專利名稱：：磁控管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于微波爐等的磁控管裝置，特別涉及配置于濾波箱內(nèi)的扼流圈。
背景技術(shù)：
：磁控管具有振蕩部、輸入部、以及輸出部，其中，振蕩部包括由陽(yáng)極圓筒和配置于其內(nèi)側(cè)的多個(gè)翼片構(gòu)成的陽(yáng)極部；配置于該陽(yáng)極軸即管軸的燈絲的陰極部；以及配置于陽(yáng)極圓筒的兩個(gè)端面的一對(duì)極片，輸入部具有對(duì)貫通振蕩部的其中一個(gè)極片而延伸的陰極引線進(jìn)行支承的芯柱，輸出部包含貫通振蕩部的另一個(gè)極片而延伸的天線。極片用永磁體夾住,使得磁通量集中于陽(yáng)極部和陰極部之間的作用空間。若從輸入部向陰極提供燈絲電流，并對(duì)陽(yáng)極部和陰極部之間施加電壓，則磁控管進(jìn)行微波振蕩，從輸出部輸出微波。微波爐用的微波頻率為2450MHz。由于振蕩輸出的一部分從輸入部泄漏會(huì)造成外部設(shè)備的干擾，所以利用濾波箱屏蔽輸入部來防止電波泄漏。振蕩輸出的不僅僅是2450MHz的基波，還會(huì)因電子干擾等而振蕩產(chǎn)生寬頻帶的電波，濾波箱也阻止這些電波的泄漏。濾波箱具有兼作為與外部電源連接的外部輸入端子的一對(duì)貫通電容器，箱內(nèi)配置有分別將一對(duì)陰極輸入芯柱端子和各貫通電容器串聯(lián)連接的一對(duì)扼流圈。各扼流圈通過將具有鐵氧體磁芯的線圈狀的磁芯型電感器和空芯線圈的空芯型電感器串聯(lián)連接而形成，構(gòu)成的銅線的繞線線徑為1.41.6mm，設(shè)兩個(gè)電感器的內(nèi)徑相同，鐵氧體磁芯的截面積為1530mm2。上述數(shù)值的設(shè)定是考慮下述情況而決定的(參照專利文獻(xiàn)1)。構(gòu)成濾波電路的扼流圈將從陰極部泄漏的微波以熱的形式消耗。因此，當(dāng)泄漏輸出增大時(shí)，扼流圈有可能燒毀。另外，若由于過熱使得鐵氧體磁芯的導(dǎo)磁率降低，則電感下降，微波的泄漏增大。還有，空芯電感器通過使泄漏波的最大分量即2450MHz的基波的駐波的最大振幅部位于該電感器內(nèi)而使之衰減，使其無法到達(dá)磁芯型電感器，從而減輕磁芯型電感器的負(fù)擔(dān)。專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2002-343263號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容由以上可知，為了散熱或降低泄漏功率，希望使扼流圈大型化，但由于大型化會(huì)使得扼流圈靠近濾波箱內(nèi)壁而發(fā)生放電，因此，不能減小濾波箱的尺寸。電感器的繞線(線圈)的電阻R為R(Q^p(L/A)(p:Q'm、L:繞線長(zhǎng)度(m)、A:繞線截面積(m2))，若是繞線的線徑變細(xì)，則繞線的電阻增大，扼流圈溫度上升。從外部電源提供的陰極燈絲電流為9.012.0A，該電流與泄漏微波的電流疊加。為了緩和溫度的上升，雖然可以縮短繞線長(zhǎng)度L來降低電阻值，但由于扼流圈的電感變小，因此使得微波的泄漏增大。另外，若僅縮短空芯型電感器，則微波的基波的駐波在磁芯型電感器的位置處振幅變大，損壞磁芯型電感器的線圈的繞線。再者，使磁控管工作不穩(wěn)定的因素之一為回?zé)?陰極逆沖擊)?；?zé)崾侵笍臒艚z陰極發(fā)射的熱電子的一部分從振蕩微波獲得能量而返回到燈絲的現(xiàn)象。設(shè)相對(duì)于施加規(guī)定的加熱電壓時(shí)的燈絲電流If(安培)，在某一特定負(fù)載下振蕩時(shí)的燈絲電流為Ifb(安培)，此時(shí)回?zé)醊)用Ifb/IfxlOO(。/。)表示，意味著回?zé)?％)的值越小，返回到陰極的電子越多。雖然回?zé)釙?huì)隨著輸出負(fù)載而發(fā)生很大的變動(dòng)，但在上述磁控管構(gòu)造中，從經(jīng)驗(yàn)上來看希望回?zé)岬淖钚≈凳窃?0%以上。通過增大扼流圈、并增大濾波箱，能夠維持這個(gè)值。