用于運(yùn)輸自由基的裝置和方法

用于運(yùn)輸自由基的裝置和方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于運(yùn)輸自由基的裝置。該裝置包括等離子體發(fā)生器和導(dǎo)向體。等離子體發(fā)生器包括其中可以形成等離子體的室(2)。該室具有用于接收輸入氣體的進(jìn)口(5)，和用于排除在室中產(chǎn)生的等離子體和自由基中的至少一者的一個(gè)或多個(gè)出口(6)。該導(dǎo)向體是中空的，且布置成朝向要除去的污染沉積物所在的區(qū)域或空間引導(dǎo)在等離子體中形成的自由基。該室進(jìn)口連接到壓力裝置(40)，該壓力裝置用于向室中提供脈動的壓力，以便在導(dǎo)向體中產(chǎn)生流。
【專利說明】用于運(yùn)輸自由基的裝置和方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于運(yùn)輸自由基（例如，用于除去污染沉積物）的裝置和方法。本發(fā) 明進(jìn)一步涉及包括該種裝置的帶電粒子光刻系統(tǒng)。本發(fā)明進(jìn)一步涉及用于連接到等離子室 的壓力調(diào)節(jié)器。本發(fā)明進(jìn)一步涉及用于運(yùn)輸自由基的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0002] 帶電粒子光刻系統(tǒng)的精確度和可靠性會因?yàn)槲廴臼艿截?fù)面影響。在該種光刻系統(tǒng) 中污染的重要原因是由污染物沉積的累積造成的。帶電粒子是形成圖案的子束的一部分， 并且是在系統(tǒng)中與系統(tǒng)中已經(jīng)存在的碳氨化合物相交互而產(chǎn)生的。產(chǎn)生的電子束誘導(dǎo)沉積 巧BID)在系統(tǒng)的表面上產(chǎn)生含碳層。該層含碳材料影響射束穩(wěn)定性。該種含碳層在帶電粒 子射束和/或子束所通過的孔徑中和孔徑周圍的累積還減小孔徑尺寸，且使射束或子束穿 過該些孔徑的傳輸減弱。因此，除去邸ID，尤其是除去碳氨化合物部分壓力相對高和射束流 密度相對高的區(qū)域中的邸ID是非常令人期望的。
[0003] 該種沉積物可通過原子清潔來減少或除去。該可W通過使用等離子體發(fā)生器產(chǎn)生 與沉積物交互作用的原子流來實(shí)現(xiàn)。在那里提供的等離子體和原子，尤其是自由基的運(yùn)輸 經(jīng)常是效率低下的，該可能導(dǎo)致清潔時(shí)段相對長，W及清潔質(zhì)量不夠，即，沒有徹底地或充 分地將特定表面或特定容積上的污染物除去。


【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]
[0005] 本發(fā)明的目的是提供用于W更有效的方式例如朝向其中的污染沉積物要除去的 區(qū)域運(yùn)輸自由基的裝置和方法。為了該個(gè)目的，本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及用于運(yùn)輸自由基 的裝置，該自由基例如用于除去污染沉積物，所述裝置包括：等離子體發(fā)生器，其包括其中 可W形成等離子體的室，該室包括用于接收輸入氣體的進(jìn)口，和用于移除在室中產(chǎn)生的等 離子體和自由基中的至少一者的一個(gè)或多個(gè)出口； W及中空的導(dǎo)向體，用于朝向要移除的 污染沉積物所在的區(qū)域或空間引導(dǎo)在等離子體中形成的自由基；其中所述室的進(jìn)口連接到 壓力裝置，該壓力裝置用于向室中提供脈動的壓力，W便在導(dǎo)向體中產(chǎn)生流。通過W脈動的 方式增大所述室2內(nèi)部的壓力，在其中生成的自由基不再W分子流狀態(tài)（molecular flow regime)的方式移動，而是，它們W所謂的粘滯壓力狀態(tài)（viscous pressure regime)的方 式移動。在粘滯壓力狀態(tài)中，等離子體形成流，該流可W稱為粘性流，該粘性流運(yùn)輸自由基。 在局部增大壓力的該些時(shí)段中，自由基可被引導(dǎo)向?qū)蝮w，該可W顯著地提高自由基的W 及可選地提高的等離子體的轉(zhuǎn)移的效率。結(jié)果是，穿過導(dǎo)向體朝向期望的位置（例如，污染 的區(qū)域）傳送的原子自由基的數(shù)目增加。此外，通過提供W脈動方式局部增大壓力的時(shí)段， 在導(dǎo)向體中等離子體消失（extinction)的可能的風(fēng)險(xiǎn)降低。
[0006] 優(yōu)選地，壓力裝置是閥。閥使得能夠快速打開和關(guān)閉進(jìn)口，該使得能夠W相對高的 頻率提供脈動的壓力。
[0007] 在一些實(shí)施例中，本發(fā)明涉及用于運(yùn)輸自由基的裝置，該自由基例如用于除去污 染沉積物，該裝置包括：等離子體發(fā)生器，包括其中可W形成等離子體的室，該室包括用于 接收輸入氣體的進(jìn)口，和一個(gè)或多個(gè)出口，該出口用于排除在室中產(chǎn)生的等離子體和自由 基中的至少一者；W及中空的導(dǎo)向體，其連接到一個(gè)或多個(gè)室出口，用于朝向要除去的污染 沉積物所在的區(qū)域或空間引導(dǎo)在等離子體中形成的自由基；其中室內(nèi)的壓力可W臨時(shí)增 大，W形成具有足夠強(qiáng)度的流，W拖引自由基。導(dǎo)向體內(nèi)部臨時(shí)增大的壓力可導(dǎo)致等離子體 消失。此外，該種壓力增大可增強(qiáng)由于（例如因?yàn)镠體交互（自由基+自由基+分子）導(dǎo) 致的）重組合造成的自由基減少。然而，即使在不太可能發(fā)生該些事件中的一者或兩者的 環(huán)境下，因?yàn)閴毫υ龃蠖鴮?dǎo)致自由基從室朝向?qū)蝮w出口的更加有效的轉(zhuǎn)移會勝過由于臨 時(shí)等離子體消失和/或重組合導(dǎo)致的自由基損失。具體而言，增大的壓力可導(dǎo)致正被轉(zhuǎn)移 的自由基的數(shù)目增加。如果壓力增大具有脈動的性質(zhì)，則等離子體消失的機(jī)會顯著減少，使 得自由基運(yùn)輸?shù)男侍岣呖蒞與在導(dǎo)向體中等離子體的幸存結(jié)合起來。
