能夠收容工件的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及能夠收容工件的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體。本發(fā)明提供透液性得到改善的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體具備：劃出用于收容工件的收容空間的網(wǎng)基體、及形成在所述網(wǎng)基體的表面上、且具有比該網(wǎng)基體更高的疏水性的涂層薄膜。
【專利說(shuō)明】能夠收容工件的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體
[0001]技術(shù)分野
[0002]本發(fā)明涉及能夠收容工件的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，特別涉及能夠收容電子部件等小型工件的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體。這些網(wǎng)結(jié)構(gòu)體例如在洗滌工件的洗滌裝置、對(duì)工件進(jìn)行鍍敷處理的鍍敷裝置中使用。
【背景技術(shù)】
[0003]作為洗滌電子部件等小型工件的洗滌裝置，已知桶狀洗滌裝置。例如，在日本特開(kāi)平7-205018號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)、日本特開(kāi)2003-53279號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中，公開(kāi)了一種具備用于收容工件的網(wǎng)的筐的桶狀洗滌裝置。在通常的桶狀洗滌裝置中，通過(guò)將收容有工件的筐浸潰于洗滌液中，并在洗滌液中旋轉(zhuǎn)該筐，由此在洗滌液中攪拌工件來(lái)洗滌附著于該工件上的污垢。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平7-205018號(hào)公報(bào)
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本 特開(kāi)2003-53279號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0009]在被收容的工件為小型的情況下，需要按照該工件的尺寸使構(gòu)成筐的網(wǎng)的開(kāi)口部變小。然而，若使網(wǎng)的開(kāi)口部變小，則將筐向洗滌液中浸潰時(shí)，因表面張力的作用會(huì)在網(wǎng)的開(kāi)口部形成洗滌液的膜，結(jié)果，洗滌液變得不能在隔著網(wǎng)的筐內(nèi)部與外部洗滌槽、空氣等氣體(氣氛)之間順利出入。因此，在筐內(nèi)部裝入洗滌液為止的時(shí)間變長(zhǎng)，從而洗滌操作的效率惡化。除此以外，若網(wǎng)的開(kāi)口部變小，則在將筐從洗滌槽中拉起時(shí)，變得容易在網(wǎng)的開(kāi)口部殘留洗滌液，液體除去狀況差，從而會(huì)增加操作者用于拉起筐的負(fù)擔(dān)、施加到上拉機(jī)構(gòu)的負(fù)荷。另外，殘留在網(wǎng)上的洗滌液、處理液，在放置后會(huì)干燥固化從而有可能引起網(wǎng)的開(kāi)孔的堵塞、或者成為其他工序的處理環(huán)境的污染源。
[0010]能夠收容工件的網(wǎng)狀的筐也可以在鍍敷裝置中使用。在鍍敷裝置中，將收容有電子部件等工件的筐浸潰于鍍敷液中，并對(duì)該電子部件進(jìn)行鍍敷處理。在這種鍍敷裝置中，也會(huì)與上述洗滌裝置同樣地產(chǎn)生由使網(wǎng)的開(kāi)口部變小而引起的各種不良情況。
[0011]因此，根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式，提供透液性得到改善的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體。該網(wǎng)結(jié)構(gòu)體例如以適于洗滌電子部件等工件的洗滌裝置、對(duì)電子部件等工件進(jìn)行鍍敷處理的鍍敷處理裝置的形狀構(gòu)成。
[0012]解決問(wèn)題的手段
[0013]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體具備:劃出用于收容工件的收容空間的網(wǎng)基體、及形成在所述網(wǎng)基體的表面上且具有比該網(wǎng)基體更高的疏水性的涂層薄膜。通過(guò)在劃出用于收容工件的收容空間的網(wǎng)基體的表面上設(shè)置具有比該網(wǎng)基體的疏水性更高的疏水性的涂層薄膜，洗滌液、鍍敷液等液體變得易于在用于收容工件的收容空間內(nèi)部與外部之間透過(guò)。另一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，具備劃出用于收容工件的收容空間的網(wǎng)基體，其以該網(wǎng)基體的表面的至少一部分具有比該表面的其他部分更高的疏水性的方式構(gòu)成。根據(jù)這樣的實(shí)施方式，通過(guò)使網(wǎng)基體的表面的一部分具有更高的疏水性，洗滌液、鍍敷液等液體變得易于在用于收容工件的收容空間內(nèi)部與外部之間透過(guò)。
[0014]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，在網(wǎng)基體的表面上具備通過(guò)干式工藝形成的底涂劑薄膜。此時(shí)，疏水性的涂層薄膜形成在該底涂劑薄膜的表面上。作為底涂劑薄膜，若使用液體狀的底涂劑，則液體狀的底涂劑會(huì)在網(wǎng)基體的開(kāi)口部(構(gòu)成網(wǎng)基體的線構(gòu)件之間的間隙)潤(rùn)濕展開(kāi)，從而有可能堵塞其開(kāi)口部。因此，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，不通過(guò)液體狀的底涂劑，而通過(guò)CVD法等干式工藝在網(wǎng)基體上形成底涂劑薄膜?？梢?jiàn)，通過(guò)在網(wǎng)基體上隔著底涂劑薄膜形成涂層薄膜，可以在不堵塞網(wǎng)基體的開(kāi)口部的情況下提高涂層薄膜的固著性。涂層薄膜例如為包含含氟硅烷偶聯(lián)劑的涂層。
