專利名稱：易于去除輔助圖形的掩模板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種掩模板及其制作方法，具體涉及該種掩模板易于剝離的間隔帶的制作方法。
技術(shù)背景
有機(jī)EL顯示面板具有由通過附加電壓而發(fā)光的低分子有機(jī)EL (OrganicElectro-Luminescence:0EL,有機(jī)發(fā)光電子板)材料形成的有機(jī)發(fā)光層,有機(jī)EL顯示面板一般通過下述方式制造:在透明基板上形成透明電極層；在該透明電極層上形成由低分子有機(jī)EL材料形成的有機(jī)發(fā)光層；在該有機(jī)發(fā)光層上形成金屬電極層。在該有機(jī)EL顯示面板的制造工序中，在透明電極層上形成有機(jī)發(fā)光層通常采用具有規(guī)定圖案的多個細(xì)微通孔的蒸鍍金屬掩模，并將低分子有機(jī)EL材料蒸鍍于基板上。
這種有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括有機(jī)電致發(fā)光裝置，有機(jī)電致發(fā)光裝置具有分別堆疊在基底上的陽極、有機(jī)材料層和陰極。有機(jī)材料層包括有機(jī)發(fā)射層，有機(jī)發(fā)射層由于復(fù)合空穴和電子得到的激光而發(fā)光。此外，為了將空穴和電子平穩(wěn)的傳輸?shù)桨l(fā)射層并提高發(fā)射效率，電子注入層和電子傳輸層可設(shè)置在陰極和有機(jī)發(fā)射層之間，空穴注入層和空穴傳輸層可設(shè)置在陽極和有機(jī)發(fā)射層之間。
通常，可通過諸如真空沉積、離子電鍍、濺射等物理氣相沉積法和采用氣象反應(yīng)的化學(xué)氣相沉積法來制造具有這種構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā)光裝置。當(dāng)通過這些方法來制造有機(jī)電致發(fā)光裝置時，需要具有預(yù)定圖案的掩模以在正確的位置堆疊有機(jī)材料層。由于傳統(tǒng)工藝中，將掩模板固定在掩?？蚣苌蠒r掩模受外向拉力，因此要在掩模板的邊料設(shè)計輔助圖形用以施加拉力，最后要將固定后的掩模板的邊料去除裁剪。
目前一般是用剪刀進(jìn)行裁減，但裁減的邊存在不齊整、外觀不美觀的問題，對于一些通過掩模板外邊框進(jìn)行對位的情況，外邊框的不平整必會導(dǎo)致對位時的位置偏差
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明 的目的是提供一種易于去除輔助圖形的掩模板及其制作方法，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中掩模板外邊框存在不齊整、外觀不美觀的問題，并且在去除輔助圖形時，不需要其他輔助工具，就能成功的將輔助圖形從主圖形區(qū)域剝離，且剝離質(zhì)量高；剝離后的掩模板外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差。
針對以上技術(shù)問題，本發(fā)明提出以下技術(shù)方案:一種用于蒸鍍工藝的掩模板，包括:主圖形區(qū)域，主圖形區(qū)域具有滿足蒸鍍要求的開口，主圖形開口尺寸在30-180 μ m的范圍內(nèi)；輔助圖形區(qū)域，用于提供拉力的施力點；其特征在于，掩模板還包括間隔帶，間隔帶一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形。
連接主圖形區(qū)域的間隔帶邊緣由至少一個向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的非水平線段及至少一個水平線段組成。
優(yōu)選的，向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的非水平線段為半月形或凹形。
優(yōu)選的，蒸鍍用掩膜板的厚度為10-200 μ m。
更優(yōu)選的，所述蒸鍍用掩膜板的厚度為大于等于ΙΟμπκ小于30μπι。
優(yōu)選的，該掩模板的材料是鎳鐵合金或純鎳。
優(yōu)選的，連接輔助圖形區(qū)域的間隔帶邊緣為水平線段。
所述間隔帶由至少一個連接實橋及至少一個鏤空圖形組成，其中，連接實橋連接主圖形區(qū)域與輔助圖形區(qū)域，間隔帶中除了連接實橋的地方鏤空；所述連接實橋平面為梯形，其上底的長度短于下底。
