專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，更特別地，涉及設置在顯示裝置內(nèi)的后板和面板(face plate)之間的間隔件的構成。
背景技術：
作為能夠被減薄和被減輕的顯示裝置，已提出使用電子發(fā)射器件的平板電子束裝 置，即，場發(fā)射顯示裝置(FED)。在像這樣的顯示裝置中，具有電子發(fā)射器件的后板和具有用 于響應電子照射而發(fā)光的發(fā)光部件的面板被布置為彼此相對。后板和面板的外緣分別通過 框架部件被密封以形成真空容器，并且，真空容器的內(nèi)部維持真空(典型地為高真空或超 高真空)。面板包含陽極電極，所述陽極電極被層疊于發(fā)光部件并被施加比后板的電勢高的 電勢。由電子發(fā)射器件發(fā)射的電子被陽極電極吸引，并因此照射到發(fā)光部件上的預定位置， 由此顯示希望的圖像。一般地，為了不僅將電子照射到發(fā)光部件上的預定位置而且還改善顯示裝置的亮 度，將幾百伏到幾十千伏的高電勢施加到陽極電極。并且，使得后板和面板之間的間隙盡可 能地小，以減小顯示裝置的厚度。出于這些原因，通常在顯示裝置內(nèi)產(chǎn)生明顯高的電場，由 此，存在特別是在陽極電極和另一內(nèi)部結(jié)構之間導致放電的問題。為了應對該問題，如下構 成是已知的在所述構成中，通過電勢常被限定為接地電勢的電勢限定電極來圍繞陽極電 極的外圍。順便說一句，稱為間隔件的板狀支撐部件被設置在顯示裝置內(nèi)，以防止由于顯示 裝置的內(nèi)壓和外壓之間的差所導致的后板和面板的變形和破壞。更具體而言，由于間隔件 通過基于顯示裝置的內(nèi)壓和外壓之間的差的壓制力來支撐后板和面板，因此，間隔件中的 每一個被設置為與陽極電極接觸。出于這種原因，陽極電極側(cè)的間隔件電勢高，由此，存在 在間隔件的陽極電極側(cè)的面和電勢限定電極之間導致放電的問題。這里，日本專利申請公 開No. 2006-173093公開了如下技術使間隔件和電勢限定電極(即，保護電極)相互分開 必要的距離，以防止在間隔件和電勢限定電極之間產(chǎn)生的放電。并且，日本專利申請公開 No. 2006-236733公開了 使得連接于其間插入陽極電極的彼此相對的保護電極的間隔件 上的低電阻膜的內(nèi)端之間的間隔大于陽極電極和保護電極的內(nèi)端之間的間隔。
發(fā)明內(nèi)容
在如日本專利申請公開No. 2006-173093中公開的那樣通過使間隔件和電勢限定 電極相互分開必要的距離來防止放電的情況下，必須極薄地形成電勢限定電極以確保該距 離。這變成對制造顯示裝置的限制。這里，當陽極電勢進一步增加時，存在上述的構成不能 應對這種情形的可能性。順便說一句，為了防止放電，通過使分別產(chǎn) 生放電的相互的物理對 象彼此接觸而將這些對象設為具有相同的電勢是有效的。關于與間隔件接觸的陽極電極， 確實不容易產(chǎn)生放電。但是，難以完全地使間隔件和陽極電極緊密地相互接觸。即，事實上， 存在由于在間隔件和陽極電極之間不可避免地存在的微間隙而產(chǎn)生放電的可能性。
因此，本發(fā)明的目的是，在其中面板具有陽極電極和位置離開陽極電極的電勢限 定電極的顯示裝置中，抑制在間隔件和陽極電極之間產(chǎn)生的放電以及在間隔件和電勢限定 電極之間產(chǎn)生的放電。