濺射裝置制造方法
【專利摘要】一種用于通過(guò)濺射過(guò)程將材料沉積在基板上的濺射裝置，包括：真空室；靶，該靶位于所述真空室中并且能夠?yàn)R射待沉積的材料；第一板，該第一板被附接以便基板被聯(lián)接到該第一板或者與該第一板斷開(kāi)聯(lián)接，并且被安裝為在所述真空室中旋轉(zhuǎn)以使所述基板面向所述靶；和第二板，該第二板被安裝為在所述真空室中旋轉(zhuǎn)以面向所述靶。
【專利說(shuō)明】濺射裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大致涉及一種濺射裝置，更具體而言，涉及一種包括可旋轉(zhuǎn)板的濺射裝置。【背景技術(shù)】
[0002]在化學(xué)氣相沉積(CVD)、干法蝕刻以及真空沉積組合裝置(vacuum depositioncluster tools)的情況中,例如在派射裝置和蝕刻設(shè)備的情況中，玻璃在設(shè)備PM (定期檢修)之后被插入，然后形成執(zhí)行過(guò)程的室內(nèi)氣氛(在下文中被稱為恢復(fù)(back-up))。
[0003]具體地，在濺射的情況下，在替換靶和遮蔽罩(mask shield)之后，為了移除靶表面的氧化層和排出氣體，通常通過(guò)使用40-100片預(yù)濺射玻璃來(lái)執(zhí)行預(yù)濺射。
[0004]此時(shí)，為了設(shè)備恢復(fù)，通過(guò)使用足夠數(shù)量的預(yù)濺射玻璃片執(zhí)行預(yù)濺射，獲得薄層電阻和期望的膜質(zhì)量的顆粒是重要的。
[0005]此外，優(yōu)選通過(guò)使設(shè)備操作停工時(shí)間最小化來(lái)使設(shè)備操作率最大化，從而避免制造操作的挫折(setback)。
[0006]然而，為每次PM插入大量的預(yù)濺射玻璃，需要大量的維修費(fèi)用。
[0007]此外，當(dāng)執(zhí)行恢復(fù)時(shí)，用于執(zhí)行預(yù)濺射和恢復(fù)的生產(chǎn)被同時(shí)執(zhí)行，從而在插入預(yù)濺射基板期間產(chǎn)生設(shè)備操作停機(jī)時(shí)間，進(jìn)而使得操作率降低，另一方面，為了使操作率的降低最小化，恢復(fù)被推 遲。
[0008]在該【背景技術(shù)】部分中公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此，其可能包含尚未形成在該國(guó)中對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種用于提高設(shè)備操作率的濺射裝置。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，濺射裝置包括:真空室；靶，其位于所述真空室中并且能夠從所述靶的表面濺射材料；設(shè)置在所述真空室中的第一板，安裝在所述第一板上的基板被構(gòu)造為面向所述靶的所述表面，并通過(guò)所述第一板的關(guān)于第一軸線的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)遠(yuǎn)離所述靶的所述表面；和設(shè)置在所述真空室中的第二板，所述第二板被構(gòu)造為面向所述靶的所述表面，并且通過(guò)所述第二板的關(guān)于第二軸線的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)遠(yuǎn)離所述靶的所述表面。
[0011]還可以包括被提供在所述真空室中的臺(tái)架，所述第一板和所述第二板中的每個(gè)被安裝在所述臺(tái)架的表面上，所述第一軸線和所述第二軸線中的每個(gè)基本平行于所述臺(tái)架的所述表面，并且所述第一板和所述第二板中的每個(gè)被構(gòu)造為面向所述臺(tái)架的所述表面，并通過(guò)所述第一板和所述第二板的分別關(guān)于所述第一軸線和所述第二軸線的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)遠(yuǎn)離所述臺(tái)架的所述表面。
[0012]當(dāng)所述第一板和所述第二板中的每個(gè)被設(shè)置為基本平行于所述臺(tái)架的所述表面時(shí)，所述第二板介于所述第一板與所述臺(tái)架之間。
[0013]所述臺(tái)架可被構(gòu)造為能夠關(guān)于垂直于所述臺(tái)架的所述表面的第三軸線旋轉(zhuǎn)。
[0014]包括所述第一軸線和所述第二軸線的平面表面可基本平行于所述靶的所述表面。[0015]所述第一軸線和所述第二軸線可互相平行。
[0016]所述第一軸線和所述第二軸線可互相垂直。
[0017]所述第二板可由金屬和陶瓷中的一種形成。
[0018]所述第二板可以是可替換的。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的濺射裝置應(yīng)用用于預(yù)濺射的基板單元，以在基板上執(zhí)行預(yù)濺射，從而可以防止由于玻璃的插入而導(dǎo)致的設(shè)備操作率的降低。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0020]通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，附圖中:
[0021]圖1為構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明的原理的一實(shí)施例的濺射裝置的示意圖；
[0022]圖2為示意性地例示出圖1的濺射裝置的第一操作的視圖；
[0023]圖3為示意性地例示出圖1的濺射裝置的第二操作的視圖；
[0024]圖4為示意性地例示出構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的另一實(shí)施例的濺射裝置的第一操作的視圖； [0025]圖5為示意性地例示出圖4的濺射裝置的第二操作的視圖；
[0026]圖6為構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的又一實(shí)施例的濺射裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，以使得本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解的，在全部不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的方式被修改。附圖和描述將被認(rèn)為本質(zhì)上為例示性的而非限制性的。同樣的附圖標(biāo)記在說(shuō)明書中始終表示同樣的元件。
[0028]接下來(lái)，將參照附圖描述構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的一實(shí)施例的濺射裝置。
[0029]圖1為構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的一實(shí)施例的濺射裝置的示意圖。圖2為示意性地例示出圖1的濺射裝置的第一操作的視圖。圖3為示意性地例示出圖1的濺射裝置的第二操作的視圖。
[0030]構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的一實(shí)施例的濺射裝置用于通過(guò)濺射過(guò)程將材料沉積到基板上，可包括安裝在濺射室內(nèi)的預(yù)濺射單元，并且由此，可在主濺射之后的恢復(fù)期間連續(xù)地執(zhí)行預(yù)濺射。
[0031]參見(jiàn)圖1至圖3，構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的一實(shí)施例的濺射裝置100可包括室
1、靶2、臺(tái)架20、第一板11和第二板12。
[0032]如圖1中所示，靶2、臺(tái)架20、第一板11和第二板12被容納在室I內(nèi)，室I在濺射過(guò)程期間保持為真空狀態(tài)。
[0033]圖1中，室I被形成為具有多邊形形狀。然而，本發(fā)明不限于此，室I還可具有任何其它合適的形狀。
[0034]祀2位于室I的一側(cè),并用于將待沉積的材料派射到期望的基板上。在一實(shí)施方式中,靶2位于室I中并且能夠從靶2的表面濺射材料。
[0035]圖1中，靶2具有平板形狀；然而，其不限于此。[0036]這里，室I和靶2具有比較通常的結(jié)構(gòu)，因此省略其詳細(xì)描述。
[0037]如上所述，臺(tái)架20、第一板11和第二板12被安裝在室I內(nèi)。
[0038]第一板11和第二板12被安裝在其上的臺(tái)架20可沿水平方向旋轉(zhuǎn)。
[0039]臺(tái)架20的旋轉(zhuǎn)軸線可平行于與臺(tái)架20的上表面或室I的下表面垂直的軸線。
[0040]參見(jiàn)圖1至圖3，將第一板11聯(lián)接到臺(tái)架20的第一鉸接部分112被安裝在臺(tái)架20的一側(cè)。第一板11可圍繞第一鉸接部分112旋轉(zhuǎn)。
[0041]將第二板12聯(lián)接到臺(tái)架20的第二鉸接部分122被安裝在臺(tái)架20的另一側(cè)。第二板12可圍繞第二鉸接部分122旋轉(zhuǎn)。
[0042]第一板11和第二板12的旋轉(zhuǎn)軸線可互相平行。在一實(shí)施方式中，第一板11和第二板12的旋轉(zhuǎn)軸線中的每個(gè)基本平行于臺(tái)架20的上表面。
[0043]此外，如圖1至圖3中所示，通過(guò)首先將第二板12安裝在臺(tái)架20的上表面處并然后將第一板11安裝在第二板12上，臺(tái)架20的上表面以及第一板11和第二板12的各自的上表面在臺(tái)架20旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下可被平行設(shè)置。
[0044]接下來(lái)，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施例的濺射裝置的操作過(guò)程。