[0008] 在一些實(shí)施例中，本發(fā)明涉及用于運(yùn)輸自由基的裝置，該自由基例如用于除去污 染沉積物，該裝置包括：等離子體發(fā)生器，其包括其中可W形成等離子體的室，該室包括用 于接收輸入氣體的進(jìn)口，和一個(gè)或多個(gè)出口，該出口用于排除在室中產(chǎn)生的等離子體和自 由基中的至少一者；中空的導(dǎo)向體，其連接到室的一個(gè)或多個(gè)出口，用于朝向要除去的污染 沉積物所在的區(qū)域或空間引導(dǎo)在等離子體中形成的自由基；W及壓力調(diào)節(jié)器，其具有進(jìn)口 和出口，該進(jìn)口具有第一橫截面面積，該出口具有第二橫截面面積，第一橫截面面積大于第 二橫截面面積，壓力調(diào)節(jié)器的進(jìn)口連接到一個(gè)或多個(gè)室的出口，壓力調(diào)節(jié)器的出口連接到 導(dǎo)向體；其中壓力調(diào)節(jié)器配備有用于接收另外的進(jìn)口氣體的另外的進(jìn)口。在漏斗壓力調(diào)節(jié) 器中存在另外的進(jìn)口使得獨(dú)立地調(diào)整室內(nèi)部和導(dǎo)向體內(nèi)部的壓力成為可能。導(dǎo)向體的傳導(dǎo) 性現(xiàn)可W設(shè)計(jì)成使得導(dǎo)向體內(nèi)部的壓力低于最佳值。該最佳壓力可通過經(jīng)由壓力調(diào)節(jié)器中 另外的進(jìn)口引入附加氣體來達(dá)到。該樣，室中的壓力于是可W優(yōu)化成產(chǎn)生自由基，且導(dǎo)向體 內(nèi)的壓力可通過W下方式來優(yōu)化，即對經(jīng)由另外的進(jìn)口對適當(dāng)氣體的供應(yīng)進(jìn)行控制W將自 由基引導(dǎo)向其出口。
[0009] 等離子體發(fā)生器的室可包括限流器，諸如有孔壁。該限流器幫助維持等離子體發(fā) 生器的室與壓力調(diào)節(jié)器的出口所連接的環(huán)境（通常為真空環(huán)境）之間的壓力差。壓力調(diào)節(jié) 器的進(jìn)口處的位置與導(dǎo)向體的出口之間的壓力差幫助產(chǎn)生自由基的流，W及可選地還結(jié)合 有等離子體流。
[0010] 概括而言，上述裝置增強(qiáng)了通過導(dǎo)向體的自由基運(yùn)輸?shù)男省?br> [0011] 本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及用于連接到含有等離子體的室的壓力調(diào)節(jié)器，該壓力調(diào) 節(jié)器具有用于接收在其中產(chǎn)生的等離子體和自由基中的至少一者且具有第一橫截面面積 的進(jìn)口和具有第二橫截面面積的出口，第一橫截面面積大于第二橫截面面積，壓力調(diào)節(jié)器 的進(jìn)口連接到等離子體室，壓力調(diào)節(jié)器的出口可拆裝地附接到中空體。壓力調(diào)節(jié)器可采取 漏斗的形式。壓力調(diào)節(jié)器可配備有用于接收另外的進(jìn)口氣體的另外的進(jìn)口，例如為了實(shí)現(xiàn) 之前描述的目的。
[0012] 本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及光刻系統(tǒng)，其包括；子束發(fā)生器，用于生成多個(gè)子束；多 個(gè)子束操縱器元件，用于操縱子束；W及如上述實(shí)施例中的一個(gè)實(shí)施例所述的裝置，其中該 裝置用于在其中生成等離子體和自由基，并用于將自由基引導(dǎo)到子束操縱器元件中的一個(gè) 或多個(gè)子束操縱元件的表面上。子束操縱器元件的示例包括，但不限于投射透鏡結(jié)構(gòu)和子 束調(diào)制結(jié)構(gòu)。通過可選地與等離子體結(jié)合起來地引導(dǎo)自由基到子束操縱器元件中的一個(gè)或 多個(gè)子束操縱元件的表面上，污染沉積物可W有效的方式被局部去除。
[0013] 該光刻系統(tǒng)可W是帶電粒子光刻系統(tǒng)。每個(gè)子束操縱器元件于是可W包括子束通 過的多個(gè)孔徑。子束調(diào)制結(jié)構(gòu)可W采取消隱器結(jié)構(gòu)的形式，即多個(gè)消隱器構(gòu)成的裝置，該些 消隱器能夠偏轉(zhuǎn)一個(gè)或多個(gè)帶電粒子子束。典型地，該消隱器是配備有第一電極、第二電極 和孔徑的靜電偏轉(zhuǎn)器。該電極然后設(shè)置在孔徑的相反的兩側(cè)上，用于產(chǎn)生跨越孔徑的電場。 通常，第二電極是接地電極，即，連接到地電位的電極。在帶電粒子光刻系統(tǒng)中，投射透鏡結(jié) 構(gòu)可包括一個(gè)或多個(gè)靜電透鏡陣列。
[0014] 在一些實(shí)施例中，光刻系統(tǒng)是極遠(yuǎn)紫外巧UV)光刻系統(tǒng)。在該種系統(tǒng)中，每個(gè)子束 操縱器元件可采取諸如鏡子的反射元件的形式，其朝向可W是可控制的。
[0015] 本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及用于運(yùn)輸自由基的方法，該方法包括：提供根據(jù)上述實(shí) 施例中的一個(gè)實(shí)施例所述的裝置，使中空的導(dǎo)向體的端部靠近表面；將輸入氣體引入室中； 在室中形成等離子體和自由基；W及朝向中空的導(dǎo)向體的端部產(chǎn)生自由基的流。優(yōu)選地，產(chǎn) 生流包括借助于諸如閥或粟的壓力裝置向室中提供脈動的壓力。閥是非常有效的，因?yàn)槠?操作很快，且可W相對高的頻率工作。
[0016] 最后，本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及用于運(yùn)輸自由基的方法，該方法包括：提供根據(jù)上 述實(shí)施例中的一個(gè)實(shí)施例所述的裝置，使中空的導(dǎo)向體的端部靠近表面；將輸入氣體引入 室中；在室中形成等離子體和自由基；W及臨時(shí)增大室內(nèi)的壓力，W形成具有足夠力量的 流，W拖引自由基。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 現(xiàn)將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，該些實(shí)施例僅作為示例，在附圖中：
[0018] 圖1示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于運(yùn)輸自由基的裝置；
[0019] 圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于運(yùn)輸自由基的裝置；
[0020] 圖3示出了在分子流狀態(tài)中的一些示例性自由基軌跡；
[0021] 圖4示出了在粘性流狀態(tài)中的一些示例性自由基軌跡；