[0015]一個(gè)實(shí)施方式中的底涂劑薄膜含有選自S1、T1、Al、Zr及它們的氧化物中的至少一種物質(zhì)。含有硅(Si)、鈦(Ti)、鋁(A1)、氧化鋁(A120x(x為任意數(shù)))或鋯(Zr)的底涂劑組合物層，會(huì)與含有氟的硅烷偶聯(lián)劑牢固地鍵合(參考日本特愿2012-29090)。認(rèn)為，在該底涂劑薄膜中，源自硅(Si)、鈦(Ti)、鋁(A1)、氧化鋁(A120x)或鋯(Zr)、或者它們的氧化物的羥基，會(huì)與含氟硅烷偶聯(lián)劑的官能團(tuán)形成基于脫水縮合反應(yīng)的共價(jià)鍵、氫鍵和/或這些以外的鍵，因此，底涂劑薄膜與含氟硅烷偶聯(lián)劑可牢固地鍵合。該底涂劑薄膜可以在基體上直接形成，也可以隔著中間層間接形成。
[0016]在本發(fā)明的另一個(gè)方式中，底涂劑薄膜可以為含有選自0、N及Si中的至少一種物質(zhì)的無(wú)定形碳膜。含有0、N或Si中的任一種的無(wú)定形碳膜，可通過(guò)脫水縮合反應(yīng)等的共價(jià)鍵或氫鍵等與硅烷偶聯(lián)劑牢固地鍵合，因此，可以以良好的固著性保持上述硅烷偶聯(lián)劑(參考日本特愿2010-123558號(hào))。通過(guò)使用例如含氟硅烷偶聯(lián)劑作為涂層薄膜，可以利用無(wú)定形碳膜將上述涂層薄膜牢固地固著到網(wǎng)基體上。
[0017]發(fā)明效果
[0018]可見(jiàn)，根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式，可提供透液性得到改善的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體。關(guān)于本發(fā)明的其他效果，通過(guò)參考本說(shuō)明書(shū)整體可以進(jìn)一步明確。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是具備本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的桶狀洗滌裝置的主視圖
[0020]圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的剖面圖 [0021]圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的線構(gòu)件的剖面圖
[0022]圖4是本發(fā)明的其他實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的線構(gòu)件的剖面圖
[0023]符號(hào)說(shuō)明
[0024]10:筐
[0025]14:基體
[0026]16:底涂劑薄膜
[0027]18:涂層薄膜【具體實(shí)施方式】
[0028]參考附圖對(duì)本發(fā)明的各種實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在這些附圖中，對(duì)于相同或類似的構(gòu)成要素標(biāo)以相同或類似的參考符號(hào)，適當(dāng)省略關(guān)于該相同或類似的構(gòu)成要素的詳細(xì)說(shuō)明。另外，這些附圖示意性地表示本發(fā)明的實(shí)施方式，應(yīng)留意其未必正確地圖示出其尺寸。
[0029]圖1是具備本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的桶狀洗滌裝置的主視圖。圖示的實(shí)施方式中的桶狀洗滌裝置，具備用于收容電子部件等工件的筐10、和在其兩端支撐該筐10的支撐臂12?？?0為本發(fā)明的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的一例。支撐臂12以能夠升降、并且能夠在其中心軸的四周旋轉(zhuǎn)的方式支撐筐10。
[0030]圖2是圖1所示的筐10的剖面圖。在圖示的實(shí)施方式中，筐10以圓筒形狀構(gòu)成。而且，在該筐10內(nèi)部的收容空間中收容有多個(gè)工件20。該工件20例如為電容器、電感器、連接器、濾器、光纖等各種電子部件。工件20可以為各種形狀，例如纖維狀的形狀(碳納米管等)、微粒的形狀、粉末等粉體形狀或探針狀的形狀(發(fā)射器、連接器等)。另外也可以為精密螺釘、彈簧、齒輪、探針、滾珠軸承等微小機(jī)械部件；注射針、導(dǎo)尿管等醫(yī)療用品；化學(xué)品、貴金屬、稀有金屬、陶瓷等的微粒；硅膠或玻璃珠等各種載體；植物被子等各種微小形狀物。通過(guò)使筐10下降來(lái)將其浸潰于洗滌液24中，洗滌液24從構(gòu)成筐10的網(wǎng)構(gòu)件的開(kāi)口部流入到筐10內(nèi)的收容空間中。通過(guò)在由洗滌液24注滿筐10內(nèi)的狀態(tài)下使筐10旋轉(zhuǎn)，工件20在洗滌液24中被攪拌，從而附著在工件20上的污垢(或鍍敷液等處理液、反應(yīng)液)被洗漆。
[0031]筐10例如通過(guò)在用于確定形狀的框體上粘貼后述的網(wǎng)構(gòu)件(例如網(wǎng)狀的板)而構(gòu)成。筐10例如通過(guò)用棒狀的框(未圖示)連接一組環(huán)狀的框(未圖示)，并在這些框之間粘貼圓板狀及長(zhǎng)方形的網(wǎng)板，由此以圓筒狀構(gòu)成?？?0的形狀可以根據(jù)其用途任意確定，除了圓筒形狀以外， 還能以長(zhǎng)方體形狀、立方體形狀、多邊形柱形狀、被稱之為梅花型的多面體形狀、圓錐形狀、三棱錐形狀、四棱錐形狀、球狀、面包圈(Donut)形狀等各種形狀構(gòu)成。另外，筐10可以為包含網(wǎng)、多孔片、形成有孔的膜等的袋狀構(gòu)件。此時(shí)，筐10也可以為不定形。
