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一種DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層及其制備方法

文檔序號:3368516閱讀:631來源:國知局
專利名稱:一種DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一多層超硬膜涂層及其制備方法,特別是一 DLC/TiAIN/CrN/Cr多層 超硬膜涂層及其制備方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)今,汽車發(fā)動機將向高效率、高載荷、高速度及高壽命的方向發(fā)展,活塞環(huán)作為 汽車發(fā)動機的核心部件,必須要滿足以下條件(1)硬度高,耐磨性能好,延長發(fā)動機的使 用壽命,降低維修成本;(2)磨擦系數(shù)低,潤滑性能好,減少摩擦,減少功率損耗;(3)高溫性 能好,導熱性能好,避免過熱損壞情況的出現(xiàn)。目前,活塞環(huán)材料多采用鑄鐵和專用鋼材,活 塞環(huán)結(jié)構(gòu)變化不大。要滿足其高要求的使用性能,采用表面耐磨處理技術(shù)是活塞環(huán)技術(shù)主 要發(fā)展趨勢,如活塞環(huán)表面涂層工藝,雖然化學鍍鉻方法一直處于主導地位,但目前復合陶 瓷鍍鉻(CKQ和物理氣相沉積技術(shù)(PVD)逐步開始在國內(nèi)的活塞環(huán)行業(yè)得到應用。PVD沉積技術(shù)制備的超硬耐磨涂層,如類金剛石膜(DLC)和氮化鈦系列,如氮化鋁 鈦(Ti,A1)N、氮碳化鈦Ti (C,N)、氮化鈦TiN等超硬薄膜材料,已廣泛應用于機械加工刀具 及耐磨件。其極高的硬度和優(yōu)良的抗磨損性能,適用于做切削工具、軸承、齒輪、活塞等易磨 損機件的耐磨涂層。類金剛石膜(DLC)集高硬度、低的摩擦系數(shù)、低磨損率、高的電絕緣性 及化學惰性等諸多優(yōu)點于一身,且其沉積溫度低、面積大、表面光潔度高,己被廣泛應用于 機械、電子、光學及醫(yī)學領(lǐng)域。TiN膜是一種可以用多種氣相沉積方法沉積的超硬機械耐磨 涂層,其硬度高、摩擦系數(shù)低,但其高溫抗氧化性能、抗擴散能力及耐磨性都有很大不足。由 于C原子和Al原子的固溶強化作用,氮碳化鈦(TiCN)、氮化鋁鈦(TiAlN)系涂層具有比氮 化鈦(TiN)高的硬度、好的耐磨性、更低的與鋼摩擦系數(shù)。對于TiAIN,其耐磨性來自于環(huán) 口磨損的滯后以及磨蝕磨損,涂層以微剝落為主要磨損形式。而Ti (C,N)主要是因為磨蝕 磨損,在磨損區(qū)域產(chǎn)生了的中間層,中間層由涂層成分和被磨材料成分構(gòu)成,而其中C被消 耗。TiAlN是抗高溫磨損的良好的固溶體,這是由于形成化學性質(zhì)穩(wěn)定的三氧化二鋁,從而 具有更好的耐磨損性能。常用的PVD沉積方法有多弧離子鍍、過濾陰極弧、磁控濺射、離子束DLC,其中多弧 離子鍍具有薄膜附著力強,繞射性好、膜材廣泛、膜層質(zhì)量好等優(yōu)點;磁控濺射具有成膜速 率快、膜的粘附性好等優(yōu)點,所以多弧離子鍍和磁控濺射是較常用的PVD沉積方法。目前活塞環(huán)表面涂層技術(shù)多采用單鍍膜層結(jié)構(gòu),制備的薄膜厚度過薄,一般僅 3 5μπι,承載能力較差,不能滿足高載、高速內(nèi)燃機的需求。一方面要求涂層要達一定厚 度確保耐磨效果,另一方面卻因為膜層過厚容易脫落。為了解決這一問題,本發(fā)明采用多層 膜復合技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一多層超硬膜涂層及其制備方法。本發(fā)明的另一目的是提供一 DLC/TiAIN/CrN/Cr多層超硬膜涂層及其制備方法。
本發(fā)明的另一目的是應用電弧離子鍍和磁控濺射相結(jié)合的技術(shù)在基體上制備該 DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層。本發(fā)明的另一目的為提供一 DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層?;诒景l(fā)明的發(fā)明目的,將通過以下方法制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜 涂層,該制備方法包括以下步驟步驟1 在基體上制得厚度為0. 1 0.5μπι的金屬Cr層;優(yōu)選地,在真空度 為4. 