[0022] 圖5a示意性示出了進(jìn)一步包括壓力裝置的圖1中的裝置；
[0023] 圖化示意性示出了進(jìn)一步包括額外的進(jìn)口的圖5a中的裝置；
[0024] 圖6a示意性示出其中壓力調(diào)節(jié)器配備有進(jìn)一步的進(jìn)口的裝置的可替換實(shí)施例； [00巧]圖化示意性示出圖6a中使用的壓力調(diào)節(jié)器的更詳細(xì)的視圖；
[0026] 圖7示出帶電粒子多子束光刻系統(tǒng)的實(shí)施例的簡化示意圖；
[0027] 圖8示出模塊化光刻系統(tǒng)的簡化框圖；
[0028] 圖9示出用于運(yùn)輸自由基的裝置的實(shí)施例的立面頂部視圖；
[0029] 圖10示出了包括圖9中所示的裝置的模塊化光刻系統(tǒng)的剖視圖；和
[0030] 圖11示出了圖9中所示裝置的壓力調(diào)節(jié)器與用于在圖8中所示光刻系統(tǒng)中使用 的模塊之間的連接的實(shí)施例的更詳細(xì)視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031] W下是對本發(fā)明不同實(shí)施例的描述，該些實(shí)施例僅作為示例且通過參考附圖給 出。附圖并未按比例繪制，且僅僅旨在用于說明性的目的。
[0032] 圖I示意性示出了用于運(yùn)輸自由基的裝置1，該自由基例如用于除去污染沉積物， 尤其是沉積在位于真空環(huán)境內(nèi)的表面上的污染物。因?yàn)檠b置1使用等離子體進(jìn)行工作，該 樣的裝置也稱為等離子源。裝置1包括射頻（R巧等離子體發(fā)生器，其包括室2,該室2的外 側(cè)圍繞著RF線圈4。室2配備了進(jìn)口 5,該進(jìn)口 5用于允許諸如氧氣的輸入氣體進(jìn)入室2。 輸入氣體是要在室2中產(chǎn)生的自由基的前體，并且優(yōu)選地是考慮到該些自由基的預(yù)計(jì)用途 來選擇的。室2中的氣體可W被給予通過線圈4施加的RF電壓，W便產(chǎn)生包括自由基（例 如氧原子自由基）的等離子體。等離子體和自由基可經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)出口 6離開室2。
[0033] 裝置1進(jìn)一步包括壓力調(diào)節(jié)器（諸如漏斗8)和導(dǎo)向體（諸如管子9)，用于集中和 朝向預(yù)定目的區(qū)域?qū)蛟谑抑挟a(chǎn)生的等離子體和自由基。導(dǎo)向體可W是直的，或者可W包 括一個(gè)或多個(gè)彎曲（bend),諸如彎曲11(圖1中示出）或急彎（e化OW) 12(圖2中示出）， W將等離子體引導(dǎo)到期望的方向。優(yōu)選地，導(dǎo)向體是盡可能直的，W增加被轉(zhuǎn)移通過導(dǎo)向體 的自由基的平均壽命。導(dǎo)向體具有出口 12,該出口 12可W設(shè)置在靠近要減少或除去的污染 沉積物的位置。典型地，出口 12直接接觸真空環(huán)境。
[0034] 在一些實(shí)施例中，室2配備有限流器，諸如產(chǎn)生多個(gè)出口 6的有孔壁，該多個(gè)出口 可W采取孔徑陣列的形式。該限流器幫助維持等離子發(fā)生器的室2與壓力調(diào)節(jié)器的出口所 連接的環(huán)境（通常為真空環(huán)境）之間的壓力差。壓力調(diào)節(jié)器的進(jìn)口處的位置與導(dǎo)向體的出 口之間的壓力差幫助產(chǎn)生自由基的流。
[0035] 圖2示出了用于運(yùn)輸自由基的裝置1'。裝置1'類似于圖1中的裝置1，不同之處 在于導(dǎo)向體采取了管子9的形式，該管子9包括轉(zhuǎn)彎或急彎13,來替代圖1中的裝置中所示 的彎曲11。此外，圖2示出在使得在室2中產(chǎn)生等離子體20的條件下工作的裝置1'。將 能理解的是，圖1中所示的裝置可WW類似的方式工作。
[0036] 詳細(xì)地，諸如氧氣的輸入氣體被供應(yīng)到室2，且RF線圈4被加電W通過感應(yīng)方式加 熱輸入氣體，并且在室2中產(chǎn)生等離子體20。等離子體20,具體而言是在其中產(chǎn)生的自由 基，可W如虛線箭頭21示意性表示的那樣離開室2,并流入漏斗8和管子9。
[0037] 在使用氧氣的情況下，采用來自等離子體發(fā)生器1的氧自由基來除去或減少污染 沉積物（尤其是由邸ID污染物造成的）。在室2中產(chǎn)生的氧自由基經(jīng)由漏斗8和導(dǎo)向體被 引導(dǎo)朝向待減少或除去的污染沉積物。漏斗8和/或?qū)蝮w可由惰性材料，諸如石英或聚 四氣己帰（更眾所周知的名字是Teflon飯）制成，或者漏斗8和/或?qū)蝮w的內(nèi)表面可W 涂敷有該種惰性材料，W抑制在它們與該些因素交互時(shí)氧原子自由基的消失。
[0038] 此后，將針對氧原子自由基來描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，將理解的是，本發(fā)明的 一些實(shí)施例可W采用其他自由基。此外，盡管參考了對自由基的運(yùn)輸，但該種參考并不排除 與自由基一起運(yùn)輸?shù)入x子體。
[0039] 為了從表面，例如在光刻系統(tǒng)中一個(gè)或多個(gè)子束操縱器元件的表面，除去電子射 束引起的沉積物（通常為"碳"），可W使用諸如氧原子自由基的自由基。該種氧原子自由 基可W在圖1和圖2中所示的裝置i、r的室2內(nèi)部產(chǎn)生。
[0040] 令人遺憾的是，在該些裝置i、r中發(fā)現(xiàn)自由基的損耗很大，該是可W理解的，因?yàn)?在該些裝置中的自由基是W所謂的分子流狀態(tài)的方式運(yùn)輸?shù)摹Ｔ谠摲N狀態(tài)中，可W忽略自 由基與其他自由基的交互作用，但與壁的交互可能導(dǎo)致重組合（recombination)。此外，自 由基W隨機(jī)的角度通過整個(gè)出口離開室2,并進(jìn)入導(dǎo)向體，即圖1、圖2中的管子9。
[0041] 圖3中用虛線15示出了在分子流狀態(tài)中自由基的一些示例性軌跡。如圖3中可 W看到，自由基可能根本沒有進(jìn)入導(dǎo)向體，而是"向回反彈"。
[0042] 發(fā)明人認(rèn)識到自由基運(yùn)輸?shù)男嗜Q于在整個(gè)裝置l、r中使用的壓力。室2內(nèi) 部的壓力決定了等離子體的效率W及在室中產(chǎn)生的自由基的數(shù)目。導(dǎo)向體（和漏斗8)內(nèi) 部的壓力決定了通過導(dǎo)向體運(yùn)輸自由基的效率。
