專利名稱：高鐵含量的三維立體蒸鍍掩模板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種三維立體蒸鍍掩模板，屬于OLED制作領域。
背景技術：
OLED，即有機發(fā)光二極管，又稱有機電激光顯示。OLED顯示技術與傳統的LED顯示方式不同，無需背光燈，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基層，當有電流通過時，這些有機材料就會發(fā)光。而且OLED顯示屏幕可以做得更輕更薄，可視角度更大，并且能夠顯著節(jié)省電能。OLED的優(yōu)良性能使得其配件一掩模板得到了前所未有的發(fā)展空間。通常，在制造發(fā)光顯示器時，掩模被用來沉積具有預定圖形的層，即當沉積諸如有機層的層時，利用具有特定圖形的孔的掩模，在基底上形成具有對應與孔的圖形的層。目前比較普遍的是平面金屬掩模板，但隨著科學技術的日新月異，電子元器件的功能需求也朝著多元化，特殊化方向發(fā)展，相應轉移用平面蒸鍍掩模板已不能滿足這一要求。
在過去的金屬掩模板制造過程中，由于曝光時掩模的精度和蝕刻的精度對作為最終制品的金屬掩模額度圖案精度影響很大，故在各工序中必須高精度地管理圖形的尺寸精度。可是在過去的制造中，由于在線膨脹系數大的鉻、不銹鋼等的金屬上形成金屬掩模板，所以產生于金屬材料上的微小溫差使制得的每個金屬掩模的尺寸精度不同，存在很難獲得相同尺寸精度的金屬掩模的問題。從材質來講，一般在線膨脹系數大的金屬上形成的金屬掩模板，產生于金屬材料上的微小溫差使制得的每個金屬掩模的尺寸精度不同，存在很難獲得相同尺寸精度的金屬掩模的問題。而鎳鐵合金則因為加入了鐵元素，從而提高了掩模板的硬度及磁性，并且在該 范圍內，鐵含量越高，掩模板的熱膨脹系數越低，應用于蒸鍍工藝過程時，有機材料的蒸鍍位置進度越高。因瓦合金通常含有32%-36%的鎳，因瓦合金也叫不脹鋼，其平均膨脹系數一般為1.5X10-6°C。含鎳在36%時達到1.8 X10_8°C，且在室溫一 80°C到100°C時均不發(fā)生變化。含鎳量在一定范圍內的增減會引起鐵、鎳合金線膨脹系數的急劇變化。因此對于精度要求很高的蒸鍍用掩模板，因瓦合金是首選的材料。其他材料均會因為在蒸鍍過程中受熱而膨脹影響精度，從而大大影響了產品質量。
但同時因瓦合金都是采用熔煉的方法獲得的，耗能高，技術要求高，因而價格也是相當高。嚴重限制了因瓦合金的發(fā)展前景。
因此，現有技術的平面蒸鍍掩模板，及用于蒸鍍掩模板的材料，嚴重阻礙了發(fā)光顯示器的發(fā)展。用現有技術的平面蒸鍍掩模板生產的發(fā)光顯示器滿足不了市場對其的高要求
發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板，具有凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域，且只由鐵和鎳兩種元素構成，該掩模板精度高、均勻性高，板面質量和開口質量好，線性熱膨脹系數極小，很好地滿足蒸鍍要求。
為了解決上述技術問題，本發(fā)明采取的技術方案如下: 一種蒸鍍掩模板，包括圖形開口區(qū)域，其特征在于，具有三維立體結構，所述三維立體結構由凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域構成，所述凹陷區(qū)域為比掩模板板面低的凹陷結構，所述凸起區(qū)域比掩模板板面高的凸起結構；所述掩模板的材料包括鐵和鎳兩種元素；所述鐵元素的含量為63% 65%，所述鎳元素的含量為35% 37%。
優(yōu)選的，所述鐵含量為63%，鎳的含量為37%。
更優(yōu)選的，所述鐵含量為64%，鎳的含量為36%。
更優(yōu)選的，所述鐵含量為65%，鎳的含量為35%。
所述凹陷區(qū)域在掩模板的一面，所述凸起區(qū)域在掩模板的另一面，所述凹陷區(qū)小于所述凸起區(qū)域。
優(yōu)選的，所述的凹陷區(qū)域的深度彡10 μ m，凸起區(qū)域的高度彡ΙΟμπι。
更優(yōu)選的，所述的凹陷區(qū)域的深度彡I μ m，凸起區(qū)域的高度彡Ιμπι。
優(yōu)選的，所述的圖形開口尺寸為0.01-0.5mm。
更優(yōu)選的，所述的圖形開口尺寸為10-100 μ m。
所述凹陷區(qū)域與掩模板板面形成夾角的范圍為80° 90°，所述凸起區(qū)域與掩模板板面形成夾角的范圍為80° 90°。
所述掩模板的厚度為10 lOOum，所述的鎳鐵合金鍍層的均勻性COV小于5% ;所述的鎳鐵合金鍍層表面光亮度為一級光亮。
優(yōu)選的，所述掩模板應用于OLED制作工藝，是蒸鍍有機材料于ITO基板上所要用到的模板，該工藝要求掩模板具有一定的磁性和硬度，并且為了防止隨著蒸鍍室溫度的升高，掩模板產生位置偏差，故該種掩模板應具有盡可能低的熱膨脹系數。該種掩模板較傳統電鑄純鎳掩模板而言，加入了鐵元素，從而提高了掩模板的硬度及磁性，并且在該范圍內，鐵含量越高 ，掩模板的熱膨脹系數越低，應用于蒸鍍工藝過程時，有機材料的蒸鍍位置進度越高；為了配合特殊位置的精度要求，其位置需制作為凸起區(qū)或凹陷區(qū)，且對凸起區(qū)或凹陷區(qū)的深寬比要求嚴格，還包括凸起區(qū)或凹陷區(qū)與板面的角度。