0Χ10—2 5. 0X10_4pa(帕),溫度為50°C 200°C,電弧電流為50A 70A,負偏 壓-150V -600V條件下,開鉻弧靶濺射5 15分鐘,沉積得到厚度為0. 1 0. 5 μ m的金 屬Cr層;步驟2 在上述步驟1制得的該Cr層上進一步制得厚度為0. 1 0. 5 μ m的CrN 層;優(yōu)選地,在氮氣氣壓為0. 1 5Pa,溫度為50°C 200°C,電弧電流為50A 70A,負偏 壓-150V -600V條件下,開鉻弧靶濺射10 25分鐘,沉積得到厚度為0. 1 0. 5 μ m的 該CrN層;步驟3 在該步驟2所制得該CrN層上進一步制得厚度為0. 1 0. 5 μ m的TiAlN 層;其中,優(yōu)選地,該TiAlN層采用弧光等離子體放電輔助磁控濺射技術(shù)制得,具體采用以 下步驟步驟3.1 步驟3.1 在氮氣氣壓為2 101 ,溫度為50°C 200°C,弧流為50 80A,負偏壓為-75V -600V,負偏壓占空比為30% 60%,先開鈦鋁弧靶預濺射1 3分 鐘;和步驟3. 2 在保持上述步驟3. 1的濺射條件不變及鈦鋁弧靶開啟的基礎(chǔ)上,再加開 鋁靶磁控濺射源,該鋁靶磁控濺射源的功率為150 300W,鈦鋁弧靶和鋁靶磁控濺射同時 濺射10 20分鐘,沉積得到厚度為0. 1 0. 5 μ m的該TiAlN層;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制得厚度為0. 5 1 μ m的該TiAlN/ CrN/Cr多層涂層;優(yōu)選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為5 20次;和步驟5 在該步驟4所得到的該TiAlN/CrN/Cr多層涂層上進一步制得厚度為 0. 2 1. 0 μ m的DLC膜;優(yōu)選地,在氬氣壓力為2 10Pa,負偏壓為+20V -120V,電流為 20 80A條件下,開碳弧靶濺射0 30分鐘,沉積得到該DLC膜?;诒景l(fā)明的發(fā)明目的,通過本發(fā)明提供的該制備DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬 膜涂層的方法,在基體上制得了一 DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層,其包括一 TiAlN/ CrN/Cr多層涂層和覆在該TiAlN/CrN/Cr多層涂層上的一 DLC膜,其中該TiAlN/CrN/Cr多 層涂層的厚度為0. 5 1 μ m,該DLC膜的厚度為0. 2 1. 0 μ m。優(yōu)選地,該TiAlN/CrN/Cr多層涂層包括至少一 Cr層、至少一 CrN層和至少一 TiAlN層,其中該Cr層、該CrN層和該TiAlN層是按照從下到上的順序依次重復,且優(yōu)選以 Cr層起始,TiAlN層終止,其中每一該Cr層的厚度為0. 1 0. 5 μ m,每一該CrN層的厚度 為0. 1 0. 5 μ m,每一該TiAlN層的厚度為0. 1 0. 5 μ m。本發(fā)明提供的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層具有以下優(yōu)點(1)界面涂層 可以提高基體與膜的結(jié)合力,并保證從基體到膜層性能的平滑過渡;(2)通過沉積幾種不 同結(jié)構(gòu)和性能的薄膜,表面的應力集中和裂紋擴展的條件將發(fā)生變化,從而改善薄膜的機 械性能;C3)多種具有不同性能優(yōu)點的薄膜結(jié)合在一起,使薄膜的綜合性能得到提高。
該制備DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層的方法采用周期生長方式,此周期生 長方式具有以下優(yōu)點(1)可控制單層膜厚度處于納米尺度,抑制膜內(nèi)晶粒生長使薄膜硬 度達最大化;( 不同結(jié)構(gòu)和性能的薄膜重復疊加,界面之間應力的相互釋放,可以消除 單層膜持續(xù)生長過程中因厚度增加引起的應力增大,提高薄膜與基體間的結(jié)合力,減小薄 膜裂紋縱向擴展引起的片狀剝離;C3)界面的相互摩擦及滲透增強了位錯運動阻力,對薄 膜機械性能的改善有非常好的作用;(4)通過多周期沉積可生長較厚的涂層以滿足耐磨的 需要。


