滾軋銅箔的制作方法
【專利摘要】提供一種滾軋銅箔，其使銅箔表面適度地變粗糙以提高處理性，而且彎曲性優(yōu)秀，并且表面蝕刻特性良好。為一種滾軋銅箔，其中，沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的60度光澤度(G60RD)為100以上且300以下，在以200℃加熱30分鐘并調(diào)質(zhì)為再結(jié)晶組織的狀態(tài)下，滾軋面的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度(I)相對(duì)于微粉末銅的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度(I0)為20≤I/I0≤40，在于銅箔表面處沿滾軋平行方向長(zhǎng)度為175μm，且沿滾軋直角方向分別間隔50μm以上的3條直線上，與油坑的最大深度相當(dāng)?shù)母髦本€的厚度方向的最大高度與最小高度之差的平均值(d)與所述銅箔的厚度(t)的比率(d/t)為0.1以下，沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的60度光澤度(G60RD)與沿滾軋直角方向測(cè)定的表面的60度光澤度(G60TD)的比率(G60RD/G60TD)小于0.8。
【專利說(shuō)明】滾軋銅箔
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及適宜用于要求彎曲性的FPC的滾軋銅箔。
【背景技術(shù)】
[0002]彎曲用FPC (柔性印刷電路板)所使用的銅箔要求高彎曲性。作為對(duì)銅箔賦予彎曲性的方法，已知對(duì)銅箔滾軋面提高(200)面的結(jié)晶方位的取向度的技術(shù)(專利文獻(xiàn)I)、提高沿銅箔的板厚方向貫通的結(jié)晶粒的比例的技術(shù)(專利文獻(xiàn)2)、將與銅箔的油坑(oil pit)的深度相當(dāng)?shù)谋砻娲植诙萊y (最大高度)降低到2.0 μ m以下的技術(shù)(專利文獻(xiàn)3)。
[0003]一般的FPC制造工序如下。首先將銅箔與樹脂膜接合。在接合中，有通過(guò)對(duì)涂布在銅箔上的膠液(varnish)實(shí)施熱處理來(lái)亞胺化的方法、將帶粘接劑的樹脂膜和銅箔重疊并層疊的方法。將通過(guò)這些工序接合的帶樹脂膜的銅箔稱為CCL(覆銅層疊板)。通過(guò)該CCL制造工序中的熱處理，銅箔再結(jié)晶。
[0004]另外，在使用銅箔制造FPC時(shí)，若為了提高與覆蓋層膜(cover lay film)的緊貼性而蝕刻銅箔表面，則有時(shí)在表面發(fā)生直徑數(shù)10 μ m左右的凹陷(碟陷(dish down))，且尤其容易發(fā)生于高彎曲銅箔。其原因是因?yàn)椋瑸榱速x予高彎曲性，以再結(jié)晶退火后的立方體組織發(fā)達(dá)的方式控制銅箔的結(jié)晶方位。即，可以認(rèn)為，這是因?yàn)?，即使進(jìn)行此種控制，結(jié)晶的方位也不會(huì)全部一致，均勻的組織中局部地存在結(jié)晶方位不同的結(jié)晶粒。此時(shí)，蝕刻速度因被蝕刻的結(jié)晶面而異，因而該結(jié)晶粒與周圍相比被局部較深地蝕刻，成為凹陷。該凹陷成為降低電路的蝕刻性，或者在外觀檢查中被判定為不良而降低成品率的原因。
[0005]另外，根據(jù)蝕刻液，立方體組織與隨機(jī)組織相比，蝕刻速度存在變快的情況和變慢的情況。因而，若再結(jié)晶退火后的立方體組織過(guò)于發(fā)達(dá)，則該立方體組織的蝕刻速度變慢，故生產(chǎn)率降低，或者電路形成時(shí)在電路之間殘留銅，蝕刻性劣化。另一方面，若立方體組織的蝕刻速度變快，則容易蝕刻至電路部，蝕刻性還是會(huì)劣化。