[0043] 通過W脈動的方式增大室2內(nèi)部的壓力，在室中生成的自由基不再W分子流狀態(tài) 的方式移動，而是W所謂的粘滯壓力狀態(tài)的方式移動。在粘滯壓力狀態(tài)中，等離子體形成 流，該流可W稱為粘性流，其例如W圖4中通過箭頭示意性示出的方式運(yùn)輸自由基。在局部 增大壓力的時(shí)段中，可朝向?qū)蝮w引導(dǎo)自由基，該可W顯著增加通過導(dǎo)向體朝向期望位置 (例如，污染區(qū)域）傳遞的原子自由基的數(shù)目。
[0044] 在一些實(shí)施例中，在導(dǎo)向體內(nèi)部臨時(shí)增大的壓力導(dǎo)致等離子體消失。還有可能的 是，在一些實(shí)施例中，由于（例如因?yàn)镠體交互（自由基+自由基+分子）導(dǎo)致的）重組合 造成的自由基減少會因?yàn)榕R時(shí)增大的壓力而增大。然而，由于存在正在形成的流導(dǎo)致從室 2朝向管子出口 12傳送的自由基的數(shù)目增多，該種增多會超過由于臨時(shí)性的等離子體消失 和重組合導(dǎo)致的自由基損失。
[0045] 圖5a示意性示出了圖1的裝置1，其進(jìn)一步包括壓力裝置40,該壓力裝置40優(yōu)選 地為閥，但可選地為另一種實(shí)體，諸如粟，該壓力裝置40可通過控制單元45來控制?？刂?單元45可被配置成使室2中的壓力臨時(shí)增加，W形成強(qiáng)度足夠大的流，用于將自由基從室2 拖引向管子出口 12?？刂茊卧?5可W直接控制諸如粟的壓力裝置40。然而，控制單元45 還可W控制一個(gè)或多個(gè)閥W控制該種粟與室2之間的連接。
[0046] 可將壓力裝置40控制成使得室中的壓力經(jīng)歷周期性的壓力脈動，即，W周期性的 方式臨時(shí)增大壓力。壓力增大可導(dǎo)致臨時(shí)允許更多的輸入氣體經(jīng)由進(jìn)口5進(jìn)入室2中。可 替換地，該壓力增大可通過經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)氣體進(jìn)口引入額外的輸入氣體來實(shí)現(xiàn)。
[0047] 可替換地，或者額外地，臨時(shí)性壓力增大可W通過引入另外的輸入氣體，例如氮?dú)?來實(shí)現(xiàn)。該另外的輸入氣體可經(jīng)由進(jìn)口 5引入?？商鎿Q地，另外的輸入氣體可W經(jīng)由室2 的附加進(jìn)口 5'引入，如圖化中所示。附加進(jìn)口 5'可W連接到例如閥或粟的壓力裝置41， 并且可W由諸如控制單元45該樣的控制單元控制。
[004引在圖5a、圖化的裝置中，室2內(nèi)部的和導(dǎo)向體（在該些實(shí)施例中為管子9)內(nèi)部的 壓力不能獨(dú)立地進(jìn)行調(diào)整。該兩個(gè)壓力均與一個(gè)或多個(gè)出口 6的傳導(dǎo)性（comluctance)有 關(guān)，且與管子9自身的傳導(dǎo)性有關(guān)。此外，如之前提到的，在該種裝置中，在管子9內(nèi)部臨時(shí) 增大的壓力可能導(dǎo)致等離子體消失。
[0049] 圖6a示出裝置的可替換實(shí)施例，其中諸如漏斗8的壓力調(diào)節(jié)器配備有另外的進(jìn)口 35,用于供應(yīng)額外的輸入氣體，諸如氧氣，或者諸如氮?dú)獾木彌_氣體。此后，經(jīng)由另外的進(jìn)口 35供應(yīng)的氣體將稱為另外的進(jìn)口氣體。圖化中更詳細(xì)地示出了圖6a的漏斗8。在漏斗8 中存在另外的進(jìn)口 35使得獨(dú)立地調(diào)整室2內(nèi)部和管子9內(nèi)部的壓力成為可能。管子9的 傳導(dǎo)性現(xiàn)可W設(shè)計(jì)成使得管子9內(nèi)部的壓力低于最佳值。該最佳壓力則可通過經(jīng)由另外的 進(jìn)口 35引入附加氣體來達(dá)到。室2中的壓力于是可W優(yōu)化成產(chǎn)生自由基，且導(dǎo)向體內(nèi)的壓 力可通過W下方式來優(yōu)化，即對經(jīng)由另外的進(jìn)口 35對適當(dāng)氣體的供應(yīng)進(jìn)行控制W將自由 基引導(dǎo)向其出口。實(shí)現(xiàn)另外的進(jìn)口 35還可W降低等離子體在管子9中消失的風(fēng)險(xiǎn)。另外 的進(jìn)口 35可W連接到壓力裝置，諸如閥或粟。壓力裝置可W連接到控制單元，諸如控制單 元45。
[0050] 圖7示出了帶電粒子多子束光刻系統(tǒng)51的實(shí)施例的簡化示意圖。該種光刻系統(tǒng)例 如在均授讓于本申請的 申請人:的美國專利第6, 897, 458號、第6, 958, 804號、第7, 084, 414 號和第7, 129, 502號中進(jìn)行了描述，該些專利通過參考全文并入本文中。
[0051] 該種光刻系統(tǒng)51適宜地包括產(chǎn)生多個(gè)子束的子束發(fā)生器、圖案化子束W形成經(jīng) 調(diào)制的子束的子束調(diào)制器，和將經(jīng)調(diào)制的子束投射到目標(biāo)表面上的子束投射器。
[0052] 子束發(fā)生器典型地包括源和至少一個(gè)射束分裂器。圖7中的源是電子源53,該電 子源53被布置成產(chǎn)生基本上均勻的、擴(kuò)張的電子射束54。電子射束54的射束能量優(yōu)選地 維持成相當(dāng)?shù)停诖蠹s1至IOkeV的范圍內(nèi)。為了實(shí)現(xiàn)此目的，加速電壓優(yōu)選地是較低的， 并且電子源53可相對于地電位的目標(biāo)被保持在大約-1至-IOkV之間的電壓，但還可W使 用其他設(shè)置。
[0053] 在圖7中，來自電子源53的電子射束54經(jīng)過用于使電子射束54準(zhǔn)直的準(zhǔn)直儀透 鏡55。準(zhǔn)直儀透鏡55可W是任何類型的準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)。在準(zhǔn)直之前，電子射束54可通過 雙八極（double octople)(未不出）。
[0054] 隨后，電子射束54撞擊到射束分裂器（在圖7的實(shí)施例中為孔徑陣列56)上?？?徑陣列56優(yōu)選地包括具有通孔的板?？讖疥嚵?6布置成阻擋部分射束54。此外，陣列56 允許多個(gè)子束57通過，W便產(chǎn)生多個(gè)平行的電子子束57。