[0032]構(gòu)成筐10的網(wǎng)構(gòu)件，可以通過(guò)織入各種材質(zhì)、線直徑的線來(lái)制成。構(gòu)成該網(wǎng)構(gòu)件的線的表面粗度、剖面形狀及折疊方式(折U方)可根據(jù)其用途等適當(dāng)變更。圖3是構(gòu)成筐10的網(wǎng)構(gòu)件的線構(gòu)件的剖面圖。如圖所示，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，構(gòu)成網(wǎng)構(gòu)件的線構(gòu)件，通過(guò)依次層疊基體14、形成在基體14的表面上的底涂劑薄膜16、形成在底涂劑薄膜16的表面上、且具有比基體14更高的疏水性的涂層薄膜18而構(gòu)成。為了構(gòu)成筐10，可以使用多孔性的片狀構(gòu)件或具有狹縫狀、圓型、橢圓形、四邊形、星形、錐形、其他各種不定形的孔的片狀構(gòu)件來(lái)代替網(wǎng)構(gòu)件。所述多孔性或具有狹縫等孔的片狀構(gòu)件可以通過(guò)電鑄法、激光加工、蝕刻加工、或者鉆孔或沖壓等機(jī)械加工來(lái)形成。
[0033]基體14包含例如鈦、銅或鎢等的合金；不銹鋼或鋼鐵等合金；聚丙烯、聚酯、聚乙烯、尼龍或乙烯樹(shù)脂等化學(xué)纖維；人造纖維等混紡纖維；碳纖維或玻璃纖維等無(wú)機(jī)材料；或者羊毛、絲綢、棉花或纖維素等天然素材纖維。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以由疏水性材料形成基體14的表面的至少一部分?；w14的表面中由疏水性材料形成的部分，具有比該表面的其他部分更高的疏水性。作為該疏水性材料，可以使用例如市售的各種硅酮樹(shù)脂、或市售的各種氟樹(shù)脂材料(卜3 7 口 > (商標(biāo))或特氟龍(商標(biāo))等)?？梢?jiàn)，由疏水性材料形成基體14的表面的至少一部分時(shí)，不一定需要設(shè)置涂層薄膜18。
[0034]底涂劑薄膜16為利用干式工藝在基體14的表面上形成的薄膜，其含有硅(Si)、氧化硅(SiOx)、鈦(Ti)、氧化鈦(TiOx)、鋁、氧化鋁(A120X)、鋯(Zr)或氧化鋯(ZrOx)中的至少一種物質(zhì)。通過(guò)利用干式工藝形成底涂劑薄膜16，可以僅在構(gòu)成基體14的網(wǎng)線的特定面上形成底涂劑薄膜16。若使用液體底涂劑，則即使嘗試欲僅在特定的面上形成底涂劑薄膜，液體底涂劑也會(huì)流到期望的面以外的面上。關(guān)于底涂劑薄膜16在基體14的特定面上的形成，參考圖4在后面敘述。
[0035]可以通過(guò)例如雙極濺射法、三極濺射法、磁控濺射法、對(duì)向靶濺射法等各種等離子體濺射法；離子束濺射法、ECR濺射法等各種離子束濺射法；直流(DC)等離子體CVD法、低頻等離子體CVD法、高頻(RF)等離子體CVD法、脈沖波等離子體CVD法、微波等離子體CVD法、常壓等離子體法(例如介質(zhì)阻擋放電方式)、準(zhǔn)常壓等離子體法等各種等離子體CVD法；直流外加式(DC)離子鍍敷法、空心陰極放電法(HCD法)、高頻激發(fā)法(RF法)等利用等離子體的各種離子鍍敷法；離子束蒸鍍法(IBD法)、離子束輔助蒸鍍法(IBAD法)、離子蒸鍍薄膜形成法(IVD法)等利用離子束的各種離子鍍敷法或它們的組合等各種公知的干式工藝，在基體14的表面上形成底涂劑薄膜16。
[0036]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)在設(shè)置有基體14的成膜裝置中導(dǎo)入規(guī)定 的氣壓、流量的濺射氣體(例如，氬氣等惰性氣體)，并在該成膜裝置內(nèi)濺射Si靶、Ti靶、A1靶、A1203靶或Zr靶等，可以在基體14的表面上形成包含S1、T1、Al、Al203 或Zr中的任一種的底涂劑薄膜16。另外，也可以通過(guò)在該濺射氣體中混合氧(0)、氮(N)或它們的混合氣體，利用反應(yīng)性濺射法，形成包含硅、鈦、鋁、氧化鋁或鋯與0或N的產(chǎn)物(例如Si02、SiN2、Ti02、TiN2、Zr02等)的底涂劑薄膜16。
[0037]在本發(fā)明的另一個(gè)方式中，在使用以氣體為原料的化學(xué)蒸鍍法(等離子體CVD法)的情況下，配置工件Ο— ”后，在真空減壓后的等離子體CVD裝置中，使用硅烷(SiH4)、四乙氧基硅烷(TE0S)等Si底涂劑薄膜用主原料氣體；或氯化鈦(TiCl4)、碘化鈦(Til4)、異丙氧基鈦Ti (1-0C3H7)4等Ti底涂劑薄膜用主原料氣體，由此可以形成含有Si或Ti的底涂劑薄膜16。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)在三甲基鋁(A1(CH3))3)、氯化鋁(A1C13)等主原料氣體中，根據(jù)需要混合氧氣或氮?dú)猓梢孕纬珊袖X及氧或氮的底涂劑薄膜16。
[0038]另外，在本發(fā)明的再另一個(gè)方式中，通過(guò)對(duì)形成在基體14上的、含有硅、鈦、鋁、氧化鋁或鋯中的至少一種的薄膜照射氧等離子體或氮等離子體，也可以形成在這些薄膜中含有氧或氮中的兩者或一者的底涂劑薄膜16。在一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)如上所述地使底涂劑薄膜16含有氧或氮中的兩者或一者，可以賦予底涂劑薄膜16極性，因此在涂層薄膜18包含含氟硅烷偶聯(lián)劑時(shí)，可以進(jìn)一步提高該涂層薄膜18的固著性。
