專(zhuān)利名稱(chēng)：陶瓷組件的低形變擴(kuò)散焊方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陶瓷組件的低形變擴(kuò)散焊方法，和由此方法制得的整體塊及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
陶瓷組件通常用于加工廠和機(jī)械工程，其中會(huì)涉及到磨損，腐蝕和高熱負(fù)載。陶瓷的硬度、化學(xué)穩(wěn)定性和高溫穩(wěn)定性遠(yuǎn)比鋼鐵相應(yīng)的功能優(yōu)越。而且碳化硅作為工業(yè)陶瓷的代表具有極優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性(是鋼鐵的4倍多)。這種優(yōu)點(diǎn)不僅使該材料可用于噴嘴、閥門(mén)、軸面密封和滑動(dòng)接觸磨損中而且可用于反應(yīng)器如管束熱交換器或柴油微粒過(guò)濾器。在許多此類(lèi)的應(yīng)用中，基于設(shè)計(jì)的原因，陶瓷組件必須具有非常復(fù)雜的形狀。但該設(shè)計(jì)通常與已有的陶瓷成形工藝不一致，從而使得需要連接單獨(dú)的構(gòu)件。文獻(xiàn)中已公開(kāi)了涉及連接陶瓷的多種方法，包括許多涉及連接SiC陶瓷的方法。根據(jù)不同的工藝過(guò)程，文獻(xiàn)中使用“擴(kuò)散焊”，“反應(yīng)粘合”或“軟釬焊”。軟釬焊和反應(yīng)粘合在連接部件的界面處留下焊縫，而擴(kuò)散焊可用于連接部件形成無(wú)縫組件。該類(lèi)型的無(wú)縫組件也被稱(chēng)為整體塊。
關(guān)于擴(kuò)散焊燒結(jié)的SiC組件的基本原理早在20世紀(jì)80年代已被Thomas Moore公開(kāi)。他在論文“Feasibility Study of the Welding of SiC”J.Am.Ceram.Soc.68[6]C151-C153(1985)中介紹了只有當(dāng)溫度和壓力足夠高時(shí)利用擴(kuò)散焊才可獲得在拋光的a-SiC平面盤(pán)之間的穩(wěn)定、粘性連接，并且需允許連接組件在加壓方向有約25％的塑性形變。上述論文得出的結(jié)論是不可能制得沒(méi)有塑性形變的無(wú)縫焊接連接的燒結(jié)SiC。即使在1950℃和13.8MPa壓力(時(shí)間2h)的熱壓下，在被連接的且形變大的盤(pán)之間也存在焊縫。溫度的降低不可能獲得更好的無(wú)縫連接的結(jié)果。在擴(kuò)散焊中，在熱均壓力作用下加壓至138MPa，根據(jù)相關(guān)報(bào)道也不會(huì)獲得成功的連接。在組件中觀察到的不夠的粘合連接歸因于SiC不夠的燒結(jié)活性。
US專(zhuān)利4,925,608(1990)描述了為了獲得粘接的無(wú)縫SiC粘合，基于熱均壓力的輕微預(yù)燒結(jié)的SiC組件的擴(kuò)散焊過(guò)程。在此，尤其側(cè)重于SiC的β-改性和組件更高的燒結(jié)活性，所述組件具有不高于85％的孔隙率。優(yōu)選溫度大于1700℃和壓力大于150MPa。由于在連接中仍存在多孔組件的增濃，因而會(huì)發(fā)生高度的塑性形變。
為使塑性形變的總體水平降低且還實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的連接，在文獻(xiàn)中公開(kāi)的大量工作側(cè)重于在極低溫度下的“軟釬焊”和“反應(yīng)粘合”的連接過(guò)程。目前，本領(lǐng)域的發(fā)展?fàn)顩r是在室溫下使用粘合劑連接陶瓷組件、使用金屬和玻璃焊劑在約1000℃范圍內(nèi)連接組件、或者在約1400℃通過(guò)反應(yīng)粘合組合成組件。