圖1為制備一 DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層的流程圖。圖2為該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層所使用的弧光等離子體放電輔 助磁控濺射技術(shù)裝置示意圖。(7和8為陰極弧靶,9為柱狀磁控靶,10為轉(zhuǎn)動掛架,11為圓 柱形真空室,12為濺射氣體入口,13為轉(zhuǎn)動軸及磁控靶電源線,14為真空泵接口)。
具體實施例方式實施例1如圖1所示,本發(fā)明提供的在基體上制備一DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層的 方法具體包括以下步驟步驟1 在基體上制得厚度為0. 1 0.5μπι的金屬Cr層;優(yōu)選地,在真空度 為4. 0Χ10—2 5. 0X10_4pa(帕),溫度為50°C 200°C,電弧電流為50A 70A,負偏 壓-150V -600V條件下,開鉻弧靶濺射5 15分鐘,沉積得到厚度為0. 1 0. 5 μ m該Cr 層;步驟2 在上述步驟1制得的該Cr層上進一步制得厚度為0. 1 0. 5 μ m的CrN 層;優(yōu)選地,在氮氣氣壓為0. 1 5Pa,溫度為50°C 200°C,電弧電流為50A 70A,負偏 壓-150V -600V條件下,開鉻弧靶濺射10 25分鐘,沉積得到厚度為0. 1 0. 5 μ m的 該CrN層;步驟3 在該步驟2所制得的該CrN層上進一步制得厚度為0. 1 0. 5 μ m的TiAlN 層;其中,優(yōu)選地,該TiAlN層采用弧光等離子體放電輔助磁控濺射技術(shù)制得,具體采用以 下步驟步驟3. 1 在氮氣氣壓為2 10Pa,溫度為50°C 200°C,弧流為50 80A,負偏 壓為-75V -600V,負偏壓占空比為30% 60%,先開鈦鋁弧靶預濺射1 3分鐘;和步驟3. 2 在保持上述步驟3. 1的條件不變及鈦鋁弧靶開啟的基礎(chǔ)上,再加開鋁靶 磁控濺射源,該鋁靶磁控源功率為150 300W,鈦鋁弧靶和鋁靶磁控濺射同時濺射10 20 分鐘,沉積得到厚度為0. 1 0. 5 μ m的該TiAlN層;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制得厚度為0. 5 1 μ m的該TiAlN/ CrN/Cr多層涂層;優(yōu)選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為5 20次;和步驟5 在該步驟4所得到的該TiAlN/CrN/Cr多層涂層上進一步制得厚度為 0. 2 1. 0 μ m的DLC膜;優(yōu)選地,在氬氣壓力為2 10Pa,負偏壓為+20V -120V,電流為20 80A條件下,開碳弧靶濺射10 30分鐘,沉積得到該DLC膜。優(yōu)選地,該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層的基體為鑄鐵或鑄鋼的汽車發(fā)動 機活塞環(huán)或其它鑄件。其中,當選用該活塞環(huán)作為基體時,應將活塞環(huán)在7. OX 10_3Pa,溫度 為150°C,在負偏壓為600V條件下,通入氬氣,輝光清洗5分鐘。優(yōu)選地,該步驟1和該步驟2中的鉻靶材采用純度99. 99%鉻靶;該步驟3中沉積 該TiAlN層中的濺射靶材為純度99. 7%的鈦鋁靶和純度為99. 99%的鋁靶,其中鈦鋁靶中 鈦鋁原子百分比為1 1;該步驟5中沉積該DLC膜采用的碳靶材為純度99. 99%碳靶;其 中該步驟2和該步驟3中采用的濺射氣體為純度99. 99 %的氮氣,步驟5中采用的氣體為純 度99. 99%氬氣。如圖2所示,通過本發(fā)明提供的該制備DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層的方 法,在基體1上制得了一 DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層,其包括一 TiAlN/CrN/Cr多層 涂層2和覆在該TiAlN/CrN/Cr多層涂層2上的一 DLC膜6,其中該TiAlN/CrN/Cr多層涂層 2,其中該TiAlN/CrN/Cr多層涂層2的厚度為0. 5 1 μ m,其中該DLC膜6的厚度為0. 2 1. 0 μ m。如圖2所示,該TiAlN/CrN/Cr多層涂層2包括至少一 Cr層3、至少一 CrN層4和 至少一 TiAlN層5,其中該Cr層3、該CrN層4和該TiAlN層5是按照從下到上的順序依次 重復,且優(yōu)選以Cr層起始,TiAlN層5終止,其中每一該Cr層3的厚度為0. 1 0. 5 μ m,每 一該CrN層4的厚度為0. 1 0. 