專利名稱：高真空連續(xù)鍍制復(fù)合膜可逆卷繞控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高真空卷繞連續(xù)鍍膜設(shè)備，特別是一種改進(jìn)的寬幅寬 張力范圍基體帶、寬速度范圍可逆卷繞恒速度控制裝置。
背景技術(shù)：
柔性高分子和炭質(zhì)材料帶狀物、金屬薄帶等基體帶上鍍制的復(fù)合膜產(chǎn)品，
在現(xiàn)代工業(yè)和髙技術(shù)領(lǐng)域用途廣泛，例如電子通訊、網(wǎng)絡(luò)器件、電磁干擾防 治(MEI)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛的磁性復(fù)合膜，要求于高真空環(huán)境下，在金屬薄帶 (10nm 25pm)上致密鍍制2 8層的Fe、 Ni、 Zr、 Cr、 Co、 Hf、 Mo、 Td、 Si、 B等及其化合物薄膜，單層薄膜的成分及厚度偏差<3%。再如氫能源利 用中普遍釆用的載體催化劑，通常是在高真空環(huán)境下，在炭質(zhì)材料帶狀物上鍍 制合金復(fù)合膜，薄膜的成分及厚度偏差<1%。這就需要釆用特定的鍍膜手段， 如離子?xùn)|濺射技術(shù)，它可在低溫(<200°C )下獲得準(zhǔn)確可控的離子/原子到達(dá)比， 易獲得多種不同組分和結(jié)構(gòu)的合成膜，對(duì)所有襯底有好的結(jié)合力，有效地控制 超微粒子的大小和分布。
由于不同張力基體帶在不同卷繞速度(0 300mm/min)的連續(xù)鍍制復(fù)合膜 過(guò)程中，需保證達(dá)到無(wú)斜拉伸、平整度以及與膜層接觸面無(wú)損傷的要求。目前 通過(guò)國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)和公開(kāi)的連續(xù)鍍制復(fù)合膜控制裝置，均難以保證在較高的真空 室容積利用率下，實(shí)現(xiàn)寬幅(幅寬300mm以上)寬張力范圍的巻繞速度恒定控 制精度需要。
目前，隨著技術(shù)的進(jìn)步，在某些領(lǐng)域，新型直流伺服電機(jī)控制器、PLC可 編程控制器、力矩傳感限制器、調(diào)速編碼器等均得到成功應(yīng)用，這些巿場(chǎng)供應(yīng) 的具有良好技術(shù)基礎(chǔ)的成熟產(chǎn)品，為改進(jìn)高真空連續(xù)鍍膜設(shè)備在寬張力范圍和 寬卷繞速度范圍內(nèi)獲得可逆卷繞恒速度控制提供了必要技術(shù)條件。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種高真空連續(xù)鍍制復(fù)合膜可逆巻 繞控制裝置，該裝置結(jié)構(gòu)緊湊，控制精度高，制造維護(hù)成本低，加工的復(fù)合膜 均勻性以及鍍透性均佳。
解決本實(shí)用新型的技術(shù)問(wèn)題所釆用的方案是收/放卷軸各對(duì)應(yīng)與真空室 外部安裝的力矩傳感限制器，隨動(dòng)過(guò)渡軸上設(shè)置調(diào)速編碼器，傳動(dòng)減速裝置和 直流伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)連接，PLC可編程控制器與力矩傳感限制器、直流伺服電機(jī) 和調(diào)速編碼器電控連接。收/放巻軸位于鍍膜基臺(tái)兩側(cè)，隨動(dòng)過(guò)渡軸與收/放
卷軸同軸向，位于兩收/放卷軸之間。
該裝置對(duì)稱置于真空鍍膜機(jī)鍍膜室上部，收/放卷軸及隨動(dòng)過(guò)渡軸固定于 真空室內(nèi)的連接支撐裝置上，收/放卷軸、鍍膜基臺(tái)和隨動(dòng)過(guò)渡軸的上述布置 方式可滿足鍍制區(qū)內(nèi)基體帶的水平通過(guò)及平整度要求。兩個(gè)隨動(dòng)過(guò)渡軸上設(shè)置 調(diào)速編碼器，由PLC可編程控制器所控制的直流伺服電機(jī)與傳動(dòng)減速裝置驅(qū)動(dòng) 連接。PLC可編程控制器可獲得隨動(dòng)過(guò)渡軸上調(diào)速編碼器輸出的基體帶實(shí)際運(yùn) 動(dòng)速度信號(hào)與設(shè)定運(yùn)動(dòng)速度值的差異，根據(jù)巳寫入程序，實(shí)時(shí)向直流伺服電機(jī) 輸出電脈沖，并向力矩傳感限制器輸出力矩限制信號(hào)，分別控制直流伺服電機(jī) 和力矩限制器，通過(guò)傳動(dòng)減速裝置驅(qū)動(dòng)收/放卷軸，實(shí)現(xiàn)基體帶卷繞過(guò)程中設(shè) 定張力下對(duì)設(shè)定速度的可逆雙向恒定控制。
本實(shí)用新型的有益效果是
該裝置釆用放卷軸、收卷軸、隨動(dòng)過(guò)渡軸、連接支撐裝置、傳動(dòng)減速裝置、