[0039]本發(fā)明的再另一個(gè)方式中的底涂劑薄膜16，包含無(wú)定形碳膜。無(wú)定形碳膜例如使用乙炔等烴氣體作為原料氣體，并通過(guò)等離子體CVD法形成。該無(wú)定形碳膜可以含有0、N或Si中的至少一種元素。含有Si的無(wú)定形碳膜，例如使用烴氣體、與四甲基硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、二甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷及四甲基環(huán)四硅氧烷等含有娃的Si原料氣體的混合氣體,并通過(guò)等離子體CVD法形成。例如，含有0的無(wú)定形碳膜，通過(guò)將乙炔等烴氣體等離子體化而形成無(wú)定形碳膜后，通過(guò)等離子體照射氧氣的等離子體CVD法形成。關(guān)于含有N的無(wú)定形碳膜，通過(guò)將烴氣體等離子體化而形成無(wú)定形碳膜后，通過(guò)等離子體照射氮?dú)獾牡入x子體CVD法形成。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)在形成無(wú)定形碳膜后照射氧等離子體或氮等離子體，可以使底涂劑薄膜16為親水性。[0040]無(wú)定形碳膜的延伸性高，其對(duì)包含樹(shù)脂、不銹鋼制網(wǎng)等的基體14的密合性高。因此，底涂劑薄膜16可以追隨基體14的變形而變形。另外，無(wú)定形碳膜不易與軟金屬凝結(jié)，因此即使在工件20包含軟金屬的情況下，也可以防止工件20凝結(jié)到網(wǎng)構(gòu)件上。
[0041]如上所述，在形成在基體14上的底涂劑薄膜16的表面的至少一部分上形成有疏水性的涂層薄膜18。涂層薄膜18包含例如含有氟的含氟偶聯(lián)劑。含氟偶聯(lián)劑的一例為含氟硅烷偶聯(lián)劑。作為這樣的含氟硅烷偶聯(lián)劑，已知例如株式會(huì)社氟化物科技(7 口口 ^夕7 口 y'—)公司的Fluorosurf FG-5010Z130-0.2。該涂層薄膜18可以以不對(duì)透過(guò)網(wǎng)構(gòu)件的開(kāi)口部的液體(洗滌液或鍍敷液)的透過(guò)性造成實(shí)質(zhì)性影響的程度薄薄地形成。硅烷偶聯(lián)劑通過(guò)與源自底涂劑薄膜16所含的硅、鈦、鋁、鋯或這些元素的氧化物的羥基的化學(xué)鍵(例如，基于脫水縮合反應(yīng)的鍵或氫鍵等)進(jìn)行鍵合。由此，在底涂劑薄膜16的表面上形成伴有牢固的鍵交聯(lián)層的具有連續(xù)性的面狀的氟樹(shù)脂膜，從而可以對(duì)網(wǎng)構(gòu)件的基材14表面賦予優(yōu)異的疏水性。
[0042]涂層薄膜18可以僅在筐10的一部分上形成。圖4是構(gòu)成筐10的網(wǎng)構(gòu)件的線構(gòu)件的剖面圖。在圖4所示的實(shí)施方式中，僅在線構(gòu)件中的收容空間外側(cè)(在圖2中如箭頭B所示向外側(cè)露出的側(cè))形成有涂層薄膜18，在收容空間內(nèi)側(cè)(在圖2中如箭頭A所示面對(duì)收容空間的側(cè))未形成涂層薄膜18，底涂劑薄膜16露出。底涂劑薄膜16也可以與涂層薄膜18同樣地僅在收容空間外側(cè)形成。在該情況下，在收容空間內(nèi)側(cè)中，基材14露出。
[0043]筐10的收容空間內(nèi)側(cè)的表面，在洗滌時(shí)與工件20頻繁地接觸，因此，由于與該工件的摩擦，形成在該收容空間內(nèi)側(cè)的表面上的底涂劑薄膜16、涂層薄膜18容易脫落。另一方面，筐10的收容空間外側(cè)的表面不與工件20直接接觸，因此底涂劑薄膜16、涂層薄膜18不易脫落。因此，通過(guò)在基材14的收容空間外側(cè)形成底涂劑薄膜16及涂層薄膜18，可以有效地賦予基材14疏水性，提高基材14的透液性。另外，為了有效攪拌工件20，基材14包含具有適合的摩擦系數(shù)的材料。因此，通過(guò)僅在基材14的收容空間外側(cè)形成底涂劑薄膜16及涂層薄膜18，可以在不使基材14的摩擦系數(shù)變化的情況下(從而在不使攪拌性能劣化的情況下)賦予基材14疏水性，提聞基材14的透液性。
[0044]另外，在通過(guò)親水性的網(wǎng)的液體中不易產(chǎn)生微小的氣泡，因此可以抑制由微小的氣泡附著于工件20而引起的浮起、對(duì)筐的附著。因此，通過(guò)將筐10的一部分的面(在筐10為六角柱形狀時(shí)，該六角柱狀的八個(gè)面中的一個(gè)面)如圖3所示制成形成有底涂劑薄膜16及涂層薄膜18的疏水性的網(wǎng)構(gòu)件，將其他面(例如，六角柱形狀的其他七個(gè)面)制成僅形成有底涂劑薄膜16的親水性的網(wǎng)構(gòu)件，由此，洗滌液24順利地透過(guò)該疏水性的網(wǎng)構(gòu)件的同時(shí),也可以由親水性網(wǎng)抑制微小氣泡的產(chǎn)生。另外，可以由疏水性的網(wǎng)構(gòu)件僅構(gòu)成筐10的一個(gè)面的一部分，并且該面的其他部分由親水性的網(wǎng)構(gòu)件構(gòu)成。
[0045]通過(guò)僅在構(gòu)成筐10的網(wǎng)構(gòu)件的線構(gòu)件的一部分上形成涂層薄膜18，洗滌液等液體可以利用該涂層薄膜18的疏水性向筐10內(nèi)外順利地流入、排出，并且可以利用未形成涂層薄膜18的部分的親水性抑制微小的氣泡的產(chǎn)生。另外，作為僅在筐10的一部分上形成涂層薄膜18的其他例子，在筐10以圓筒形狀構(gòu)成時(shí)，可以僅在其側(cè)面形成涂層薄膜18。由此，在未形成涂層薄膜18的筐10的頂面及底面的表面中親水性的底涂劑薄膜16露出。由于通過(guò)親水性的網(wǎng)的液體中不易產(chǎn)生微小的氣泡，因此通過(guò)僅在筐10的一部分上形成涂層薄膜18，洗滌液等液體可以從形成有該涂層薄膜18的疏水性部分順利地流入、排出，并且可以利用未形成涂層薄膜18的親水性的部分抑制微小的氣泡的產(chǎn)生。
[0046]涂層薄膜18可以通過(guò)各種方法設(shè)置到底涂劑薄膜16的表面上。涂層薄膜18可以通過(guò)使用例如無(wú)紡布等布、海綿、海綿狀輥、刷子和/或這些以外的各種涂布用具涂布到底涂劑薄膜16的表面上。另外，涂層薄膜18也可以通過(guò)將含氟偶聯(lián)劑制成霧狀后進(jìn)行噴霧來(lái)形成。除此以外，可以通過(guò)浸潰法、電阻加熱法、蒸鍍法和/或這些以外的各種方法來(lái)形成。圖4所示的結(jié)構(gòu)可以通過(guò)僅在形成有底涂劑薄膜16的基體14的一個(gè)面(例如，組裝時(shí)向收容空間外側(cè)露出的面)上涂布涂層薄膜18來(lái)得到。