[00巧]圖7的光刻系統(tǒng)51生成大量的子束57,優(yōu)選地為大約10, 000至1，000, 000個(gè)子 束，但是當(dāng)然也可W生成更多的或更少的子束。要注意的是，也可W使用其他已知方法來生 成準(zhǔn)直子束。第二孔徑陣列可添加到系統(tǒng)中，W便從電子射束54產(chǎn)生分射束，W及從分射 束生成電子子束57。該允許在更下游的位置操縱分射束，該證明是對系統(tǒng)操作有利的，尤其 是在系統(tǒng)中的子束數(shù)目為5, 000或更多的時(shí)候。
[0056] 子束調(diào)制器，圖7中示出為調(diào)制系統(tǒng)58,典型地包括子束消隱器陣列59 W及子束 停止陣列70,該子束消隱器陣列59包括多個(gè)消隱器的裝置。消隱器能夠偏轉(zhuǎn)電子子束57 中的一個(gè)或多個(gè)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，消隱器更具體地是配備有第一電極、第二電極和孔 徑的靜電偏轉(zhuǎn)器。電極于是設(shè)置在孔徑的相反側(cè)，用于生成橫跨孔徑的電場。通常，第二電 極是接地電極，即連接到地電位的電極。
[0057] 為了將電子子束57聚焦在消隱器陣列50的平面內(nèi)，光刻系統(tǒng)可進(jìn)一步包括聚光 透鏡陣列（未示出）。
[0058] 在圖7的實(shí)施例中，子束停止陣列70包括用于允許子束通過的孔徑的陣列。子束 停止陣列70的基本形式包括配備有通孔的基板，該通孔典型地為圓形的孔，但也可W使用 其他形狀。在一些實(shí)施例中，子束停止陣列70的基板由具有有規(guī)則地間隔開的通孔陣列的 娃晶圓形成，并且可W涂敷有金屬表面層W防止表面充電。在一些另外的實(shí)施例中，該金屬 可W是不形成原生氧化層的類型，諸如CrMo。
[0059] 子束消隱器陣列59和子束停止陣列70 -起工作，W阻擋子束57或允許子束57 通過。在一些實(shí)施例中，子束停止陣列70的孔徑與子束消隱器陣列59中的靜電偏轉(zhuǎn)器的 孔徑對齊。如果子束消隱器陣列59偏轉(zhuǎn)子束，則該子束就不會通過子束停止陣列70中的 相應(yīng)孔徑。相反，該子束會被子束阻擋陣列70的基板阻擋。如果子束消隱器陣列59不偏 轉(zhuǎn)子束，則該子束會通過子束停止陣列70中的相應(yīng)孔徑。在一些可替換的實(shí)施例中，子束 消隱器陣列59與子束停止陣列70之間的配合使得消隱器陣列59中的偏轉(zhuǎn)器對子束的偏 轉(zhuǎn)導(dǎo)致子束通過子束停止陣列70中的相應(yīng)孔徑，而不偏轉(zhuǎn)導(dǎo)致子束被子束停止陣列70的 基板所阻擋。
[0060] 調(diào)制系統(tǒng)58被布置成基于控制單元60提供的輸入將圖案添加到子束57?？刂茊?元60可包括數(shù)據(jù)存儲單元61、讀出單元62和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器63。控制單元60可遠(yuǎn)離系統(tǒng)剩 余部分定位，例如清潔室內(nèi)部W外。通過使用光纖64,包含圖案數(shù)據(jù)的經(jīng)調(diào)制的光射束74 可W發(fā)送到投射器65,該投射器65將來自光纖陣列（示意性示出為板75)內(nèi)的光纖的端部 的光投射到光刻系統(tǒng)51的電子光學(xué)部分，由虛線框和參考數(shù)字78示意性表示。
[0061] 在圖7的實(shí)施例中，經(jīng)調(diào)制的光射束被投射到子束消隱器陣列59。更具體而言，來 自光纖端部的經(jīng)調(diào)制的光射束74被投射到位于子束消隱器陣列59上的相應(yīng)感光元件上。 感光元件可布置成將光信號轉(zhuǎn)換成不同類型的信號，例如，電信號。經(jīng)調(diào)制的光射束74承 載圖案數(shù)據(jù)的一部分，該圖案數(shù)據(jù)用于控制連接到相應(yīng)感光元件的一個(gè)或多個(gè)消隱器。適 宜地，為了將光射束74投射到相應(yīng)的感光元件上，可使用諸如投射器65該樣的光學(xué)元件。 此外，為了允許W適當(dāng)?shù)娜肷浣峭渡涔馍涫?4,可包括鏡子，該鏡子例如適當(dāng)?shù)胤胖迷谕渡?器65與子束消隱器陣列59之間。
[0062] 可W在控制單元60的控制下通過投射器定位裝置77使投射器65與板75適當(dāng)對 齊。結(jié)果是，投射器65與子束消隱器陣列59內(nèi)的感光元件之間的距離也可W改變。
[0063] 在一些實(shí)施例中，可W通過光波導(dǎo)將光射束至少部分地從板朝向感光元件傳送。 光波導(dǎo)可W將光引導(dǎo)到非常接近感光元件的位置，適宜地為距離小于一厘米處，優(yōu)選地為 毫米級距離。光波導(dǎo)與相應(yīng)感光元件之間的短距離降低了光損失。另一方面，使用位于遠(yuǎn) 離可能被帶電粒子射束占據(jù)的空間的位置處的板75和投射器65帶來的好處在于，使子束 干擾最小化，并且子束消隱器陣列59的構(gòu)造較不復(fù)雜。
[0064] 子束投射器將離開子束調(diào)制器的經(jīng)調(diào)制子束投射到目標(biāo)84的目標(biāo)表面73上形成 斑點(diǎn)。子束投射器典型地包括用于使經(jīng)調(diào)制的子束掃描過目標(biāo)表面73的掃描偏轉(zhuǎn)器和用 于將經(jīng)調(diào)制的子束聚焦到目標(biāo)表面73上的投射透鏡系統(tǒng)。該些部件可存在于單端模塊中。
[0065] 該種端模塊（end mo化Ie)優(yōu)選地構(gòu)造成可插入、可替換的單元。該端模塊因此可 W包括偏轉(zhuǎn)器陣列71和投射透鏡裝置72?？刹迦?、可替換的單元還可W包括W上針對子束 調(diào)制器討論的子束停止陣列70。在離開端模塊之后，子束57撞擊到定位在目標(biāo)平面的目標(biāo) 表面73上。對于光刻應(yīng)用，目標(biāo)經(jīng)常包括配備有帶電粒子敏感層（sensitive layer)或抗 蝕層（resist layer)的晶圓。
[0066] 偏轉(zhuǎn)器陣列71可采取掃描偏轉(zhuǎn)器陣列的形式，該掃描偏轉(zhuǎn)器陣列布置成使通過 子束停止陣列70的每個(gè)子束57偏轉(zhuǎn)。偏轉(zhuǎn)器陣列71可包括多個(gè)靜電偏轉(zhuǎn)器，其實(shí)現(xiàn)了對 相對小的驅(qū)動電壓的應(yīng)用。盡管偏轉(zhuǎn)器陣列71被繪制在投射透鏡裝置72的上游，但偏轉(zhuǎn) 器陣列71也可W定位在投射透鏡裝置72與目標(biāo)表面73之間。