力矩傳感限制器、直流伺服電機(jī)、PLC可編程控制器等電控裝置實(shí)現(xiàn)基體帶巻 繞過(guò)程中設(shè)定張力下設(shè)定速度的可逆雙向恒定控制，基體帶水平性及平整度易 保持，無(wú)斜拉伸現(xiàn)象，與膜層接觸面無(wú)損傷，基體帶無(wú)運(yùn)動(dòng)方向沖擊振動(dòng)現(xiàn)象， 可以有效降低薄膜的成分及厚度偏差，提高加工的復(fù)合膜均勻性以及鍍透性； 裝置結(jié)構(gòu)緊湊，控制精度高，制造維護(hù)成本低。
圖l為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中各標(biāo)號(hào)依次表示PLC可編程控制器l,直流伺服電機(jī)2、 2',力矩傳 感限制器3、 3',傳動(dòng)減速裝置4、 4'，調(diào)速編碼器5、 5'，連接支撐裝置6，隨 動(dòng)過(guò)渡軸7、 7'，收/放卷軸8、 8',鍍膜基臺(tái)9，輸出電脈沖IO、 10'，力矩限 制信號(hào)11、 ll',基體帶實(shí)際運(yùn)動(dòng)速度信號(hào)12、 12'，真空鍍膜室壁13,真空鍍 膜室14。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖l,實(shí)施例所述的裝置對(duì)稱置于真空鍍膜機(jī)鍍膜室(14)上部，收/ 放卷軸(8、 8，)及隨動(dòng)過(guò)渡軸(7、 7，)固定于連接支撐裝置(6)上，收/放 卷軸(8、 8，)位于鍍膜基臺(tái)(9)兩側(cè)，兩個(gè)隨動(dòng)過(guò)渡軸(7、 7，)分別位于放 卷軸、收卷軸(8、 8')與鍍膜基臺(tái)(9)之間，使基體帶水平性及平整度易保 持。兩個(gè)隨動(dòng)過(guò)渡軸(7、 7，)上設(shè)置有調(diào)速編碼器(5、 5，)。由PLC可編程控 制器(1)控制的直流伺服電機(jī)(2、 2，)與傳動(dòng)減速裝置(4、 4，)驅(qū)動(dòng)連接， 并置于真空鍍膜室壁(13)的外部，可縮小真空室的容積，提高真空室容積利 用率，使本裝置結(jié)構(gòu)緊湊。直流伺服電機(jī)(2、 2，)帶動(dòng)傳動(dòng)減速裝置(4、 4，)，驅(qū)動(dòng)支撐裝置(6)上安裝的收/放卷軸(8、 8，)實(shí)現(xiàn)同步可逆雙向轉(zhuǎn)動(dòng)，帶 動(dòng)基體帶同步可逆雙向運(yùn)動(dòng)。PLC可編程控制器(1 )獲得隨動(dòng)過(guò)渡軸(7、 7，) 上調(diào)速編碼器(5、 5，)輸出的基體帶實(shí)際運(yùn)動(dòng)速度信號(hào)(12、 12，)與設(shè)定運(yùn)動(dòng) 速度值的差異，根據(jù)已寫入程序，實(shí)時(shí)輸出電脈沖(10、 10，)以及力矩限制信 號(hào)(11、 11，)分別控制直流伺服電機(jī)(2、 2，)和力矩限制器(3、 3，)，通過(guò)傳 動(dòng)減速裝置(4、 4，)驅(qū)動(dòng)收/放卷軸(8、 8，)，實(shí)現(xiàn)基體帶卷繞過(guò)程中設(shè)定張 力下對(duì)設(shè)定速度的可逆雙向恒定控制。
權(quán)利要求1、一種高真空連續(xù)鍍制復(fù)合膜可逆卷繞控制裝置，其特征是收/放卷軸各對(duì)應(yīng)與真空室外部安裝的力矩傳感限制器、隨動(dòng)過(guò)渡軸上設(shè)置調(diào)速編碼器，傳動(dòng)減速裝置和直流伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)連接，PLC可編程控制器與力矩傳感限制器、直流伺服電機(jī)和調(diào)速編碼器電控連接。
2、 按權(quán)利要求1所述的高真空連續(xù)鍍制復(fù)合膜可逆卷繞控制裝置，其特征 是收/放卷軸位于鍍膜基臺(tái)兩側(cè)，隨動(dòng)過(guò)渡軸與收/放卷軸同軸向，位于兩 收/放卷軸之間。
專利摘要高真空連續(xù)鍍制復(fù)合膜可逆卷繞控制裝置。本實(shí)用新型涉及一種帶材的卷繞裝置，特別是改進(jìn)的高真空連續(xù)鍍制復(fù)合膜可逆卷繞控制裝置。本裝置的收/放卷軸各對(duì)應(yīng)與真空室外部安裝的力矩傳感限制器、隨動(dòng)過(guò)渡軸上設(shè)置調(diào)速編碼器，傳動(dòng)減速裝置和直流伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)連接，PLC可編程控制器與力矩傳感限制器、直流伺服電機(jī)和調(diào)速編碼器電控連接。本裝置結(jié)構(gòu)緊湊，控制精度高，制造維護(hù)成本低，加工的復(fù)合膜均勻性以及鍍透性均佳。
文檔編號(hào)C23C14/56GK201212057SQ20082008120
公開(kāi)日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月16日
發(fā)明者濱 楊 申請(qǐng)人:昆明理工大學(xué)