[0047]另外，底涂劑薄膜16可以僅在構(gòu)成網(wǎng)構(gòu)件的線構(gòu)件的收容空間外側(cè)(或收容空間內(nèi)側(cè))形成。由此，由于賦予疏水性的涂層薄膜18通常易于從基材14剝離，因此通過(guò)僅在線構(gòu)件的一部分(收容空間外側(cè)或內(nèi)側(cè))上形成底涂劑薄膜16，在未形成底涂劑薄膜16的部分無(wú)意地形成涂層薄膜18時(shí)，該涂層薄膜18可容易地被除去。
[0048]底涂劑薄膜16和/或涂層薄膜18可以在構(gòu)成網(wǎng)構(gòu)件的線構(gòu)件的圓周方向的一部分上形成。圖4顯示出僅在線構(gòu)件的圓周方向的一部分(收容區(qū)間外側(cè))上形成有涂層薄膜18的線構(gòu)件的一例。除了圖4所例示的形態(tài)以外，底涂劑薄膜16和/或涂層薄膜18可以在線構(gòu)件的圓周方向的任意的一部分上形成。
[0049]另外，利用上述反應(yīng)性濺射法、氧等離子體或氮等離子體的照射，可以通過(guò)使底涂劑薄膜16含有氧或氮來(lái)賦予底涂劑薄膜電極性。利用該電極性，在底涂劑薄膜與含氟硅烷偶聯(lián)劑之間產(chǎn)生基于極性的鍵，利用該鍵也可以使含氟偶聯(lián)劑牢固地固著到底涂劑薄膜上。
[0050]如上所述形成的底涂劑薄膜16及涂層薄膜18非常薄地(例如幾十nm左右)形成，因此其適合應(yīng)用于具有微細(xì)的結(jié)構(gòu)的網(wǎng)。也就是說(shuō)，本發(fā)明的實(shí)施方式的底涂劑薄膜16及涂層薄膜20即使附著于網(wǎng)的開(kāi)口部，也不會(huì)對(duì)液體的透過(guò)性造成實(shí)質(zhì)性影響。
`[0051]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，可以使用能夠通過(guò)脫水縮合反應(yīng)與源自底涂劑薄膜16中的硅、鈦、鋁、氧化鋁或鋯中的至少一種的羥基進(jìn)行鍵合的任意含氟偶聯(lián)劑或氟涂層劑。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中的含氟偶聯(lián)劑可以為含有能夠與底涂劑薄膜16形成-0-M鍵(在此，Μ是T1、Al或Zr)的元素Μ的偶聯(lián)劑。
[0052]涂層薄膜18可以為包含以偶聯(lián)劑為主要成分的第一層和以疏水性材料為主要成分的第二層的兩層結(jié)構(gòu)?？梢宰鳛橥繉颖∧?8中的第一層使用的偶聯(lián)劑，包含硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯系偶聯(lián)劑、鋁酸酯系偶聯(lián)劑及鋯酸酯系偶聯(lián)劑。硅烷偶聯(lián)劑無(wú)需例示，其被廣泛地普及?？梢允褂檬惺鄣母鞣N硅烷偶聯(lián)劑作為薄膜20的第一層?？梢詰?yīng)用于本發(fā)明的硅烷偶聯(lián)劑的一例，為癸基三甲氧基硅烷(商品名“ΚΒΜ-3103”信越化學(xué)工業(yè)(株))?？梢詰?yīng)用于本發(fā)明的鈦酸酯系偶聯(lián)劑，包含例如:四甲氧基鈦酸酯、四乙氧基鈦酸酯、四丙氧基鈦酸酯及四異丙氧基鈦酸酯。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以使用商品名“PLENACT38S”(味之素精細(xì)化學(xué)株式會(huì)社)作為涂層薄膜18。
[0053]可以作為涂層薄膜18中的第一層使用的鋁酸酯系偶聯(lián)劑，包含:鋁烷基乙酰乙酸酯.二異丙醇鹽、鋁乙基乙酰乙酸酯.二異丙醇鹽、鋁三乙基乙酰乙酸酯、異丙醇鋁等。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以使用商品名“PLENACTAL-M” (烷基乙酸酯鋁二異丙醇鹽，味之素精細(xì)化學(xué)(株)制)作為涂層薄膜18。
[0054]可以作為涂層薄膜18中的第一層使用的鋯酸酯系偶聯(lián)劑，包含:新戊基(二烯丙基)氧、三甲基丙烯?；喫狨?、四(2，2 二烯丙氧基甲基)丁基、二(雙十三烷基)磷酸酯鋯酸酯及環(huán)[二新戊基(二烯丙基)]焦磷酸二新戊基(二烯丙基)鋯酸酯。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以使用商品名“Ken-React NZ01” (kenrich公司)作為涂層薄膜18。
[0055]含氟偶聯(lián)劑是指在其分子結(jié)構(gòu)內(nèi)具有氟取代基的偶聯(lián)劑，其通常具有疏水性、疏油性。能夠作為涂層薄膜18使用的含氟偶聯(lián)劑，包含以下物質(zhì)。
[0056](i) CF3 (CF2) 7CH2CH2Si (0CH3) 3
[0057](i i) CF3 (CF2) 7CH2CH2SiCH3Cl2
[0058](i i i) CF3 (CF2) 7CH2CH2SiCH3 (0CH3) 2
[0059](iv) (CH3)3Si0S02CF3
[0060](v) CF3C0N (CH3) SiCH3[0061 ] (vi) CF3CH2CH2Si (0CH3) 3
[0062](vii)CF3CH2SiCl3
[0063](Vi i i) CF3 (CF2) 5CH2CH2SiCl3
[0064](ix) CF3 (CF2) 5CH2CH2Si (0CH3) 3
[0065](x)CF3(CF2)7CH2CH2SiCl3
[0066]這些含氟偶聯(lián)劑說(shuō)到底只是一例，能夠應(yīng)用于本發(fā)明的含氟偶聯(lián)劑并不限于這些例。作為含氟偶聯(lián)劑，可以使用例如由株式會(huì)社氟化物科技公司銷售的FG-5010Z130-0.2(氟樹(shù)脂 0.02 ~0.2%，氟系溶劑 99.8%~ 99.98% ) ?