三維立體結構根據封裝區(qū)域的需要設置于掩模板上，例如有的封裝區(qū)域設置在ITO基板的中間區(qū)域，相應的把三維立體結構設置于掩模板的中間；而有的封裝區(qū)域設置在ITO基板的邊緣區(qū)域，相應的把三維立體結構設置于掩模板的邊緣。根據封裝區(qū)域的需要可以在掩模板上設置多個三維立體結構，三維立體結構可以設置于掩模板上的任何區(qū)域。
掩模板的三維立體結構主要起到封裝作用，即把ITO基板上已蒸鍍的有機材料封裝在一起，避開原已蒸鍍的有機材料層，并在掩模板三維立體結構四周的開口涂敷封框膠。掩模板上的三維立體結構是為了避開已蒸鍍的有機材料，三維立體結構與ITO基板接觸緊貼的一面為凹陷區(qū)域，提供避開的空間。
在使用時，先用二維蒸鍍用掩模板將有機材料一層一層蒸鍍到ITO玻璃基板上，再用本發(fā)明提供的高鐵含量的三維立體蒸鍍掩模板將已蒸鍍好的有機材料層封裝起來。
本發(fā)明提供的高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板，具有凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域，包括鐵和鎳兩種元素構成，板面光亮度好，鍍層表面質量好，無麻點、針孔，凸起區(qū)域不易脫落成本低，工藝簡單，節(jié)省能源開口精度高，開口質量好，孔壁光滑，具有廣闊的市場前景。
下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細的說明。
圖1為高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板俯視圖； 圖2為高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板三維立體區(qū)域示意圖； 圖3為圖2的A-A剖面圖 圖中I為高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板，2為圖形開口區(qū)域的圖形開口，3為三維立體結構，11為高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板蒸鍍面的凸起區(qū)域，22為高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板ITO面的凹陷區(qū)域，33為高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板的ITO面，44為高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板的蒸鍍面。
具體實施方式
實施例1: 如圖1-3所述，一種高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板I，包括圖形開口區(qū)域的圖形開口2，具有三維立體結構3，所述三維立體結構3由凹陷區(qū)域22和凸起區(qū)域11構成，所述凹陷區(qū)域22為比掩模板板面低的凹陷結構，所述凸起區(qū)域11比掩模板板面高的凸起結構。所述掩模板I的材料包括鐵和鎳兩種元素構成，所述鐵含量為63%，鎳的含量為37%。所述的凹陷區(qū)域22的深度< 10 μ m ，凸起區(qū)域11的高度< ΙΟμπι。所述凹陷區(qū)域22與掩模板I板面形成夾角α為90°，所述凸起區(qū)域11與掩模板I板面形成夾角β為90°。所述掩模板的厚度為50 μ m,所述的鎳鐵合金鍍層的均勻性COV小于5% ;所述的鎳鐵合金鍍層表面光亮度為一級光亮。在使用時，蒸鍍掩模板具有凹陷區(qū)域22的一面用于靠近ITO基板，稱之為蒸鍍掩模板的ITO面33 ;而蒸鍍掩模板的另一面具有凸起區(qū)域11，背離ITO基板，用于蒸鍍，稱之為蒸鍍掩模板的蒸鍍面44。
實施例2: 一種高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板，包括圖形開口區(qū)域的圖形開口，具有三維立體結構，所述三維立體結構由凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域構成，所述凹陷區(qū)域為比掩模板板面低的凹陷結構，所述凸起區(qū)域比掩模板板面高的凸起結構。所述掩模板的材料包括鐵和鎳兩種元素，所述鐵含量為64%，鎳的含量為36%。所述的凹陷區(qū)域的深度< I μ m,凸起區(qū)域的高度<I μ m。所述凹陷區(qū)域與掩模板板面形成夾角的范圍為80°，所述凸起區(qū)域與掩模板板面形成夾角的范圍為80°。所述掩模板的厚度為10 μ m，所述的鎳鐵合金鍍層的均勻性COV小于5% ;所述的鎳鐵合金鍍層表面光亮度為一級光亮。在使用時，蒸鍍掩模板具有凹陷區(qū)域的一面用于靠近ITO基板，稱之為蒸鍍掩模板的ITO面；而蒸鍍掩模板的另一面具有凸起區(qū)域，背離ITO基板，用于蒸鍍，稱之為蒸鍍掩模板的蒸鍍面。