在此背景下，尤其應(yīng)該提及Si-滲透的SiC(Si-SiC)的反應(yīng)粘合，在過(guò)去用于制備更復(fù)雜組件如盤(pán)形熱交換器的過(guò)程。然而，連接縫仍然是該組件的弱點(diǎn)。在高溫的、腐蝕的、或磨損的負(fù)載下，初期就會(huì)出現(xiàn)Si的分解，軟化或釋放，從而導(dǎo)致失敗。即使是在現(xiàn)在，無(wú)縫地連接燒結(jié)SiC(SSiC)且?guī)缀醪话l(fā)生形變被認(rèn)為是不可能實(shí)現(xiàn)的。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供使得由非氧化燒結(jié)的陶瓷制得的組件彼此連接的方法，從而形成無(wú)縫的整體塊和在連接中保持塑性形變?cè)诘偷乃揭允拐w塊的形狀對(duì)應(yīng)于所期望組件的形狀。從而節(jié)省后期的工作。
根據(jù)本發(fā)明，該目的是基于以下事實(shí)實(shí)現(xiàn)的，采用擴(kuò)散焊方法將被連接的組件在保護(hù)性氣體氣氛下彼此接觸，并且?guī)缀鯖](méi)有形變地連接，所用溫度至少為1600℃，并且在任選存在的負(fù)載下形成整體塊，被連接的組件在施加壓力的方向的塑性形變低于5％，優(yōu)選低于1％。
圖1是顯示SiC材料蠕變速率隨溫度變化的圖。
圖2是顯示用于以錯(cuò)流方式引導(dǎo)氣體的由粗粒SSiC制得的沒(méi)有密封和焊縫的整體微反應(yīng)器(45°部分)。
圖3是顯示由6個(gè)SSiC組件在2150℃無(wú)縫連接的整體塊，其中使用3種類(lèi)型的燒結(jié)的SiC材料，尺寸為初始平均粒徑。
圖4是顯示無(wú)縫焊SSiC組件。
圖5是顯示由6個(gè)SSiC組件在1800℃無(wú)縫連接的整體塊，其中使用3種類(lèi)型的燒結(jié)的SiC材料，尺寸為初始平均粒徑。
圖6是顯示由2個(gè)組件擴(kuò)散焊制得的B4C部件的連接處的拋光基面部分。
圖7是顯示由2個(gè)組件擴(kuò)散焊制得的B4C部件的連接處的蝕刻的基面部分。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明中所采用的擴(kuò)散焊優(yōu)選為熱壓過(guò)程。
在材料學(xué)中，在高溫范圍內(nèi)的耐塑性形變被稱(chēng)為高溫抗蠕變力。蠕變速率被用來(lái)測(cè)量抗蠕變力。出人意料的是，已發(fā)現(xiàn)被連接的材料的蠕變速率可用作在無(wú)縫連接燒結(jié)陶瓷組件的連接過(guò)程中最小化塑性形變的主要參數(shù)。
多數(shù)可商購(gòu)獲得的燒結(jié)SiC材料(SSiC)具有相似的具有單峰顆粒大小分布和顆粒大小約5μm的微結(jié)構(gòu)。因此它們?cè)谏鲜龃笥?700℃的連接溫度下具有足夠高的燒結(jié)活性。然而，它們也具有相應(yīng)的太低的抗蠕變力而不能低形變地連接。于是，目前，在成功的擴(kuò)散焊過(guò)程中也經(jīng)常觀察到高度的塑性形變。由于SSiC材料的抗蠕變力通常不會(huì)有太多的不同，因此目前蠕變速率不被認(rèn)為是可用于連接SSiC的變量參數(shù)。
已發(fā)現(xiàn)通過(guò)改變微結(jié)構(gòu)的形成可以在大范圍內(nèi)改變SSiC的蠕變速率。低形變地連接SSiC材料僅可通過(guò)使用某特定類(lèi)型實(shí)現(xiàn)。
陶瓷材料的抗蠕變力通?？梢酝ㄟ^(guò)下述兩種方法大大增加-使微結(jié)構(gòu)粗糙。如果使微結(jié)構(gòu)粗糙，在蠕變過(guò)程中發(fā)生的質(zhì)量傳遞所需的擴(kuò)散通道大大變長(zhǎng)，因此顯著減慢了蠕變速率。文獻(xiàn)中描述了蠕變速率與顆粒大小的3次方成倒數(shù)關(guān)系。該關(guān)系已廣泛由如氧化鋁和氮化硅等材料證明。