[0067]另外，涂層薄膜18可以為包含以偶聯(lián)劑為主要成分的第一層和以疏水性材料為主要成分的第二層的兩層結(jié)構(gòu)。該第一層例如為包含能夠與底涂劑薄膜16形成氫鍵和/或基于縮合反應(yīng)的-0-M鍵(在此,Μ為選自S1、T1、Al及Zr中的任一元素)的偶聯(lián)劑的薄膜。所述偶聯(lián)劑包含例如:硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯系偶聯(lián)劑、鋁酸酯系偶聯(lián)劑及鋯酸酯系偶聯(lián)劑。這些偶聯(lián)劑還可以與其他種類的偶聯(lián)劑混合使用。第二層例如為包含甲基三氯硅烷、辛基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷等烷基氯硅烷類；二甲基二甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷等烷基甲氧基硅烷類；7K甲基二娃氣燒及甲娃烷基化劑以及娃麗等疏水性材料的薄I吳。另外，也可以使用包含上述含氟硅烷偶聯(lián)劑的薄膜作為第二層。能夠作為第二層使用的疏水性材料不限于在本說(shuō)明書(shū)中明示出的物質(zhì)。
[0068]實(shí)施例
[0069]通過(guò)以下所示的方法，可確認(rèn)，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體所具備的底涂劑薄膜具有親水性，并且涂層薄膜具有疏水性。
[0070]首先，準(zhǔn)備由不銹鋼(SUS304)構(gòu)成的基材作為各試樣的基材。具體地，準(zhǔn)備各邊為30mmX30mm、厚1mm的矩形形狀的SUS304。將該基材調(diào)整為表面粗度Ra:0.035 μ m，從而使其具有非常平滑的表面。
[0071](1)試樣1-1、試樣1-2的制成
[0072]首先，在高壓DC脈沖等離子體CVD裝置中設(shè)置上述不銹鋼(SUS304)基材及市售的Si靶，在該CVD裝置中進(jìn)行濺射，使Si的薄膜(底涂劑薄膜)在SUS304基材的表面上沉積。接著，將形成有Si薄膜的基材設(shè)置在另一個(gè)高壓DC脈沖等離子體CVD裝置中，在該CVD裝置中導(dǎo)入氮?dú)?。在該CVD裝置中，對(duì)基材表面照射氮等離子體，使Si薄膜含有氮，得到試樣1-1。在如此得到的試樣1-1上，浸潰涂布市售的含氟硅烷偶聯(lián)劑(株式會(huì)社氟化物公司的fluorosurf FG-5010Z130-0.2)的溶液，在室溫下使其干燥，得到試樣1-2。[0073](2)試樣2-1、試樣2-2的制成
[0074]首先，在濺射裝置中設(shè)置上述不銹鋼(SUS304)基材及市售的Ti靶，在該濺射裝置中進(jìn)行濺射，使Ti的薄膜(底涂劑薄膜)在SUS304基材的表面上沉積。接著，將形成有Ti薄膜的基材設(shè)置在另一個(gè)高壓DC脈沖等離子體CVD裝置中，在該CVD裝置中導(dǎo)入氮?dú)?。在該CVD裝置中，對(duì)基材表面照射氮等離子體，使Ti薄膜含有氮，得到試樣2-1。在如此得到的試樣2-1上浸潰涂布市售的含氟硅烷偶聯(lián)劑的溶液，在室溫下使其干燥，得到試樣2-2。
[0075](3)試樣3-1、試樣3-2的制成
[0076]首先，在濺射裝置中設(shè)置上述不銹鋼(SUS304)基材及市售的A1203靶，在該濺射裝置中進(jìn)行濺射，使A1203的薄膜(底涂劑薄膜)在SUS304基材的表面上沉積。接著，將形成有A1203薄膜的基材設(shè)置在另一個(gè)高壓DC脈沖等離子體CVD裝置中，在該CVD裝置中導(dǎo)入氮?dú)?。在該CVD裝置中，對(duì)基材表面照射氮等離子體，使A1203薄膜進(jìn)一步含有氮，得到試樣3-1。在如此得到的試樣3-1上浸潰涂布市售的含氟硅烷偶聯(lián)劑的溶液，在室溫下使其干燥，得到試樣3-2。
[0077](4)試樣4-1、試樣4-2的制成
[0078]首先，在高壓DC脈沖等離子體CVD裝置中設(shè)置上述不銹鋼(SUS304)基材，將該CVD裝置真空減壓。在真空減壓后的該CVD裝置中導(dǎo)入三甲基硅烷，在SUS304基材的表面上形成含有Si的無(wú)定形碳膜。接著，將三甲基硅烷排出后，導(dǎo)入氧氣，對(duì)基材表面照射氧等離子體，使含有Si的無(wú)定形碳膜進(jìn)一步含有氧。在如此得到的試樣4-1上浸潰涂布市售的含氟硅烷偶聯(lián)劑的溶液，在室溫下使其干燥，得到試樣4-2。
[0079](5)試樣5_1、試樣5_2的制成
[0080]首先，在濺射裝置中設(shè)置上述不銹鋼(SUS304)基材及市售的A1靶，在該濺射裝置中進(jìn)行濺射，使A1的薄膜(底涂劑薄膜)在SUS304基材的表面上沉積。接著，將形成有A1薄膜的基材設(shè)置在另一個(gè)高壓DC脈沖等離子體CVD裝置中，在該CVD裝置中導(dǎo)入氮?dú)?。在該CVD裝置中，對(duì)基材表面照射氮等離子體，使A1薄膜進(jìn)一步含有氮，得到試樣5-1。在如此得到的試樣5-1上浸潰涂布市售的含氟硅烷偶聯(lián)劑的溶液，在室溫下使其干燥，得到試樣 5-2。
[0081]對(duì)于如此準(zhǔn)備的試樣1-1~5-2，分別在試樣上的不同的10點(diǎn)處測(cè)定與水(純水)的接觸角。使用市售的接觸角計(jì)(協(xié)和界面科學(xué)株式會(huì)社便攜式接觸角計(jì)PCA-1)，在室溫(25±5°C )、50±10% RH的條件下進(jìn)行接觸角的測(cè)定。關(guān)于未涂布含氟硅烷偶聯(lián)劑的試樣1-1、2-1、3-1、4-1、5-1，各接觸角的平均值為27°~60°左右。另一方面，關(guān)于涂布有含氟硅烷偶聯(lián)劑的試樣1-2、2-2、3-2、4-2、5-2，接觸角的平均值為105°~114°左右。由此，可以確認(rèn)包含S1、T1、Al、Al203或無(wú)定形碳膜，并經(jīng)由等離子體照射氮或氧的底涂劑薄膜具有親水性，并且形成在底涂劑薄膜上的含氟硅烷偶聯(lián)劑具有疏水性。
[0082]接著，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的透過(guò)性，通過(guò)以下所示的方法進(jìn)行確認(rèn)。使用丙烯酸樹(shù)脂制的棒狀構(gòu)件制成與直徑200_的圓內(nèi)切的6邊形的具有頂面及底面且高約270_的六角柱的骨架。也就是說(shuō)，在與該六角柱的各邊相當(dāng)?shù)奈恢锰幣渲糜斜┧針?shù)脂制的棒狀的構(gòu)件，以維持該六角柱形狀的方式將該棒狀構(gòu)件互相固定。