[0067] 投射透鏡裝置72布置成在子束57由偏轉(zhuǎn)器陣列71偏轉(zhuǎn)之前或之后聚焦子束57。 優(yōu)選地，該聚焦導(dǎo)致幾何斑點(diǎn)的直徑大小為約10至30納米。在該種優(yōu)選實(shí)施例中，投射透 鏡裝置72優(yōu)選地布置成提供大約100至500倍的縮小，最優(yōu)選的是該倍數(shù)盡可能得大，例 如在300至500倍的范圍內(nèi)。在此優(yōu)選實(shí)施例中，投射透鏡裝置72可W有利地設(shè)置在接近 目標(biāo)表面73的位置。
[0068] 在一些實(shí)施例中，射束保護(hù)器（未示出）可設(shè)置在目標(biāo)表面73與投射透鏡裝置72 之間。該射束保護(hù)器可W是配備有多個(gè)適當(dāng)定位的孔徑的鉛或板。該射束保護(hù)器布置成 在釋放的抗蝕顆粒能夠到達(dá)光刻系統(tǒng)51中的任意一個(gè)敏感元件之前吸收該釋放的抗蝕顆 粒。
[0069] 投射透鏡裝置72因此可W確保目標(biāo)表面73上的單個(gè)像素的斑點(diǎn)尺寸是正確的， 而偏轉(zhuǎn)器陣列71可W通過適當(dāng)?shù)膾呙璨僮鞔_保像素在目標(biāo)表面73上的位置在微尺度級別 是正確的。具體而言，偏轉(zhuǎn)器陣列71的操作使得像素適合于最終構(gòu)成目標(biāo)表面73上的圖 案的像素柵格中。將可W理解，在目標(biāo)表面73上的像素的微尺度定位是通過存在于目標(biāo)84 下方的晶圓定位系統(tǒng)來適當(dāng)實(shí)現(xiàn)的。
[0070] 通常，目標(biāo)表面73包括在基板頂部上的抗蝕膜?？刮g膜的多個(gè)部分將通過應(yīng)用帶 電粒子（即，電子）的子束來W化學(xué)方法修改。該樣做的結(jié)果是，膜被福射的部分將或多或 少地可W溶解在顯影劑中，從而在晶圓上產(chǎn)生抗蝕劑圖案。晶圓上的抗蝕劑圖案可W隨后 被轉(zhuǎn)印到下面的層，即通過半導(dǎo)體制造領(lǐng)域已知的執(zhí)行過程（implementation)、蝕刻和/ 或沉積步驟來實(shí)現(xiàn)。顯然，如果福射不均勻，則抗蝕劑不能W均勻的方式顯影，從而導(dǎo)致圖 案的錯(cuò)誤。因此高品質(zhì)的投影與得到提供可再生的結(jié)果的光刻系統(tǒng)有關(guān)。不應(yīng)由于偏轉(zhuǎn)步 驟產(chǎn)生福射的差異。
[0071] 盡管具體參考了帶電粒子多子束光刻系統(tǒng)，但本發(fā)明的一些實(shí)施例可W涉及其他 類型的光刻系統(tǒng)，諸如使用極遠(yuǎn)紫外巧UV)福射來達(dá)到曝光目的的光刻系統(tǒng)。在EUV光刻 系統(tǒng)中，諸如鏡子該樣的反射表面用于產(chǎn)生圖案化的或經(jīng)調(diào)制的福射射束，或者用于影響 子束的軌跡，使得所選子束到達(dá)要曝光的目標(biāo)，典型的為配備有適宜的抗蝕劑層的晶圓。
[0072] 圖8示出了模塊化光刻系統(tǒng)的簡化框圖。光刻系統(tǒng)優(yōu)選地W模塊化方式設(shè)計(jì)，W 允許維護(hù)較簡便。主要的子系統(tǒng)優(yōu)選地構(gòu)造在獨(dú)立式的且可拆除的模塊中，使得它們能夠 從光刻機(jī)器上拆除，而對其他子系統(tǒng)的干擾盡可能得少。該對于裝入真空室中的光刻機(jī)器 而言是尤其有利的，在真空室中對機(jī)器的接近受到限制。因此，有缺陷的子系統(tǒng)可W快速拆 除和替換，而不必須要斷開或干擾其他系統(tǒng)。
[0073] 在圖8中所示的實(shí)施例中，該些模塊化子系統(tǒng)包括照明光學(xué)模塊201、孔徑陣列和 聚光透鏡模塊202、射束切換模塊203和投射光學(xué)模塊204。其中照明光學(xué)模塊201包括帶 電粒子射束源101和射束準(zhǔn)直系統(tǒng)102,孔徑陣列和聚光透鏡模塊202包括孔徑陣列103 和聚光透鏡陣列104,射束切換模塊203包括子束消隱器陣列105,而投射光學(xué)模塊204包 括射束停止陣列108、射束偏轉(zhuǎn)器陣列109和投射透鏡陣列110。模塊可設(shè)計(jì)成滑入對準(zhǔn)框 架中和從對準(zhǔn)框架中滑出。在圖8中所示的實(shí)施例中，對準(zhǔn)框架包括對準(zhǔn)內(nèi)副框架205和 對準(zhǔn)外副框架206。投射光學(xué)模塊204可借助于一個(gè)或多個(gè)彎曲部分連接到對準(zhǔn)內(nèi)副框架 205和對準(zhǔn)外副框架中的至少一個(gè)。
[0074] 在照明光學(xué)模塊201、孔徑陣列和聚光透鏡模塊202、射束切換模塊203和投射光 學(xué)模塊204中的上述部件可布置成與關(guān)于圖7的光刻系統(tǒng)1的類似部件的功能性相應(yīng)地進(jìn) 行工作。
[00巧]在圖8的實(shí)施例中，框架208通過振動衰減固定架207支撐對準(zhǔn)副框架205和206。 在此實(shí)施例中，晶圓130置于晶圓臺209上，該晶圓臺209繼而安裝在另外的支撐結(jié)構(gòu)210 上。晶圓臺209和另外的支撐結(jié)構(gòu)210的組合在下文中還可稱為卡盤210?？ūP210位于 在分級短沖程（stroke) 211和長沖程212上。光刻機(jī)器裝入真空室250中，真空室250優(yōu) 選地包括高導(dǎo)磁合金（mu metal)屏蔽層215。該機(jī)器置于由框架構(gòu)件221支撐的底板220 上。
[0076] 每個(gè)模塊為了其工作可能需要大量的電信號和/或光信號W及電能。真空室內(nèi)的 模塊從一個(gè)或多個(gè)控制系統(tǒng)224接收該些信號，該控制系統(tǒng)224典型地位于真空室外部。真 空室250包括開口，該開口被稱為端口，用于允許承載來自控制系統(tǒng)的信號的電纜進(jìn)入真 空外殼中，同時(shí)在電纜周圍維持真空密封。每個(gè)模塊優(yōu)選地具有通過專用于該模塊的一個(gè) 或多個(gè)端口布線的電的、光學(xué)的和/或電力纜線連接的集合。該使得用于特定模塊的電纜 能夠在不干擾任意其他模塊的電纜的情況下被斷開、拆除和替換。在一些實(shí)施例中，接插板 可設(shè)置在真空室250內(nèi)。接插板包括一個(gè)或多個(gè)連接器，用于可拆裝地連接模塊的一個(gè)或 多個(gè)連接。一個(gè)或多個(gè)端口可用于允許可拆除模塊的一個(gè)或多個(gè)連接進(jìn)入真空室中。