5 μ m,每一該TiAlN層5的厚度為0. 1 0. 5 μ m。實施例2基于實施例1,可以采用以下步驟在基體上制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜 涂層步驟1 在真空壓力為7. 0X10_3Pa,溫度為150°C,電弧電流為60A,負偏壓-300V 條件下,開鉻弧靶濺射在基體上沉積11分鐘制得Cr層;步驟2 在上述步驟1制得的該Cr層上進一步沉積CrN層;優(yōu)選地,在氮氣壓力為 0. 8Pa,溫度為150°C,電弧電流為60A,負偏壓為-300V條件下,開鉻弧靶濺射在該步驟1的 該Cr層上沉積17分鐘制得該CrN層;步驟3 在該步驟2所制得的該CrN層上進一步制備TiAlN層;其中,該TiAlN層 的制備優(yōu)選采用以下步驟步驟3. 1 在氮氣壓力為3. 5Pa,溫度為150°C,弧流為60A,負偏壓為-300V,負偏 壓占空比為40%,先開鈦鋁弧靶預濺射3分鐘;和步驟3. 2 在保持上述步驟3. 1的條件不變及鈦鋁弧靶開啟的基礎(chǔ)上,再加開鋁靶 磁控濺射源,該鋁靶磁控濺射功率為200W,鈦鋁弧靶和鋁靶磁控濺射同時濺射10分鐘,沉 積得到該TiAlN層;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制備該TiAlN/CrN/Cr多層涂層;優(yōu) 選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為5次;和步驟5 在該步驟4所得到的該TiAlN/CrN/Cr多層涂層上進一步制的DLC膜;優(yōu) 選地,在氬氣壓力為2Pa,負偏壓為-50V,電流為50A條件下,開碳弧靶濺射14分鐘,沉積得 到該DLC膜。通過對該實施例所制得的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層進行檢測,其厚度為3. 93 μ m。通過納米壓痕法對其進行薄膜力學性能測試,發(fā)現(xiàn)其硬度為38. 0士0. 5GPa。實施例3基于實施例1,可以采用以下步驟在基體上制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜 涂層步驟1、步驟2和步驟3分別與實施例2中的該步驟1、該步驟2和該步驟3相同;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制備該TiAlN/CrN/Cr多層涂層;優(yōu) 選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為8次;和步驟5 同實施例2中的該步驟5相同。通過對該實施例所制得的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層進行檢測,其厚 度為5. 10 μ m。通過納米壓痕法對其進行薄膜力學性能測試,發(fā)現(xiàn)其硬度為40. 0士0. 3GPa。實施例4基于實施例1,可以采用以下步驟在基體上制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜 涂層步驟1、步驟2和步驟3分別與實施例2中的該步驟1、該步驟2和該步驟3相同;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制備該TiAlN/CrN/Cr多層涂層;優(yōu) 選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為10次;和步驟5 同實施例2中的該步驟5相同。通過對該實施例所制得的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層進行檢測,其厚 度為7. 44 μ m。通過納米壓痕法對其進行薄膜力學性能測試,發(fā)現(xiàn)其硬度為41. 5士0. 4GPa。實施例5基于實施例1,可以采用以下步驟在基體上制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜 涂層步驟1、步驟2和步驟3分別與實施例2中的該步驟1、該步驟2和該步驟3相同;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制備該TiAlN/CrN/Cr多層涂層;優(yōu) 選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為12次;和步驟5 同實施例2中的該步驟5相同。