但是，增大濾波箱相對(duì)于磁控管主體的容積，將妨礙了小型化，并且妨礙了扼流圈的成本降低。本發(fā)明的目的在于獲得一種能夠確保所期望的回?zé)嶂?、并且能使濾波箱小型化的磁控管用扼流圈。本發(fā)明獲得一種磁控管裝置，該磁控管裝置包括配置成覆蓋磁控管主體的陰極端子的濾波箱；收納于該濾波箱內(nèi)的扼流圈，該扼流圈由具有磁芯的磁芯型電感器和空芯型電感器串聯(lián)連接形成，所述空芯型電感器與所述陰極端子連接；以及與該扼流圈的所述磁芯型電感器連接的貫通型電容器，該貫通型電容器與所述扼流圈一起構(gòu)成濾波電路，并貫通所述濾波箱，所述磁芯型電感器和所述空芯型電感器的線圈的線徑為1.01.4mm，所述磁芯的截面積為516mm2，空芯型電感器的線圈的圈數(shù)T為55<2ti((D+A)/2)T《90，其中，所述線圈的線徑A(mm)，所述磁芯直徑D(mm)。本發(fā)明能夠確保所期望的回?zé)嶂?，并且能使濾波箱小型化。圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的磁控管的截面圖。圖2是從n-n線沿箭頭方向看圖i的濾波箱內(nèi)的俯視圖。圖3表示將本發(fā)明的實(shí)施例與以往構(gòu)造的濾波箱進(jìn)行對(duì)比的大致截面圖。圖4是實(shí)施例1和比較例2、4的回?zé)?％)相對(duì)于輸出側(cè)的相位的曲線圖、以及將磁芯直徑、線圈線徑、空芯型電感器的圈數(shù)、式(l)的數(shù)值進(jìn)行對(duì)比的圖。圖5是實(shí)施例4和比較例4的回?zé)?％)相對(duì)于輸出側(cè)的相位的曲線圖、以及將磁芯直徑、線圈線徑、空芯型電感器的圈數(shù)、式(l)的數(shù)值進(jìn)行對(duì)比的圖。圖6是實(shí)施例3、6和比較例3的回?zé)?％)相對(duì)于輸出側(cè)的相位的曲線圖、以及將磁芯直徑、線圈線徑、空芯型電感器的圈數(shù)、式(l)的數(shù)值進(jìn)行對(duì)比的圖。圖7是實(shí)施例3、7和比較例5、6的回?zé)?％)相對(duì)于輸出側(cè)的相位的曲線圖、以及將磁芯直徑、線圈線徑、空芯型電感器的圈數(shù)、式(l)的數(shù)值進(jìn)行對(duì)比的圖。標(biāo)號(hào)說明10:磁控管主體11:陽(yáng)極部12:陽(yáng)極圓筒14:陰極部15:燈絲18:陰極中間引線19:陰極側(cè)面引線30:輸入部40:輸出部31:濾波箱32:陶瓷芯柱33:陰極端子34:貫通電容器35:扼流圈36:磁芯型電感器36a:磁芯37:空芯型電感器具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是用于微波爐的磁控管的截面圖。陽(yáng)極部11由陽(yáng)極圓筒12、和從該陽(yáng)極圓筒12的內(nèi)周面向管軸突出的多個(gè)翼片13形成。陰極部14設(shè)置于磁控管的管軸k，該陰極部14由燈絲15、和在其兩端通過端帽16、17連接的陰極中間引線18和陰極側(cè)面引線19構(gòu)成。翼片的前端設(shè)置成與燈絲15保持預(yù)定的間隔，該預(yù)定間隔的環(huán)狀空間23形成作用空間。在陽(yáng)極圓筒12的管軸方向的兩個(gè)端部相對(duì)地設(shè)置有一對(duì)漏斗狀、研缽狀的極片20、21，使其夾著作用空間，并且在該極片20、21的各自的管軸m方向朝外的一方，設(shè)置用于提供燈絲施加用電流及磁控管驅(qū)動(dòng)用高壓的輸入部30、和包括用于傳輸并發(fā)射微波的天線引線41的輸出部40，由此構(gòu)成磁控管主體IO。天線引線41的一端與陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之一的翼片13連接，另一端沿管軸向外延伸。另外，由一對(duì)鐵氧體形成的環(huán)狀永磁體50、51通過磁路向翼片13和燈絲15之間形成的作用空間23提供磁場(chǎng)，該磁路是通過分別將環(huán)狀永磁體50、51各自的一個(gè)極片面與極片20、21磁耦合、將另一個(gè)極片面與強(qiáng)磁體形成的截面為"-"字形狀的框狀磁軛52、53磁耦合而構(gòu)成的。