沉積裝置的制作方法

本發(fā)明涉及沉積裝置，并涉及能夠提高噴嘴的放射系數(shù)以最大限度地減少陰影效應(yīng)的沉積裝置。

背景技術(shù)：

通常，平板顯示裝置(Flat Panel Display device)具有重量輕及厚度薄等特性，因此被用作替代陰極射線管顯示裝置(Cathode-ray Tube Display device)的顯示裝置，其代表性的例子有液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display device：LCD)和有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置(Organic Light Emitting diode Display device：OLED)。其中，與液晶顯示裝置相比，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的亮度特性和視角特性優(yōu)異，并且因有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置不需要背光源(Backlight)因此還具有能夠制作成超薄型的優(yōu)點(diǎn)。

如上所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置是利用如下的現(xiàn)象的顯示裝置，所述現(xiàn)象是指：使從陰極(Cathode)注入的電子(Electron)和從陽(yáng)極(Anode)注入的空穴(Hole)在有機(jī)薄膜中復(fù)合而形成激子，并通過(guò)所形成的激子釋放的能量來(lái)發(fā)出特定波長(zhǎng)的光。

在所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，為了在由玻璃、不銹鋼或者合成樹(shù)脂形成的襯底上選擇性地形成陰極、陽(yáng)極以及有機(jī)薄膜等，使用光刻方法，或者使用使沉積物質(zhì)蒸發(fā)或者升華并進(jìn)行真空沉積之后選擇性地對(duì)經(jīng)沉積的沉積物質(zhì)進(jìn)行刻蝕、或利用包括形成為預(yù)定圖案的多個(gè)狹縫(slit)的掩模組裝件選擇性地沉積所述沉積物質(zhì)的沉積方法。

此處，所述光刻方法作為在一部分區(qū)域上涂覆光刻膠后實(shí)施濕法刻蝕或者干法刻蝕的方法，由于該方法在剝離所述光刻膠的過(guò)程和刻蝕工藝中可能導(dǎo)致水分流入，因此對(duì)于如所述有機(jī)薄膜等容易被水分劣化的物質(zhì)而言，主要使用所述沉積方法。

用于如上所述的沉積方法的沉積裝置通常具有蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)源 包括一側(cè)開(kāi)口并且用于存儲(chǔ)如有機(jī)物質(zhì)等蒸發(fā)物質(zhì)的坩堝(crucible)、用于加熱所述坩堝的加熱裝置、位于所述坩堝的開(kāi)口側(cè)的噴嘴部、以及用于收納所述坩堝、加熱裝置以及噴嘴部的殼體(housing)，并且為了提高沉積工藝的效率，所述沉積裝置可使用使所述坩堝沿一側(cè)方向延伸的線性蒸發(fā)源、或者沿一側(cè)方向?qū)⒍鄠€(gè)坩堝和噴嘴部收納在所述殼體中的線性蒸發(fā)源作為所述蒸發(fā)源。

在利用如上所述的掩模組裝件的沉積裝置中，雖然會(huì)將以預(yù)定圖案形成于所述掩模組裝件中的狹縫的側(cè)面相對(duì)于表面形成為具有第一傾斜角以減少蒸發(fā)物質(zhì)以不均勻的厚度沉積到襯底上的、通常稱為陰影效應(yīng)(shadow effect)的現(xiàn)象，但是由于從所述蒸發(fā)源放射出去的蒸發(fā)物質(zhì)被放射成多種放射角度，因此對(duì)于最大限度地減少所述陰影效應(yīng)(shadow effect)而言存在著效果有限的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供能夠提高噴嘴的放射系數(shù)以最大限度地減少陰影效應(yīng)的沉積裝置。

本發(fā)明的技術(shù)問(wèn)題并不限于上面提及的技術(shù)問(wèn)題，并且通過(guò)下面的記載，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠明確地理解未提及的技術(shù)問(wèn)題或其它技術(shù)問(wèn)題。

用于解決所述技術(shù)問(wèn)題的根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積裝置可包括腔室、布置在所述腔室內(nèi)的坩堝、以及布置在所述坩堝的上部的至少一個(gè)噴嘴，其中，所述噴嘴中的每個(gè)包括向上側(cè)方向延伸的噴嘴主體以及在所述噴嘴主體的內(nèi)部沿所述噴嘴主體的長(zhǎng)度方向形成的多條噴嘴通路。

所述坩堝的上部可以是開(kāi)放的，并且所述沉積裝置還可包括覆蓋所述坩堝的上部的蓋板，其中，所述蓋板包括至少一個(gè)開(kāi)口部，并且所述噴嘴中的每個(gè)布置在所述開(kāi)口部中的每個(gè)上。

