掩膜的制作方法

本發(fā)明是有關于一種掩膜，且特別是有關于一種精細金屬掩膜(finemetalmask)。

背景技術：

隨著科技的進步，顯示設備例如是有機發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)顯示器或液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)的屏幕尺寸也越做越大。為了制作這些大尺寸的顯示器，在形成圖案化的導線或像素時，必須使用大面積的掩膜，圖1是一種現(xiàn)有的的掩膜10的上視示意圖，掩膜10具有多個通孔op1。

然而，使用大面積的掩膜時，當撐開掩膜的時后，掩膜的中間容易受到重力而下垂，使掩膜的中間變形，導致借由掩膜所形成的像素圖案也跟著變形，影響顯示設備的質(zhì)量。因此，目前亟需一種能解決前述問題的掩膜。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種掩膜，在撐開時不會有明顯的變形。

本發(fā)明的一種掩膜包含多個第一島狀物以及多個第二島狀物。多個第二島狀物連接多個第一島狀物且與多個第一島狀物在行列方向上皆交錯排列。每兩個鄰近的第一島狀物與對應的兩個第二島狀物之間夾有通孔。第一島狀物的頂面面積大于第二島狀物的頂面面積。

其中，該些第一島狀物以及該些第二島狀物沿著一第一方向以及一第二方向交錯排列，該第一方向與該第二方向之間的夾角大于0度且小于等于90度。

其中，每一該第一島狀物的側(cè)壁具有一第一坡度，且每一該第二島狀物的側(cè)壁具有一第二坡度，該第一坡度大于該第二坡度。

其中，該第一坡度介于60度與80度之間，且該第二坡度介于30度與50度之間。

其中，每一該第一島狀物的頂面面積與底面面積的比值介于0.3與0.4之間，且每一該第二島狀物的頂面面積與底面面積的比值介于0.05與0.1之間。

其中，每兩個鄰近的該些第一島狀物的頂面邊緣之間的最大距離小于每兩個鄰近的該些第二島狀物的頂面邊緣之間的最大距離。

其中，該些第一島狀物與該些第二島狀物的材料包括金屬。

其中，該通孔的底面形狀與該通孔的頂面形狀不相同。

其中，該些第一島狀物的厚度等于該些第二島狀物的厚度。

基于上述，本發(fā)明的掩膜包括交錯排列的多個第一島狀物以及多個第二島狀物，且第一島狀物與第二島狀物的頂面面積不同，因此，掩膜在撐開時，掩膜的中間不會有明顯的變形。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1是一種現(xiàn)有的掩膜的上視示意圖。

圖2a是依照本發(fā)明的一實施例的一種掩膜的上視示意圖。

圖2b是依照本發(fā)明的一實施例的一種掩膜的下視示意圖。

圖2c是沿圖2a中剖線aa’的剖面示意圖。

圖2d是沿圖2a中剖線bb’的剖面示意圖。

圖3是現(xiàn)有的掩膜與本發(fā)明一實施例的一種掩膜的水平位置與垂直位置的折線圖。

其中，附圖標記：

10、20：掩膜

100：第一島狀物

200：第二島狀物

a1、b1：頂面面積

a2、b2：底面面積

d1：第一方向

d2：第二方向

op1、op2：通孔

d1：第一方向

d1：第一方向

h1、h2：厚度

l1、l2：長度

sw1、sw2：側(cè)壁

ts1、ts2：頂面

bs1、bs2：底面

tw1、tw2、bw1、bw2：最大距離

具體實施方式

圖2a是依照本發(fā)明的一實施例的一種掩膜的上視示意圖。圖2b是依照本發(fā)明的一實施例的一種掩膜的下視示意圖。圖2c是沿圖2a中剖線aa’的剖面示意圖。圖2d是沿圖2a中剖線bb’的剖面示意圖。