-納米顆粒。納米技術(shù)可用于獲得陶瓷納米顆粒，當(dāng)用于陶瓷顆粒邊界時(shí)，在高溫下和任選的負(fù)載下大大減慢了陶瓷的蠕變速率。例如，作為氧化物陶瓷的代表例，被稱(chēng)為氧化鋁的形變速率的蠕變速率[單位l/s]通過(guò)摻雜納米SiC顆?？梢越档蛢蓚€(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于氮化硅材料可以實(shí)現(xiàn)類(lèi)似的效果，且可以應(yīng)用于所有的非氧化物陶瓷。
上述兩種方法均等地適用于制備具有燒結(jié)活性和使得由此制備的組件低形變地連接的抗蠕變材料。
優(yōu)選至少一種被連接的組件包括在連接過(guò)程中蠕變速率一直低于2.10-4l/s的材料，優(yōu)選一直低于8.10-5l/s，尤其優(yōu)選一直低于2.10-5l/s。
所述陶瓷材料優(yōu)選選自二硼化鈦，碳化硼，氮化硅，碳化硅，和它們的混合物。
優(yōu)選至少一種被連接的組件是具有雙峰顆粒大小分布和平均顆粒大小大于5μm的燒結(jié)的碳化硅(SSiC)，其中所述材料可以包含其它的材料成分，其體積含量不高于35體積％，優(yōu)選低于15體積％，尤其優(yōu)選低于5體積％，例如石墨，碳化硼或其它陶瓷顆粒，優(yōu)選納米顆粒。
尤其適合于本發(fā)明過(guò)程的具有雙峰顆粒大小分布的燒結(jié)的SiC是具有平均顆粒大小大于5μm的SSiC，優(yōu)選大于20μm，尤其優(yōu)選大于50μm。因此，該材料的平均顆粒大小比傳統(tǒng)燒結(jié)的具有平均顆粒大小僅約為5μm細(xì)顆粒SiC高10-100倍。由此原因，粗顆粒的燒結(jié)碳化硅(SSiC)具有比細(xì)顆粒SSiC高得多的抗蠕變力。文獻(xiàn)中未給出關(guān)于此類(lèi)SiC材料的蠕變速率。圖1例舉了在不同溫度下粗顆粒SSiC(平均顆粒大小約為200μm)的較低的蠕變速率，并在相同負(fù)載條件下將其與細(xì)顆粒SSiC(平均顆粒大小為5μm，市售的如E KasicF由ESK Ceramus GmbH&Co.KG生產(chǎn))進(jìn)行比較。
本發(fā)明的過(guò)程優(yōu)選在溫度大于1600℃下進(jìn)行，尤其優(yōu)選大于1800℃，更優(yōu)選大于2000℃。該過(guò)程優(yōu)選在壓力大于10kPa下進(jìn)行，優(yōu)選大于1MPa，尤其優(yōu)選大于10MPa。溫度維持時(shí)間優(yōu)選至少為10min，尤其優(yōu)選至少為30min。
本發(fā)明的方法可用來(lái)制備復(fù)雜形狀的陶瓷組件以形成具有極高熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性或耐磨損的用于加工廠和機(jī)械工程的接近網(wǎng)狀(net shape)的組件。其中在密封處和焊縫處形成弱點(diǎn)的反應(yīng)器現(xiàn)在可以以無(wú)縫整體被制得。
接著，本方法可用來(lái)由燒結(jié)SiC陶瓷制備的盤(pán)形熱交換器，其具有極高的熱穩(wěn)定性和耐腐蝕性，盤(pán)形熱交換器已由Si滲透的SiC陶瓷(Si-SiC)通過(guò)反應(yīng)粘合制得。然而不是普遍都具有的耐腐蝕性對(duì)于在可能的應(yīng)用中造成了極大限制。
過(guò)濾器和尤其是陶瓷微反應(yīng)器現(xiàn)在可同樣由燒結(jié)SiC陶瓷作為整體塊產(chǎn)品制備。尤其是具有交錯(cuò)流通道的微反應(yīng)器現(xiàn)在可形成SSiC整體塊。
另外，本應(yīng)用還可包括由電傳導(dǎo)的SSiC陶瓷制成的加熱元件，例如爐和反應(yīng)器。