[0083]接著，準(zhǔn)備線直徑0.125mm、開(kāi)孔0.238mm、網(wǎng)目數(shù)70個(gè)/1英寸的聚酯制網(wǎng)基材。在該網(wǎng)基材的兩面上通過(guò)與試樣4-2同樣的方法形成無(wú)定形碳膜及含氟硅烷偶聯(lián)劑薄膜。將如此形成有無(wú)定形碳膜及含氟硅烷偶聯(lián)劑薄膜的網(wǎng)構(gòu)件粘貼在由丙烯酸樹(shù)脂制的棒狀構(gòu)件構(gòu)成的骨架中的與該六角柱的面相當(dāng)?shù)牟糠稚?粘貼在頂面、底面及6個(gè)側(cè)面上)。由此，得到具有由網(wǎng)構(gòu)件劃出的六角柱形狀的收容空間的筐。將如此得到的包含在收容空間內(nèi)側(cè)及外側(cè)的兩面上形成有含氟硅烷偶聯(lián)劑薄膜的網(wǎng)構(gòu)件的筐作為實(shí)施例1。
[0084]接著，在與實(shí)施例1同樣的聚酯制網(wǎng)基材的單面上，通過(guò)與試樣4-1同樣的方法形成無(wú)定形碳膜。接著，僅在通過(guò)與該網(wǎng)基材的試樣4-1同樣的方法形成的無(wú)定形碳膜側(cè)的單面?zhèn)刃纬珊柰榕悸?lián)劑薄膜。
[0085]將如此在單面形成無(wú)定形碳膜、并且僅在相同的單面涂布含氟硅烷偶聯(lián)劑的網(wǎng)構(gòu)件，以涂布有含氟硅烷偶聯(lián)劑的面朝向收容空間的外側(cè)的方式，粘貼到由與實(shí)施例1相同的丙烯酸樹(shù)脂制的棒狀構(gòu)件構(gòu)成的骨架中的與該六角柱的面相當(dāng)?shù)牟糠稚?。將在如此得到的包含在收容空間外側(cè)形成有無(wú)定形碳膜、并且在收容空間外側(cè)形成有含氟硅烷偶聯(lián)劑薄膜的網(wǎng)構(gòu)件的筐作為實(shí)施例2。
[0086](疏水性網(wǎng)及親水性網(wǎng)組合而成的筐的透液性的驗(yàn)證)
[0087]接著，將通過(guò)與實(shí)施例1同樣的方法準(zhǔn)備的網(wǎng)構(gòu)件(兩面為疏水處理的網(wǎng))粘貼到由與實(shí)施例1相同的丙烯酸制的棒狀構(gòu)件構(gòu)成的骨架中的僅與該六角柱的共8面中的1面相當(dāng)?shù)牟糠稚?。將通過(guò)與試樣4-1同樣的方法在內(nèi)外兩面上僅形成有無(wú)定形碳膜的網(wǎng)(兩面為親水性的網(wǎng))粘貼到與剩下的該六角柱的共7面相當(dāng)?shù)牟糠值木W(wǎng)上。將如此得到的包含形成有收容空間的一部分(1面?zhèn)鹊膬擅?為疏水性的網(wǎng)、其他部分(7面?zhèn)鹊膬擅?為親水性的網(wǎng)的網(wǎng)構(gòu)件的筐作為實(shí)施例3。
[0088]接著，將與實(shí)施例1相同的聚酯制網(wǎng)基材粘貼到由與實(shí)施例1相同的丙烯酸樹(shù)脂制的棒狀構(gòu)件構(gòu)成的骨架中的與該六角柱的面相當(dāng)?shù)牟糠稚稀⑷绱说玫降陌埘?shù)脂露出的網(wǎng)構(gòu)件的筐作為比較例1。
[0089](包含疏水性網(wǎng)的筐的透液性的驗(yàn)證)
[0090]接著，在實(shí)施例1~實(shí)施例3以及比較例1的各筐的收容空間內(nèi)分別投入900cc由鋼丸形成的直徑約0.2mm~0.4mm的鐵球，使收容有該鐵球的各筐淹沒(méi)于用純水注滿的水槽中。接著，用公知的上拉機(jī)構(gòu)將各筐以55cm/sec的速度拉起，測(cè)定該拉起時(shí)的負(fù)荷的經(jīng)時(shí)變化。結(jié)果，在將比較例1的筐從水面完全拉起的時(shí)刻(筐整體從水面露出的時(shí)刻)，施加到該上拉機(jī)構(gòu)的負(fù)荷約為23kg，約4秒后降低至約18kg。可認(rèn)為5kg的負(fù)荷降低是被封入筐中、并與筐同時(shí)被拉起的水的重量。因此，從該測(cè)定結(jié)果可知，到水完全從比較例1的筐中流出為止需要4秒鐘。
[0091]對(duì)于實(shí)施例1~實(shí)施例3的筐，也與比較例1同樣地，測(cè)定從水槽中拉起時(shí)的施加到上拉機(jī)構(gòu)的負(fù)荷的經(jīng)時(shí)變化。結(jié)果，對(duì)于實(shí)施例1及實(shí)施例2、實(shí)施例3中的任一個(gè)而言，施加到上拉機(jī)構(gòu)的負(fù)荷在筐整體從水面露出的時(shí)刻皆為約23kg，約1秒后降低至約18kg。由此可以確認(rèn)，通過(guò)在構(gòu)成筐的網(wǎng)構(gòu)件的表面的至少收容空間外側(cè)的面上形成疏水性薄膜，或通過(guò)在構(gòu)成筐的網(wǎng)的圓周方向的一部分上形成疏水性薄膜，可以改善該筐的透液性。認(rèn)為實(shí)施例3的排水性高是因?yàn)?在筐的一部分上形成的疏水性的網(wǎng)部分中不易形成水膜，空氣容易從該部分進(jìn)入到筐內(nèi)部，由此，筐整體的排水性提高。
[0092]另外，使收容有實(shí)施例3的鐵球的筐再次淹沒(méi)于水槽中，并確認(rèn)此時(shí)的氣泡的產(chǎn)生狀況。結(jié)果，在筐的親水性的網(wǎng)部分中幾乎沒(méi)有產(chǎn)生微小的氣泡。另一方面，可以確認(rèn)在疏水性的網(wǎng)部分中有多個(gè)微小的氣泡。通過(guò)此驗(yàn)證，可以確認(rèn):通過(guò)僅將筐的網(wǎng)的一部分制成疏水性，可確保筐的排水性，同時(shí)通過(guò)其他親水性網(wǎng)部分可以抑制微小氣泡的產(chǎn)生。
[0093](疏水性網(wǎng)的鍍敷液透過(guò)性的驗(yàn)證)
[0094]接著，在實(shí)施例1、實(shí)施例2及比較例1的各筐的收容空間內(nèi)分別投入900cc由鋼丸形成的直徑約0.2mm~0.4mm的鐵球，使收容有該鐵球的各筐浸潰于用公知的硫酸Sn鍍敷液(表面張力:35dyne/cm，pH:4.0~4.5)注滿的鍍敷液槽中。接著，用公知的上拉機(jī)構(gòu)將各筐以55cm/sec的速度拉起，測(cè)定該拉起時(shí)的負(fù)荷的經(jīng)時(shí)變化。結(jié)果，在將比較例1的筐從鍍敷液面完全拉起的時(shí)刻(筐整體從鍍敷液面露出時(shí))，施加到該上拉機(jī)構(gòu)的負(fù)荷約為22kg，約5秒后降低至約18kg。可認(rèn)為4kg的負(fù)荷降低是被封入筐中、并與筐同時(shí)被拉起的鍍敷液的重量。因此，從此測(cè)定結(jié)果可知，到鍍敷液完全從比較例1的筐流出為止需要5秒鐘。
