一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，包括蒸發(fā)掩膜裝置及蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)掩膜裝置包括蒸發(fā)腔體及至少一個(gè)掩膜板，所述蒸發(fā)腔體的上端開口，有機(jī)電致發(fā)光器件水平放置于所述蒸發(fā)腔體的上端開口處；所述蒸發(fā)源設(shè)置在所述蒸發(fā)腔體的下方，所述蒸發(fā)腔體的下端開口，且朝向所述蒸發(fā)源；所述掩膜板水平安裝在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)；所述掩膜板上開設(shè)多個(gè)通孔，多個(gè)所述通孔均勻分布于所述掩膜板。由于掩膜板上設(shè)置有多個(gè)均勻分布的通孔，使在單位時(shí)間內(nèi)通過掩膜板的蒸發(fā)材料速度發(fā)生變化，在不改變蒸發(fā)源蒸發(fā)熱量的情況下，能夠使材料的蒸發(fā)實(shí)現(xiàn)一個(gè)非常低的蒸發(fā)速度；多個(gè)通孔均勻分布于掩膜板，可使得蒸發(fā)材料分布均勻，保證器件的發(fā)光效果。
【專利說明】一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件的制造設(shè)備，尤其涉及一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件 的蒸發(fā)設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 到目前為止，在有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，盡管全世界各國的科研人員通過選擇合 適的有機(jī)材料和合理的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，已使器件性能的各項(xiàng)指標(biāo)得到了很大的提升，例如 米用PN摻雜傳輸層的工藝，可以降低器件的啟動(dòng)電壓以提高光效，并且有利于壽命的提 高。采用各種功能材料提高器件的載流子注入和傳輸效率，例如在電子注入方面，通常在金 屬陰極與電子傳輸材料之間設(shè)置一個(gè)薄層的氧化物或者氟化物層，用于提高電子的注入能 力。在發(fā)光材料方面，通常會(huì)制備一些厚度在Inm左右的發(fā)光層用于改善器件的發(fā)光性能。
[0003] 對(duì)于這些功能層，其厚度通常較薄，一般在5nm以下，對(duì)于現(xiàn)有采用的蒸發(fā)裝置， 一般采用低速蒸發(fā)的形式制備，需要對(duì)蒸發(fā)源采用低熱量供給，從而獲得較低的蒸發(fā)速度。 但是這樣對(duì)于蒸發(fā)源的控制比較困難，特別是對(duì)于熔點(diǎn)較高的材料，必須有較高的溫度才 能蒸發(fā)，因此蒸發(fā)速度難以降低。當(dāng)采用較快的蒸發(fā)時(shí)間制作超薄功能層時(shí)，在較短的時(shí)間 內(nèi)，蒸發(fā)材料在發(fā)光器件中的分布難以均勻，影響器件的發(fā)光性能。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備， 能夠有效降低蒸發(fā)速度，使蒸發(fā)材料分布均勻，保證器件的發(fā)光性能。
[0005] 為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸 發(fā)設(shè)備，所述蒸發(fā)掩膜裝置包括蒸發(fā)腔體及至少一個(gè)掩膜板，
[0006] 所述蒸發(fā)腔體的上端開口，有機(jī)電致發(fā)光器件水平放置于所述蒸發(fā)腔體的上端開 口處；所述蒸發(fā)源設(shè)置在所述蒸發(fā)腔體的下方，所述蒸發(fā)腔體的下端開口，且朝向所述蒸發(fā) 源；
[0007] 所述掩膜板水平安裝在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)；所述掩膜板上開設(shè)多個(gè)通孔，多個(gè)所述 通孔均勻分布于所述掩膜板。
[0008] 其中，所述掩膜板的開孔率為9%_50%。
[0009] 其中，所述掩膜板為兩個(gè)或兩個(gè)以上，各掩膜板沿堅(jiān)直向?qū)盈B排布于所述托架，且 各所述掩膜板之間間隔設(shè)置。
[0010] 其中，相鄰兩個(gè)所述掩膜板之間的間隔為5-lOcm。
[0011] 其中，所述掩膜板通過可拆卸式連接結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)。