優(yōu)選的，所述梯形連接實橋，其上底與主圖形區(qū)域相連，下底與輔助圖形區(qū)域相連。
優(yōu)選的，連接實橋連接主圖形區(qū)域的一端處于向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的非水平線段內(nèi)，尺寸為0.05mm-0.1mm ;連接實橋連接輔助圖形區(qū)域的一端尺寸為0.lmm-0.3mm。
所述連接實橋之間間隔為3mm-5mm。
所述間隔帶線徑在0.5mm-2mm的范圍內(nèi)。
一種掩模板的制作方法，其特征在于，利用單面蝕刻、雙面蝕刻、電鑄或電鑄加蝕刻工藝，在掩膜板上形成間隔帶的鏤空圖形。
本發(fā)明所涉及的掩模板及其制作方法，由于間隔帶一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形，且間隔帶由至少一個連接實橋及至少一個鏤空圖形組成，因此在去除輔助圖形時，不需要其他輔助工具，就能成功的將輔助圖形從主圖形區(qū)域剝離，且剝離質(zhì)量高；剝離后的掩模板外邊框邊緣整齊光滑無毛刺，外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
圖1為傳統(tǒng)的掩模板。`
其中I為輔助圖形區(qū)域的繃網(wǎng)孔；2為主圖形區(qū)域的開口 ；3為輔助圖形區(qū)域；4為主圖形區(qū)域；5為剪刀裁剪邊緣。
圖2為本發(fā)明實施例中的掩模板。
其中11為主圖形區(qū)域；22為間隔帶；33為輔助圖形區(qū)域；44為主圖形區(qū)域開口 ；55為輔助圖形區(qū)域繃網(wǎng)孔。
圖3為第一種實施例中間隔帶的局部放大圖。
其中111為半月形線段，即間隔帶與主圖形區(qū)域交界處；222為水平線段；333為梯形連接實橋；444為鏤空圖形；555為間隔帶與輔助圖形交界處；666為梯形連接實橋上底；777為梯形連接實橋下底。
圖4為第二種實施例中間隔帶的局部放大圖。
其中112為凹形線段，即間隔帶與主圖形區(qū)域交界處；222為水平線段；333為梯形連接實橋；444為鏤空圖形；555為間隔帶與輔助圖形區(qū)域的交界處。
具體實施方式
實施例1 圖2所示的用于蒸鍍工藝的掩模板，包括:主圖形區(qū)域11，主圖形區(qū)域具有滿足蒸鍍要求的開口 44，主圖形開口尺寸在30-180 μ m的范圍內(nèi)；輔助圖形區(qū)域33，用于提供拉力的施力點；間隔帶22，間隔帶一邊連接主圖形區(qū)域11，一邊連接輔助圖形33。蒸鍍用掩膜板的厚度為10-200 μ m。優(yōu)選蒸鍍用掩膜板的厚度為大于等于10 μ m、小于30 μ m。
圖3所示的連接主圖形區(qū)域11的間隔帶22邊緣由至少一個向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的半月形線段111及至少一個水平線段222組成；連接輔助圖形區(qū)域33的間隔帶邊緣為水平線段。
所述間隔帶22由至少一個連接實橋333及至少一個鏤空圖形444組成，其中，連接實橋連接主圖形區(qū)域11與輔助圖形區(qū)域33，間隔帶22中除了連接實橋333的地方鏤空444 ;所述連接實橋平面為梯形，其上底666的長度短于下底777。
所述梯形連接實橋333的上底666與主圖形區(qū)域11相連，下底777與輔助圖形區(qū)域33相連。連接實橋333連接主圖形區(qū)域11的一端處于向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的半月形線段內(nèi)，尺寸為0.05mm ;連接實橋連接輔助圖形區(qū)域的一端尺寸為0.1mm ;所述連接實橋之間間隔為3mm ;所述間隔帶線徑為0.5mm。
實施例2 圖4所示的連接主圖形區(qū)域11的間隔帶22邊緣由至少一個向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的凹形線段112及至少一個水平線段222組成；連接輔助圖形區(qū)域33的間隔帶邊緣為水平線段。所述間隔帶22由至少一個連接實橋333及至少一個鏤空圖形444組成，其中，連接實橋連接主圖形區(qū)域11與輔助圖形區(qū)域33，間隔帶22中除了連接實橋333的地方鏤空444 ;所述連接實橋平面為梯形，其上底666的長度短于下底777。所述梯形連接實橋的上底與主圖形區(qū)域相連，下底與輔助圖形區(qū)域相連。所述梯形連接實橋333的上底666與主圖形區(qū)域11相連，下底777與輔助圖形區(qū)域33相連。連接實橋333連接主圖形區(qū)域的一端處于向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的凹形線 段內(nèi)，尺寸為0.1mm ;連接實橋連接輔助圖形區(qū)域的一端尺寸為0.3mm ;連接實橋之間間隔為5mm ;間隔帶線徑為2mm。