為了實現(xiàn)這種目的，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括后板，所述后板具有電子發(fā)射器 件；面板，所述面板與所述后板相對，并具有以比所述電子發(fā)射器件的電勢高的電勢限定的 陽極電極、和位置離開所述陽極電極并以比所述陽極電極的電勢低的電勢限定的電勢限定 電極；和板狀的間隔件，所述板狀的間隔件至少包含絕緣性基材部件、被布置在所述后板和 所述面板之間、并具有與所述面板相對的面，所述面與所述陽極電極和所述電勢限定電極 部分地接觸，其中，所述絕緣性基材部件在所述面中具有凹陷部分，并且，所述凹陷部分通 過間隙與所述面板的在所述陽極電極和所述電勢限定電極之間的部分相對，所述陽極電極 的在所述電勢限定電極側(cè)的端部(end)的位置比所述凹陷部分的在所述陽極電極側(cè)的邊 緣更接近所述電勢限定電極，并且所述電勢限定電極的在所述陽極電極側(cè)的端部的位置比 所述凹陷部分的在所述電勢限定電極側(cè)的邊緣更接近所述陽極電極。根據(jù)本發(fā)明，在其中面板具有陽極電極和位置離開陽極電極的電勢限定電極的顯 示裝置中，可以抑制在間隔件和面板之間產(chǎn)生的放電。從參照附圖對示例性實施例的以下描述，本發(fā)明的進一步的特征將變得明顯。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的例子的透視圖。圖2是表示圖1所示的顯示裝置的面板的平面圖，該平面圖是朝著圖1中的A-A 方向觀看的。圖3A是示出根據(jù)第一實施例的間隔件的凹陷部分的形狀的橫截面圖。圖3B是示出根據(jù)第二實施例的間隔件的凹陷部分的形狀的橫截面圖。圖3C是示出根據(jù)第二實施例的間隔件的凹陷部分的附近的透視圖。圖3D是示出根據(jù)第三實施例的間隔件的凹陷部分的形狀的橫截面圖。圖4A、圖4B和圖4C是示出本發(fā)明效果的示圖。
具體實施例方式首先，本發(fā)明的顯示裝置包括配有表面?zhèn)鲗汀pindt型、CNT(碳納米管)型、 MIM(金屬-絕緣體-金屬)型或BSD (彈道電子表面發(fā)射器件)型的電子發(fā)射器件9的顯 示裝置等。在像這樣的顯示裝置中，作為應用本發(fā)明的優(yōu)選配置，支撐部件(即，間隔件)被 布置在其上設置電子發(fā)射器件的后板和其上設置發(fā)光體(例如，熒光體)的面板之間。以 下，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示裝置。圖1是示出顯示裝置(以下，稱為顯示裝置10)的構成的例子的部分透視圖。顯 示裝置10包含其上設置電子源5的后板2和位置與后板2相對的面板1。并且，電子源5 由大量的電子發(fā)射器件9構成。在本實施例中，示例性地使用表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射器件作為 電子發(fā)射器件9。電子源5包含像矩陣那樣布置的多個電子發(fā)射器件9。更具體而言，電 子源5包含通過X方向布線Dxl、Dx2、...、Dx(m-l)和Dxm以及Y方向布線Dyl、Dy2、...、 Dy(n-l)和Dyn以簡單矩陣布置的電子發(fā)射器件9。
面板1包含玻璃基板6、在玻璃基板6內(nèi)形成并用作發(fā)光部件的熒光膜7、以及形 成為疊置于熒光膜7上并由此覆蓋熒光膜7的陽極電極8。這里，從高電壓端子Hv向陽極 電極8供給比后板2的電勢(即，施加給電子發(fā)射器件9和布線的電勢)高的電勢(陽極 電勢)。典型地，陽極電勢為IkV或更大。從形成在后板2上的電子發(fā)射器件9發(fā)射的電 子束通過供給到面板1的陽極電勢向著面板1被加速，并由此照射到面板1。然后，照射到 面板1的電子與形成在面板1上的熒光膜7碰撞。因此，構成熒光膜7的熒光體發(fā)光(即， 陰極發(fā)光)。即，如果通過矩陣驅(qū)動適當?shù)剡x擇用于發(fā)光的電子發(fā)射器件9，那么在面板1 上反映(或產(chǎn)生)希望的圖像。