀態(tài)通過(guò)蒸鍍掩模50。此時(shí)，在第一方向相對(duì)于每1塊第一限制板設(shè)置有至少2塊第二限制板42，由此，能夠有效地捕捉向第一限制板32的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠有效地抑制蒸鍍流向上述方向的擴(kuò)展。其結(jié)果，能夠防止異常圖案膜等異常成膜的發(fā)生，能夠形成高精細(xì)的蒸鍍膜圖案。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，第二限制板42在俯視時(shí)配置在第一限制板32上，第二限制板42不存在于第一限制板間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)正上方，因此，能夠完全不降低蒸鍍速率而有效地僅捕捉真正指向性差的成分。

本發(fā)明的方式16的限制板單元20是設(shè)置在蒸鍍掩模50與蒸鍍?cè)?0之間，限制從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的通過(guò)角度的限制板單元，該限制板單元具備在第一方向(x軸方向)相互隔開(kāi)地設(shè)置的多個(gè)第一限制板32，在上述第一限制板32的上表面，沿著上述第一限制板32，在上述第一方向設(shè)置有至少2個(gè)突起部32a。

根據(jù)上述構(gòu)成，從蒸鍍?cè)?0射出的蒸鍍顆粒401的流動(dòng)(蒸鍍流)被第一限制板32抑制擴(kuò)展。由此，指向性差的蒸鍍顆粒401被截?cái)?捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸鍍流在蒸鍍密度高的情況下(即，高速率時(shí))，由于因其高蒸鍍密度而產(chǎn)生的蒸鍍顆粒401間的碰撞、散射，在通過(guò)第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)時(shí)，再次要擴(kuò)展，但是通過(guò)由上述突起部32a捕捉，擴(kuò)展被抑制，維持?jǐn)U展被抑制的狀態(tài)通過(guò)蒸鍍掩模50。此時(shí)，在第一限制板32的上表面，沿著第一限制板32，在上述第一方向設(shè)置有至少2個(gè)突起部32a，由此，能夠有效地捕捉向第一限制板32的第一方向兩端側(cè)擴(kuò)展的蒸鍍流。因此，能夠有效地抑制蒸鍍流向上述方向的擴(kuò)展。其結(jié)果，能夠防止異常圖案膜等異常成膜的發(fā)生，能夠形成高精細(xì)的蒸鍍膜圖案。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，因?yàn)橥黄鸩?2a形成在第一限制板32的上表面，所以與在第一限制板32間的開(kāi)口區(qū)域(限制板開(kāi)口33)正上方設(shè)置限制板的情況不同，能夠完全不降低蒸鍍速率而有效地僅捕捉真正指向性差的成分。

此外，在上述的各實(shí)施方式和實(shí)施方案中，相鄰成膜區(qū)域不僅包括某個(gè)噴嘴301a(關(guān)注噴嘴301a)與作為成膜對(duì)象的成膜區(qū)域(目標(biāo)成膜區(qū)域)直接相鄰的成膜區(qū)域(由與某個(gè)噴嘴301a相鄰的噴嘴301a進(jìn)行成膜的被成膜基板200上的相鄰成膜區(qū)域)，還包括偏離目標(biāo)成膜區(qū)域的其他成膜區(qū)域。即，在蒸鍍顆粒401的散射非常強(qiáng)的情況下，也有從關(guān)注噴嘴301a出射的蒸鍍顆粒401侵入相鄰的成膜區(qū)域以后的成膜區(qū)域(例如目標(biāo)成膜區(qū)域的相鄰的成膜區(qū)域的相鄰的成膜區(qū)域)的情況。然而，即使在這樣蒸鍍顆粒401的散射非常強(qiáng)的情況下，本發(fā)明也有效。

本發(fā)明并不限定于上述的各實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求表示的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更，將在不同實(shí)施方式中分別公開(kāi)的技術(shù)手段適當(dāng)組合而得到的實(shí)施方式也包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。此外，通過(guò)將在各實(shí)施方式中分別公開(kāi)的技術(shù)手段組合，能夠形成新的技術(shù)特征。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明能夠適合用于在使用掃描方式的掃描蒸鍍中使用的蒸鍍單元和限制板單元、以及使用這樣的蒸鍍單元形成規(guī)定的圖案的蒸鍍裝置，其中，在掃描蒸鍍中，在使被成膜基板與蒸鍍單元相對(duì)移動(dòng)而掃描的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍。特別地，本發(fā)明的蒸鍍單元和蒸鍍裝置以及限制板單元，例如能夠適合用于有機(jī)el顯示裝置的有機(jī)層的分涂形成等成膜工藝所使用的有機(jī)el顯示裝置的制造裝置以及制造方法等。

符號(hào)說(shuō)明

1蒸鍍單元

10蒸鍍?cè)?/p>

11射出口

20限制板單元

30第一限制板組件

31第一限制板列

32第二限制板

32a突起部

33限制板開(kāi)口

37支撐部

38冷卻機(jī)構(gòu)

40第二限制板組件

41第二限制板列

42第二限制板

43a、43b限制板開(kāi)口

44第一保持部件

45第二保持部件

46保持體

47支撐部

48冷卻機(jī)構(gòu)

50蒸鍍掩模

51掩模開(kāi)口

52對(duì)齊標(biāo)記

60保持件

61滑動(dòng)裝置

62支撐部件

63張力機(jī)構(gòu)

65防附著板

70第三限制板組件

71第三限制板列

72第三限制板

73、73a、73b限制板開(kāi)口

80第四限制板組件

81第四限制板列

82第四限制板

83a、83b限制板開(kāi)口

100蒸鍍裝置

101真空室

102基板保持件

103基板移動(dòng)裝置

104蒸鍍單元移動(dòng)裝置

105圖像傳感器

200被成膜基板

201被蒸鍍面

202對(duì)齊標(biāo)記

401蒸鍍顆粒

402蒸鍍膜

a虛線框區(qū)域

b虛線框區(qū)域。