[0045]首先，如上所述，第一板11通過(guò)第一鉸接部分112被鉸接并聯(lián)接到臺(tái)架20。基板111可以能附接到第一板11的上表面或可以從第一板11的上表面能拆卸。 [0046]參見(jiàn)圖2，在基板111被附接到第一板11的上表面的狀態(tài)下，第一板11可沿方向Rl旋轉(zhuǎn)，以允許基板111面向靶2。在這種情況下，基板111的其上將沉積有從靶2濺射的材料的表面可持續(xù)地平行于靶的表面。
[0047]此時(shí)，對(duì)基板111執(zhí)行主濺射。
[0048]一旦主濺射已完成，在執(zhí)行替換靶2的PM (定期檢修)之后，將執(zhí)行用于獲得薄層電阻和期望的膜質(zhì)量的顆粒度的恢復(fù)。
[0049]在本發(fā)明中，在執(zhí)行恢復(fù)時(shí)通過(guò)使用第二板12來(lái)執(zhí)行預(yù)濺射。
[0050]如上所述，第二板12可位于第一板11下面并處于臺(tái)架20的上表面處。
[0051]此外，第二板12被聯(lián)接到臺(tái)架20，以圍繞第二鉸接部分122旋轉(zhuǎn)，第二鉸接部分122形成在與將第一板11聯(lián)接到臺(tái)架20的第一鉸接部分112相反的一側(cè)。
[0052]在主濺射已完成的狀態(tài)下，如圖3中所示，臺(tái)架20沿與臺(tái)架20的上表面或室I的底表面垂直的方向旋轉(zhuǎn)，例如，沿方向R2旋轉(zhuǎn)，從而使得第二鉸接部分122被定位靠近靶2，而第一鉸接部分112被定位遠(yuǎn)離靶2。
[0053]然后，第二板12圍繞第二鉸接部分122沿方向R3旋轉(zhuǎn)，以面向靶2。
[0054]在第二板12被旋轉(zhuǎn)以面向祀2的狀態(tài)下，執(zhí)行預(yù)濺射。
[0055]然后第一板11在移除基板111之后圍繞第一鉸接部分112沿方向R4朝向臺(tái)架20旋轉(zhuǎn)。
[0056]第二板12可由金屬或陶瓷材料制成。
[0057]此外，第二板12是可替換的，且該替換可以周期性地執(zhí)行。
[0058]通過(guò)這些構(gòu)造，在本發(fā)明中，當(dāng)執(zhí)行主濺射時(shí)，PM、恢復(fù)和預(yù)濺射可以被執(zhí)行為連續(xù)處理，從而恢復(fù)時(shí)間可以減少，設(shè)備操作率可以提高。
[0059]如圖1中所示，在本實(shí)施例中，第一板11和第二板12被安裝在臺(tái)架20上，并且分別通過(guò)第一鉸接部分112和第二鉸接部分122聯(lián)接到臺(tái)架20。如果第一板11和第二板12輪流地旋轉(zhuǎn)以面向靶2，那么它們可以被設(shè)計(jì)為不同的形狀。
[0060]圖4為示意性地例示出構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的另一實(shí)施例的濺射裝置的第一操作的視圖。圖5為示意性地例示出圖4的濺射裝置的第二操作的視圖。
[0061]參見(jiàn)圖4和圖5，構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的另一實(shí)施例的濺射裝置101可包括室
1、靶2、第一板11’和第二板12’。
[0062]本實(shí)施例的室1、靶2和基板111與本發(fā)明的前述實(shí)施例相同，因此相同的附圖標(biāo)記將用于相同的元件，并且重復(fù)的描述將被省略。
[0063]在本實(shí)施例中，如圖4和圖5中所示，包括第一板11’和第二板12’的旋轉(zhuǎn)軸線的平面可位于靶2的前面。
[0064]此時(shí)，第一板11’和第二板12’的旋轉(zhuǎn)軸線可被設(shè)置為平行。
[0065]如圖4中所示，分別聯(lián)接第一板11’和第二板12’的第一鉸接部分112’和第二鉸接部分122’可直接安裝在室I內(nèi)。第一鉸接部分112’和第二鉸接部分122’可被設(shè)置在靶2的相反的端部附近并且在靶2的同一側(cè)。包括第一鉸接部分112’和第二鉸接部分122’的平面可被構(gòu)造為平行于靶2的表面。在一實(shí)施方式中，包括第一板11’和第二板12’的旋轉(zhuǎn)軸線的平面表面基本平行于靶2的表面。 [0066]如上所述，基板111可聯(lián)接到第一板11’或與第一板11’解除聯(lián)接，并且在基板111附接到第一板11’的狀態(tài)下，第一板11’圍繞第一鉸接部分112’沿方向R5旋轉(zhuǎn)，以允許基板111面向靶2，由此執(zhí)行主濺射。
[0067]如果主濺射已完成，則第一板11’沿方向R6旋轉(zhuǎn)，從而使得第一板11’移動(dòng)遠(yuǎn)離靶2。然后，將基板111從第一板11’移除。
[0068]接下來(lái)，如圖5中所示，第二板12’圍繞第二鉸接部分122’沿方向R7旋轉(zhuǎn)，以面向靶2，從而執(zhí)行預(yù)濺射。
[0069]圖6為構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的又一實(shí)施例的濺射裝置的視圖。
[0070]參見(jiàn)圖6，構(gòu)造成根據(jù)本發(fā)明的原理的又一實(shí)施例的濺射裝置102可包括室1、靶
2、第一板11’和第二板12’’。
[0071]此時(shí),室1、祀2和第一板11’和第一鉸接部分112’與本發(fā)明的前一實(shí)施例相同，因此相同的附圖標(biāo)記將用于相同的元件，并且重復(fù)的描述將被省略。