實施例3 利用單面蝕刻工藝制作掩模板的方法，在掩膜板上形成間隔帶的鏤空圖形。
將20-80 μ m厚的因瓦合金板進(jìn)行前處理工序，蝕刻面噴砂,去除板面雜質(zhì),提高干膜結(jié)合力；然后進(jìn)行正反面貼干膜；將需蝕刻面的曝光區(qū)域如圖2中隔離帶22的非深色區(qū)域及除開口以外的其他區(qū)域；剝離蝕刻面干膜表層的透明高分子保護(hù)膜，進(jìn)行顯影，清除未曝光膜，不蝕刻面由于保護(hù)膜沒有剝離，干膜沒有顯影清除。顯影后的板進(jìn)行蝕刻階段:蝕刻壓力為20±lpsi ;蝕刻速度為10-60HZ ;氯化鐵蝕刻液比重為1.00-1.50 g/cm3 ;蝕刻階段完成后非曝光區(qū)域刻穿，褪膜，形成間隔帶的鏤空區(qū)域及掩模板開口。
實施例4 利用雙面蝕刻工藝制作掩模板的方法，在掩膜板上形成間隔帶的鏤空圖形。
將20-80 μ m因瓦合金板進(jìn)行前處理工序，兩面噴砂，去除板面雜質(zhì)，提高干膜結(jié)合力；之后進(jìn)行正反面貼干膜；雙面的曝光區(qū)域如圖2中隔離帶22的非深色區(qū)域及除開口以外的其他區(qū)域；剝離兩面干膜表層的透明高分子保護(hù)膜，進(jìn)行顯影，清除未曝光膜。顯影后的板進(jìn)形蝕刻階段:蝕刻壓力為20±lpsi ;蝕刻速度為10-60HZ ;氯化鐵蝕刻液比重為1.00-1.50 g/cm3 ;蝕刻階段完成后非曝光區(qū)域刻穿，褪膜，形成隔離帶的鏤空區(qū)域及掩模板開口。
實施例5 利用電鑄制作工藝制作掩模板的方法，依次進(jìn)行:芯模前處理、貼膜、曝光、顯影、電鑄、脫模、水洗、烘干和剝尚。
步驟1.準(zhǔn)備電鑄用芯模；本實施例中，所述電鑄用芯模的板面鏡面光亮，無劃痕，板面長寬為600mm*800mm。
步驟2.通過前處理的除油、水洗、噴砂步驟，將芯模表面處理干凈； 步驟3.曝光區(qū)域為:圖2中的深色區(qū)域及開口區(qū)域，即連接實橋及掩模板開口 ； 步驟4.處理干凈后通過電鑄前活化工序提高芯模表面的結(jié)合力，電鑄時通過控制電鑄時間和電流密度來控制鍍層的厚度； 步驟5.通過控制添加劑的比例和量來控制鍍層表面質(zhì)量，其中包括控制鍍液成分、電流密度、鍍液溫度、PH和添加劑步驟，以達(dá)到制備出來的材料鍍層的鐵含量在40% 55%。
本實施例中，所述鍍鑄液成分可以具體包括:180 200g/L的硫酸鎳、30 50g/L的氯化鎳、40 50 g/L的硼酸、14 17g/L的硫酸亞鐵。所述電鑄液還包括如下添加劑:0.5-lml/L的穩(wěn)定劑、0.5-lml/L的潤濕劑、l_5ml/L的光亮劑。此外，所述制備方法的具體電鑄工藝參數(shù)如下:pH值為3.4-3.8 ;溫度為40-45°C ;陰極電流密度值Do為l_3A/dm2 ;鍍速為 910-1225 μ m/ho
實施例6 利用電鑄制作工藝制作掩模板的方法，依次進(jìn)行:芯模前處理、貼膜、曝光、顯影、電鑄、脫模、水洗、烘干和剝離。
電鑄工藝段進(jìn)行:芯模前處理、貼膜、曝光、顯影和電鑄， 蝕刻工藝段進(jìn)行:貼膜、曝光、蝕刻、脫膜、水洗、烘干和剝離； 0.18mm的芯模進(jìn)行貼膜面噴砂處理，去除表面雜質(zhì)，提高其干膜結(jié)合為力； 貼膜后放入曝光機(jī)，按原 始文件曝黑主圖形區(qū)域的開口 44、輔助圖形區(qū)域的開口 55，并在圖形區(qū)域的四角處曝黑處在對角位置的至少2個對為點，用于CXD 二次對位； 將曝光好的芯模顯影，清除未曝光干膜； 進(jìn)入電鑄槽開始沉積材料，參數(shù)如下: 氯化鎳10 20 g/L 硼酸40 g/L 鎳添加劑8-10ml/L 光亮劑lml/L 濕潤劑1-2 ml/L 穩(wěn)定劑0.5-1 ml/L 溫度T50 0C電流2 A 時間240min pH4.2 電鑄后的芯模烘干后，無需脫膜，進(jìn)入蝕刻工藝段，直接正反面貼膜； 通過CCD定位電鑄前曝黑的對位點，在鍍層干膜面曝黑間隔帶處的鏤空圖形444及4444，芯模背面干膜上的一層透明高分子保護(hù)膜不剝離，防止其在蝕刻是受到腐蝕，起到保護(hù)芯模的作用； 蝕刻完成后，鏤空圖形被刻穿，進(jìn)行脫膜處理，清除鍍層表面的干膜，再水洗烘干。