順便說一句，如果使用金屬膜作為陽極電極8，那么陽極電 極8用作用于通過反射熒光膜7發(fā)射的光的一部分來改善光的利用系數(shù)的金屬背(metal back)。陽極電極8可以是透明電極。并且，陽極電極8不僅可由單個部件形成，而且可由 諸如導電膜、電阻膜等的多個部件的適當組合形成。即，應當注意，陽極電極8是對基本上 限定于陽極電勢的部件的通稱。圖2是朝著圖1中的A-A方向觀看的示出面板的平面圖(仰視圖)。參照圖2，電 勢限定電極11圍繞陽極電極8，并且位置離開陽極電極8。在圖2所示的例子中，陽極電極 8和電勢限定電極11通過間隙彼此相對，由此在陽極電極8和電勢限定電極11之間的部分 處露出玻璃基板6。因此，與陽極電極8和電勢限定電極11連接的高電阻膜(未示出)可 被設置在陽極電極8和電勢限定電極11之間的部分上，以抑制玻璃基板6的電荷。這里，希望的是電勢限定電極11的電勢被限定于接地電勢。但是，如果電勢限定 電極11的電勢低于陽極電勢，則電勢限定電極11的電勢不限于接地電勢。電勢限定電極 11限制在陽極電極8周圍形成的高電勢空間的擴展，并且，電勢限定電極11的形狀不被具 體限制。例如，為了從后板2側(cè)獲得高電勢，電勢限定電極11可被設置為圍繞設置在面板1 的外圍上的未示出的電勢提取部分。電勢限定電極11的自面板1的玻璃基板6的表面的 高度基本上與陽極電極8的自面板1的玻璃基板6的表面的高度相同。支撐框架3被設置在面板1和后板2之間，并且，面板1、后板2和支撐框架3 —起 構成真空容器。真空容器的內(nèi)部(即，減壓空間S)被維持在比大氣壓力低的壓力(真空)， 并且，典型地在高真空或超高真空。并且，分別通過諸如玻璃料、低熔點金屬等的接合材料， 面板1和支撐框架3被相互接合，并且后板2和支撐框架3也被相互接合。其每一個被稱為間隔件4的支撐部件被設置在面板1和后板2之間。以下，將參 照作為顯示裝置的橫截面圖的圖3A和圖3B詳細描述間隔件4的構成。更具體而言，圖3A 是用于描述第一實施例中的顯示裝置的橫截面圖，圖3B是用于描述第二實施例中的顯示 裝置的橫截面圖。在圖3A和圖3B中的每一個中，從與間隔件縱向平行的方向并沿與顯示 裝置的顯示面垂直的截面來觀看顯示裝置。圖3C是示出在本發(fā)明的第二實施例中使用的 間隔件的一部分的透視圖。這里，第一實施例和第二實施例在電極膜的有/無這一點上相 互不同。間隔件4至少包含板狀絕緣性基 材部件40。間隔件4典型地是在板狀絕緣性基 材部件40的表面(側(cè)面)上設置抗靜電的高電阻膜(未示出)的板狀部件。并且，如圖1 所示，在間隔件4的側(cè)面上設置多個抗靜電溝槽(線狀的凹凸)。如圖3A所示，間隔件4的 面板1側(cè)的面(相對面41)與陽極電極8和電勢限定電極11相對，并且還與陽極電極8和 電勢限定電極11接觸。如圖1所示，間隔件4的后板2側(cè)的面(相反面42)被固定于X方向布線Dxl至Dxm。在本實施例中，凹陷部分12由絕緣性基材部件40的表面構成。當前的 發(fā)明人等將顯示裝置的內(nèi)部(即，由面板1、后板2和支撐框架3構成的容器的內(nèi)部)抽真 空，然后拆開顯示裝置，并隨后觀察間隔件4的接觸程度。結(jié)果，在陽極電極8和電勢限定 電極11上的與間隔件4接觸的部分處殘留壓碎的壓痕，由此，當前的發(fā)明人等可確認間隔 件4與這些電極接觸。順便說一句，間隔件4不被設置在所有的X方向布線Dxl至Dxm上。 艮口，以每兩條或更多條X方向布線一個的比率設置間隔件4。由于間隔件4使用玻璃、陶瓷 等作為絕緣性基材部件40，因此它對于大氣壓力具有足夠的強度。通過分別供給到后板2 和面板1的電勢給間隔件4的相對面41和相反面42施加電壓，由此在間隔件4的表面上 形成電勢分布。