[0006]作為減輕此種凹陷的方法，報(bào)告有在滾軋前或滾軋后對(duì)銅箔的表面進(jìn)行機(jī)械研磨以施加成為加工變質(zhì)層的應(yīng)變之后再結(jié)晶的技術(shù)(專利文獻(xiàn)4)。根據(jù)該技術(shù)，利用加工變質(zhì)層在再結(jié)晶后使不均勻的結(jié)晶粒群發(fā)于表面，使結(jié)晶方位不同的結(jié)晶粒不單獨(dú)存在。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特許第3009383號(hào)公報(bào)；
專利文獻(xiàn)2:日本特開2006 - 117977號(hào)公報(bào)；
專利文獻(xiàn)3:日本特開2001-058203號(hào)公報(bào)；
專利文獻(xiàn)4:日本特開2009-280855號(hào)公報(bào)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本發(fā)明要解決的問(wèn)題
然而，在專利文獻(xiàn)4記載的技術(shù)的情況下，存在如下問(wèn)題，即，不均勻的結(jié)晶粒較多，銅箔表面的結(jié)晶不沿(100)面取向，因而彎曲性降低。
[0009]另一方面，為了確保銅箔的制造時(shí)與輥的緊貼性，或者使銅箔制品的處理容易，使最終冷滾軋中的輥粗糙度變大以使銅箔表面粗糙，但是明白了，若使銅箔表面粗糙，則銅箔表面的結(jié)晶的取向度降低故彎曲性變差，或者容易產(chǎn)生碟陷。
[0010]S卩，本發(fā)明為解決上述問(wèn)題而完成，其目的在于提供一種滾軋銅箔，其使銅箔表面適度地變粗糙以提高處理性，而且彎曲性優(yōu)秀，并且表面蝕刻特性良好。
[0011]解決問(wèn)題的方案
本發(fā)明進(jìn)行了各種研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)了:在最終冷滾軋的最終軋道(pass)近前不使銅箔的表面過(guò)于粗糙，在最終冷滾軋的最終軋道中使銅箔的表面粗糙，從而使最終的銅箔表面粗糙，并且減少剪切變形帶，維持彎曲性，并且碟陷變少，基于蝕刻液的蝕刻速度差變小，因而成為蝕刻性優(yōu)秀的銅箔。
[0012]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的滾軋銅箔中，沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的依照J(rèn)IS-Z8741的60度光澤度為100以上且300以下，在以200°C加熱30分鐘并調(diào)質(zhì)為再結(jié)晶組織的狀態(tài)下，滾軋面的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度(I)相對(duì)于微粉末銅的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度(Itl)為20 < IAtl <40，在于銅箔表面處沿滾軋平行方向長(zhǎng)度為175 μ m,且沿滾軋直角方向分別間隔50 μ m以上的3條直線上，與油坑的最大深度相當(dāng)?shù)母髦本€的厚度方向的最大高度與最小高度之差的平均值d與所述銅箔的厚度t的比率d/t為0.1以下，沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的60度光澤度Georo與沿滾軋直角方向測(cè)定的表面的依照J(rèn)IS-Z8741的60度光澤度G60td的比率G6(V/G60TD小于0.8。
[0013]理想的是，在電解研磨之后利用EBSD觀察上述200°C X 30分鐘熱處理后的銅箔表面的情況下，滾軋面的結(jié)晶方位與[100]方位的角度差為15度以上的結(jié)晶粒的面積率為30 ?70%
理想的是，在將鑄塊熱滾軋之后，重復(fù)冷滾軋和退火，最后進(jìn)行最終冷滾軋來(lái)制造，在該最終冷滾軋工序中，在最終軋道的I個(gè)軋道前的階段中沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的60度光澤度G60KD超過(guò)300。
