專利名稱：埋地型銅/硫酸銅參比電極的制作方法
專利說明
一、技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及陰極保護(hù)防腐系統(tǒng)中所用的一種埋地型銅/硫酸銅參比電極。
二背景技術(shù)：
參比電極是陰極保護(hù)系統(tǒng)中重要的組成部分之一，尤其是在外加電流陰極保護(hù)系統(tǒng)中，它即可用來測量被保護(hù)構(gòu)筑物的電位，又可作為恒電位儀自動控制的信號源。在新建儲罐陰極保護(hù)中，陰極保護(hù)系統(tǒng)的輔助陽極和參比電極都埋設(shè)在儲罐基礎(chǔ)中，如在網(wǎng)狀陽極陰極保護(hù)系統(tǒng)中。而基礎(chǔ)施工中肯定需要動用大型機(jī)械設(shè)備，如壓路機(jī)、振動器等，這些設(shè)備都有可能對預(yù)埋的參比電極造成損壞，因?yàn)槌Ｒ?guī)的長效硫酸銅參比電極的電極體是陶瓷罐的，不抗壓。
三
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種埋地型銅/硫酸銅參比電極，解決上述已有技術(shù)中存在不抗壓易損壞的問題。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是通過以下方式實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型由電極殼體、雙層半透膜、填料、硫酸銅晶體、紫銅絲和電纜線組成，其特征在于電極殼體設(shè)為圓筒形，其上部設(shè)有鑲嵌的帽或螺紋連接的帽，其下部設(shè)有雙層半透膜座，與電極殼體粘結(jié)或螺紋連接，座的上內(nèi)部設(shè)一層半透膜，座的底部設(shè)一層半透膜，兩層半透膜之間填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料，在上層半透膜以上電極殼體內(nèi)填充有硫酸銅晶體和紫銅絲，硫酸銅晶體充滿紫銅絲的孔隙，在帽的中心設(shè)有電纜線的接口。
電極殼體、電極殼帽和雙層半透膜座設(shè)置為ABS或高強(qiáng)度PVC材料，在兩半透膜之間夾層填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料。
本實(shí)用新型涉及一種抗壓長壽命埋地型銅/硫酸銅參比電極，電極體外殼采用ABS或高強(qiáng)度PVC管，并采用雙層半透膜結(jié)構(gòu)，內(nèi)外兩層半透膜之間的空間填充特殊填料。有效控制了硫酸銅的滲透速度，在可以承受較大壓力的同時大大延長參比電極的使用壽命。
四
附圖為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖圖中1—電極殼體 2—雙層半透膜 3—填料 4—硫酸銅晶體 5—紫銅絲 6—電纜線接口五具體實(shí)施方式
為進(jìn)一步公開本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合通過實(shí)施例作詳細(xì)說明本實(shí)用新型由電極殼體1、雙層半透膜2、填料3、硫酸銅晶體4、紫銅絲5和電纜線接口5組成，其特征在于電極殼體1為圓筒形，其上部設(shè)有鑲嵌粘結(jié)或螺紋連接的帽，其下設(shè)有雙層半透膜2座，與電極殼體粘結(jié)或螺紋連接，座的上內(nèi)部設(shè)一層半透膜2，座的底部設(shè)一層半透膜2，兩半透膜之間夾層填充有填料3。在上層半透膜以上電極殼體內(nèi)填充有硫酸銅晶體4和紫銅絲5，硫酸銅晶體充滿紫銅絲的孔隙，在帽的中心設(shè)有電纜線的接口6。
本實(shí)用新型所涉及的參比電極的電極體外殼采用ABS或高強(qiáng)度PVC管，內(nèi)填滿分析純硫酸銅晶體，并采用雙層半透膜結(jié)構(gòu)，內(nèi)外兩層半透膜之間的空間填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料。有效控制了硫酸銅的滲透速度，在可以承受較大壓力的同時大大延長參比電極的使用壽命。與現(xiàn)有常規(guī)陶瓷罐為電極體的長效埋地式Cu/CuSO4參比電極相比，本實(shí)用新型壽命更長，抗壓性能好，尤其當(dāng)用在儲罐基礎(chǔ)中時，更加顯現(xiàn)其優(yōu)勢。
權(quán)利要求1.一種埋地型銅/硫酸銅參比電極，由電極殼體、雙層半透膜、填料、硫酸銅晶體、紫銅絲和電纜線組成，其特征在于電極殼體設(shè)為圓筒形，其上部設(shè)有鑲嵌的帽或螺紋連接的帽，其下部設(shè)有雙層半透膜座，與電極殼體粘結(jié)或螺紋連接，座的上內(nèi)部設(shè)一層半透膜，座的底部設(shè)一層半透膜，兩層半透膜之間填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料，在上層半透膜以上電極殼體內(nèi)填充有硫酸銅晶體和紫銅絲，硫酸銅晶體充滿紫銅絲的孔隙，在帽的中心設(shè)有電纜線的接口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的埋地型銅/硫酸銅參比電極，其特征在于所述電極殼體、電極殼帽和雙層半透膜座設(shè)置為ABS或高強(qiáng)度PVC材料，在兩半透膜之間夾層填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料。
專利摘要一種埋地型銅/硫酸銅參比電極，由電極殼體、雙層半透膜、填料、硫酸銅晶體、紫銅絲和電纜線組成，其特征在于電極殼體設(shè)為圓筒形，其上部設(shè)有鑲嵌的帽或螺紋連接的帽，其下部設(shè)有雙層半透膜座，與電極殼體粘結(jié)或螺紋連接，座的上內(nèi)部設(shè)一層半透膜，座的底部設(shè)一層半透膜，兩層半透膜之間填充有能使離子緩慢均勻滲透的填料，在上層半透膜以上電極殼體內(nèi)填充有硫酸銅晶體和紫銅絲，硫酸銅晶體充滿紫銅絲的孔隙，在帽的中心設(shè)有電纜線的接口。
文檔編號C23F13/10GK2915885SQ20062008508
公開日2007年6月27日 申請日期2006年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月30日
發(fā)明者過夢飛, 宋立閩, 黃慧明, 彭嬌嬌 申請人:過夢飛