間隔件4在其與面板1相對的面(相對面41)上具有凹陷部分(缺口)12。更具 體而言，間隔件4的絕緣性基材部件40具有凹陷部分12，并且，凹陷部分12由絕緣性基材 部件40的表面構成。構成相對面41的一部分的凹陷部分12不與面板(陽極電極8和電 勢限定電極11)接觸。即，間隔件4的相對面41部分地與陽極電極和電勢限定電極接觸。 凹陷部分12在間隔件4的兩個側(cè)面上都開通。側(cè)面是對于相對面41連續(xù)且在面板1和后 板2之間的空間(真空空間)中露出的兩個面。從間隔件4的側(cè)面的方向觀看的凹陷部 分12的開口形狀是梯形的。但是，開口形狀可以是多邊形的、或者具有曲率的大致的半圓 或半橢圓的。希望凹陷部分12具有10 μ m或更大的深度，并且進一步希望它具有100 μ m 或更大的深度。順便說一句，凹陷部分12的深度等同于從連接凹陷部分12的邊緣的兩側(cè) (SP1,SP2)的面垂直延伸到間隔件4的絕緣性基材部件40中的凹陷部分12的表面上的線 的最大長度?？梢允褂媒饎偸喴灾T如研磨方法等的任意方法形成凹陷部分12。如圖3A 所示，凹陷部分12通過間隙與面板1的在陽極電極8和電勢限定電極11之間的部分(即， 露出玻璃基板的表面的部分)相對。并且，凹陷部分12通過間隙與包含陽極電極8的端部 8a的部分以及還與包含電勢限定電極11的端部Ila的部分相對。更具體而言，與凹陷部 分12的陽極電極側(cè)的邊緣(SPl)相比，陽極電極8的電勢限定電極11側(cè)的端部8a的位置 (FPl)更接近電勢限定電極11。類似地，與凹陷部分12的電勢限定電極11側(cè)的邊緣(SP2) 相比，電勢限定電極11的陽極電極8側(cè)的端部Ila的位置(FP2)更接近陽極電極8。即， 彼此相對的陽極電極8的端部8a和電勢限定電極11的端部Ila位于凹陷部分12和面板 1之間的空間中。換句話說，形成凹陷部分12，使得在凹陷部分12和面板1之間的空間中 露出陽極電極8的端部8a和電勢限定電極11的端部11a。并且，可以說，陽極電極8和電 勢限定電極11之間的部分向間隔件4的正交投影完全保持在凹陷部分12的邊緣內(nèi)。更具 體而言，凹陷部分12在間隔件的縱向上的長度(S卩，SPl和SP2之間的距離)可被設為比 端部8a和端部Ila之間的間隔(即，F(xiàn)Pl和FP2之間的距離)長。間隔件4和陽極電極8的接觸部分處的電勢基本上等于陽極電極的電勢(即，陽 極電勢)，并且，間隔件4和電勢限定電極11的接觸部分處的電勢基本上等于電勢限定電極 11的電勢。然而，雖然陽極電極8和間隔件4完全相互接觸，但是，可以設想，由于諸如制造 誤差、組裝誤差、接觸部分的表面粗糙度等的各種原因，實際上在陽極電極8和間隔件4的 接觸部分中存在微間隙。類似地，雖然電勢限定電極11和間隔件4完全相互接觸，但是，可 以設想，在電勢限定電極11和間隔件4的接觸部分中實際上存在微間隙。這些微間隙產(chǎn)生 陽極電極8和間隔件4之間的電勢差和/或電勢限定電極11和間隔件4之間的電勢差，由此產(chǎn)生放電。特別地，陽極電極8的端部8a和電勢限定電極11的端部Ila中的每一個常具 有容易出現(xiàn)電場集中的形狀。更具體而言，在這些端部處可容易地形成諸如“毛刺(burr)” 等的突起。出于這種原因，特別是在端部8a和Ila與間隔件4之間容易產(chǎn)生放電。根據(jù)本實施 例，端部8a和端部1 Ia位于凹陷部分12和面板1之間的空間中，并且， 可容易地在端部8a和1 Ia與間隔件4之間確保各具有足以防止放電的間隔的間隙。凹陷 部分12的形狀和尺寸可被任意地設定。更具體而言，可以適當?shù)卮_定凹陷部分12的形狀 和尺寸，以能夠確保端部8a和Ila與凹陷部分12的外圍之間的適宜距離。