[0014]發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得一種滾軋銅箔，其使銅箔表面適度地變粗糙以提高處理性，而且彎曲性優(yōu)秀，并且表面蝕刻特性良好。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是示出油坑與光澤度的關(guān)系的圖。
[0016]圖2是示出與油坑的最大深度相當(dāng)?shù)钠骄礵的測(cè)定方法的圖。
[0017]圖3是示出利用彎曲試驗(yàn)裝置進(jìn)行彎曲疲勞壽命的測(cè)定的方法的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的滾軋銅箔。此外，在本發(fā)明中，只要不特別
聲明，則％表示質(zhì)量％。
[0019]首先，說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)思想。若使最終冷滾軋中的輥粗糙度變大以使銅箔表面粗糙，則銅箔的處理性提高，但是變得容易產(chǎn)生碟陷，蝕刻性降低?？梢哉J(rèn)為，這是因?yàn)椋米罱K冷滾軋中的粗糙的輥，在銅箔的厚度方向上產(chǎn)生剪切變形帶，滾軋進(jìn)一步繼續(xù)因而剪切變形帶發(fā)達(dá)。
[0020]另一方面，一直以來(lái)已知為了獲得銅箔的彎曲性而提高光澤度(表面粗糙度)的手法?？梢哉J(rèn)為，這是因?yàn)?，通過(guò)利用粗糙度低的輥進(jìn)行最終冷滾軋，變得難以在銅箔的厚度方向上產(chǎn)生剪切變形帶。但是，若提高銅箔的光澤度(降低表面粗糙度)，則銅箔的處理性降低。
[0021]與此相對(duì)，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了，在最終冷滾軋的最終軋道近前不使銅箔的表面過(guò)于粗糙(例如，利用粗糙度低的輥進(jìn)行滾軋)，在最終冷滾軋的最終軋道中使銅箔的表面粗糙(例如，利用粗糙的輥進(jìn)行滾軋)，從而使最終的銅箔表面粗糙，并且減少剪切變形帶，提高彎曲性，并且表面蝕刻特性變得良好。
[0022]即知道了，以往，一直認(rèn)為銅箔的取向性僅僅依賴于銅箔表面的粗糙度，但是實(shí)際上材料內(nèi)部的剪切變形帶的規(guī)模影響蝕刻性以及取向度(以及碟陷)。而且，在最終冷滾軋中，若能夠在最終軋道以前的軋道中充分地抑制剪切帶的發(fā)達(dá)，則即使在最終軋道中粗糙地精加工銅箔表面，也能夠獲得使蝕刻性良好的取向度。
[0023]另外，僅憑一直以來(lái)使用的光澤度的值，不能夠明確地掌握上述剪切帶的發(fā)達(dá)度。即，雖然認(rèn)為若使最終的銅箔表面粗糙，并且減少剪切變形帶，則油坑淺且具有某程度的寬度，而且油坑的發(fā)生頻度變少(參照?qǐng)D1(a))，但是這難以表現(xiàn)于與油坑的方向垂直的滾軋平行方向RD的光澤度。另一方面，若從滾軋直角方向TD看，則由于油坑具有某程度的寬度，故易于從平行方向掌握油坑的形狀、頻度的變化。
[0024]參照?qǐng)D1說(shuō)明此種油坑與光澤度的關(guān)系。
[0025]首先，圖1 (a)是表示本發(fā)明例的油坑與光澤度的關(guān)系的圖，若沿滾軋平行方向RD測(cè)定光澤度Gkd，則在油坑處反射光的方向變化而不被檢測(cè)到，光澤度變低。另一方面，在沿滾軋直角方向TD測(cè)定光澤度Gtd的情況下，由于油坑沿TD延伸，故雖然在油坑處反射光的方向向旁邊(RD方向)偏移但也被檢測(cè)到，光澤度變高。即，與Gkd相比，Gtd相對(duì)變高，若測(cè)定后述60度光澤度，則滿足G60kd/G60td <0.8的關(guān)系。
[0026]接著，圖1 (b)是表示銅箔表面粗糙的情況下的現(xiàn)有例的油坑與光澤度的關(guān)系的圖，銅箔表面變得過(guò)度粗糙且油坑的深度以及長(zhǎng)度(發(fā)生頻度)增加，不管沿滾軋平行方向RD以及滾軋直角方向TD中的任一者測(cè)定光澤度，在油坑處反射光的都變化因而不被檢測(cè)到，光澤度變低。在該情況下，與Ged相比，Gtd相對(duì)變低，若測(cè)定后述60度光澤度，則滿足G6(V/G60td > I 的關(guān)系。