通過對該實施例所制得的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層進行檢測,其厚 度為8. 91 μ m。通過納米壓痕法對其進行薄膜力學性能測試,發(fā)現(xiàn)其硬度為44. 0士0. 4GPa。實施例6基于實施例1,可以采用以下步驟在基體上制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜 涂層步驟1、步驟2和步驟3分別與實施例2中的該步驟1、該步驟2和該步驟3相同;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制備該TiAlN/CrN/Cr多層涂層;優(yōu) 選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為15次;和步驟5 同實施例2中的該步驟5相同。 通過對該實施例所制得的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層進行檢測, 其厚度為10. 95 μ m。通過納米壓痕法對其進行薄膜力學性能測試,測得其硬度為 46. 0 士 0. 5GPa。
實施例7
基于實施例1,可以采用以下步驟在基體上制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜 涂層步驟1、步驟2和步驟3分別與實施例2中的該步驟1、該步驟2和該步驟3相同;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制備該TiAlN/CrN/Cr多層涂層;優(yōu) 選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為18次;和步驟5 同實施例2中的該步驟5相同。通過對該實施例所制得的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層進行檢測, 其厚度為13.08μπι。通過納米壓痕法對其進行薄膜力學性能測試,發(fā)現(xiàn)其硬度為 47. 1 士 0. 2GPa。實施例8基于實施例1,可以采用以下步驟在基體上制備該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜 涂層步驟1、步驟2和步驟3分別與實施例2中的該步驟1、該步驟2和該步驟3相同;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制備該TiAlN/CrN/Cr多層涂層;優(yōu) 選地,依次周期性重復上述步驟1到步驟3的次數(shù)為20次;和步驟5 同實施例2中的該步驟5相同。通過對該實施例所制得的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層進行檢測, 其厚度為14. 50 μ m。通過納米壓痕法對其進行薄膜力學性能測試,發(fā)現(xiàn)其硬度為 46. 7 士 0. IGPa0從以上實施例及其所得到的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層檢測結(jié)果可以 發(fā)現(xiàn),當該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層的厚度在5μπι以上時,其硬度都超過40GPa。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應理解,上述描述及附圖中所示的本發(fā)明的實施例只作為舉例 而并不限制本發(fā)明。由此可見,本發(fā)明之目的已經(jīng)完整并有效的予以實現(xiàn)。本發(fā)明的功能及結(jié)構(gòu)原理 已在實施例中予以展示和說明,在不背離所述原理下,實施方式可作任意修改。所以,本發(fā) 明包括了基于權(quán)利要求精神及權(quán)利要求范圍的所有變形實施方式。
權(quán)利要求