圖2表示覆蓋磁控管的輸入部30的濾波箱31及濾波箱部分的內(nèi)部。輸入部30由支承陰極中間引線18和陰極側(cè)面引線19的陶瓷芯柱32、和與所述各引線連接的陰極端子33、33構(gòu)成。在濾波箱31的壁部分安裝有雙端子的貫通電容器34、34，在位于濾波箱31的中間部分的陰極端子33、33和貫通電容器34、34之間，各扼流圈35、35串聯(lián)連接，電容器及扼流圈構(gòu)成濾波電路。一對(duì)扼流圈35、35具有磁芯型電感器36和空芯型電感器37的串聯(lián)連接結(jié)構(gòu)，其中，磁芯型電感器36由具有鐵氧體等圓柱形磁芯36a的線圈構(gòu)成，空芯型電感器37由空芯線圈構(gòu)成，空芯型電感器37—側(cè)通過預(yù)定長(zhǎng)度的彎曲布線38與陰極端子33連接，磁芯型電感器36—側(cè)與貫通電容器34的端子34a連接。在上述結(jié)構(gòu)中，通過陰極端子33、33而泄漏的微波中，2450MHz的基波分量最大，包括彎曲布線38在內(nèi)而設(shè)定扼流圈的長(zhǎng)度，使得相當(dāng)于基波的1/4波長(zhǎng)的位置、泄漏微波的振幅最大的位置位于空芯型電感器37內(nèi)。這種情況下，大多數(shù)泄漏的微波被空芯型電感器37吸收。由于空芯型電感器37能夠利用周圍的空氣等進(jìn)行冷卻，所以通過使疏繞的空芯型電感器部的最大發(fā)熱部遠(yuǎn)離磁芯型電感器36，從而可以抑制磁芯型電感器36的發(fā)熱，防止扼流圈35、35的電感降低。本發(fā)明設(shè)定為，構(gòu)成扼流圈的磁芯型電感器及空芯型電感器的線圈的線徑為1.01.4mm，磁芯型電感器的磁芯的截面積為516mm2，空芯型線圈的圈數(shù)T的關(guān)系為55<2兀((D十A)/2)T《90......(1)其中，線圈線徑A(mm)，磁芯直徑D(mm)。之所以使空芯型電感器的線圈線徑為1.01.4mm，是由于若線徑較細(xì)，則強(qiáng)度降低或電阻升高，導(dǎo)致溫度上升，若線徑較粗，則不利于線圈的小型化，還會(huì)導(dǎo)致成本增加。本發(fā)明通過使其為1.4mm以下，可以維持與以往線圈同等的特性，并且使線圈小型化。之所以使磁芯型電感器的磁芯的截面積為516mm2，是由于若截面積縮小到5mr^以下，則磁通密度變高而達(dá)到飽和磁通，使得噪聲特性變差，并且回?zé)嶂祼夯６?，由于鐵氧體形成的磁芯在機(jī)械上較脆弱，所以細(xì)磁芯的制造性能較低。若增大截面積，則不利于線圈的小型化。通常，用相同直徑的銅線將空芯型電感器和磁芯型電感器形成為一體，各線圈的內(nèi)徑相同。此外，也可以改變各線圈的內(nèi)徑而進(jìn)行組合。磁芯的截面積為516mr^相當(dāng)于圓柱形磁芯的直徑(D)為2.54.5mm，實(shí)質(zhì)上與線圈內(nèi)徑相同。式(l)的下限數(shù)值50規(guī)定了提供適當(dāng)?shù)幕責(zé)崽匦缘姆秶?，上限?shù)值90是避免扼流圈大型化的實(shí)用值。若采用本實(shí)施方式，則與以往的構(gòu)造相比，通過將線圈的線徑變細(xì)并縮小構(gòu)成磁芯的圓柱形鐵氧體磁芯的截面積，可以縮短巻繞于磁芯型電感器36的線圈長(zhǎng)度，并且使電感與線圈直徑較大的以往構(gòu)造相同。另外，通過使泄漏微波的駐波的最大振幅部位于空芯型電感器37內(nèi)并遠(yuǎn)離磁芯型電感器，使得與磁芯型電感器36連接的位置37a處的振幅較小，從而減輕對(duì)磁芯型電感器的影響。下面，說明實(shí)施例。在各例中，使空芯型電感器疏繞，線圈線間間隔為lmm以下，使磁芯型電感器的線圈密繞。兩個(gè)線圈之間的間隔為3mm。由于空芯型電感器的疏繞可通過空氣冷卻來抑制溫度上升，而若將線間間隔擴(kuò)大得過大，則會(huì)使扼流圈大型化，因此，線間間隔以lmm以下為佳。