專利名稱：一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的在基片上形成SiN薄膜的裝置，主要為磁控濺射鍍膜設(shè)備，缺陷是設(shè)備投入成本高。故有必要提供一種結(jié)構(gòu)簡單，投入成本低的用以在基片上形成SiN薄膜的裝置， 以滿足需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，結(jié)構(gòu)簡單，投入成本低。一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于包括一真空反應(yīng)腔；一基片架，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，用以放置基片；—基片測溫模塊，設(shè)于基片架上，用以測量基片溫度；一氣體導(dǎo)入模塊，與真空反應(yīng)腔連接并與基片架相對，用以向真空反應(yīng)腔內(nèi)輸送N2H4' N2 和 SiH4 氣體；一加熱用催化器，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)并位于氣體導(dǎo)入模塊與基片架之間，用以對輸送入真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體進(jìn)行加熱并加快各氣體間的反應(yīng)以形成SiN薄膜；以及一紅外熱溫測儀，用以檢測所述加熱用催化器的溫度。本發(fā)明之一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其結(jié)構(gòu)簡單，投入成本低，可大大降低企業(yè)在購買設(shè)備中產(chǎn)生的高昂成本。本發(fā)明可通過如下方案進(jìn)行改進(jìn)上述所述基片測溫模塊為一熱電偶，其可將檢測到的代表基片溫度的熱電動(dòng)勢信號發(fā)送至外接的電氣儀表，電氣儀表依據(jù)該熱電動(dòng)勢信號顯示基片的溫度值。上述所述氣體導(dǎo)入模塊為一伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)的導(dǎo)氣管，該導(dǎo)氣管的伸入端沿水平方向橫向設(shè)置且間隔開設(shè)有若干氣嘴。上述所述加熱用催化器為由Th、W和Mo材料制成的加熱線圈，且該加熱線圈與所述基片架平行。上述所述紅外熱溫測儀設(shè)于真空反應(yīng)腔外，所述真空反應(yīng)腔的側(cè)壁上對應(yīng)該紅外熱溫測儀的位置處設(shè)有一可供紅外熱溫測儀所發(fā)出的紅外光穿透進(jìn)入的透明窗口，紅外熱溫測儀所發(fā)出的紅外光穿透過透明窗口后投射在所述加熱用催化器上。本發(fā)明還包括抽氣系統(tǒng)，該抽氣系統(tǒng)與真空反應(yīng)腔連接并抽吸反應(yīng)尾氣。上述所述抽氣系統(tǒng)包括與真空反應(yīng)腔依次氣路連接的電磁閥和真空泵。
圖I為本發(fā)明示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖I所示，一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，包括一真空反應(yīng)腔I、一基片架、一基片測溫模塊2、一氣體導(dǎo)入模塊3、一加熱用催化器4、一紅外熱溫測儀5、以及一抽氣系統(tǒng)。所述基片架，設(shè)于真空反應(yīng)腔I內(nèi)，用以放置基片10。所述基片測溫模塊2，設(shè)于基片架上，用以測量基片10溫度，其為一熱電偶，可將檢測到的代表基片溫度的熱電動(dòng)勢信號發(fā)送至外接的電氣儀表，電氣儀表依據(jù)該熱電動(dòng)勢信號顯示基片的溫度值。本實(shí)施例中，所述基片10的溫度在23(T380度之間，優(yōu)選300度。所述氣體導(dǎo)入模塊3，與真空反應(yīng)腔I連接并與基片架相對，為一伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)的導(dǎo)氣管，該導(dǎo)氣管的伸入端沿水平方向橫向設(shè)置且間隔開設(shè)有若干氣嘴，用以向真空反應(yīng)腔內(nèi)輸送N2H4、N2和SiH4氣體。本實(shí)施例中，所述N2H4和N2氣體的氣壓與SiH4氣體的氣壓比在(TlO之間，其中，SiH4氣體的氣壓在7 24Pa，SiH4氣體的流量在2 10SCCM。所述加熱用催化器4，為由Th、W和Mo材料制成的加熱線圈，設(shè)于真空反應(yīng)腔I內(nèi)并位于氣體導(dǎo)入模塊3與基片架之間，且與所述基片架平行，用以對輸送入真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體進(jìn)行加熱并加快各氣體間的反應(yīng)最終在本實(shí)施例中所述的基片10上氣相沉積形成SiN薄膜，其沉積率為100nm/min。本實(shí)施例中，加熱用催化器的溫度在120(Tl390度之間。所述紅外熱溫測儀5，設(shè)于真空反應(yīng)腔I外，所述真空反應(yīng)腔I的側(cè)壁上對應(yīng)該紅外熱溫測儀5的位置處設(shè)有一可供紅外熱溫測儀5所發(fā)出的紅外光穿透進(jìn)入的透明窗口11，紅外熱溫測儀5所發(fā)出的紅外光穿透過透明窗口 11后投射在所述加熱用催化器4上，用以檢測所述加熱用催化器4的溫度。