實施例3: 一種高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板，包括圖形開口區(qū)域的圖形開口，具有三維立體結構，所述三維立體結構由凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域構成，所述凹陷區(qū)域為比掩模板板面低的凹陷結構，所述凸起區(qū)域比掩模板板面高的凸起結構。所述掩模板的材料包括鐵和鎳兩種元素，所述鐵含量為65%，鎳的含量為35%。所述的凹陷區(qū)域的深度< ΙΟμπι，凸起區(qū)域的高度< ΙΟμπι。所述凹陷區(qū)域與掩模板板面形成夾角的范圍為85°，所述凸起區(qū)域與掩模板板面形成夾角的范圍為85°。所述掩模板的厚度為60 μ m，所述的鎳鐵合金鍍層的均勻性COV小于5% ;所述的鎳鐵合金鍍層表面光亮度為一級光亮。在使用時，蒸鍍掩模板具有凹陷區(qū)域的一面用于靠近ITO基板，稱之為蒸鍍掩模板的ITO面；而蒸鍍掩模板的另一面具有凸起區(qū)域，背離ITO基板，用于蒸鍍，稱之為蒸鍍掩模板的蒸鍍面。
以上實施例目的在于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的保護范圍，所有由本發(fā)明簡單變化而來的應用均落在本發(fā)明的保 護范圍內。
權利要求
1.一種高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板，包括圖形開口區(qū)域，其特征在于，具有三維立體結構，所述三維立體結構由凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域構成，所述凹陷區(qū)域為比掩模板板面低的凹陷結構，所述凸起區(qū)域比掩模板板面高的凸起結構；所述掩模板的材料包括鐵和鎳兩種元素構成；所述鐵元素的含量為63% 65%,所述鎳元素的含量為35% 37%。
2.根據權利要求1所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述鐵含量為63%，鎳的含量為37%。
3.根據權利要求1所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述鐵含量為64%，鎳的含量為36%。
4.根據權利要求1所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述鐵含量為65%，鎳的含量為35%。
5.根據權利要求1所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述凹陷區(qū)域在掩模板的一面，所述凸起區(qū)域在掩模板的另一面，所述凹陷區(qū)小于所述凸起區(qū)域。
6.根據權利要求1所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述的凹陷區(qū)域的深度<ΙΟμπι，凸起區(qū)域的高度< ΙΟμπι。
7.根據權利要求6所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述的凹陷區(qū)域的深度<Ιμπι，凸起區(qū)域的高度< Ιμπι。
8.根據權利要求1所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述的圖形開口尺寸為0.01-0.5mm。
9.根據權利要求8所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述的圖形開口尺寸為10-200 μm。
10.根據權利要求1-9任一項所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述凹陷區(qū)域與掩模板板面形成夾角的范圍為80° 90°，所述凸起區(qū)域與掩模板板面形成夾角的范圍為80° 900。
11.根據權利要求1-9任一項所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述掩模板的厚度為10 100 μ m，所述的鎳鐵合金鍍層的均勻性COV小于5% ;所述的鎳鐵合金鍍層表面光亮度為一級光 亮。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板，包括圖形開口區(qū)域，其特征在于，具有三維立體結構，所述三維立體結構由凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域構成，所述凹陷區(qū)域為比掩模板板面低的凹陷結構，所述凸起區(qū)域比掩模板板面高的凸起結構；所述掩模板的材料包括鐵和鎳兩種元素；所述鐵元素的含量為63%～65%，所述鎳元素的含量為35%～37%。本發(fā)明提供的高鐵含量的立體三維蒸鍍掩模板,具有凹陷區(qū)域和凸起區(qū)域，包括鐵和鎳兩種元素，板面光亮度好，鍍層表面質量好，無麻點、針孔，凸起區(qū)域不易脫落成本低，工藝簡單，節(jié)省能源開口精度高，開口質量好，孔壁光滑，具有廣闊的市場前景。
文檔編號C23C14/24GK103205690SQ20121001071
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權日2012年1月16日
發(fā)明者魏志凌, 高小平 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司