一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO2?Ag?SiO2復(fù)合膜及其制備方法與流程

本發(fā)明涉及太陽能熱發(fā)電反射鏡用材料生產(chǎn)制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著世界范圍內(nèi)能源的短缺和環(huán)境問題的加劇，以太陽能為主的可再生能源的研究、開發(fā)、利用日益得到重視。太陽能發(fā)電主要分為光伏發(fā)電和光熱發(fā)電。光伏發(fā)電在過去的幾十年里已得到快速發(fā)展。近幾年，光熱發(fā)電以其效益好，清潔無污染、運(yùn)行穩(wěn)定、便于并入電網(wǎng)等諸多優(yōu)點，受到關(guān)注。據(jù)專家預(yù)測，不久的將來光熱發(fā)電容量將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過光伏，并有可能取代常規(guī)能源而廣泛的被人類所利用。太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)使用大型太陽能反射鏡收集太陽能以用來發(fā)電，這些系統(tǒng)在經(jīng)濟(jì)上是否可行主要取決于能否研發(fā)出耐久性好、反射率高且生產(chǎn)成本低的反射鏡系統(tǒng)。光熱發(fā)電站多建在光照充足、太陽輻射強(qiáng)的地區(qū)，如我國西部廣袤的戈壁和大漠上，但是這些地區(qū)環(huán)境比較惡劣，因此太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)中反射鏡的壽命將決定發(fā)電站的成本。故而反射率高、附著性好、使用壽命長的反射鏡是目前研究的重點。

由于銀在紅外區(qū)域有較高的反射率，所以它有很大的潛力可以作為高性能反射鏡膜層材料，然而，銀膜在被用作反射材料時有一個很大的問題需要考慮，即耐久性不能保證，因為銀膜機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性都不好，很容易被氧化或者硫化，失去光澤，這就會導(dǎo)致反射率的降低，故在銀膜上鍍一層保護(hù)膜是必不可少的。此外，由于Ag與玻璃基底的附著力比較差，而且在一些特殊的氣氛中易被腐蝕而脫落，從而影響了其使用性能，因此，在實際應(yīng)用中，還需要在兩者之間鍍一層介質(zhì)層，以提高反射層與基底的附著力。可是如果保護(hù)膜厚度不能得到有效控制，也會影響反射率的提高。

為了得到高反射率、附著性好、使用壽命長的反射鏡用反射材料，研究者們開展了一系列的研究。趙永贊等人研究了在太陽能聚光器薄膜的制備過程中附著力大小的問題，在蒸鍍鋁膜前先在基底表面上蒸鍍一層薄的鉻膜，由于鉻會從氧化物基片中奪取氧并且形成氧化物，有較強(qiáng)的化學(xué)鍵力，所以極大地提升了聚光器膜層的附著性。Tetsuya Goto采用濺射法分別在環(huán)烯烴聚合物和二氧化硅上制備銀膜，采用Si₃N₄膜作保護(hù)層，得到了反射率高而且耐久性好的反射膜。Kennedy等采用氧化鋁作保護(hù)層，銀為表面反射層，使其太陽光的反射率達(dá)到95％。徐勇軍等采用納米銀為表面反射層，太陽光的反射率達(dá)到了96.74％。中國專利(專利公開號：CN102260854A)公開了一種自潔太陽能高反射率納米薄膜及制造方法，當(dāng)反射膜為銀膜時，對太陽光的反射率為94％～97％，當(dāng)反射膜為鋁膜時，反射率為90％～92％。中國專利(專利公開號：CN104681662A)公開了一種高反射率太陽能薄膜的制備方法，當(dāng)銀膜的厚度為130nm和二氧化硅的厚度為320nm時，膜反射率最高，太陽光和可見光反射率分別為96.66％和98.84％，并且膜材的耐磨性和抗老化性良好。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：為了避開現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷和不足之處，本發(fā)明提供一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜及其制備方法，該方法得到的復(fù)合膜具有高反射率、附著性良好以及戶外使用壽命長的特點。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜，其特征在于，它包含玻璃基板1以及形成于玻璃基板上的膜層；膜層由過渡層(或稱介質(zhì)層)、反射層和保護(hù)層構(gòu)成，過渡層、反射層和保護(hù)層依次從玻璃基板1的表面向外布置，過渡層、反射層、保護(hù)層均是通過射頻磁控濺射法制得；所述的過渡層2的材料為SiO₂，厚度為20nm-50nm；所述的反射層3的材料為Ag，厚度為100nm-200nm；所述的保護(hù)層4的材料為SiO₂，厚度為50nm-150nm。

上述一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗10-30min，最后放入無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗10-30min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5-1.5Pa，靶基距固定在60-100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100-200W，濺射時間為10-30min；在玻璃基板上得到一過渡層；

3)在過渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5-1.5Pa，靶基距固定在60-100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100-200W，濺射時間為10-30min；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5-1.5Pa，靶基距固定在60-100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100-200W，濺射時間為20-40min；得到太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

采用該方法制備的膜系結(jié)構(gòu)，紅外反射率可以達(dá)到99.73％，而且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率可超過100％。

采用剝落實驗，參考附著力測試標(biāo)準(zhǔn)GBT9286-1998，其附著力可以達(dá)到0級(一共6級，其中0級表示附著性最好，5級表示附著性最差)。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點：(1)本發(fā)明得到的膜系結(jié)構(gòu)，紅外反射率達(dá)99.73％以上。(2)膜層之間特別是膜層和玻璃基板之間具有良好的附著性，參考附著力測試標(biāo)準(zhǔn)GBT9286-1998，其附著力可以達(dá)到0級(一共6級，其中0級表示附著性最好，5級表示附著性最差)，在光熱發(fā)電站所處的惡劣環(huán)境中具有長的使用壽命。(3)工藝路線簡單，適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)，既節(jié)約了成本，也節(jié)約了維護(hù)費(fèi)用，減少了環(huán)境污染。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的示意圖。