[0077] 圖9示出了用于除去污染沉積物的裝置300的實(shí)施例的立面頂部視圖。該裝置 300包括室302,在室302中可形成等離子體，該室302可W連接到漏斗308形式的壓力調(diào) 節(jié)器。漏斗308配備有狹縫307a、30化形式的兩個(gè)出口。
[007引圖10示出了模塊化光刻系統(tǒng)的截面圖，該系統(tǒng)包括圖9中所示的用于除去污染沉 積物的裝置。在所示實(shí)施例中，模塊化光刻系統(tǒng)是參考圖8討論的系統(tǒng)。室302,在此特定 實(shí)施例中還有漏斗308,集成到對準(zhǔn)框架208中，用于容納模塊中的一個(gè)或多個(gè)。該裝置進(jìn) 一步包括連接到狹縫307a的第一管子309a和連接到狹縫30化的第二管子309b。第二管 子309b的出口接近于投射光學(xué)模塊204的表面。第一管子309a布置成將自由基傳送到另 一個(gè)模塊，例如在圖8的模塊化光刻系統(tǒng)中的射束切換模塊203。
[0079] 圖11示出了在漏斗308與投射光學(xué)模塊204之間使用管子309b的連接的實(shí)施例 的更詳細(xì)視圖。類似的連接可W在漏斗308與其他模塊之間形成。在所示的連接中，管子 309b可卡在狹縫30化的延伸部分上。壓力調(diào)節(jié)器出口 30化因此配備了延伸部分，導(dǎo)向體， 即圖11中的管子309b可拆裝地附接到其上。
[0080] 此外，可提供護(hù)罩（cover)400,該護(hù)罩400可放在實(shí)際連接的位置上W減少諸如 原子自由基該樣的粒子朝向管子周圍的泄露。護(hù)罩400可W是可滑動的護(hù)罩。
[0081] 管子309b優(yōu)選地是盡可能地直，W使原子自由基與管子309b的內(nèi)壁的交互最小 化。在此特定實(shí)施例中，投射光學(xué)模塊204被安裝到模塊板410上，且管子309b穿過板子 410。該種構(gòu)造減少了由板子410和管子309b占據(jù)的空間。
[0082] 通過參考W上討論的某些實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述。將能意識到，該些實(shí)施例 可W接受本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種修改和可替換形式，而不會脫離本發(fā)明的范圍，本發(fā) 明的范圍在所附權(quán)利要求中定義。
【權(quán)利要求】
1. 用于運(yùn)輸自由基的裝置（1 ;Γ )，該裝置包括： 等離子體發(fā)生器，包括其中可以形成等離子體的室（2)，該室包括用于接收輸入氣體 的進(jìn)口（5)，和用于排除在室中產(chǎn)生的等離子體和自由基中的至少一者的一個(gè)或多個(gè)出口 ⑶；以及 中空的導(dǎo)向體（9)，用于朝向要除去的污染沉積物所在的區(qū)域或空間引導(dǎo)在所述等離 子體中形成的自由基； 其中所述室的進(jìn)口連接到壓力裝置（40)，該壓力裝置用于向所述室中提供脈動的壓 力，以便在所述導(dǎo)向體中產(chǎn)生流。
2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述壓力裝置是閥。
3. 用于運(yùn)輸自由基的裝置（1 ;1'），該裝置包括： 等離子體發(fā)生器，包括其中可以形成等離子體的室（2)，該室包括用于接收輸入氣體的 進(jìn)口（5)，和一個(gè)或多個(gè)出口（6)，該出口用于排除在室中產(chǎn)生的等離子體和自由基中的至 少一者；以及 中空的導(dǎo)向體（9)，其連接到所述室的一個(gè)或多個(gè)出口，用于朝向要除去的污染沉積物 所在的區(qū)域或空間引導(dǎo)在所述等離子體中形成的自由基； 其中所述室內(nèi)的壓力可以臨時(shí)增大，以形成具有足夠強(qiáng)度的流，以拖引自由基。
4. 如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述臨時(shí)的壓力增大被周期性執(zhí)行。
5. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，進(jìn)一步包括壓力調(diào)節(jié)器（8)，該壓力調(diào)節(jié)器 (8)具有進(jìn)口和出口，所述進(jìn)口具有第一橫截面面積，所述出口具有第二橫截面面積，所述 第一橫截面面積大于所述第二橫截面面積，所述壓力調(diào)節(jié)器的進(jìn)口連接到所述一個(gè)或多個(gè) 室的出口，所述壓力調(diào)節(jié)器的出口連接到所述導(dǎo)向體。
6. 如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述壓力調(diào)節(jié)器配備有用于接收另外的進(jìn)口氣體的 另外的進(jìn)口（35)。
7. 用于運(yùn)輸自由基的裝置（1;Γ)，該裝置包括： 等離子體發(fā)生器，包括其中可以形成等離子體的室（2)，該室包括用于接收輸入氣體的 進(jìn)口（5)，和一個(gè)或多個(gè)出口（6)，該出口用于排除在室中產(chǎn)生的等離子體和自由基中的至 少一者； 中空的導(dǎo)向體（9)，其連接到所述室的一個(gè)或多個(gè)出口，用于朝向要除去的污染沉積物 所在的區(qū)域或空間引導(dǎo)在所述等離子體中形成的自由基；以及 壓力調(diào)節(jié)器（8)，具有進(jìn)口和出口，所述進(jìn)口具有第一橫截面面積，所述出口具有第二 橫截面面積，所述第一橫截面面積大于所述第二橫截面面積，所述壓力調(diào)節(jié)器的進(jìn)口連接 到所述一個(gè)或多個(gè)室的出口，所述壓力調(diào)節(jié)器的出口連接到所述導(dǎo)向體； 其中所述壓力調(diào)節(jié)器配備有用于接收另外的進(jìn)口氣體的另外的進(jìn)口（35)。
8. 如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述壓力調(diào)節(jié)器采取漏斗（8)的形式。
9. 如權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述壓力調(diào)節(jié)器的出口配備有所述導(dǎo) 向體可拆裝地附接到其上的延伸部分。
10. 如權(quán)利要求9所述的裝置，進(jìn)一步包括護(hù)罩（400)，用于放置在所述導(dǎo)向體與所述 壓力調(diào)節(jié)器的出口的延伸部分之間的連接上。
11. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述中空的導(dǎo)向體采取管子（9)的形 式。
12. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述管子具有彎曲（11)或轉(zhuǎn)彎（13)。
13. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述等離子體發(fā)生器進(jìn)一步包括圍繞 在所述室外側(cè)的射頻線圈（4)，用于在所述室內(nèi)生成等離子體。
14. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述室配備有限流器，諸如有孔壁。
15. 用于連接到含有等離子體的室的壓力調(diào)節(jié)器，所述壓力調(diào)節(jié)器具有進(jìn)口和出口，所 述進(jìn)口用于接收在室中產(chǎn)生的等離子體和自由基中的至少一者，且具有第一橫截面面積， 所述出口具有第二橫截面面積，所述第一橫截面面積大于所述第二橫截面面積，所述壓力 調(diào)節(jié)器的進(jìn)口連接到等離子體室，所述壓力調(diào)節(jié)器的出口可拆裝地附接到中空體。
16. 如權(quán)利要求15所述的壓力調(diào)節(jié)器，其中所述壓力調(diào)節(jié)器采取漏斗（8)的形式。
17. 如權(quán)利要求16或17所述的壓力調(diào)節(jié)器，其中所述壓力調(diào)節(jié)器配備有用于接收進(jìn)口 氣體的另外的進(jìn)口（35)。
18. 光刻系統(tǒng)，包括： 子束發(fā)生器，用于生成多個(gè)子束； 多個(gè)子束操縱器元件，用于操縱所述子束；以及 如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述裝置用于在其中生成等離子體和自 由基，并用于將所述自由基引導(dǎo)到所述子束操縱器元件中的一個(gè)或多個(gè)子束操縱元件的表 面上。
19. 如權(quán)利要求18所述的光刻系統(tǒng)，其中所述光刻系統(tǒng)是帶電粒子光刻系統(tǒng)，并且其 中每個(gè)子束操縱器元件包括由子束通過的多個(gè)孔徑。
20. 如權(quán)利要求18或19所述的光刻系統(tǒng)，其中所述光刻系統(tǒng)是包括多個(gè)獨(dú)立式的且可 拆裝的模塊的模塊化光刻系統(tǒng)，每個(gè)模塊包括所述子束操縱器元件中的一個(gè)或多個(gè)。
21. 如權(quán)利要求20所述的光刻系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于容納所述模塊中的一個(gè)或多個(gè)的 對準(zhǔn)框架（208)。
22. 如權(quán)利要求21所述的光刻系統(tǒng)，其中所述裝置的室被集成到所述對準(zhǔn)框架中。
23. 用于運(yùn)輸自由基的方法，該方法包括： 提供如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的裝置，使所述中空的導(dǎo)向體的端部靠近所述表 面； 將輸入氣體引入所述室中； 在所述室中形成等離子體和自由基；以及 朝向所述中空的導(dǎo)向體的端部產(chǎn)生自由基的流。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中產(chǎn)生流包括借助于諸如閥的壓力裝置向所述室中 提供脈動的壓力。
25. 用于運(yùn)輸自由基的方法，該方法包括： 提供如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的裝置，使所述中空的導(dǎo)向體的端部靠近所述表 面； 將輸入氣體引入所述室中； 在所述室中形成等離子體和自由基；以及 臨時(shí)增大所述室內(nèi)的壓力，以形成具有足夠強(qiáng)度的流，以拖引自由基。
26. 如權(quán)利要求25所述的方法，其中臨時(shí)地增大所述壓力被周期性執(zhí)行。
27. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中臨時(shí)地增大所述壓力是借助于諸如閥的壓力裝置 執(zhí)行的。
28. 如權(quán)利要求23至27中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述裝置的等離子體發(fā)生器包括圍 繞所述室的外側(cè)的射頻線圈（4)，并且其中形成等離子體包括使所述射頻線圈通電。
29. 如權(quán)利要求25至27中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述裝置的等離子體發(fā)生器包括圍 繞所述室的外側(cè)的射頻線圈（4)，并且其中形成等離子體包括使所述射頻線圈通電，并且其 中在壓力增大期間關(guān)斷所述射頻線圈。
30. 如權(quán)利要求23至29中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述裝置進(jìn)一步包括壓力調(diào)節(jié)器， 所述壓力調(diào)節(jié)器具有進(jìn)口和出口，所述進(jìn)口具有第一橫截面面積，所述出口具有第二橫截 面面積，所述第一橫截面面積大于所述第二橫截面面積，所述壓力調(diào)節(jié)器的進(jìn)口連接到所 述一個(gè)或多個(gè)室的出口，所述壓力調(diào)節(jié)器的出口連接到所述導(dǎo)向體，其中所述壓力調(diào)節(jié)器 配備有另外的進(jìn)口，并且其中所述方法進(jìn)一步包括通過所述另外的進(jìn)口引入另外的進(jìn)口氣 體。
31. 如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述另外的進(jìn)口氣體是氮?dú)饣蜓鯕狻?br> 32. 如權(quán)利要求23至31中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述輸入氣體是氧氣。
【文檔編號】H01J37/317GK104321701SQ201380025372
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2013年3月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月20日
【發(fā)明者】P.克魯伊特, M.斯米茨 申請人:邁普爾平版印刷Ip有限公司