(實(shí)施例l)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.4mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=3;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為4.5mm(截面積為15.9mm2)。此外，空芯型電感器和磁芯型電感器的內(nèi)徑都是相同的4.5mm。這種情況下，式(l)中的2兀((D+A)/2)T為91.6，滿足式(l)。(實(shí)施例2)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.;空芯型電感器的圈數(shù)T=5;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為3mm(截面積為7.065mm2)。此外，空芯型電感器和磁芯型電感器的內(nèi)徑都是相同的3mm。這種情況下，式(l)中的2ti((D+A)/2)T為62.8。(實(shí)施例3)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.2mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=5;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為3mm(截面積為7.065mm2)。此外，空芯型電感器和磁芯型電感器的內(nèi)徑都是相同的3mm。這種情況下，式(l)中的2兀((D+A)/2)T為65.9。(實(shí)施例4)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.2mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=4;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為4.5mm(截面積為15.9mm2)。此外，空芯型電感器和磁芯型電感器的內(nèi)徑都是相同的4.5mm。這種情況下，式(l)中的2兀((D+A)/2)T為71.6。(實(shí)施例5)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.4mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=4;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為4.5mm(截面積為15.9mm2)。此外，空芯型電感器和磁芯型電感器的內(nèi)徑都是相同的4.5mm。這種情況下，式(l)中的2兀((D+A)/2)T為74.1。(實(shí)施例6)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.2mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=6;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為3mm(截面積為7.065mm2)。此外，空芯型電感器和磁芯型電感器的內(nèi)徑都是相同的3mm。這種情況下，式(l)中的2兀((D+A)/2)T為79.1。(實(shí)施例7)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.2mm;空芯型電感器的圈數(shù)T-6;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為3mm(截面積為7.065mm2)。此外，空芯型電感器和磁芯型電感器的內(nèi)徑都是相同的3mm。這種情況下，式(l)中的2ti((D+A)/2)T為79.1。(比較例l)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.0mm;空芯型電感器的圈數(shù)T-4;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為3mm(截面積為7.065mm2)。這種情況下的2兀((D+A)/2)T為50.2，不滿足式子。