所述噴嘴通路的橫截面的形狀可為圓形。

所述多條噴嘴通路中的每個(gè)噴嘴通路的橫截面的圓中心可布置在直徑比所述噴嘴主體的圓形邊緣的直徑小的同心圓上。

所述噴嘴通路的橫截面的形狀可為平面上的寬度隨著接近噴嘴的半 徑外側(cè)而逐漸減小的葉子形狀。

所述噴嘴面可向下側(cè)凹陷。

所述噴嘴面可向上側(cè)突出。

所述噴嘴還可包括布置在所述噴嘴主體的下端的法蘭部，所述蓋板還可包括布置在所述開(kāi)口部中的每個(gè)的邊緣的開(kāi)口突起，其中，所述開(kāi)口突起形成為環(huán)形，所述開(kāi)口突起的外徑可小于所述法蘭部的內(nèi)徑。

形成在所述開(kāi)口突起的外周面上的螺紋部可與形成在所述法蘭部的內(nèi)周面上的螺紋部互相螺紋結(jié)合。

所述噴嘴通路的長(zhǎng)度可從所述法蘭部的螺紋部的上端面起形成至構(gòu)成所述噴嘴的最上端的噴嘴面。

所述沉積裝置可包括設(shè)置在所述殼體的內(nèi)側(cè)壁附近且用于加熱所述坩堝的加熱裝置。

在所述加熱裝置可形成為與所述坩堝的外側(cè)壁相隔開(kāi)并且圍繞所述外側(cè)壁。

在所述坩堝的內(nèi)部可存儲(chǔ)有機(jī)物。

所述蓋板可利用多個(gè)螺栓來(lái)密封所述坩堝的開(kāi)口部。

在所述蓋板上的噴嘴可設(shè)置成多個(gè)并且構(gòu)成線性。

用于解決所述技術(shù)問(wèn)題的根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積裝置包括：腔室；布置在所述腔室內(nèi)部的上側(cè)的襯底保持件；與所述襯底保持件接近布置的掩模組裝件；布置在所述腔室內(nèi)部的下側(cè)的沉積源；以及布置在所述沉積源下部的搬運(yùn)裝置，所述沉積源包括向第一方向延伸的形狀的坩堝、布置在所述坩堝的上部的至少一個(gè)噴嘴，所述噴嘴中的每個(gè)包括向上側(cè)方向延伸的噴嘴主體以及在所述噴嘴主體的內(nèi)部沿所述噴嘴主體的長(zhǎng)度方向形成的多條噴嘴通路，所述搬運(yùn)裝置能夠使所述沉積源向與所述第一方向相交的第二方向移動(dòng)。

其它實(shí)施例的具體內(nèi)容包含在具體實(shí)施方式及附圖中。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，能夠提高噴嘴的放射系數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的效果并不限于以上的說(shuō)明，更加多樣的效果包含在本說(shuō)明書(shū)中。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。

圖2是圖1的沉積裝置的沉積源的立體圖。

圖3是圖2的沉積源的剖視圖。

圖4是圖2的沉積源的分解立體圖。

圖5是圖2的沉積源的噴嘴的俯視圖。

圖6是圖5的噴嘴的剖視圖。

圖7是比較單孔性噴嘴和多孔性噴嘴的沉積厚度的圖表。

圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴的立體圖。

圖9是圖8的噴嘴的俯視圖。

圖10是圖8的噴嘴的剖視圖。

圖11是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴的立體圖。

圖12是圖11的噴嘴的俯視圖。

圖13是圖11的噴嘴的剖視圖。

圖14是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴的立體圖。

圖15是圖14的噴嘴的俯視圖。

圖16是圖14的噴嘴的剖視圖。

圖17是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴的立體圖。

圖18是圖17的噴嘴的俯視圖。

圖19是圖17的噴嘴的剖視圖。

圖20是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的噴嘴的立體圖。

圖21是圖20的噴嘴的俯視圖。

圖22是圖20的噴嘴的剖視圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

100：腔室 110：襯底保持件

120：襯底 130：掩模組裝件

140：固定部件 150：導(dǎo)軌

160：驅(qū)動(dòng)馬達(dá) 170：滾珠絲杠

205：坩堝 210：蓋板

220：噴嘴部 223：噴嘴通路

230：加熱裝置 300：殼體

具體實(shí)施方式

參照下文中結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明的實(shí)施例，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)、特征以及用于實(shí)現(xiàn)上述優(yōu)點(diǎn)、特征的方法將變得明確。然而，本發(fā)明并不受下文中所公開(kāi)的實(shí)施例的限制，本發(fā)明能夠以彼此不同的多種形式來(lái)體現(xiàn)。本實(shí)施例僅僅是為了使本發(fā)明的公開(kāi)完整并且為了將發(fā)明的范圍完整地傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而提供，并且本發(fā)明僅由權(quán)利要求書(shū)的范圍來(lái)限定。