所述抽氣系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔I連接并抽吸反應(yīng)尾氣，包括與真空反應(yīng)腔I依次氣路連接的電磁閥6和真空泵(圖中未示出)。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于包括 一真空反應(yīng)腔； 一基片架，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，用以放置基片； 一基片測溫模塊，設(shè)于基片架上，用以測量基片溫度； 一氣體導(dǎo)入模塊，與真空反應(yīng)腔連接并與基片架相対，用以向真空反應(yīng)腔內(nèi)輸送n2h4、N2和SiH4氣體； 一加熱用催化器，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)并位于氣體導(dǎo)入模塊與基片架之間，用以對輸送入真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體進(jìn)行加熱并加快各氣體間的反應(yīng)以形成SiN薄膜；以及 一紅外熱溫測儀，用以檢測所述加熱用催化器的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于所述基片測溫模塊為ー熱電偶，其可將檢測到的代表基片溫度的熱電動(dòng)勢信號發(fā)送至外接的電氣儀表，電氣儀表依據(jù)該熱電動(dòng)勢信號顯不基片的溫度值。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的ー種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于所述氣體導(dǎo)入模塊為一伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)的導(dǎo)氣管，該導(dǎo)氣管的伸入端沿水平方向橫向設(shè)置且間隔開設(shè)有若干氣嘴。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ー種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于所述加熱用催化器為由Th、W和Mo材料制成的加熱線圈，且該加熱線圈與所述基片架平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ー種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于所述紅外熱溫測儀設(shè)于真空反應(yīng)腔外，所述真空反應(yīng)腔的側(cè)壁上對應(yīng)該紅外熱溫測儀的位置處設(shè)有一可供紅外熱溫測儀所發(fā)出的紅外光穿透進(jìn)入的透明窗ロ，紅外熱溫測儀所發(fā)出的紅外光穿透過透明窗ロ后投射在所述加熱用催化器上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ー種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于還包括抽氣系統(tǒng)，該抽氣系統(tǒng)與真空反應(yīng)腔連接并抽吸反應(yīng)尾氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的ー種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于所述抽氣系統(tǒng)包括與真空反應(yīng)腔依次氣路連接的電磁閥和真空泵。
全文摘要
一種用以在基片上形成SiN薄膜的裝置，其特征在于包括一真空反應(yīng)腔；一基片架，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，用以放置基片；一基片測溫模塊，設(shè)于基片架上，用以測量基片溫度；一氣體導(dǎo)入模塊，與真空反應(yīng)腔連接并與基片架相對，用以向真空反應(yīng)腔內(nèi)輸送N2H4、N2和SiH4氣體；一加熱用催化器，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)并位于氣體導(dǎo)入模塊與基片架之間，用以對輸送入真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體進(jìn)行加熱并加快各氣體間的反應(yīng)以形成SiN薄膜；以及一紅外熱溫測儀，用以檢測所述加熱用催化器的溫度。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，投入成本低，可大大降低企業(yè)在購買設(shè)備中產(chǎn)生的高昂成本。
文檔編號C23C16/44GK102978584SQ20121049927
公開日2013年3月20日 申請日期2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月28日
發(fā)明者粟婷, 屈生雙, 屈宸遠(yuǎn) 申請人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司