作為第二實施例，如圖3B和圖3C所示，可以在間隔件4的相對面41上、即在陽極 電極8和電勢限定電極11的連接部分中設置電極膜。并且，可以在間隔件4的相反面42 上、即在與X方向布線Dxl至Dxm的連接部分中設置電極膜。間隔件4包含絕緣性基材部 件40和電極膜。這里，電極膜可包含設置在面板1側(cè)的相對面電極膜13a和設置在后板2 側(cè)的相反面電極膜13b?？梢酝ㄟ^電極膜確實地限定間隔件4的表面上的電勢(例如，高 電阻膜的電勢)。并且，圖3C示出設置在間隔件4的側(cè)面43上的溝槽。并且，在本實施例 中，可以在間隔件4的側(cè)面43上設置未示出的高電阻膜。設置在絕緣性基材部件40上的電極膜13a構成間隔件4的相對面41的一部分。 并且，在本實施例中，凹陷部分12由絕緣性基材部件40的表面構成。即，在本實施例中，相 對面41由相對面電極膜13a和絕緣性基材部件40的凹陷部分12構成。構成相對面41的 一部分的凹陷部分12不與面板(陽極電極8和電勢限定電極11)接觸。即，間隔件4的相 對面41經(jīng)由相對面電極膜13a部分地與陽極電極和電勢限定電極接觸。相對面電極膜13a 被布置為包含陽極電極8側(cè)的第一部分和電勢限定電極11側(cè)的第二部分，而在第一部分和 第二部分之間插入凹陷部分12。順便說一句，第一部分和第二部分可分別由不同的材料構 成。但是，如果這些部分由相同的材料構成，那么可以簡化間隔件4的制造。間隔件4通過 電極膜13a的第一部分與陽極電極8電導通，同時間隔件4通過電極膜13a的第二部分與 電勢限定電極11電導通。出于這種原因，將間隔件4和陽極電極8設為具有相同的電勢是 有效的，并且，將間隔件4和電勢限定電極11設為具有相同的電勢也是有效的。當然，在間 隔件4的表面上產(chǎn)生根據(jù)陽極電極8的電勢和電勢限定電極11的電勢之間的電勢差的電 勢分布。間隔件4的相對面電極膜13a與陽極電極8和電勢限定電極11之間的連接不僅 包含這些部分相互接觸并由此電連接的情況，而且包含這些部分通過存在于它們之間的顯 著低電阻部件電連接的情況。即使在像這樣使用電極膜13a的情況下，如果陽極電極8的 端部8a和電勢限定電極11的端部Ila位于間隔件4的凹陷部分12和面板1之間的空間 中，那么也可以帶來與第一實施例中相同的效果。順便說一句，希望電極膜13a的端部13c 與間隔件4的凹陷部分的陽極電極側(cè)的邊緣12a —致(coincide)。更具體而言，希望電極 膜13a的端部13c在由絕緣性基材部件40構成的凹陷部分12的陽極電極側(cè)的邊緣12a上 連續(xù)。當電極膜13a的厚度變得極厚時，存在它影響面板1附近的電子軌道的可能性。 因此，希望使得電極膜的厚度較薄，并且更希望將該厚度設為Iym或更小。出于這種原因， 凹陷部分12和面板1之間的距離基本上受凹陷部分12的深度的支配。希望使得凹陷部分 12的深度為電極膜的厚度的十倍或更大，并且，進一步希望使得該深度為該厚度的100倍 或更大。與第一實施例一樣，希望凹陷部分12具有10 μ m或更大的深度，并且進一步希望它具有100 μ m或更大的深度。 在第三實施例中，上述實 施例中的在凹陷部分12和面板1之間的空間中突起并延 伸的陽極電極8的長度被最大化。圖3D是從圖3A獲得的部分放大圖。這里，假定凹陷部 分12的陽極電極8側(cè)的邊緣為spl，陽極電極8的間隔件側(cè)的端部為fpl，電勢限定電極11 的間隔件側(cè)的端部為fp2，并且，從端部fpl向與后板2垂直的方向引出的線與凹陷部分12 的表面相交的點是X。順便說一句，在間隔件4和面板1彼此相對的區(qū)域內(nèi)，陽極電極8和 電勢限定電極11的端部構成陽極電極8和電勢限定電極11之間的距離最短的部分。