[0027]另一方面，圖1(c)是表示銅箔表面平滑的情況下的現(xiàn)有例的油坑與光澤度的關(guān)系的圖，由于銅箔表面變得過(guò)于平滑因而油坑變得過(guò)淺，故即使沿滾軋平行方向RD測(cè)定光澤度Ged，在油坑處反射光的方向也變得難以變化，光澤度變高。即，與Gtd相比，Ged相對(duì)變高，若測(cè)定后述60度光澤度，則G60kd/G60td的關(guān)系接近I ( 即，RD和TD的各向異性變小)。但是，銅箔表面不像銅箔表面粗糙的現(xiàn)有例的圖1 (b)那樣粗糙，因而為Geo^/Geo^ < I。
[0028]接著，說(shuō)明本發(fā)明的滾軋銅箔的規(guī)定以及組成。
[0029](I)光澤度 Georo
使沿滾軋平行方向RD測(cè)定的表面的60°光澤度G60KDS 100以上且300以下。若G60KD超過(guò)300，則銅箔表面變得過(guò)于平滑，銅箔制造時(shí)的與輥的緊貼性降低，或者難以處理銅箔制品。另一方面，若G6CV小于100，則銅箔表面變得過(guò)于粗糙，在材料內(nèi)部，剪切變形帶發(fā)達(dá)，因而變得容易產(chǎn)生碟陷，蝕刻性降低。
[0030](2) 660^,/660^
如上所述，在最終冷滾軋的最終軋道近前不使銅箔的表面過(guò)于粗糙，在最終冷滾軋的最終軋道中使銅箔的表面粗糙，從而使最終的銅箔表面粗糙，并且減少剪切變形帶，維持彎曲性，并且碟陷變少。而且，通過(guò)本發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)(后述實(shí)施例)而明白的是，在此種剪切變形帶較少的表面中，0.8。因而，將沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的60°光澤度G60kd與沿滾軋直角方向測(cè)定的表面的60°光澤度G60td的比率G60kd/G60td規(guī)定為小于0.8。此外，采用比是為了抵消整體的光澤度的影響。
[0031]若Geo^/Geo^≥0.8，則像上述圖1(b)那樣，銅箔表面變得過(guò)于平滑，銅箔的制造時(shí)的與輥的緊貼性降低，或者難以處理銅箔制品。另外，若如上述圖1(C)那樣變?yōu)镚60kd/G60td > 1，則銅箔表面變得過(guò)于粗糙，剪切變形帶發(fā)達(dá)因而彎曲性降低，或者變得易于產(chǎn)生碟陷。
[0032]此外，作為使<0.8的方法，如上所述地，在最終冷滾軋中，在最終軋道以前的軋道中抑制剪切帶的發(fā)達(dá)，即在最終冷滾軋的最終軋道以前的軋道中使用粗糙度(表面粗糙度Ra為例如0.5μπι以下)比較小的輥進(jìn)行滾軋即可。另一方面，另一方面，在最終冷滾軋的最終軋道中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra為例如0.6 μ m以上)比較大的輥進(jìn)行滾軋，使最終獲得的銅箔表面粗糙即可。
[0033]在此，在最終冷滾軋中，若使在最終軋道的I個(gè)軋道前的階段中沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的光澤度超過(guò)300，則在最終冷滾軋的最終軋道以前的軋道中，銅箔表面變得比較平滑，難以導(dǎo)入剪切變形帶，因而是理想的。
[0034](3) d/t
若銅箔的厚度t變薄，則即使是相同的表面粗糙度，表面凹凸占據(jù)銅箔厚度的比例也變大，因而不能夠充分進(jìn)行基于上述Geo^/Geo?的銅箔表面的評(píng)價(jià)。因此在本發(fā)明中，通過(guò)規(guī)定為d/t ≤ 0.1，能夠不根據(jù)銅箔的厚度進(jìn)行銅箔表面的評(píng)價(jià)。
[0035]在此，d是在三條直線L1~L3上與油坑的最大深度相當(dāng)?shù)母髦本€L1~L3的厚度方向的最大高度Hm與最小高度Hs之差di的平均值，直線L1~L3如圖2所示地在銅箔表面處沿滾軋平行方向RD長(zhǎng)度為175 μ m,并且沿滾軋直角方向TD分別間隔50 μ m以上。具體而言，根據(jù)接觸式粗糙度，測(cè)定L1~L3上的厚度方向的廓線并求最大高度Hm和最小高度Hs，將各直線L1~L3的di平均即可。