圖2為本發(fā)明實施例1中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖3為本發(fā)明實施例1的一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜薄膜附著力測試圖：其中，a為測試前圖，b為測試后圖。

圖4為本發(fā)明實施例2中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖5為本發(fā)明實施例3中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖6為本發(fā)明實施例4中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖7為本發(fā)明實施例5中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖8為本發(fā)明實施例6中的SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜反射率圖。

圖1中：1為玻璃基板，2為過渡層，3為反射層，4為保護(hù)層。

具體實施方式

為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合實例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明不僅僅局限于下面的實施例。

實施例1：

一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗20min，最后放入無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗20min，得到玻璃基板1；將清洗好的玻璃基板保存在無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，靶基距固定在60mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100W，濺射時間為10min；在玻璃基板1上得到一過渡層(SiO₂膜)2，SiO₂膜厚度為30nm；

3)在過渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為108W，濺射時間為20min，在過渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為110nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，靶基距固定在60mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100W，濺射時間為20min，SiO₂膜厚度為55nm；得到太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實施例1所得太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜如圖1所示，所述薄膜按順序包括：

玻璃基板1；過渡層(SiO₂膜)2，材料為SiO₂，厚度為30nm；反射層3，材料為Ag，厚度為110nm，保護(hù)層4，材料為SiO₂，厚度為55nm。

實施例1所得太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.76％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過100％，附著力可達(dá)0級，戶外使用壽命長。

實施例2：

一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗20min，最后放入無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗20min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時間為20min；在玻璃基板1上得到一過渡層(SiO₂膜)2，SiO₂膜厚度為40nm；

3)在過渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為108W，濺射時間為20min，在過渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為110nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時間為30min，，得到保護(hù)層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為102nm；最后得到太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實施例2所得太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.81％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過100％，附著力可達(dá)0級，戶外使用壽命長。

實施例3：

一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗20min，最后放入無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗20min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.5Pa，靶基距固定在100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為200W，濺射時間為30min；在玻璃基板上得到一過渡層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為50nm；

3)在過渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為108W，濺射時間為20min，在過渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為110nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.5Pa，靶基距固定在100mm，氬流量為40sccm，濺射功率為200W，濺射時間為40min，SiO₂膜厚度為139nm；得到太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實施例3所得太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.90％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過100％，附著力可達(dá)0級，戶外使用壽命長。

實施例4：

一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)(臟物)然后用自來水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗20min，最后放入無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗20min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時間為20min；在玻璃基板上得到一過渡層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為40nm；

3)在過渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為160W，濺射時間為20min，在過渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為150nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時間為30min，SiO₂膜厚度為102nm；得到太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實施例4所得太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.87％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過100％，附著力可達(dá)0級，戶外使用壽命長。

實施例5：

一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)然后用自來水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗10min，最后放入無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗10min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時間為20min；在玻璃基板上得到一過渡層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為40nm；

3)在過渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.5Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為160W，濺射時間為30min，在過渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為200nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時間為230min，SiO₂膜厚度為102nm；得到太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實施例5所得太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.82％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過100％，附著力可達(dá)0級，戶外使用壽命長。

實施例6：

一種太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜的制備方法，包括以下步驟：

1)選取普通載玻片(作為基底)，用洗潔精多次清洗(如2-5次)，洗掉表面的雜質(zhì)然后用自來水沖刷干凈，再放入去離子水中超聲波清洗30min，最后放入無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中超聲波清洗30min，得到玻璃基板；將清洗好的玻璃基板保存在無水乙醇【99.99％(質(zhì)量)，分析純】中備用；

2)在玻璃基板(或稱玻璃基底)上制備過渡層(或稱介質(zhì)層)：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，SiO₂靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為1.0Pa，靶基距固定在80mm，氬流量為40sccm，濺射功率為150W，濺射時間為10-30min；在玻璃基板上得到一過渡層(SiO₂膜)，SiO₂膜厚度為40nm；

3)在過渡層上制備反射層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，反射層的材料為銀，銀的靶材尺寸為純度為99.99wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，靶基距固定在60mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100W，濺射時間為30min，在過渡層2上得到反射層3(銀膜)，銀膜厚度為200nm；

4)在反射層上制備保護(hù)層：方法是用射頻磁控濺射沉積方式，保護(hù)層的材料為SiO₂，靶材尺寸為純度為99.999wt％，濺射氣體為體積分?jǐn)?shù)為99.999％的高純氬，濺射室真空度為4.0×10^-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，靶基距固定在60mm，氬流量為40sccm，濺射功率為100W，濺射時間為20min，SiO₂膜厚度為137nm；得到太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜。

在步驟2)、3)、4)中，濺射前均需對靶材進(jìn)行5分鐘的預(yù)濺射，以除去靶材表面殘留的氧化物和污染物。

實施例6所得太陽能熱發(fā)電反射鏡用SiO₂-Ag-SiO₂復(fù)合膜系紅外反射率高于99.89％，且由于SiO₂膜的增透效果，紅外反射率甚至超過100％，附著力可達(dá)0級，戶外使用壽命長。

以及本發(fā)明各工藝參數(shù)(如氣壓、靶基距、濺射功率、時間等)的上下限、區(qū)間取值都能實現(xiàn)本發(fā)明，在此不一一列舉實施例。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可做出若干推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。