如圖 3D所示，當該距離最短的該部分具有一定的廣度(extent)時，端部fpl和fp2是最接近間 隔件4的(各端部中的)點。并且，假定邊緣spl和端部fpl之間的距離為L、端部fpl和 fp2之間的距離為G，并且端部fpl和點X之間的距離為d。由于由邊緣spl、端部fpl和凹 陷部分劃界的空間15是強電場區(qū)域，因此，如果距離L變得極大，那么該強電場區(qū)域擴大。 結(jié)果，微放電的發(fā)生的頻率增大。并且，如果距離d遠小于距離(長度)L，那么空間15的 電場增大，由此微放電的發(fā)生的頻率增大。因此，對于距離L設定適當?shù)纳舷拗?，并且，對?d/L設定適當?shù)南孪蕖１緦嵤├凉M足0 < L彡0. IXG和arctan(d/L)彡12°。進一步希望滿足0 < 0. 05XG*arctan(d/L)彡12°。如果距離L等于或小于0. 1 X G，那么可以限制上 述的強電場區(qū)域的范圍。并且，arctan(d/L)等于圖3D中的角度θ。如果角度θ變小，那 么陽極電極8和凹陷部分12的表面相互接近，由此電場容易增大。如果角度θ為12°或 更大，那么可以確保陽極電極8和凹陷部分12的表面之間的隔離距離，由此可以抑制電場 的強度。因此，可以通過如上所述的這種效果來避免放電的發(fā)生。順便說一句，角度θ小 于 90°。微放電例如包含具有陽極電極和外圍低電勢部分(接地部分等)不被放電電流完 全短路的程度的局部和短時放電。也就是說，關于外部電壓源，微放電包含具有不發(fā)生累積 的放電并且可在陽極和外圍低電勢部分之間執(zhí)行持久電壓施加的程度的放電。順便說一 句，存在如下情況微放電是導致陽極和外圍接地部分之間的短路的放電的前兆現(xiàn)象。該現(xiàn) 象不損害裝置的驅(qū)動操作，但應從抑制放電的方面被考慮。雖然規(guī)模受限，但可以通過檢測 陽極和低電勢部分之間的發(fā)光現(xiàn)象和電流值來檢測微放電的發(fā)生。以下，將通過引用適當?shù)睦觼磉M一步詳細描述本發(fā)明。即，在以下描述的例子中 的每一個中，使用多電子束源，在所述多電子束源中，在器件電極之間的導電薄膜上具有電 子發(fā)射部分的nXm(n = 480，m= 100)個表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射器件通過m條行方向布線和η 條列方向布線以矩陣的方式被布線(matrix-wired)。(例子1)例子1中的顯示裝置具有與參照圖1描述的顯示裝置的構成相同的構 成，并且包含用于顏色顯示目的的RGB熒光體和黑矩陣掩模(mask)。陽極電極8和電勢限 定電極11之間的距離被設為4mm。并且，陽極電極8被設為還用作金屬背，并且，電勢限定 電極11的電勢被設為接地電勢。作為間隔件4，準備了可作為PD200從ASAHI GLASS CO.，LTD.獲得的高度為2mm 且寬度為0. 2mm的板狀基材部件40，并且，通過切割在板狀基材部件上形成凹陷部分12。這 里，使得凹陷部分12的形狀為具有8mm的長度和0. 3mm的高度的梯形。然后，間隔件4被 布置為在面板1上從陽極電極8的區(qū)域延伸到電勢限定電極11的區(qū)域，并且被設為與陽極電極8和電勢限定電極11兩者都接觸。間隔件4自身通過間隔件固定部件(未示出)被 固定在后板2上的預定位置處。為了研究陽極電極8的邊緣、電勢限定電極11的邊緣和間隔件4的凹陷部分12 的物理關系，形成以下的樣品。即，在圖3A中，設定與間隔件縱向平行并具有從陽極電極8 向電勢限定電極11的正方向的坐標軸。