[0012] 其中，所述掩膜板的周緣與所述蒸發(fā)腔體的內(nèi)壁無縫貼合連接。
[0013] 其中，所述掩膜板與所述有機(jī)電致發(fā)光器件之間設(shè)有5-lOcm的間隙。
[0014] 其中，所述掩膜板與所述蒸發(fā)源之間均設(shè)有5-20cm的間隙。
[0015] 其中，所述蒸發(fā)設(shè)備還包括用于監(jiān)控所述蒸發(fā)源處的蒸發(fā)速度的晶振探頭，且設(shè) 置在所述掩膜板的下方。
[0016] 其中，所述蒸發(fā)設(shè)備還包括用于監(jiān)控到達(dá)所述有機(jī)電致發(fā)光器件處的蒸發(fā)速度的 晶振探頭，且設(shè)置在所述掩膜板的上方。
[0017] 本發(fā)明實(shí)施例提供的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，由于掩膜板上設(shè)置有多 個(gè)均勻分布的通孔，使在單位時(shí)間內(nèi)通過掩膜板的蒸發(fā)材料速度發(fā)生變化，在不改變蒸發(fā) 源蒸發(fā)熱量的情況下，能夠使材料的蒸發(fā)實(shí)現(xiàn)一個(gè)非常低的蒸發(fā)速度；多個(gè)通孔均勻分布 于掩膜板，可使得蒸發(fā)材料分布均勻，保證器件的發(fā)光效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019] 圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備的示意圖；
[0020] 圖2是圖1的蒸發(fā)設(shè)備中蒸發(fā)掩膜裝置與有機(jī)電致發(fā)光器件配合的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖3是圖2中蒸發(fā)掩膜裝置的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的蒸發(fā)掩膜裝置與有機(jī)電致發(fā)光器件配合的結(jié) 構(gòu)示意圖；
[0023] 圖5是本發(fā)明第三實(shí)施方式提供的蒸發(fā)掩膜裝置與有機(jī)電致發(fā)光器件配合的結(jié) 構(gòu)示意圖；
[0024] 圖6是本發(fā)明第四實(shí)施方式提供的掩膜板的示意圖；
[0025] 圖7是本發(fā)明第五實(shí)施方式提供的掩膜板的示意圖；
[0026] 圖8是本發(fā)明第六實(shí)施方式提供的掩膜板的示意圖；
[0027] 圖9是本發(fā)明第七實(shí)施方式提供的掩膜板的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述。
[0029] 參見圖1至圖3,為本發(fā)明中第一實(shí)施例提供的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè) 備，包括蒸發(fā)掩膜裝置100及蒸發(fā)源200。
[0030] 如圖1及圖2所示，蒸發(fā)掩膜裝置100包括一蒸發(fā)腔體110及一掩膜板121。蒸發(fā) 腔體110的上端開口，有機(jī)電致發(fā)光器件300水平放置于蒸發(fā)腔體110的上端開口處。蒸 發(fā)源200設(shè)置在蒸發(fā)腔體110下方，蒸發(fā)腔體110的下端開口，且朝向蒸發(fā)源200。蒸發(fā)源 200產(chǎn)生的蒸發(fā)材料通過蒸發(fā)腔體110并經(jīng)掩膜板121傳輸?shù)接袡C(jī)電致發(fā)光器件300上。
[0031] 掩膜板121水平安裝在蒸發(fā)腔體110內(nèi)。如圖3所示，掩膜板121上開設(shè)多個(gè)通 孔120,多個(gè)通孔120均勻分布于掩膜板121。通孔120的形狀可以為圓形，以便于加工制 備。掩膜板121的周緣與蒸發(fā)腔體110的內(nèi)壁無縫貼合連接，使得蒸發(fā)材料僅能通過通孔 120穿過掩膜板121。通過掩膜板121的通孔120可控制單位時(shí)間內(nèi)通過掩膜板121的蒸 發(fā)材料數(shù)目，從而得到較低的蒸發(fā)速度。同時(shí)多個(gè)通孔120均勻分布于掩膜板121，可使得 蒸發(fā)材料分別均勻，保證器件的發(fā)光性能。單位時(shí)間內(nèi)通過的蒸發(fā)材料數(shù)目由掩膜板121 的開孔率決定，以達(dá)到不同的蒸發(fā)速度。作為優(yōu)選，掩膜板121的開孔率為9%-50%，本實(shí)施 方式中，掩膜板121的開孔率為9%。