[0036]銅箔(或銅合金箔)的厚度不特別限制，但是能夠適宜地使用例如5~50μπι的銅箔。
[0037](4) 1/10
為了對(duì)本發(fā)明的銅箔賦予高彎曲性，在以200°C加熱30分鐘并調(diào)質(zhì)為再結(jié)晶組織的狀態(tài)下，將滾軋面的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度(I)相對(duì)于微粉末銅的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度(I。)規(guī)定為20 ≤ 1/1?！? 40。由此，(200)面的取向度成為適度的值，獲得彎曲性以及蝕刻性的平衡優(yōu)秀的銅箔。在該情況下，由于具有(200)面的結(jié)晶方位的再結(jié)晶集合組織不過(guò)于發(fā)達(dá)，故(200)面以外的方位的組織某種程度上分散，因該組織被局部地蝕刻而引起的碟陷也變小。另外，為了對(duì)本發(fā)明的銅箔賦予更高的彎曲性，理想的是在以200°C加熱30分鐘并調(diào)質(zhì)為再結(jié)晶組織的狀態(tài)下，使25 ( 1/10 ( 40。
[0038]若變?yōu)?/1。< 20，則(200)面的取向度變少，彎曲性降低。若變?yōu)?0 < I/I。，則具有(200)面的結(jié)晶方位的組織增加，彎曲性變得良好，但是(200)面的再結(jié)晶集合組織過(guò)于發(fā)達(dá)，因而(200)面以外的方位的組織部分地集中產(chǎn)生，該組織變大且易被蝕刻并發(fā)生碟陷，蝕刻性差。另外，在(200)面和其以外的方位中蝕刻速度大不相同也會(huì)使蝕刻性降低。
[0039]上述200°C下30分鐘的退火是模仿在CCL制造工序中對(duì)銅箔付與的溫度歷史。
[0040]此外,若使銅箔含有從Ag、Sn、In、Au、Pd以及Mg的組中選擇的一種或兩種以上合計(jì)30~300wtppm，則容易管理為20 ( 1/1。( 40，因而是理想的。
[0041]作為管理為20 ( 1/10 ( 40的方法，可以例如重復(fù)冷滾軋和退火，利用最終退火使平均結(jié)晶粒徑為10~20 μ m,之后在滾軋為產(chǎn)品板厚時(shí)，使總加工度為90~96%，在最終冷滾軋的最終軋道以前的軋道中抑制剪切帶的發(fā)達(dá)。在該情況下，在最終冷滾軋的最終軋道以前的軋道中能夠使用粗糙度比較小(表面粗糙度Ra為例如0.05 μ m以下)的輥進(jìn)行滾軋。
[0042](5)基于EBSD的方位差
如上所述，碟陷是一種凹陷，該凹陷是在通過(guò)將銅箔與樹脂膜接合時(shí)的熱處理，結(jié)晶方位不同的結(jié)晶粒在再結(jié)晶的均勻組織中單獨(dú)存在的比例多的情況下，蝕刻時(shí)該單獨(dú)結(jié)晶粒與周圍相比被較深地蝕刻而形成的。因此，作為上述熱處理，在模仿在CCL制造工序中對(duì)銅箔賦予的溫度歷史的熱處理?xiàng)l件(200°C下30分鐘)下加熱銅箔并調(diào)質(zhì)為再結(jié)晶組織。而且，作為該狀態(tài)的結(jié)晶方位，理想的是，在電解研磨之后利用EBSD觀察銅箔表面的情況下，滾軋面的結(jié)晶方位與[100]方位的角度差為15度以上的結(jié)晶粒的面積率為30~70%。
[0043]若在利用EBSD觀察`的情況下上述面積率為30~70%，則能夠獲得彎曲性和蝕刻性均優(yōu)秀的銅箔。若上述面積率小于30%則蝕刻性差，若超過(guò)70%則有時(shí)彎曲性降低。此外，為了在利用EBSD觀察的情況下使上述面積率為30~70%，理想的是，如上所述地，在最終冷滾軋中，在最終軋道以前的軋道中抑制剪切帶的發(fā)達(dá)，即在最終冷滾軋的最終軋道以前的軋道中使用粗糙度(表面粗糙度Ra為例如0.05 μ m以下)比較小的輥來(lái)進(jìn)行滾軋。另外，若使銅箔含有從Ag、Sn、In、Au、Pd以及Mg的組中選擇的一種或兩種以上合計(jì)30~300wtppm，則容易將上述面積率管理為30~70%，因而是理想的。