并且，在以上的坐標軸上，凹陷部分12的陽極電極 8側(cè)的邊緣的位置的坐標被設為SP1，凹陷部分12的電勢限定電極11側(cè)的邊緣的位置的坐 標被設為SP2，陽極電極8的邊緣的位置的坐標被設為FP1，并且，電勢限定電極11的邊緣 的位置的坐標被設為FP2。并且，Ll被定義為Ll = FPl-SPl, L2被定義為L2 = SP2-FP2。 然后，形成如下樣品在所述樣品中，凹陷部分12的尺寸和位置已被調(diào)整，以分別將Ll和 L2設為-3mm、-2mm, -1mm、-0. 2mm,0mm, Imm和2mm。這里，Ll和L2具有負值的狀態(tài)意味著 陽極電極8和電勢限定電極11的端部存在于凹陷部分12之外的狀態(tài)，即，這些端部與間隔 件4接觸的狀態(tài)、或者這些端部極其接近間隔件4的狀態(tài)。另一方面，Ll和L2具有正值的 狀態(tài)意味著陽極電極8和電勢限定電極11的端部存在于凹陷部分12和面板1之間的空間 中的狀態(tài)，即，這些端部分別離開間隔件4而存在的狀態(tài)。在具有像這樣的構成的顯示裝置中，在不驅(qū)動電子束源的狀態(tài)下給陽極電極8施 加加速電勢Va，并且，施加的加速電勢Va逐漸增大。然后，獲得顯示裝置開始放電時的電壓 Vb。圖4A是示出Vb、Ll和L2的關系的示圖，圖4B是示出L2被固定于Imm的情況下(沿 圖4A所示的4B-4B線的狀態(tài))的Vb和Ll的關系的示圖，圖4C是示出Ll被固定于Imm的 情況下(沿圖4A所示的4C-4C線的狀態(tài))的Vb和L2的關系的示圖。從這些示圖可以理 解，當Ll彡0并且L2彡0時，即，當陽極電極8和電勢限定電極11的相互相對的端部8a和 Ila位于間隔件4的凹陷部分12和面板1之間的空間中時，對于放電的耐壓增大。然后，當 以加速電勢Va = IOkV驅(qū)動滿足這種條件的顯示裝置時，沒有觀察到任何的放電，并且，確 認通過所述顯示裝置獲得的圖像質(zhì)量是令人滿意的。(例子2)除了間隔件配有電極膜13a和13b以外，例子2中的構成與例子1中的 構成相同。電極膜13a是與陽極電極8和電勢限定電極11接觸并由此與它們電連接的鎢 電極。類似地，電極膜13b是與后板2的圖像區(qū)域內(nèi)的電極(即，X方向布線Dxl至Dxm)接 觸并由此與它們電連接的鎢電極。這里，通過濺射形成各自的鎢電極。與例子1同樣，在本例子中也設定坐標軸并且分別定義SP1、SP2、FPU FP2、Ll和 L2。并且，形成如下樣品在所述樣品中，凹陷部分12的尺寸和位置已被調(diào)整，以分別將Ll 和L2設為-3mm、-2mm、-1mm、-0. 2mm、0mm、l_和2mm。在任一種情況下，間隔件4的電極膜 13a延伸直到凹陷部分12的上面的兩個端部并在那里終止。在具有像這樣的構成的顯示裝置中，在不驅(qū)動電子束源的狀態(tài)下給陽極電極8施 加加速電勢Va，并且，施加的加速電勢Va逐漸增大。然后，獲得顯示裝置開始放電時的電 壓Vb。結(jié)果，獲得與圖4A至4C所示的效果相同的效果。更具體而言，可以理解，當Ll彡0 并且L2彡0時，即，當陽極電極8和電勢限定電極11的相互相對的端部8a和Ila位于間 隔件4的凹陷部分12和面板1之間的空間中時，對于放電的耐壓增大。然后，當以加速電 勢Va = IOkV驅(qū)動滿足相關條件的顯示裝置時，沒有觀察到任何的放電，并且，確認通過所 述顯示裝置獲得的圖像質(zhì)量是令人滿意的。(例子3)在例子3中，例子1中描述的Ll和L2的值分別被設為200μ m和1200 μ m，并且，改變凹陷部分的尺寸以及陽極電極和電勢限定電極的物理關系，以使得第 三實施例中描述的自fpl的垂直線的長度d為85 μ m。即，其它方面與例子1中的相同，由 此形成具有間隔件的顯示裝置。給陽極電極施加加速電勢Va = 25kV，并且，給電勢限定電 極施加接地電勢。結(jié)果，沒有觀察到任何的放電，沒有觀察到作為放電的前兆現(xiàn)象的微放 電，并且，確認能夠穩(wěn)定地施加高電壓。 雖然已參照示例性實施例描述了本發(fā)明，但應理解，本發(fā)明不限于公開的示例性 實施例。所附的權利要求的范圍應被賦予最寬的解釋，以包含所有這樣的修改以及等同的 結(jié)構和功能。