(比較例2)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.0mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=3;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為4.5mm(截面積為15.9mm2)。2;t((D+A)/2)T為51.8。(比較例3)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.2mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=4;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為3mm(截面積為7.065mm2)。2tc((D+A)/2)T為52.8。(比較例4)制作以下扼流圈繞線線徑A4.2mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=3;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為4.5mm(截面積為15.9mm2)。2ti((D+A)/2)T為53.7。(比較例5)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.2mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=5;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為2mm(截面積為3.14mm2)。2兀((D+A)/2)T為50.8。(比較例6)制作以下扼流圈繞線線徑A-1.2mm;空芯型電感器的圈數(shù)T=6;磁芯型電感器的鐵氧體磁芯的直徑為2mm(截面積為3.14mm2)。2兀((D+A)/2)T為60.3。表1表示上述實(shí)施例17及比較例16中的式(l)的數(shù)值和各回?zé)嶙钚≈怠?lt;table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>回?zé)崾侵笍拇趴毓艿年帢O發(fā)射出的電子因高頻電場(chǎng)而返回到陰極、使得陰極逆加熱的現(xiàn)象。圖4圖7表示上述表1中的一個(gè)例子的回?zé)嶂档淖兓?，具體是指在對(duì)輸出天線加了負(fù)載的波導(dǎo)管中配置負(fù)載，作為2450MHz振蕩的微波爐用磁控管的輸出負(fù)載條件，將位置從170mm改變到250mm(相當(dāng)于雷基圖(Riekediagram)的一周以上)，使得反射波的相位發(fā)生變化，圖4圖7表示此時(shí)的回?zé)嶂底兓?。圖4是用圖表表示上述表1中的磁芯直徑及空芯型電感器的圈數(shù)相同的情況下而線圈線徑不同的比較例2、4及實(shí)施例1的回?zé)嶂??？芍?，若線圈的線徑變細(xì)，則回?zé)釔夯?。如圖所示，若回?zé)嶂狄韵Ｍ?0%為基準(zhǔn)，則比較例2及4在基準(zhǔn)值以下，實(shí)施例1超過基準(zhǔn)值。實(shí)施例1的式(l)的數(shù)值在55以上。由圖示可知，實(shí)施例1中，相對(duì)于負(fù)載的相位變化，維持90%的回?zé)嶂担鄬?duì)于相位變化保持穩(wěn)定，但比較例2、4雖然有一部分超過90%,可是最小值在90%以下，相對(duì)于相位變化發(fā)生較大的變動(dòng)。即，回?zé)嶂翟?0%以上表示相對(duì)于相位變動(dòng)而磁控管的工作是穩(wěn)定的。圖5表示比較例4和實(shí)施例4的例子，它們的磁芯直徑都是4.5mm，空芯型電感器的線圈線徑都是1.2mm，但空芯型線圈的圈數(shù)不同。表示若增加線圈數(shù)，則回?zé)岬那闆r得到改善。實(shí)施例4的數(shù)值為71.6。圖6同樣地表示磁芯直徑和空芯型電感器的線徑相同而空芯型電感器的圈數(shù)不同的例子(比較例3、實(shí)施例3及實(shí)施例6)。