襯里，規(guī)整的保護(hù)裝置或用于熔合反應(yīng)器的第一壁組件是可以被制得的。其它用于高溫技術(shù)的復(fù)雜形狀的高抗蠕變組件，例如爐輥，爐支撐裝置和燃燒器組件也可被形成?；蚨嗷蛏俚膹?fù)雜結(jié)構(gòu)組件如形變工具，盤(pán)，管，法蘭，或氣密封接容器可采用這種方法由絕緣或?qū)щ姺茄趸锾沾蛇B接。
由于本方法首次可以提供具有無(wú)縫連接的相應(yīng)組件，本發(fā)明還涉及具有至少一處無(wú)縫連接的由非氧化物陶瓷制得的組件。
優(yōu)選組件在無(wú)縫連接處具有采用4點(diǎn)法(4-point method)測(cè)得的大于150MPa的彎曲斷裂強(qiáng)度，優(yōu)選大于250MPa。
本發(fā)明的組件的彎曲斷裂強(qiáng)度優(yōu)選與在組件基質(zhì)材料中的無(wú)縫連接區(qū)域處的一樣高。
所述組件優(yōu)選是結(jié)構(gòu)組件或功能組件，優(yōu)選為容器，管，反應(yīng)器，襯里，閥，熱交換器，加熱元件，鍍層，耐磨組件如滑動(dòng)接觸軸承或軸面密封件，閘，離合器，噴嘴或形變工具。
本發(fā)明還涉及由本發(fā)明方法制備的組件作為結(jié)構(gòu)組件和功能組件的用途，所述組件包括容器，反應(yīng)器，襯里，閥，熱交換器，形變工具，噴嘴，鍍層。
尤其有利的是如果所述組件包括粗粒的SSiC陶瓷(平均顆粒大小大于50μm)。結(jié)果不僅使低變形連接更簡(jiǎn)單而且大大提高了組件的耐腐蝕性。
實(shí)施例以下實(shí)施例用來(lái)進(jìn)一步解釋本發(fā)明。
實(shí)施例1擴(kuò)散焊粗粒SSiC組件將由燒結(jié)的粗粒SiC(平均顆粒尺寸約200μm)制得的尺寸為50×35×5mm的拋光盤(pán)在熱壓下以一個(gè)置于另一個(gè)的上部的形式形成堆疊。在氮?dú)鈿夥?，溫度?150℃，負(fù)載11.4MPa和維持時(shí)間45min下進(jìn)行連接操作，在引入力的方向?qū)崿F(xiàn)小于1％的塑性形變。連接的組件為無(wú)縫整體塊。該SSiC材料的蠕變速率在2150℃低于2·10-5l/s。
可以采用連接操作制備如圖2所示的微反應(yīng)器作為整體塊。與通道方向成45°的基面部分顯示整體塊均勻地包括粗粒SSiC，通道處沒(méi)有形變且沒(méi)有縫隙。
實(shí)施例2擴(kuò)散焊由不同類(lèi)型的SSiC制得的組件將由不同級(jí)別燒結(jié)的SiC制得的尺寸為50×35×5mm的拋光盤(pán)在熱壓下以一個(gè)置于另一個(gè)的上部的形式形成堆疊。使用2個(gè)由粗粒SSiC材料(平均粒徑約200μm)制得的盤(pán)，2個(gè)由細(xì)粒SSiC材料(平均粒徑約5μm)制得的盤(pán)，和2個(gè)由具有初始中級(jí)粒徑(約50μm)的SSiC復(fù)合材料制得的盤(pán)作為待連接的整體塊。該堆疊在2150℃下，氮?dú)鈿夥罩校?jīng)受11.4MPa的負(fù)載45min。
圖3顯示了由6個(gè)組件連接的整體塊的拋光基面部分，在僅有細(xì)粒SiC材料初始存在的部件中存在與引入力方向平行的方向上的約15％的塑性形變(在圖中左側(cè)部分的2個(gè)盤(pán))。在連接過(guò)程中，粗粒SiC材料(圖中右側(cè)部分的2個(gè)盤(pán))和具有初始中級(jí)粒徑的SSiC材料(中間部分的2個(gè)盤(pán))保持尺寸上的穩(wěn)定(形變小于1％)。該實(shí)施例表明即使由選自不同SiC級(jí)別的組件也可以彼此無(wú)縫地連接且?guī)缀鯚o(wú)形變地形成整體塊。
在顯微鏡下觀察拋光基面部分的任一連接處均無(wú)邊界線。即使為暴露顆粒邊界，在基面部分蝕刻也未顯示縫隙。相反，如圖4所示，基于粗粒SSiC組件，兩個(gè)盤(pán)的顆粒彼此間生長(zhǎng)由此溶解組件界面。在相同材料對(duì)形成的連接處和不同SiC組件之間的連接處發(fā)生相同的現(xiàn)象。由良好的連接形成非常高的機(jī)械強(qiáng)度。由組件制得彎曲棒的強(qiáng)度在4點(diǎn)彎曲測(cè)試中超過(guò)290MPa。