1.- DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層的制備方法,其特征在于,包括步驟1 在基體上制得厚度為0. 1 0. 5 μ m的金屬Cr層;步驟2 在上述步驟1制得的該Cr層上進一步制得厚度為0. 1 0. 5 μ m的CrN層;步驟3 在上述步驟2所制得該CrN層上進一步制得厚度為0. 1 0. 5 μ m的TiAlN層;步驟4 依次周期性重復該步驟1到該步驟3制得厚度為0. 5 1 μ m的該TiAlN/CrN/ Cr多層涂層;和步驟5 在該步驟4所得到的該TiAlN/CrN/Cr多層涂層上進一步制得厚度為0. 2 LOym 的 DLC 膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的該多層超硬膜涂層的制備方法,其特征在于,其中該步驟1 中該Cr層是在真空度為4. OX 10_2 5. OX KT4Pa (帕),溫度為50°C 200°C,電弧電流為 50A 70A,負偏壓-150V -600V條件下,開鉻弧靶濺射沉積5 15分鐘所制得的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的該多層超硬膜涂層的制備方法,其特征在于,其中該步驟2中 的該CrN層是在氮氣氣壓為0. 1 5Pa,溫度為50°C 200°C,電弧電流為50A 70A,負偏 壓-150V -600V條件下,開鉻弧靶濺射10 25分鐘所制得的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的該多層超硬膜涂層的制備方法,其特征在于,其中該步驟3中 的該TiAlN層采用弧光等離子體放電輔助磁控濺射技術(shù)制得,其具體包括以下步驟步驟3. 1 在氮氣氣壓為2 10Pa,溫度為50°C 200°C,弧流為50 80A,負偏壓 為-75V -600V,負偏壓占空比為30% 60%,先開鈦鋁弧靶預濺射1 3分鐘;和步驟3. 2 在保持上述步驟3. 1的條件不變及鈦鋁弧靶開啟的基礎(chǔ)上,再加開鋁靶磁控 濺射源,該磁控源功率為150 300W,鈦鋁弧靶和鋁靶磁控濺射同時濺射10 20分鐘,沉 積得到該TiAlN層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的該多層超硬膜涂層的制備方法,其特征在于,其中該步驟4中 制備該TiAlN/CrN/Cr多層涂層依次周期性重復該步驟1到該步驟3的次數(shù)為5 20。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的該多層超硬膜涂層的制備方法,其特征在于,其中該步驟5中 的該DLC膜是在氬氣氣壓為2 10Pa,負偏壓為+20V -120V,電流為20 80A條件下, 開碳弧靶濺射,沉積10 30分鐘得到的。
7.一 DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層,其特征在于,它包括一 TiAlN/CrN/Cr多層涂 層和覆在該TiAlN/CrN/Cr多層涂層上的一 DLC膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層,其特征在于,其中該 TiAlN/CrN/Cr多層涂層的厚度為0. 5 1 μ m,該DLC膜的厚度為0. 2 1. 0 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層,其特征在于,其中該 TiAlN/CrN/Cr多層涂層包括至少一 Cr層、至少一 CrN層和至少一 TiAlN層,其中該Cr層、 該CrN層和該TiAlN層是按照從下到上的順序依次重復,且優(yōu)選以Cr層起始,TiAlN層終 止。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的該DLC/TiAlN/CrN/Cr多層超硬膜涂層,其特征在于,其中每 一該Cr層的厚度為0. 1 0. 5 μ m,每一該CrN層的厚度為0. 1 0. 5 μ m,和每一該TiAlN 層的厚度為0. 1 0.5 μ m。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于汽車發(fā)動機活塞環(huán)表面處理的類金剛石/氮化鋁鈦/氮化鉻/鉻(DLC/TiAlN/CrN/Cr)多層超硬膜涂層,該多層超硬膜涂層采用多弧離子鍍與磁控濺射相結(jié)合技術(shù)制備而得,制備的多層超硬膜厚度在5~20μm(微米)之間,涂層硬度大于40GPa。
文檔編號C23C14/34GK102080207SQ20101060846
公開日2011年6月1日 申請日期2010年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月25日
發(fā)明者韓培剛 申請人:深圳市廣大納米工程技術(shù)有限公司
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