雖然第一、第二等術(shù)語(yǔ)用于說(shuō)明多種構(gòu)成要素，但這些構(gòu)成要素并不受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)構(gòu)成要素與其它構(gòu)成要素區(qū)分開(kāi)。因此，在不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍的情況下，下文中的第一構(gòu)成要素可稱為第二構(gòu)成要素。

下面，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。

參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的沉積裝置包括腔室100、位于腔室100的內(nèi)部并具有至少一個(gè)噴嘴220的沉積源200、與沉積源200相隔開(kāi)并與沉積源200相對(duì)的襯底保持件110以及布置在襯底保持件110與沉積源200之間的掩模組裝件130。

腔室100提供用于執(zhí)行沉積工藝的空間。在沉積工藝期間，腔室100的內(nèi)部可保持真空狀態(tài)。腔室100可包括用于搬入和搬出目標(biāo)襯底120的搬運(yùn)出入口(未圖示)、以及與真空泵(未圖示)連接以控制腔室100的內(nèi)部壓力并且排出未沉積到目標(biāo)襯底120上的蒸發(fā)物質(zhì)的排氣口(未圖示)。

目標(biāo)襯底120可為絕緣襯底或半導(dǎo)體襯底等。在示例性實(shí)施例中，目標(biāo)襯底120為用于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的襯底。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造工藝中，根據(jù)所適用的沉積工藝相當(dāng)于哪一步驟，目標(biāo)襯底120所包含的結(jié)構(gòu)物就會(huì)不同。例如，如果沉積工藝為空穴注入層形成工藝，則目標(biāo)襯底可為形成有像素限定膜和陽(yáng)電極的襯底。如果沉積工藝為有機(jī)發(fā)光 層形成工藝，則目標(biāo)襯底可為不僅形成有像素限定膜和陽(yáng)電極而且還形成有空穴注入層和/或空穴傳輸層的襯底。

在腔室100內(nèi)部可以布置有襯底保持件110和固定部件140。襯底保持件110起到安置搬入到腔室100內(nèi)側(cè)的目標(biāo)襯底120的作用。襯底保持件110布置在腔室100內(nèi)部的上側(cè)，目標(biāo)襯底120可安置在襯底保持件110的下側(cè)。

襯底保持件110可配置成包括具有磁性的物質(zhì)。例如，襯底保持件110可配置成包括具有磁力的磁體或者電磁體等的物質(zhì)，并且在掩模組裝件130由金屬構(gòu)成時(shí)，可利用襯底保持件110與掩模組裝件130之間的磁力容易地固定掩模組裝件130。

固定部件140可起到將襯底保持件110固定在腔室100內(nèi)部的作用。此外，固定部件140還可輔助固定目標(biāo)襯底120。進(jìn)而，固定部件140可在起到輔助固定掩模組裝件130的作用的同時(shí)起到恒定地維持掩模組裝件130與目標(biāo)襯底120之間的距離的作用。固定部件140可由可拆卸的框架結(jié)構(gòu)物構(gòu)成。

掩模組裝件130起到限定出供從沉積源200蒸發(fā)的物質(zhì)沉積的區(qū)域的作用。掩模組裝件130包括掩模部和透過(guò)部。所述透過(guò)部暴露目標(biāo)襯底120以使得從沉積源200蒸發(fā)的物質(zhì)能夠沉積到相應(yīng)區(qū)域中。所述掩模部覆蓋目標(biāo)襯底120，以防止從沉積源200蒸發(fā)的物質(zhì)沉積到相應(yīng)區(qū)域中。由此，通過(guò)掩模組裝件130沉積的物質(zhì)可形成預(yù)定圖案。

掩模組裝件130可為如精細(xì)金屬掩模(Fine metal mask；FMM)的母體掩模，或者可配置成包括多個(gè)分割掩模。

掩模組裝件130布置并固定于目標(biāo)襯底120的附近。如上所述，掩模組裝件130與目標(biāo)襯底120之間的間隔可通過(guò)襯底保持件110和固定部件140調(diào)節(jié)。

沉積源200提供沉積目標(biāo)物質(zhì)。沉積源200布置在腔室100內(nèi)部，并且與目標(biāo)襯底120相對(duì)。在襯底保持件110布置在腔室100的內(nèi)部上側(cè)的情況下，沉積源200布置在腔室100的內(nèi)部下側(cè)。