而且，圖3顯示在非常高的溫度下的連接操作中所有3種SSiC材料的微結(jié)構(gòu)變得更粗。
實(shí)施例3擴(kuò)散焊由不同類(lèi)型的SSiC制得的組件根據(jù)本發(fā)明，將由不同級(jí)別燒結(jié)的SiC制得的尺寸為50×35×5mm的拋光盤(pán)在熱壓下以一個(gè)置于另一個(gè)的上部的形式形成堆疊。使用2個(gè)由粗粒SSiC材料(平均粒徑約200μm)制得的盤(pán)，2個(gè)由細(xì)粒SSiC材料(平均粒徑約5μm)制得的盤(pán)，和2個(gè)由具有初始中級(jí)粒徑約50μm的SSiC復(fù)合材料制得的盤(pán)作為待連接的整體塊。與實(shí)施例2對(duì)比，該堆疊在較低的1800℃溫度下，氮?dú)鈿夥罩?，?jīng)受11.4MPa的負(fù)載45min。
在此溫度下細(xì)粒SSiC的蠕變速率足夠低以使所有SSiC組件彼此低形變地連接。包括細(xì)粒SSiC的所有級(jí)別的SSiC在引入力方向的塑性形變低于1％。所有SSiC材料的蠕變速率在1800℃低于2·10-5l/s。
盡管溫度低，如圖5所示在拋光基面部分的微觀檢查沒(méi)有顯示任何連接縫隙。微結(jié)構(gòu)沒(méi)有變粗。顆粒也沒(méi)有一起生長(zhǎng)。相反，連接操作將組件界面轉(zhuǎn)化為作為聚結(jié)晶整體塊一部分的顆粒邊界。在蝕刻處理以顯示界面之后，觀測(cè)到相鄰顆粒邊界的平面。從而組件形成整體塊。連接強(qiáng)度超過(guò)200MPa。
實(shí)施例4粗糙化和擴(kuò)散焊細(xì)粒SiC組件將由細(xì)粒燒結(jié)的SSiC(平均粒徑約5μm)制得的尺寸為50×35×5mm的拋光盤(pán)在熱壓下以一個(gè)置于另一個(gè)的上部的形式形成堆疊。在2150℃的溫度和氮?dú)鈿夥障聭?yīng)用連接操作，其中甚至在施加最大負(fù)載11.4MPa之前，材料在此條件下在30min內(nèi)被轉(zhuǎn)化為平均粒徑50μm的粗粒SSiC，在溫度維持時(shí)間45min后和載荷下，在引入力方向的塑性形變低于1％。在此條件下粗糙的SSiC材料的蠕變速率在2150℃低于2·10-5l/s。
實(shí)施例5擴(kuò)散焊具有顆粒邊界的顆粒碳化硼將由加強(qiáng)顆粒的碳化硼制得的拋光盤(pán)(50*50*6mm)在熱壓下以一個(gè)置于另一個(gè)的上部的形式形成堆疊。在2150℃和氮?dú)鈿夥障?，?fù)載8MPa和維持時(shí)間45min下的連接操作實(shí)現(xiàn)在引入力方向的塑性形變?yōu)?％。在2150℃該材料的的蠕變速率低于8·10-5l/s。
所得組件為無(wú)縫整體塊。圖6顯示了該組件的拋光基面部分。微觀檢查沒(méi)有顯示在連接處有任何縫隙。彼此面對(duì)的組件的顆粒沒(méi)有一起生長(zhǎng)。相反，連接操作將組件界面轉(zhuǎn)化為形成聚晶體整塊一部分的顆粒邊界。在以暴露界面的蝕刻處理之后可以看見(jiàn)相鄰顆粒邊界的平面(圖7)。
對(duì)比例6擴(kuò)散焊細(xì)粒SSiC組件由燒結(jié)的SiC(平均粒徑約5μm)制得的尺寸為50×35×5mm的拋光盤(pán)在熱壓下以一個(gè)置于另一個(gè)的上部的形式形成堆疊。在2150℃的溫度，氮?dú)鈿夥障拢?1.4MPa負(fù)載和維持時(shí)間10min的連接操作獲得在引入力方向約12％的高塑性形變的組件。該SiC材料在2150℃的蠕變速率為約2·10-4l/s。
權(quán)利要求