[0044]此外，對(duì)已經(jīng)接受熱歷史并成為CCL的銅箔，也可在200°C下加熱30分鐘。熱處理的銅箔的組織在再結(jié)晶一次之前即使進(jìn)一步加熱也幾乎不變化，因而在利用EBSD的觀察中，不區(qū)別接受熱歷史的銅箔和不接受的銅箔，以200°C加熱30分鐘。
[0045](6)組成
作為銅箔，能夠使用純度99.9wt%以上的韌銅(夕7 〃 ★銅)、無(wú)氧銅、電解銅，而且理想的是含有從Ag、Sn、In、Au、Pd以及Mg的組中選擇的一種或兩種以上合計(jì)30~300wtppm。無(wú)氧銅由JIS-H3510(合金編號(hào)C1011)以及JIS-H3100 (合金編號(hào)C1020)規(guī)定，韌銅由JIS_H3100(合金編號(hào)C1100)規(guī)定。
[0046]接著，說(shuō)明本發(fā)明的滾軋銅箔的制造方法的一例。首先，在將包含銅以及必要的合金元素、以及不可避免雜質(zhì)的鑄塊熱滾軋之后，重復(fù)冷滾軋和退火，最終利用最終冷滾軋精加工為既定厚度。
[0047]在此，如上所述，在最終冷滾軋的最終軋道近前不使銅箔的表面過(guò)于粗糙，在最終冷滾軋的最終軋道中使銅箔的表面粗糙，從而使最終的銅箔表面粗糙，并且減少剪切變形帶，提高彎曲性，并且碟陷變少。而且，在此種剪切變形帶較少的表面中，G60kd/G60td < 0.8。
[0048]因而，在最終冷滾軋的最終軋道的近前，為了使銅箔表面不過(guò)于粗糙，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.5 μ m以下)比較小的輥進(jìn)行滾軋，或者加大最終冷滾軋中的I個(gè)軋道加工度進(jìn)行滾軋即可。另一方面，在最終冷滾軋的最終軋道中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra為例如0.6 μ m以上)比較大的輥進(jìn)行滾軋，或者使用粘度高的滾軋油進(jìn)行滾軋，使最終獲得的銅箔表面粗糙。
[0049]此外，為了使最終的銅箔表面粗糙，并且減少剪切變形帶，需要在最終冷滾軋的最終2個(gè)軋道或者最終軋道中如上所述地使用粗糙的輥或者使用粘度高的滾軋油進(jìn)行滾軋，但是理想的是調(diào)整最終軋道中的滾軋條件，因?yàn)橐子谡{(diào)整。另一方面，若從最終冷滾軋的最終3個(gè)軋道以前開始使輥的粗糙度變粗，則剪切變形帶發(fā)達(dá)。
[0050]此外，可調(diào)整退火條件下以使利用最終冷滾軋緊前的退火獲得的再結(jié)晶粒的平均粒徑變?yōu)?0~20 μ m。另外，可使最終冷滾軋中的滾軋加工度為92~99%。
實(shí)施例
[0051]對(duì)電解銅添加表1所記載的元素,分別在大氣中(實(shí)施例1~3、5)以及還原氣氛中(N2和CO的混合氣體)(實(shí)施例4、6、7~14)中鑄造了坯料(ingot)。此外，比較例I~5在IS氣氣氛中鑄造了還料。在大氣中鑄造的還料含有150~300ppm的氧,在還原氛圍中鑄造的坯料含有與無(wú)氧銅(C1020)相同程度的氧。對(duì)所制作的坯料在800°C以上進(jìn)行熱滾軋直到厚度10_為止，在將表面的氧化皮面削除之后，重復(fù)冷滾軋和退火，之后分別在變?yōu)?.24mm(實(shí)施例1~1?、0.12mm(實(shí)施例13)、0.36mm(實(shí)施例14)、1.2mm(比較例I~5)的厚度之后退火以使平均結(jié)晶粒徑為13 μ m。而且利用最終冷滾軋精加工為厚度0.012m(實(shí)施例1~12、比較例I~5)、0.006mm(實(shí)施例13)、0.018mm(實(shí)施例14)。此外，使實(shí)施例1~14的最終冷滾軋`的加工度為95%，使比較例I~5的最終冷滾軋的加工度為99%。
[0052]此外，最終冷滾軋進(jìn)行5~15個(gè)軋道，如表1所示，改變最終軋道近前之前的輥的表面粗糙度、以及最終軋道的輥的表面粗糙度來(lái)進(jìn)行滾軋。從最終軋道的第I個(gè)軋道到最終軋道的近前為止的輥的表面粗糙度全部相同。