權利要求
1.一種顯示裝置，包括后板，所述后板具有電子發(fā)射器件；面板，所述面板與所述后板相對，并具有以比所述電子發(fā)射器件的電勢高的電勢限定 的陽極電極、和位置離開所述陽極電極并以比所述陽極電極的電勢低的電勢限定的電勢限 定電極；和板狀的間隔件，所述板狀的間隔件至少包含絕緣性基材部件、被布置在所述后板和所 述面板之間、并具有與所述面板相對的面，所述面與所述陽極電極和所述電勢限定電極部 分地接觸，其中，所述絕緣性基材部件在所述面中具有凹陷部分，并且，所述凹陷部分通過間隙與 所述面板的在所述陽極電極和所述電勢限定電極之間的部分相對，所述陽極電極的在所述電勢限定電極側(cè)的端部的位置比所述凹陷部分的在所述陽極 電極側(cè)的邊緣更接近所述電勢限定電極，并且所述電勢限定電極的在所述陽極電極側(cè)的端部的位置比所述凹陷部分的在所述電勢 限定電極側(cè)的邊緣更接近所述陽極電極。
2.根據(jù)權利要求1的顯示裝置，其中所述間隔件還包含設置在所述絕緣性基材部件上的電極膜，所述電極膜構成所述面的 一部分并與所述陽極電極接觸，并且所述電極膜的端部與所述凹陷部分的在所述陽極電極側(cè)的邊緣聯(lián)接。
3.根據(jù)權利要求1或2的顯示裝置，其中所述凹陷部分的在所述陽極電極側(cè)的邊緣為spl，所述陽極電極的在所述電勢限定電 極側(cè)的端部為fpl，所述電勢限定電極的在所述陽極電極側(cè)的端部為fp2，從所述端部fpl 向與所述后板垂直的方向引出的線與所述凹陷部分的表面相交的點是X，所述邊緣spl和 所述端部fpl之間的距離為L、所述端部fpl和所述端部fp2之間的距離為G，并且所述端 部fpl和所述點X之間的距離為d，并且它們滿足 O < L 彡 0. IX G 和 12° 彡 arctan(d/L) < 90°。
4.根據(jù)權利要求3的顯示裝置，其中，距離L滿足0< LS 0.05 X G。
5.根據(jù)權利要求2的顯示裝置，其中，所述凹陷部分的深度為所述電極膜的厚度的十 倍或更大。
6.根據(jù)權利要求2的顯示裝置，其中，所述凹陷部分的深度為所述電極膜的厚度的100 倍或更大。
7.根據(jù)權利要求5的顯示裝置，其中，所述電極膜的厚度為Iym或更小。
8.根據(jù)權利要求1、2、5、6和7中的任一頂?shù)娘@示裝置，其中，所述凹陷部分的深度為 10 μ m或更大。
9.根據(jù)權利要求3的顯示裝置，其中，所述凹陷部分的深度為IOym或更大。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，所述顯示裝置包括具有電子發(fā)射器件的后板；具有陽極電極和電勢限定電極的面板；以及在后板和面板之間與陽極電極和電勢限定電極相對的板狀間隔件。間隔件的絕緣性基材部件具有凹陷部分，所述凹陷部分與陽極電極、電勢限定電極以及面板的在陽極電極和電勢限定電極之間的部分相對。因此，可以抑制間隔件和陽極電極之間以及間隔件和電勢限定電極之間的放電。
文檔編號H01J29/86GK102005355SQ201010261298
公開日2011年4月6日 申請日期2010年8月23日 優(yōu)先權日2009年8月26日
發(fā)明者羽山彰, 角田浩一 申請人:佳能株式會社