沉積源200可形成為整體上沿第一方向X延伸的線性形態(tài)。即，沉積源200可為線性沉積源。沉積源200在第一方向X上的寬度可覆蓋目標(biāo)襯底 120在第一方向X上的寬度。這里，沉積源200的寬度覆蓋目標(biāo)襯底120的寬度是意味著沉積源200在寬度方向上覆蓋目標(biāo)襯底120中供有機(jī)物質(zhì)沉積的整個(gè)區(qū)域，并且表示即使沉積源200不在第一方向X上移動(dòng)也能夠?qū)δ繕?biāo)襯底120中位于第一方向X上的整個(gè)沉積區(qū)域進(jìn)行沉積。

圖2是圖1的沉積裝置的沉積源的立體圖。圖3是圖2的沉積源的剖視圖。圖4是圖2的沉積源的分解立體圖。圖5是圖2的沉積源的噴嘴的俯視圖。圖6是圖5的噴嘴的剖視圖。

參照?qǐng)D1以及圖2至圖6，沉積源200包括存儲(chǔ)沉積物質(zhì)10并且開(kāi)放上部的坩堝205、覆蓋坩堝205的上部的蓋板210、位于蓋板210上的一個(gè)以上的噴嘴220、以及設(shè)置成與坩堝205的側(cè)面相隔預(yù)定距離并且加熱坩堝205的加熱裝置230。沉積源200還可包括收納坩堝205、噴嘴220以及加熱裝置230的殼體300。

坩堝205布置在殼體300內(nèi)部，并存儲(chǔ)沉積物質(zhì)10。沉積物質(zhì)10可為有機(jī)物質(zhì)。例如，沉積物質(zhì)10可以為用于有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)物質(zhì)。再例如，沉積物質(zhì)10可為用于空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層的有機(jī)物質(zhì)。除此之外，多種有機(jī)物質(zhì)可適用為目標(biāo)沉積物質(zhì)10。另外，坩堝205也可包括彼此不同的多種有機(jī)物質(zhì)。

坩堝205可形成為整體上沿第一方向X延伸的線性形態(tài)。即，沉積源200為線性沉積源，坩堝205可具有與之相應(yīng)的線性形狀。在坩堝205的內(nèi)部還可設(shè)置有用于分隔坩堝205的內(nèi)部空間的多個(gè)分隔壁(未圖示)，以防止沉積物質(zhì)10集中在坩堝205的一側(cè)。

坩堝205可由具有低熱膨脹率特性的鈦(Ti)等材料形成，然而并不限于此，只要是對(duì)于在坩堝205內(nèi)部形成的高溫環(huán)境而言表現(xiàn)出低熱膨脹率特性的材料即可。

坩堝205包括底面和側(cè)壁，并且坩堝205的上部是開(kāi)放的。坩堝205的上部處可布置蓋板210。

蓋板210可包括多個(gè)開(kāi)口部210b，多個(gè)開(kāi)口部210b布置在供噴嘴220布置的每個(gè)部分處。各個(gè)開(kāi)口部210b可布置成沿著坩堝205的延伸方向亦即第一方向X相隔開(kāi)。各個(gè)開(kāi)口部210b可為圓形，但是并不限于此。在各個(gè)開(kāi)口部210b的邊緣處可形成有開(kāi)口突起211。開(kāi)口突起211可為沿各個(gè) 開(kāi)口部210b的邊緣形成的環(huán)形開(kāi)口突起211。開(kāi)口突起211包括形成在外周面上的螺紋211b，從而能夠與噴嘴220的法蘭部221結(jié)合。

蓋板210的除了開(kāi)口部210b以外的區(qū)域覆蓋坩堝205的上部，以阻斷沉積物質(zhì)的移動(dòng)。由此，坩堝205的沉積物質(zhì)10可通過(guò)蓋板210的開(kāi)口部210b向噴嘴220移動(dòng)。

蓋板210可利用螺栓212等的結(jié)合部件結(jié)合至坩堝205，以能夠密封坩堝205的上部。為了與所述結(jié)合部件結(jié)合，蓋板210的相應(yīng)位置處可形成有螺栓孔210a，并且坩堝205上部邊緣的相應(yīng)位置處可布置有結(jié)合孔205a。

蓋板210上布置有一個(gè)以上的噴嘴220。各個(gè)噴嘴220可布置在蓋板210的開(kāi)口部210b上。稍后將對(duì)噴嘴220進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

加熱裝置230布置在坩堝205的外壁附近。加熱裝置230利用加熱產(chǎn)生的輻射熱來(lái)使存儲(chǔ)在坩堝205中的沉積物質(zhì)10蒸發(fā)。加熱裝置230可形成為圍繞坩堝205的外側(cè)壁面的形狀。并且，加熱裝置230可布置成與坩堝205的外壁相隔開(kāi)。加熱裝置230可在維持與坩堝205的外壁相隔開(kāi)的狀態(tài)下，固定設(shè)置在殼體300的內(nèi)側(cè)壁上、或者也可以固定布置在殼體300與坩堝205之間。