[0072]在本實(shí)施例中，第一板11’和第二板12’’的旋轉(zhuǎn)軸線被設(shè)置為互相垂直，但其不限于此。
[0073]如圖6中所示，第一鉸接部分112’和第二鉸接部分122’’可直接安裝在室I內(nèi)。
[0074]在此情況下，第一板11’和第二板12’ ’被安裝為分開(kāi)預(yù)定的間隔，以使它們?cè)谛D(zhuǎn)時(shí)不會(huì)互相交叉或干涉。
[0075]如上所述，第一板11’可圍繞第一鉸接部分112’旋轉(zhuǎn)，以允許基板(未示出)面向靶
2。在執(zhí)行主濺射并且第一板11’旋轉(zhuǎn)遠(yuǎn)離靶2之后，第二板12’’圍繞第二鉸接部分122’旋轉(zhuǎn)以面向靶2。然后，可執(zhí)行預(yù)濺射。
[0076]雖然已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實(shí)用的示例性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，但是將理解的是，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反，本發(fā)明旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種變型和等同布置。
[0077]附圖標(biāo)記的描述[0078]1:室2:靶
[0079]11:第一板111:基板
[0080]112、112’:第一鉸接部分12:第二板
[0081]122、 122’、122’’:第二鉸接部分20:臺(tái)架
【權(quán)利要求】
1.一種濺射裝置，包括: 真空室； 靶，位于所述真空室中并且能夠從所述靶的表面濺射材料； 設(shè)置在所述真空室中的第一板，安裝在所述第一板上的基板被構(gòu)造為面向所述靶的所述表面，并通過(guò)所述第一板的關(guān)于第一軸線的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)遠(yuǎn)離所述靶的所述表面；和 設(shè)置在所述真空室中的第二板，所述第二板被構(gòu)造為面向所述靶的所述表面，并且通過(guò)所述第二板的關(guān)于第二軸線的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)遠(yuǎn)離所述靶的所述表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，還包括: 被提供在所述真空室中的臺(tái)架， 所述第一板和所述第二板中的每個(gè)被安裝在所述臺(tái)架的表面上，所述第一軸線和所述第二軸線中的每個(gè)平行于所述臺(tái)架的所述表面，并且所述第一板和所述第二板中的每個(gè)被構(gòu)造為面向所述臺(tái)架的所述表面，并分別通過(guò)所述第一板和所述第二板的關(guān)于所述第一軸線和所述第二軸線的旋轉(zhuǎn)而移動(dòng)遠(yuǎn)離所述臺(tái)架的所述表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射裝置，其中當(dāng)所述第一板和所述第二板中的每個(gè)被設(shè)置為平行于所述臺(tái)架的所述表面時(shí)，所述第二板介于所述第一板與所述臺(tái)架之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射裝置，其中所述臺(tái)架被構(gòu)造為關(guān)于垂直于所述臺(tái)架的所述表面的第三軸線能 旋轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的濺射裝置，其中所述第一軸線和所述第二軸線互相平行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中包括所述第一軸線和所述第二軸線的平面表面平行于所述靶的所述表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濺射裝置，其中所述第一軸線和所述第二軸線互相平行。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濺射裝置，其中所述第一軸線和第二軸線互相垂直。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中所述第二板由金屬和陶瓷中的一種形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射裝置，其中所述第二板是可替換的。
【文檔編號(hào)】C23C14/34GK104018126SQ201310547881
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2013年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月28日
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