[0095]對(duì)于實(shí)施例1及實(shí)施例2的筐，也與比較例1同樣地，測(cè)定從鍍敷液槽中拉起時(shí)的施加到上拉機(jī)構(gòu)的負(fù)荷的經(jīng)時(shí)變化。結(jié)果，對(duì)于實(shí)施例1及實(shí)施例2中的任一個(gè)而言，施加到上拉機(jī)構(gòu)的負(fù)荷在筐整體從液面露出的時(shí)刻皆為約22kg，約1秒后降低至約17kg。由此可以確認(rèn)，通過(guò)在構(gòu)成筐的網(wǎng)構(gòu)件的表面的至少收容空間外側(cè)的面上形成疏水性薄膜，可以改善該筐的鍍敷液透過(guò)性。`
[0096]通過(guò)上述實(shí)施例顯示出，在構(gòu)成筐的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的表面上形成具有疏水性的涂層薄膜時(shí)，可以改善該筐的鍍敷液透過(guò)性。認(rèn)為所述改善是因?yàn)榫W(wǎng)結(jié)構(gòu)體的表面上被賦予了疏水性，因此，由疏水性材料形成網(wǎng)結(jié)構(gòu)體的表面(的至少一部分)時(shí)，與形成有涂層薄膜的實(shí)施例同樣地，使用該網(wǎng)結(jié)構(gòu)體制作的筐的鍍敷液透過(guò)性得到改善。
【權(quán)利要求】
1.一種網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其具備:劃出用于收容工件的收容空間的網(wǎng)基體、及形成在所述網(wǎng)基體的表面的至少一部分上的、具有比所述網(wǎng)基體更高的疏水性的涂層薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其在所述網(wǎng)基體的表面上還具備通過(guò)干式工藝形成的底涂劑薄膜，所述涂層薄膜形成在所述底涂劑薄膜的表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述底涂劑薄膜含有選自S1、T1、A1及Zr以及它們的氧化物中的至少一種物質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述底涂劑薄膜含有氧和/或氮。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述底涂劑薄膜為含有選自0、N及Si中的至少一種物質(zhì)的無(wú)定形碳膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述底涂劑薄膜具有比所述基體更高的親水性。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述網(wǎng)基體以實(shí)質(zhì)上包含矩形平面狀的6個(gè)網(wǎng)板的長(zhǎng)方體形狀構(gòu)成，所述涂層薄膜形成在該六個(gè)網(wǎng)板中的至少一個(gè)的表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，所述網(wǎng)基體以圓筒形狀構(gòu)成，`所述涂層薄膜形成在所述圓筒形狀的網(wǎng)基體的頂面、底面或側(cè)面中的至少一個(gè)面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求2~6中任一項(xiàng)所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述干式工藝為選自濺射法、等離子體CVD法、CVD法、真空蒸鍍法、MBE法、團(tuán)簇離子束法及高頻離子鍍敷法中的任一種工藝。
10.根據(jù)權(quán)利要求2~6或9中任一項(xiàng)所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述涂層薄膜形成在所述底涂劑薄膜的表面上，且其以能夠與所述底涂劑薄膜形成氫鍵和/或基于縮合反應(yīng)的-Ο-M鍵的含氟偶聯(lián)劑為主要成分，在此，Μ為選自S1、T1、Al及Zr中的任一元素。
11.根據(jù)權(quán)利要求2~6或9中任一項(xiàng)所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述涂層薄膜形成在所述底涂劑薄膜的表面上，且其以能夠與所述底涂劑薄膜形成氫鍵和/或基于縮合反應(yīng)的-Ο-M鍵的含氟硅烷偶聯(lián)劑為主要成分，在此，Μ是選自S1、T1、Al及Zr中的任一元素。
12.根據(jù)權(quán)利要求2~6或9中任一項(xiàng)所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述涂層薄膜具備:以能夠與所述底涂劑薄膜形成氫鍵和/或基于縮合反應(yīng)的-Ο-M鍵的偶聯(lián)劑為主要成分，且形成在所述底涂劑薄膜的表面上的第一層，在此，Μ是選自31、11、41及21'中的任一元素 '及以疏水材料為主要成分、且形成在所述第一層的表面上的第二層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述偶聯(lián)劑由選自硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯系偶聯(lián)劑、鋁酸酯系偶聯(lián)劑及鋯酸酯系偶聯(lián)劑中的任一種偶聯(lián)劑構(gòu)成。
14.一種網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其具備劃出用于收容工件的收容空間的網(wǎng)基體，該網(wǎng)基體的表面的至少一部分由疏水性材料形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述疏水性材料包含氟樹(shù)脂。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的網(wǎng)結(jié)構(gòu)體，其中，所述疏水性材料包含硅酮樹(shù)脂。
【文檔編號(hào)】C23G3/00GK103668066SQ201310407790
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月11日
【發(fā)明者】澀澤邦彥, 帖佐千夏 申請(qǐng)人:太陽(yáng)化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社