[0053]對(duì)如此獲得的各銅箔試料進(jìn)行了各特性的評(píng)價(jià)。
[0054](I)光澤度
分別沿滾軋平行方向RD、以及滾軋直角方向TD依照J(rèn)IS-Z8741測(cè)定了銅箔表面的光澤度 G60kd、G60td。
[0055](2)立方體集合組織
將試料在200°C下加熱30分鐘之后，求滾軋面的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度的積分值(I)。將該值除以預(yù)先測(cè)定的微粉末銅(325mesh，在氫氣流中以300°C加熱I個(gè)小時(shí)后使用)的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度的積分值(IO)，計(jì)算了 1/10值。
[0056](3)油坑的最大深度(平均值d)
使用接觸式粗糙度計(jì)(小坂研究所制SE-3400)，如圖2所示，分別求三條直線L1~L3上的最大高度Hm與最小高度Hs之差di，直線L1~L3在銅箔表面處沿滾軋平行方向長(zhǎng)度為175 μ m，并且沿滾軋直角方向TD分別間隔50 μ m以上。將各直線L1~L3的di平均以作為do 此外,采用 d (mm)/t (mm)。
[0057](4)基于EBSD的方位差
在電解研磨之后利用EBSD(后方散射電子線衍射裝置，日本電子株式會(huì)社JXA8500F，加速電壓20kV，電流2e-8A，測(cè)定范圍1000 μ mX 1000 μ m，步寬5 μ m)觀察了在⑵中以200°C加熱30分鐘之后的試料表面。通過(guò)圖像解析求與[100]方位的角度差為15度以上的結(jié)晶粒的面積率。而且，通過(guò)目視計(jì)算了在試料表面Imm正方的觀察范圍內(nèi)結(jié)晶粒徑超過(guò)20 μ m的個(gè)數(shù)。
[0058](5)蝕刻性
如下評(píng)價(jià)了蝕刻性。首先，使用蝕刻液(分別為ADEKA TEC ( 7m )CL-8(株式會(huì)社ADEKA ( 7于''力)制)液、以及DP-200 (荏原二一 7 5 ^卜制)液)在常溫下進(jìn)行蝕刻2分鐘，將利用光學(xué)顯微鏡對(duì)蝕刻后的Imm正方的觀察范圍的表面攝影的圖像明暗二值化，計(jì)算了明暗的比例。具有[100]方位的組織由于為與銅箔表面平行的面，故較明亮，在其他方位下，由于在表面產(chǎn)生細(xì)小的凹凸，故漫反射導(dǎo)致看起來(lái)較暗。
[0059]接著，在上述明部和暗部之中，將比例小于50%的一方看作面積率少的一方的組織。由于面積率少的一方的組織被面積率多的一方的組織包圍而存在，故利用多邊形近似面積率少的一方的組織，計(jì)算了該多邊形的外接圓的最小直徑超過(guò)50 μ m的部位的個(gè)數(shù)。不管使用ADEKA TEC CL-8、DP-200的任何一種液體，在觀察范圍內(nèi)，該部位都為10以下，并且將最終冷滾軋后且以200°C加熱30分鐘前的蝕刻量與最終冷滾軋后且以200°C加熱30分鐘后的蝕刻量之差在土 10%以內(nèi)的試料定為蝕刻性良好(〇)，將上述個(gè)數(shù)多于10個(gè)，或者上述蝕刻量之差超過(guò) ±10%的試料定為蝕刻性差(X)。
[0060]在此，利用(蝕刻前的銅箔重量一蝕刻后的銅箔重量)計(jì)算蝕刻量，若上述蝕刻量之差在±10%以內(nèi)，則認(rèn)為不管最終冷滾軋后有無(wú)再結(jié)晶，蝕刻量都難以變化，蝕刻性優(yōu)秀。
[0061]此外，在銅箔表面，與明面以及暗面混在一起相比，明面或暗面中的任一者多的情況具有蝕刻性良好的傾向。
[0062](6)表面的傷痕
目視各試料的表面，將在滾軋方向上具有IOmm以上的長(zhǎng)度的傷痕存在5處/m2以上的情況定為X。
[0063]⑵彎曲性