在坩堝205下部可布置有移送裝置。在坩堝205形成為在第一方向X上具有一定長(zhǎng)度的矩形形狀的情況下，移送裝置為了覆蓋目標(biāo)襯底120在第二方向Y上的整個(gè)部分而使坩堝205在第二方向Y上進(jìn)行往返運(yùn)動(dòng)。移送裝置可包括滾珠絲杠170、使?jié)L珠絲杠170旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160以及用于控制殼體300的移動(dòng)方向的導(dǎo)軌150。

通過(guò)將雙向馬達(dá)用作驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160，從而使得滾珠絲杠170能夠根據(jù)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160的旋轉(zhuǎn)而雙向旋轉(zhuǎn)，并且使得一側(cè)與滾珠絲杠170螺紋結(jié)合的殼體300能夠根據(jù)螺紋旋轉(zhuǎn)而雙向行進(jìn)。作為一個(gè)例子，當(dāng)沉積工藝從左側(cè)端開(kāi)始進(jìn)行時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160的旋轉(zhuǎn)速度來(lái)調(diào)節(jié)殼體300的行進(jìn)速度，并且在坩堝205到達(dá)右側(cè)端而完成目標(biāo)襯底120的沉積工藝后，在將完成沉積工藝的目標(biāo)襯底120從腔室100搬出到外部并將新的襯底搬入到腔室100內(nèi)部時(shí)，位于右側(cè)端的坩堝205根據(jù)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)160的反向旋轉(zhuǎn)而再次向左側(cè)端行進(jìn)，由此能夠?qū)π碌囊r底進(jìn)行沉積工藝。此時(shí)，殼體300的下部布置有與殼體300的行進(jìn)方向平行地支承殼體300的至少兩個(gè) 導(dǎo)軌150，從而能夠使得殼體300和收納在殼體300內(nèi)的坩堝205沿導(dǎo)軌150移動(dòng)。在形成有一對(duì)導(dǎo)軌150的情況下，能夠支承殼體300的相對(duì)于行進(jìn)方向上的兩側(cè)邊沿，或者也可在殼體300的底面上設(shè)置額外的輥(未圖示)并且使得輥沿導(dǎo)軌行進(jìn)。

下面，將對(duì)沉積源200的噴嘴220進(jìn)行更加詳細(xì)的說(shuō)明。

噴嘴220可包括噴嘴主體222、布置在噴嘴主體222的下端處的法蘭部221、布置在噴嘴主體222的內(nèi)部的多個(gè)噴嘴通路223、以及布置在噴嘴主體222上端處的噴嘴上表面220a。噴嘴220整體上可由對(duì)于在坩堝205內(nèi)部形成的高溫蒸發(fā)物質(zhì)表現(xiàn)出低熱膨脹率的特性的鈦(Ti)等材料形成，然而并不限于此，只要是具有低熱膨脹率的特性的材料即可。

噴嘴主體222可形成為向上側(cè)方向延伸的圓柱形狀。噴嘴主體222內(nèi)部可形成有與長(zhǎng)度方向平行地貫穿的多個(gè)噴嘴通路223。噴嘴通路223構(gòu)成供坩堝205內(nèi)部蒸發(fā)的沉積物質(zhì)10朝向目標(biāo)襯底120通過(guò)的通路。這里，噴嘴通路223的橫截面形狀可設(shè)計(jì)成多種形態(tài)，然而如果考慮以使流動(dòng)面積最大的方式設(shè)計(jì)，則優(yōu)選形成為圓形。

構(gòu)成噴嘴主體222的上端的噴嘴面220a可形成為平坦的。噴嘴面220a中開(kāi)口有各個(gè)噴嘴通路223的端部。即，噴嘴面220a中布置有多個(gè)開(kāi)口。沉積物質(zhì)10通過(guò)這種開(kāi)口向上方釋放。

噴嘴主體222的下端可布置有直徑至少比開(kāi)口突起211的外徑大的法蘭部221。法蘭部221的內(nèi)周面上形成有螺紋221b，并且法蘭部221的螺紋221b可與形成在環(huán)形開(kāi)口突起211的外周面上的螺紋211b相對(duì)應(yīng)以與之螺紋結(jié)合。即，形成在法蘭部221的內(nèi)周面上的螺紋221b布置成圍繞形成在開(kāi)口突起211的外周面上的螺紋211b的形狀，并且可通過(guò)在緊固方向上或者在分離方向上旋轉(zhuǎn)噴嘴主體222來(lái)緊固或分離形成在開(kāi)口突起211的外周面上的螺紋211b和形成在法蘭部221的內(nèi)周面上的螺紋221b從而使之互相螺紋結(jié)合或分離。雖然在本實(shí)施例中說(shuō)明了使法蘭部221與開(kāi)口突起211螺紋結(jié)合的結(jié)構(gòu)，但是只要是能夠在使法蘭部221與開(kāi)口突起211連通的同時(shí)密封連接部的結(jié)構(gòu)，則也可以利用使之彼此過(guò)盈配合等的結(jié)合手段。