1.陶瓷組件的連接方法，其中被連接的組件包括燒結(jié)的非氧化物陶瓷，并且采用擴(kuò)散焊方法在保護(hù)氣體氣氛存在下將組件彼此接觸，并且在至少1600℃的溫度下，優(yōu)選超過(guò)1800℃，尤其優(yōu)選超過(guò)2000℃下，以及在任選存在的負(fù)載下幾乎無(wú)形變地進(jìn)行連接，形成一個(gè)整體，被連接的組件在施加壓力的方向的塑性形變低于5％，優(yōu)選低于1％。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述擴(kuò)散焊是熱壓過(guò)程。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中至少一種被連接的組件包括在連接過(guò)程中的蠕變速率一直低于2·10-4l/s，優(yōu)選一直低于8·10-5l/s，尤其優(yōu)選一直低于2·10-5l/s的非氧化物陶瓷。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其中至少一種被連接的組件包括二硼化鈦、碳化硼、氮化硅、碳化硅、或者它們的混合物，尤其優(yōu)選包括碳化硅。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中至少一種被連接的組件包括粗粒的燒結(jié)的具有雙峰顆粒大小分布的碳化硅，平均顆粒大小大于5μm，優(yōu)選大于20μm，尤其優(yōu)選大于50μm，所述組件還包含不高于35體積％的其它材料組件，如石墨、碳化硼或其它陶瓷顆粒。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的方法，其在溫度大于1600℃，尤其優(yōu)選大于1800℃，特別優(yōu)選大于2000℃，和負(fù)載大于10kPa，優(yōu)選大于1MPa，特別優(yōu)選大于10MPa，并且溫度保持時(shí)間優(yōu)選大于10min，尤其優(yōu)選大于30min下進(jìn)行。
7.由非氧化物陶瓷制成的無(wú)縫連接的組件。
8.如權(quán)利要求7所述的組件，其在無(wú)縫連接處具有由采用4點(diǎn)法測(cè)得的大于150MPa，尤其優(yōu)選大于250MPa的彎曲斷裂強(qiáng)度。
9.如權(quán)利要求7或8所述的組件，其中在無(wú)縫連接區(qū)域中的彎曲斷裂強(qiáng)度和在所述組件的基質(zhì)材料中的彎曲斷裂強(qiáng)度一樣高。
10.如權(quán)利要求7、8或9中所述的組件，其為容器、管、反應(yīng)器、輥、儲(chǔ)存器、襯里、閥、熱交換器、加熱元件、鍍層、或耐磨組件如滑動(dòng)接觸軸承或軸面密封件、閘、離合器、噴嘴或形變工具。
11.由如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法制備的組件作為結(jié)構(gòu)組件或功能組件的用途，所述組件包括容器、管、反應(yīng)器、襯里、閥、熱交換器、加熱元件、鍍層、或耐磨組件如滑動(dòng)接觸軸承或軸面密封件、閘、離合器、噴嘴或形變工具。
全文摘要
本發(fā)明涉及陶瓷組件的連接方法，其中，被連接的組件包括燒結(jié)的非氧化物陶瓷，并且采用擴(kuò)散焊方法在保護(hù)氣體氣氛存在下將組件彼此接觸，并且在至少1600℃的溫度下，優(yōu)選超過(guò)1800℃，尤其優(yōu)選超過(guò)2000℃下，以及在任選存在的負(fù)載下幾乎無(wú)形變地進(jìn)行連接，形成一個(gè)整體，被連接的組件在施加壓力的方向的塑性形變低于5％，優(yōu)選低于1％。
文檔編號(hào)B23K20/14GK1827279SQ20051009928
公開(kāi)日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2005年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月16日
發(fā)明者弗蘭克·梅施克, 烏爾蘇拉·凱澤, 安德烈亞斯·倫托爾 申請(qǐng)人:Esk制陶兩合公司