在將試料以200°C加熱30分鐘并使其再結(jié)晶之后，對(duì)聚酰亞胺膜(商品名稱=Kapton(力卜 >)(注冊(cè)商標(biāo))EN)的單面(與銅箔粘接的面)涂布2μπι熱可塑性PI粘接劑之后干燥，形成了 27 μ m厚的樹脂層。將銅箔層疊于該樹脂層的粘結(jié)劑面并進(jìn)行真空熱沖壓，制作了覆銅層疊體。利用圖3所示的彎曲試驗(yàn)裝置進(jìn)行了覆銅層疊體的彎曲疲勞壽命的測(cè)定。該裝置為將振動(dòng)傳遞部件3結(jié)合于振蕩驅(qū)動(dòng)體4的構(gòu)造，被試驗(yàn)銅箔I在以箭頭示出的螺釘2的部分和3的頂端部的共計(jì)4點(diǎn)處固定于裝置。若振動(dòng)部3上下地驅(qū)動(dòng)，則銅箔I的中間部以既定的曲率半徑r彎曲為發(fā)針狀。在本試驗(yàn)中，求在以下的條件下重復(fù)彎曲時(shí)的斷裂之前的次數(shù)。
[0064]此外,試驗(yàn)條件如下:試驗(yàn)片寬度:12.7mm,試驗(yàn)片長(zhǎng)度:200mm,試驗(yàn)片提取方向:以試驗(yàn)片的長(zhǎng)度方向與滾軋方向平行的方式提取，曲率半徑r:2.5mm，振動(dòng)行程:25mm，振動(dòng)速度:1500次/分。此外，在彎曲疲勞壽命為50萬(wàn)次以上的情況下，判斷為具有優(yōu)秀的彎曲性。若彎曲疲勞壽命為50萬(wàn)次以上，則具有能夠耐受折疊式便攜電話的折疊可動(dòng)部等的嚴(yán)苛彎曲的良好彎曲性。
[0065]將獲得的結(jié)果示于表I。
[0066][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種滾軋銅箔，其中，沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的依照J(rèn)IS-Z8741的60度光澤度(GeOsil)為100以上且300以下，在以200°C加熱30分鐘并調(diào)質(zhì)為再結(jié)晶組織的狀態(tài)下，滾軋面的通過(guò)X射線衍射求得的200衍射強(qiáng)度(I)相對(duì)于微粉末銅的通過(guò)X射線衍射求得的200 衍射強(qiáng)度(10)為 20 < 1/1。( 40， 在于銅箔表面處沿滾軋平行方向長(zhǎng)度為175 μ m，且沿滾軋直角方向分別間隔50μπι以上的3條直線上，與油坑的最大深度相當(dāng)?shù)母髦本€的厚度方向的最大高度與最小高度之差的平均值⑷與所述銅箔的厚度⑴的比率(d/t)為0.1以下，
沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的60度光澤度(G60。與沿滾軋直角方向測(cè)定的表面的依照J(rèn)IS-Z8741的60度光澤度(G60td)的比率(660^/660^)小于0.8。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的滾軋銅箔，其中，在電解研磨之后利用EBSD觀察所述2000C X30分鐘熱處理后的銅箔表面的情況下，滾軋面的結(jié)晶方位與[100]方位的角度差為15度以上的結(jié)晶粒的面積率為30~70%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的滾軋銅箔，其中，在將鑄塊熱滾軋之后，重復(fù)冷滾軋和退火，最后進(jìn)行最終冷滾軋來(lái)制造，在該最終冷滾軋工序中，在最終軋道的I個(gè)軋道前的階段中沿滾軋平行方向測(cè)定的表面的60度光澤度(G60。超過(guò)300。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任一項(xiàng)所述的滾軋銅箔,含有從Ag、Sn、In、Au、Pd以及Mg的組中選擇的一種或兩種以上合計(jì)30~300wtppm。
【文檔編號(hào)】C22C9/00GK103826765SQ201280047253
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月27日
【發(fā)明者】中室嘉一郎, 千葉喜寬, 大久保光浩, 鮫島大輔, 冠和樹, 青島一貴 申請(qǐng)人:Jx日礦日石金屬株式會(huì)社