噴嘴220將在坩堝205的內(nèi)部蒸發(fā)的有機(jī)物粒子噴射到目標(biāo)襯底120 上從而使得有機(jī)物粒子沉積到目標(biāo)襯底120上。

雖然在本實(shí)施例中例舉了形成有四條噴嘴通路223的情況，然而噴嘴通路的數(shù)量也可以為三條以下或者五條以上。在形成有四條噴嘴通路223的本實(shí)施例中，在通過(guò)俯視圖觀察噴嘴面220a時(shí)，噴嘴通路223可配置成使得多條噴嘴通路223各自的橫截面的圓中心布置在直徑比噴嘴主體222的圓形邊緣的直徑小的同心圓上，并且在通過(guò)噴嘴面220a的俯視圖觀察時(shí)，噴嘴通路223可分別布置在從噴嘴面220a的中心起呈直角的四個(gè)方向上，即十字方向上。各個(gè)噴嘴通路223的貫通長(zhǎng)度可被設(shè)定為從噴嘴面220a起到連接有法蘭部221的部分為止的長(zhǎng)度，并且在考慮到能夠?qū)崿F(xiàn)法蘭部221與開(kāi)口突起211之間的最佳螺紋結(jié)合的范圍時(shí)，噴嘴通路223的長(zhǎng)度可將從噴嘴面220a到法蘭部221的螺紋221b和開(kāi)口突起211的螺紋211b的最上端為止的長(zhǎng)度設(shè)定作為最大長(zhǎng)度。

通過(guò)噴嘴220的蒸發(fā)物質(zhì)會(huì)通過(guò)設(shè)置在噴嘴主體222中的多條噴嘴通路223，從而能夠提高放射系數(shù)。

參照?qǐng)D7來(lái)進(jìn)行更加具體的說(shuō)明。圖7是比較單孔性噴嘴和多孔性噴嘴的沉積厚度的圖表。

為了便于說(shuō)明，將如本發(fā)明一實(shí)施例那樣在一個(gè)噴嘴主體222的內(nèi)部形成有多條噴嘴通路223并且各個(gè)噴嘴通路223的端部開(kāi)口至噴嘴主體222上端為止的噴嘴稱為“多孔性噴嘴”，將在噴嘴面220a上只形成有一個(gè)開(kāi)口的噴嘴稱為“單孔性噴嘴”。

在沉積裝置中，沉積率是最主要的特性之一。沉積率(％)是指在坩堝205中氣化的材料中實(shí)際沉積到目標(biāo)襯底120上的材料所占的比例。如圖7所示，與單孔性噴嘴相比，多孔性噴嘴在越接近坩堝205的位置處，尤其是在越接近噴嘴的中心部的位置處表現(xiàn)出越大的沉積厚度，因此多孔性噴嘴能夠增加放射系數(shù)。通常，供蒸發(fā)源的蒸發(fā)物質(zhì)通過(guò)的通路的流動(dòng)面積越大，越難以確保將會(huì)形成在目標(biāo)襯底120上的圖案的精確度，而且難以提高放射系數(shù)。因此，根據(jù)本實(shí)施例的沉積裝置通過(guò)適用直徑比根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的單孔性噴嘴的噴嘴通路的直徑小的多條噴嘴通路223來(lái)增加放射系數(shù)。

并且，當(dāng)形成直徑比僅適用一條噴嘴通路的情況下的噴嘴通路的直 徑相對(duì)小的多條噴嘴通路223時(shí)，因?yàn)槟軌蛟黾痈鱾€(gè)噴嘴通路223中的分子間的碰撞并且使經(jīng)由沿噴嘴的長(zhǎng)度方向較長(zhǎng)地形成噴嘴通路223引導(dǎo)的分子的運(yùn)動(dòng)方向朝向作為蒸發(fā)物質(zhì)的出口的噴嘴面220a的方向，由此能夠得到增加放射系數(shù)的效果。即，可通過(guò)增加在向著噴嘴面220a方向上的運(yùn)動(dòng)量來(lái)減少吸附在噴嘴通路223中的蒸發(fā)物質(zhì)的量并增加到達(dá)目標(biāo)襯底120的蒸發(fā)物質(zhì)的量，從而增加放射系數(shù)，并由此提高沉積率。

