專利名稱：硅錠處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多晶硅或單晶硅產(chǎn)品的生產(chǎn)輔助設(shè)備，具體是一種用來對(duì)多晶硅 或單晶硅硅錠進(jìn)行處理，以便于切割廢料進(jìn)行回收利用的硅錠處理裝置。
背景技術(shù)：
多晶硅或單晶硅鑄錠后，通常要通過開方工序?qū)⒅鶢畹墓桢V表面材料切割去除后 才進(jìn)入下一步的加工利用。切割廢料可以作為原料回收利用，但由于硅錠表面有一層雜質(zhì) (氮化硅和碳化硅)，需將雜質(zhì)處理才能回收利用；由于切割廢料形狀較小且不規(guī)則，因而 處理較困難。傳統(tǒng)的處理方法是開方后，通過人工打磨將其表面的雜質(zhì)處理，最后清洗，再 回收利用。其處理效率低、勞動(dòng)強(qiáng)度大。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種能夠提高鑄錠切割廢料的處理效 率、降低生產(chǎn)勞動(dòng)強(qiáng)度的硅錠處理裝置。本實(shí)用新型的硅錠處理裝置包括有一個(gè)工作箱體，在工作箱體中安置有一個(gè)可繞 豎直軸心旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)，在工作臺(tái)一側(cè)設(shè)置有一組與噴砂系統(tǒng)連接的噴砂嘴。工作箱體還 通過除塵管路與除塵系統(tǒng)連接。所述工作箱體前部設(shè)置可開啟或關(guān)閉的入口，在入口前方 設(shè)置進(jìn)料臺(tái)。本實(shí)用新型的處理裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、噴砂處理效果好，它可在硅錠開方前通過噴砂 對(duì)硅錠表面進(jìn)行處理，由于柱狀的硅錠形狀規(guī)則且體積大，因而其處理難度低、效率高、勞 動(dòng)強(qiáng)度低。
圖1是本實(shí)用新型的硅錠處理裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示，該硅錠處理裝置包括有一個(gè)工作箱體1，在工作箱體中安置有一個(gè)可繞 豎直軸心旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)2，在工作臺(tái)一側(cè)設(shè)置有一組與噴砂系統(tǒng)連接的噴砂嘴3。工作箱體 還通過除塵管路與除塵系統(tǒng)4連接。工作箱體前部設(shè)置可開啟或關(guān)閉的入口，在入口前方 設(shè)置進(jìn)料臺(tái)5。使用本實(shí)用新型裝置的的硅錠切割廢料回收方法經(jīng)過以下步驟a.在多晶硅或單晶硅鑄錠未開方前，將柱狀的硅錠安置在圖1所示硅錠處理裝置 中的工作臺(tái)2上，關(guān)閉工作箱體，使硅錠旋轉(zhuǎn)，同時(shí)通過一側(cè)的噴砂嘴對(duì)硅錠表面進(jìn)行噴砂 處理；b.硅錠噴砂處理完成后進(jìn)行開方，切割去除表面材料，切割廢料經(jīng)清洗后回收利用。
權(quán)利要求1.一種硅錠處理裝置，其特征是它包括有一個(gè)工作箱體，在工作箱體中安置有一個(gè) 可繞豎直軸心旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)，在工作臺(tái)一側(cè)設(shè)置有一組與噴砂系統(tǒng)連接的噴砂嘴。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅錠處理裝置，其特征是工作箱體通過除塵管路與除塵系 統(tǒng)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅錠處理裝置，其特征是工作箱體前部設(shè)置可開啟或關(guān)閉 的入口，在入口前方設(shè)置進(jìn)料臺(tái)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及多晶硅或單晶硅產(chǎn)品的生產(chǎn)輔助設(shè)備，具體是一種用來對(duì)多晶硅或單晶硅硅錠進(jìn)行處理，以便于切割廢料進(jìn)行回收利用的硅錠處理裝置。該裝置包括有一個(gè)工作箱體，在工作箱體中安置有一個(gè)可繞豎直軸心旋轉(zhuǎn)的工作臺(tái)，在工作臺(tái)一側(cè)設(shè)置有一組與噴砂系統(tǒng)連接的噴砂嘴。本實(shí)用新型的處理裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、噴砂處理效果好，它可在硅錠開方前通過噴砂對(duì)硅錠表面進(jìn)行處理，由于柱狀的硅錠形狀規(guī)則且體積大，因而其處理難度低、效率高、勞動(dòng)強(qiáng)度低。
文檔編號(hào)B24C3/22GK201776698SQ201020289990
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月13日
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