[0032] 掩膜板121可通過緊固件、卡扣、或插接等可拆卸式連接結(jié)構(gòu)連接在蒸發(fā)腔體110 內(nèi)，以便于更換不同開孔率的掩膜板121，達(dá)到調(diào)節(jié)蒸發(fā)速度的目的。由于掩膜板121的周 緣與蒸發(fā)腔體110的內(nèi)壁無縫貼合連接，即掩膜板121的形狀與蒸發(fā)腔體110的內(nèi)腔橫截 面形狀相同，在本實(shí)施方式中，如圖3所示，掩膜板121的形狀為方形，相應(yīng)蒸發(fā)腔體110的 內(nèi)腔橫截面形狀為與之相配合的方形；當(dāng)然，在其他的實(shí)施方式中，二者亦可均為圓形、三 角形、或其他形狀，或者，掩膜板121與蒸發(fā)腔體110的內(nèi)壁之間亦可為略有間隙。
[0033] 如圖1所示，蒸發(fā)設(shè)備還包括兩個(gè)晶振探頭401、402,分別設(shè)置在掩膜板12的下方 及上方，兩個(gè)晶振探頭401、402分別用于監(jiān)控蒸發(fā)源200處的蒸發(fā)速度及到達(dá)有機(jī)電致發(fā) 光器件300處的蒸發(fā)速度，以便于調(diào)整掩膜板121控制蒸發(fā)速度。
[0034] 掩膜板121與有機(jī)電致發(fā)光器件300之間、及掩膜板121與蒸發(fā)源200之間均設(shè) 有間隙，以便使掩膜板121能起到更好的減速作用。作為優(yōu)選，掩膜板121與有機(jī)電致發(fā)光 器件300之間的間隙為5-10cm，掩膜板121與蒸發(fā)源200之間的間隙為5-20cm，具體地，本 實(shí)施例中，掩膜板121與有機(jī)電致發(fā)光器件300之間的間隙為10cm，掩膜板121與蒸發(fā)源 200之間的間隙為20cm。
[0035] 本實(shí)施方式中，在蒸發(fā)源200中的設(shè)置有機(jī)蒸發(fā)材料LiF,處于掩膜板121下方的 晶振探頭401監(jiān)控的蒸發(fā)速度為lnm/s，蒸發(fā)材料通過掩膜板121后，在掩膜板121上方的 晶振探頭402監(jiān)控的蒸發(fā)速度約為0. lnm/s，蒸發(fā)時(shí)間為20秒，得到在有機(jī)電致發(fā)光器件 300上得到的LiF沉積厚度為2nm，可見通過掩膜板121可以達(dá)到良好的蒸發(fā)速度控制效 果。
[0036] 如圖4所示，在本發(fā)明第二實(shí)施方式中，掩膜板為兩個(gè)122a及122b，沿堅(jiān)直向?qū)?疊排布設(shè)置。處于下方的掩膜板122a的開孔率為50%，且與蒸發(fā)源200之間的間隙為5cm。 處于上方的掩膜板122b的開孔率為16. 7%，其與有機(jī)電致發(fā)光器件300之間的間隙為5cm， 該掩膜板122b上的通孔120為圓形。兩個(gè)掩膜板122a、122b之間的間隙為5cm。其他部分 與第一實(shí)施方式相同，在此不再贅述。
[0037] 在蒸發(fā)源200中設(shè)置有機(jī)蒸發(fā)材料LiF，從蒸發(fā)源200上的蒸發(fā)材料的蒸發(fā)速度為 lnm/s，通過兩塊掩膜板122a、122b后，抵達(dá)有機(jī)電致發(fā)光器件300的蒸發(fā)速度約為0. 05nm/ s，蒸發(fā)時(shí)間為20s，得到LiF的沉積厚度為lnm。
[0038] 如圖5所示，在本發(fā)明提供的第三實(shí)施方式中，掩膜板為三個(gè)123a、123b、123c，& 于最下方的掩膜板123a的開孔率為50%，且與蒸發(fā)源200之間的間隙為5cm。處于中間位 置的掩膜板123b的開孔率為50%，與最下方的掩膜板123a之間的間距為5cm。處于最上方 的掩膜板123c的開孔為9%，其與中間位置的掩膜板123b之間的間距為5cm，掩膜板123c 與有機(jī)電致發(fā)光器件300之間的間距為10cm。其他部分與第一實(shí)施方式相同，在此不再贅 述。
[0039] 在蒸發(fā)源200中設(shè)置有機(jī)蒸發(fā)材料LiF，從蒸發(fā)源200上的蒸發(fā)材料的蒸發(fā)速度 5nm/s，蒸發(fā)材料通過三個(gè)掩膜板123a、123b、123c后，抵達(dá)有機(jī)電致發(fā)光器件300的蒸發(fā)速 度為0. 01nm/S，蒸發(fā)時(shí)間為60s，得到LiF的沉積厚度為lnm。
[0040] 在此處，需要說明的是，掩膜板的數(shù)目并不局限于上述實(shí)施方式，亦可為四個(gè)或四 個(gè)以上，且沿堅(jiān)直向?qū)盈B排布設(shè)置。當(dāng)掩膜板的數(shù)目為兩個(gè)或兩個(gè)以上時(shí)，相鄰兩個(gè)掩膜板 之間的通孔錯(cuò)位配合，已達(dá)到更好的減速效果。當(dāng)掩膜板的數(shù)目為三個(gè)或三個(gè)以上時(shí)，各掩 膜板可以等間隔排布設(shè)置，以便于裝配。