下文中，將對(duì)本發(fā)明的其它實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。

圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴的立體圖。圖9是圖8的噴嘴的俯視圖。圖10是圖8的噴嘴的剖視圖。

如圖8至圖10所示，根據(jù)本實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴2201與圖6中的實(shí)施例的噴嘴的區(qū)別在于，形成在噴嘴主體222的內(nèi)部的多條噴嘴通路2231包括小徑部2231a和擴(kuò)徑部2231b。

更具體而言，根據(jù)本實(shí)施例的噴嘴通路2231包括小徑部2231a和擴(kuò)徑部2231b，其中，小徑部2231a供在坩堝205內(nèi)部蒸發(fā)的沉積物質(zhì)10朝著目標(biāo)襯底120通過(guò)并且呈直管形狀，擴(kuò)徑部2231b具有從小徑部2231a起隨著接近噴嘴面220a而逐漸擴(kuò)大的直徑。

在本實(shí)施例的情況下，供蒸發(fā)物質(zhì)開(kāi)始通過(guò)的小徑部2231a的直徑比擴(kuò)徑部2231b的直徑相對(duì)小，因此通過(guò)增加小徑部2231a內(nèi)的分子之間的碰撞來(lái)減小吸附在噴嘴通路2231中的蒸發(fā)物質(zhì)的量，并且通過(guò)經(jīng)由直徑逐漸變大的擴(kuò)徑部2231b的引導(dǎo)來(lái)增加到達(dá)目標(biāo)襯底120的蒸發(fā)物質(zhì)的量，由此能夠增加放射系數(shù)。

圖11是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴的立體圖。圖12是圖11的噴嘴的俯視圖。圖13是圖11的噴嘴的剖視圖。

參照?qǐng)D11至圖13和圖4，蓋板210沿蓋板210的長(zhǎng)度方向形成有多個(gè)貫通孔210b，并且可包括沿著各個(gè)貫通孔210b的圓形邊緣向上側(cè)突出的開(kāi)口突起211。噴嘴2202可包括具有法蘭部221以與開(kāi)口突起211結(jié)合的噴嘴主體222。此處，形成在法蘭部221的內(nèi)周面上的螺紋221b可與形成在開(kāi)口突起211的外周面上的螺紋211b螺紋結(jié)合。

噴嘴主體222為內(nèi)部被填實(shí)的中實(shí)軸，其能夠形成為圓柱形狀，并且其內(nèi)部可形成有沿噴嘴主體222的總長(zhǎng)度貫穿的噴嘴通路2232，其中噴嘴 通路2232的直徑從噴嘴通路2232的最下端起隨著靠近上側(cè)而逐漸擴(kuò)大。即，噴嘴通路2232可從構(gòu)成法蘭部221的螺紋部221b和開(kāi)口突起211的螺紋部211b的最上端高度開(kāi)始形成。

圖14是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴的立體圖。圖15是圖14的噴嘴的俯視圖。圖16是圖14的噴嘴的剖視圖。

參照?qǐng)D14至圖16和圖4，蓋板210沿蓋板210的長(zhǎng)度方向形成有多個(gè)貫通孔210b，并且可包括沿著各個(gè)貫通孔210b的圓形邊緣向上側(cè)突出的開(kāi)口突起211。噴嘴2203可包括具有法蘭部221以與開(kāi)口突起211結(jié)合的噴嘴主體222。此處，形成在法蘭部221的內(nèi)周面上的螺紋221b可與形成在開(kāi)口突起211的外周面上的螺紋211b螺紋結(jié)合。

噴嘴主體222為內(nèi)部被填實(shí)的中實(shí)軸，其能夠形成為圓柱形狀，并且其內(nèi)部可形成有與噴嘴主體222的長(zhǎng)度方向平行地貫穿的多條噴嘴通路2233。噴嘴通路2233構(gòu)成供在坩堝205內(nèi)部蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)朝著目標(biāo)襯底120通過(guò)的通路。

噴嘴通路2233的橫截面形狀可形成為平面上的寬度隨著接近噴嘴主體222的半徑外側(cè)而逐漸減小的葉子形狀。即，如圖15所示，噴嘴通路2233的橫截面形狀可形成為在噴嘴通路2233的橫截面上，從寬的部分2233b起向半徑外側(cè)逐漸減小，直到最窄的部分2233a。此外，雖未在圖16中示出，但是噴嘴通路2233可如圖10和圖13所示在供坩堝205內(nèi)部蒸發(fā)的沉積物質(zhì)10朝著目標(biāo)襯底120通過(guò)的直管形狀中包括具有小直徑的小徑部和具有比小徑部的直徑大的直徑的擴(kuò)徑部。

圖17是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的沉積裝置的噴嘴的立體圖。圖18是圖17的噴嘴的俯視圖。圖19是圖17的噴嘴的剖視圖。