以上實施例目的在于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，所有在不違背本發(fā)明精神原則的條件下做出的簡單變換均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于蒸鍍工藝的掩模板，包括:主圖形區(qū)域，主圖形區(qū)域具有滿足蒸鍍要求的開口，主圖形開口尺寸在30-180 μ m的范圍內(nèi)；輔助圖形區(qū)域，用于提供拉力的施力點；其特征在于，掩模板還包括間隔帶，間隔帶一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，連接主圖形區(qū)域的間隔帶邊緣由至少一個向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的非水平線段及至少一個水平線段組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的非水平線段為半月形或凹形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，連接輔助圖形區(qū)域的間隔帶邊緣為水平線段。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，該蒸鍍用掩膜板的厚度為10-200μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述蒸鍍用掩膜板的厚度為大于等于10 μ m、小于 30 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，該掩模板的材料是鎳鐵合金或純鎳。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述間隔帶由至少一個連接實橋及至少一個鏤空圖形組成，其中，連接實橋連接主圖形區(qū)域與輔助圖形區(qū)域，間隔帶中除了連接實橋的地方鏤空。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述連接實橋平面為梯形，其上底的長度短于下底。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述梯形連接實橋，其上底與主圖形區(qū)域相連，下底與輔助圖形區(qū)域相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的掩模板，其特征在于，連接實橋連接主圖形區(qū)域的一端處于向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的非水平線段內(nèi)，尺寸為0.05mm-0.1mm ;連接實橋連接輔助圖形區(qū)域的一端尺寸為0.lmm-0.3mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的掩模板，其特征在于，所述連接實橋之間間隔為3mm-5mm0
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述間隔帶線徑在0.5mm-2mm的范圍內(nèi)。
14.一種掩模板的制作方法，其特征在于，利用單面蝕刻、雙面蝕刻、電鑄或電鑄加蝕刻工藝，在掩膜板上形成間隔帶的鏤空圖形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于蒸鍍工藝的掩模板及其制作方法，在去除輔助圖形時，不需要其他輔助工具，就能成功的將輔助圖形從主圖形區(qū)域剝離，且剝離質(zhì)量高；剝離后的掩模板外邊框邊緣整齊光滑無毛刺，外邊框?qū)ξ粫r不會導(dǎo)致位置偏差。掩模板包括主圖形區(qū)域、輔助圖形區(qū)域和間隔帶，間隔帶一邊連接主圖形區(qū)域，一邊連接輔助圖形；連接主圖形區(qū)域的間隔帶邊緣由至少一個向主圖形區(qū)域縮進(jìn)的非水平線段及至少一個水平線段組成；連接輔助圖形區(qū)域的間隔帶邊緣為水平線段；間隔帶由至少一個連接實橋及至少一個鏤空圖形組成，連接實橋連接主圖形區(qū)域與輔助圖形區(qū)域，間隔帶中除了連接實橋的地方鏤空。
文檔編號C23C14/04GK103205688SQ201210010710
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者魏志凌, 高小平, 孫倩, 鄭慶靚 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司