與比較例3相比，實(shí)施例3及實(shí)施例6中，回?zé)岬淖钚≈党^90%。但實(shí)施例6的圈數(shù)多于實(shí)施例3，回?zé)嶂祬s比實(shí)施例的差，與圖5所示的例子相比，圈數(shù)受磁芯直徑的限制。例如，若實(shí)施例6中圈數(shù)為7，則回?zé)嶂档淖钚≈祫t變?yōu)?0%以下，這種情況下式(l)的數(shù)值為92。另外，空芯型電感器的線圈長(zhǎng)度變長(zhǎng)。圖7是表示空芯型電感器的繞線線徑都是1.2mm的情況下、但磁芯直徑不同的實(shí)施例3、實(shí)施例7與比較例5、比較例6對(duì)比的圖表，其中實(shí)施例3和實(shí)施例7的磁芯直徑為3mm，比較例5和比較例6的磁芯直徑為2mm。磁芯直徑為2mm(磁芯截面積為3.14mm"的回?zé)嶂禈O差。比較例6雖然滿足式(l)，但是磁芯截面積的條件不滿足。需要使磁芯直徑為2.5mm以上(磁芯截面積5mm2)。圖3是說明本實(shí)施方式與以往的濾波箱的尺寸差異，表示因扼流圈尺寸的不同導(dǎo)致箱內(nèi)部的間隔寬度發(fā)生變化。圖右側(cè)為本實(shí)施方式，圖左側(cè)為以往的構(gòu)造。在以往的構(gòu)造中，由于為了維持扼流圈35A和收納這些扼流圈的濾波箱31A的壁面之間的絕緣距離B，必須將B維持在6mm以上的間隔，因此，若設(shè)扼流圈35A的線圈直徑為以往通常的10mm，則濾波箱內(nèi)壁的寬度為42mm。對(duì)此，若采用本發(fā)明的例如實(shí)施例2，則鐵氧體磁芯的直徑為3mm，設(shè)線圈線徑為lmm，從而扼流圈35的直徑為5mm，濾波箱31內(nèi)壁的間隔寬度縮小為37mm。發(fā)明人用數(shù)學(xué)式表達(dá)的式(l)表示下述扼流圈構(gòu)造即，使扼流圈的線徑細(xì)至1.01.4mm、使磁芯的截面積小至516mri^時(shí)，可以獲得90%以上的回?zé)嶂刀蛊浞€(wěn)定工作。因而，若采用本發(fā)明，可以獲得提高磁控管工作的可靠性、抑制扼流圈溫度上升、使扼流圈小型化、降低扼流圈的成本、使濾波箱小型化的效果。權(quán)利要求1.一種磁控管裝置，其特征在于，包括配置成覆蓋磁控管主體的陰極端子的濾波箱；收納于該濾波箱內(nèi)的扼流圈，該扼流圈由具有磁芯的磁芯型電感器和空芯型電感器串聯(lián)連接形成，且所述空芯型電感器與所述陰極端子連接；以及與該扼流圈的所述磁芯型電感器連接的貫通型電容器，該貫通型電容器與所述扼流圈一起構(gòu)成濾波電路，并貫通所述濾波箱，所述磁芯型電感器和所述空芯型電感器的線圈線徑為1.0～1.4mm，所述磁芯的截面積為5～16mm2，空芯型電感器的線圈的圈數(shù)T為55＜2π((D+A)/2)T≤90，其中，所述線圈的線徑A(mm)，所述磁芯的直徑D(mm)。2.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于，所述陰極端子與空芯型電感器之間通過布線連接，該布線的長(zhǎng)度為2025mm，空芯型電感器為疏繞，線間間隔在lmm以下。3.如權(quán)利要求1所述的磁控管裝置，其特征在于，所述磁控管磁芯為鐵氧體磁芯。全文摘要本發(fā)明提供一種磁控管，它既能縮小扼流圈的線徑和磁芯的截面積，又能確保所期望的回?zé)嶂?，還能使濾波箱小型化。該磁控管裝置的扼流圈(35)收納于配置成覆蓋磁控管主體(10)的陰極端子(33)的濾波箱(31)內(nèi)，通過將具有磁芯(36a)的磁芯型電感器(36)和空芯型電感器(37)串聯(lián)連接而形成，在該扼流圈(35)中，磁芯型電感器和空芯型電感器的線圈的線徑為1.0～1.4mm，磁芯的截面積為5～16mm<sup>2</sup>，空芯型電感器的線圈的圈數(shù)T為55＜2π((D+A)/2)T≤90，其中，線圈的線徑A(mm)，磁芯直徑D(mm)。文檔編號(hào)H01J25/50GK101635244SQ20091016053公開日2010年1月27日申請(qǐng)日期2009年7月22日優(yōu)先權(quán)日2008年7月23日發(fā)明者土肥早百合申請(qǐng)人:東芝北斗電子株式會(huì)社