參照?qǐng)D17至圖19和圖4，蓋板210沿蓋板210的長(zhǎng)度方向形成有多個(gè)貫通孔210b，并且可包括沿著各個(gè)貫通孔210b的圓形邊緣向上側(cè)突出的開(kāi)口突起211。噴嘴2204可包括具有法蘭部221以與開(kāi)口突起211結(jié)合的噴嘴主體222。此處，形成在法蘭部221的內(nèi)周面上的螺紋221b可與形成在開(kāi)口突起211的外周面上的螺紋211b螺紋結(jié)合。

噴嘴主體222的噴嘴面220a形成為向下側(cè)凹陷的形狀，并且噴嘴主體222為內(nèi)部被填實(shí)的中實(shí)軸，其能夠形成為圓柱形狀，并且噴嘴主體222 的內(nèi)部可形成有與噴嘴主體222的長(zhǎng)度方向平行地貫穿的多條噴嘴通路2234。噴嘴通路2234構(gòu)成供在坩堝205內(nèi)部蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)朝著目標(biāo)襯底120通過(guò)的通路。即，噴嘴主體222的噴嘴面220a形成為向下側(cè)凹陷的形狀，從而使得位于噴嘴面220a上的多條噴嘴通路2234的開(kāi)口方向朝向噴嘴面220a的邊緣圓的中心側(cè)。

噴嘴通路2234的橫截面形狀可形成為平面上的寬度隨著接近噴嘴主體222的半徑方向外側(cè)而逐漸減小的葉子形狀。即，如圖19所示，噴嘴通路2234的橫截面形狀可形成為在噴嘴通路2234的橫截面上，從寬的部分2234b起向半徑外側(cè)逐漸減小，直到最窄的部分2234a。此外，雖未在圖19中圖示出，但是噴嘴通路2234可如圖10和圖13所示在供坩堝205內(nèi)部蒸發(fā)的沉積物質(zhì)10朝著目標(biāo)襯底120通過(guò)的直管形狀中包括具有小直徑的小徑部和具有比小徑部的直徑大的直徑的擴(kuò)徑部。

圖20是本發(fā)明再一實(shí)施例的噴嘴的立體圖。圖21是圖20的噴嘴的俯視圖。圖22是圖20的噴嘴的剖視圖。

參照?qǐng)D20至圖22和圖4，蓋板210沿蓋板210的長(zhǎng)度方向形成有多個(gè)貫通孔210b，并且可包括沿著各個(gè)貫通孔210b的圓形邊緣向上側(cè)突出的開(kāi)口突起211。噴嘴2205可包括具有法蘭部221以便與開(kāi)口突起211結(jié)合的噴嘴主體222。此處，形成在法蘭部221的內(nèi)周面上的螺紋221b可與形成在開(kāi)口突起211的外周面上的螺紋211b螺紋結(jié)合。

噴嘴主體222的噴嘴面220a形成為向上側(cè)突出的形狀，并且噴嘴主體222為內(nèi)部被填實(shí)的中實(shí)軸，其能夠形成為圓柱形狀，并且噴嘴主體222的內(nèi)部可形成有與噴嘴主體222的長(zhǎng)度方向平行地貫穿的多條噴嘴通路2235。噴嘴通路2235構(gòu)成供在坩堝205內(nèi)部蒸發(fā)的蒸發(fā)物質(zhì)朝著目標(biāo)襯底120通過(guò)的通路。即，噴嘴面220a形成為向上側(cè)突出的形狀，從而使得位于噴嘴面220a上的多條噴嘴通路2235的開(kāi)口方向形成為朝向噴嘴面220a的邊緣圓的外側(cè)。

噴嘴通路2235的橫截面形狀可形成為平面上的寬度隨著接近噴嘴主體222的半徑外側(cè)而逐漸減小的葉子形狀。即，如圖21所示，噴嘴通路2235的橫截面形狀可形成為在噴嘴通路2235的橫截面上，從寬的部分2235b起向半徑外側(cè)逐漸減小，直到最窄的部分2235a。此外，雖未在圖22中圖示 出，但是噴嘴通路2235可如圖10和圖13所示在供坩堝205內(nèi)部蒸發(fā)的沉積物質(zhì)10朝著目標(biāo)襯底120通過(guò)的直管形狀中包括具有小直徑的小徑部和具有比小徑部的直徑大的直徑的擴(kuò)徑部。

上文中已通過(guò)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，然而本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解，在不改變本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特征的情況下，本發(fā)明能夠以另一具體方式來(lái)實(shí)施。因此，上文中所記載的實(shí)施例應(yīng)理解為在各個(gè)方面中僅為示例性的，而并不是限制性的。