[0041] 如圖6所示，在本發(fā)明提供的第四實(shí)施方式中，掩膜板121上所開設(shè)的通孔120為 方孔，掩膜板121的開孔率為23%，其他部分與第一實(shí)施方式相同，在此不再贅述。
[0042] 如圖7所示，在本發(fā)明提供的第五實(shí)施方式中，掩膜板121上所開設(shè)的通孔120為 圓孔，掩膜板121的開孔率為16. 7%，其他部分與第一實(shí)施方式相同，在此不再贅述。
[0043] 如圖8所示，在本發(fā)明提供的第六實(shí)施方式中，掩膜板121上所開設(shè)的通孔120為 圓孔，掩膜板121的開孔率為13%，其他部分與第一實(shí)施方式相同，在此不再贅述。
[0044] 如圖9所示，在本發(fā)明提供的第七實(shí)施方式中，掩膜板121上所開設(shè)的通孔120為 三角形孔，掩膜板121的開孔率為50%，其他部分與第一實(shí)施方式相同，在此不再贅述。
[0045] 在此處，需要說明的是，通孔120的形狀還可以為長(zhǎng)方形、菱形、三角形等多邊形， 或?yàn)槠渌灰?guī)則形狀。本發(fā)明第四實(shí)施方式至第七實(shí)施方式中提供的掩膜板亦可運(yùn)用到第 二或第三實(shí)施方式中。
[0046] 以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施 方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范 圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，包括蒸發(fā)掩膜裝置及蒸發(fā)源， 所述蒸發(fā)掩膜裝置包括蒸發(fā)腔體及至少一個(gè)掩膜板， 所述蒸發(fā)腔體的上端開口，有機(jī)電致發(fā)光器件水平放置于所述蒸發(fā)腔體的上端開口 處；所述蒸發(fā)源設(shè)置在所述蒸發(fā)腔體的下方，所述蒸發(fā)腔體的下端開口，且朝向所述蒸發(fā) 源； 所述掩膜板水平安裝在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)；所述掩膜板上開設(shè)多個(gè)通孔，多個(gè)所述通孔 均勻分布于所述掩膜板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜 板的開孔率為9%-50%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜 板為兩個(gè)或兩個(gè)以上，各掩膜板沿堅(jiān)直向?qū)盈B排布于所述托架，且各所述掩膜板之間間隔 設(shè)置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，相鄰兩個(gè) 所述掩膜板之間的間隔為5-lOcm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜 板通過可拆卸式連接結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜 板的周緣與所述蒸發(fā)腔體的內(nèi)壁無縫貼合連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜 板與所述有機(jī)電致發(fā)光器件之間設(shè)有5-lOcm的間隙。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜 板與所述蒸發(fā)源之間均設(shè)有5-20cm的間隙。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā) 設(shè)備還包括用于監(jiān)控所述蒸發(fā)源處的蒸發(fā)速度的晶振探頭，且設(shè)置在所述掩膜板的下方。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā) 設(shè)備還包括用于監(jiān)控到達(dá)所述有機(jī)電致發(fā)光器件處的蒸發(fā)速度的晶振探頭，且設(shè)置在所述 掩膜板的上方。
【文檔編號(hào)】C23C14/04GK104213077SQ201310210296
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張振華, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司