請同時參考圖2a～圖2d，在本實施例中，掩膜20包含多個第一島狀物100以及多個第二島狀物200。在一實施例中，第一島狀物100與第二島狀物200的材料包括金屬或其他合適制作為掩膜的材料。在一實施例中，第一島狀物100與第二島狀物200的材料包括鈦、鋁、鉬、銅、鎳、鐵或以上金屬的合金。在一實施例中，形成掩膜10的方法例如為先形成一片平整的金屬，接著利用圖案化工藝于金屬上形成多個通孔op2，圖案化工藝的方式例如金屬化學蝕刻工藝。

第二島狀物200連接第一島狀物100且與第一島狀物100在行列方向上皆交錯排列。在本實施例中，第一方向d1為列的方向，第二方向d2為行的方向，第一島狀物100以及第二島狀物200分別沿著第一方向d1以及第二方向d2交錯排列，第一方向d1與第二方向d2之間的夾角大于0度且小于等于90度，其中以80度到90度較佳。在本實施例中，每個第一島狀物100都被相鄰的四個第二島狀物200環(huán)繞，且每個第二島狀物200都被相鄰的四個第一島狀物100環(huán)繞。

在本實施例中，每個第一島狀物100以及每個第二島狀物200都會沿著第一方向d1以及第二方向d2交錯排列，然而本發(fā)明不以此為限。在其他實施例中，第一島狀物100以及第二島狀物200是以兩個為單位而交替排列，舉例而言，在第一方向d1上，首先是連續(xù)兩個第一島狀物100，接著是連續(xù)兩個第二島狀物200，再來又是連續(xù)兩個第一島狀物100。

如圖2a所示，每兩個鄰近的第一島狀物100與對應的兩個第二島狀物200之間夾有通孔op2。在本實施例中，通孔op2周圍的第一島狀物100與第二島狀物200交錯排列。第一島狀物100、第二島狀物200以及通孔op2共同構成掩膜圖案。

通孔op2的底面形狀與通孔op2的頂面形狀不相同。在一實施例中，通孔op2的底面形狀例如為圓形、近似方形的形狀或其他幾何形狀，通孔op2的頂面形狀例如為近似菱形的形狀。在一實施例中，通孔op2的底面形狀是由弧線所構成之近似于方形的形狀，通孔op2的頂面形狀是由弧線所構成之近似于菱形的形狀。在本實施例中，通孔op2的頂部的開口大小大于通孔op2底部的開口大小。在一實施例中，掩膜20的底面面對欲沉積材料的基板，而掩膜20的頂面面對材料來源，由于掩膜20的通孔op2在頂部的開口較大，因此材料能夠較容易的通過通孔op2而抵達欲沉積材料的基板。

第一島狀物100的頂面面積a1大于第二島狀物200的頂面面積b1。第一島狀物100的頂面面積a1小于第一島狀物100的底面面積a2，第二島狀物200的頂面面積b1小于第二島狀物200的底面面積b2。在一實施例中，第一島狀物100的頂面面積a1與底面面積a2的比值大于第二島狀物200的頂面面積b1與底面面積b2的比值，也就是說，第一島狀物100與第二島狀物200具有b1/b2<a1/a2<1的特征。

在一實施例中，第一島狀物100的底面面積a2與第二島狀物200的底面面積b2大致相等。在一實施例中，第一島狀物100的頂面面積a1與底面面積a2的比值介于0.3與0.4之間，第二島狀物200的頂面面積b1與底面面積b2的比值介于0.05與0.1之間。

在本實施例中，由于第一島狀物100的頂面面積a1大于大于第二島狀物200的頂面面積b1，因此，第一島狀物100能提供較強的支撐力，使掩膜在撐開時不容易變形。請參考圖3，圖3是現(xiàn)有的掩膜與本發(fā)明一實施例的一種掩膜的水平位置與垂直位置的折線圖，其中縱軸代表的是掩膜在垂直方向的位置，橫軸則代表掩膜在水平方向上的位置。圖3中的虛線能顯示現(xiàn)有掩膜(如圖1所示)在撐開時，在垂直掩膜的方向上所出現(xiàn)的皺褶的深度，現(xiàn)有掩膜在撐開時，在垂直掩膜的方向上最大會出現(xiàn)127微米深的皺褶。另一方面，圖3中的實線能顯示本實施例的掩膜在撐開時，在垂直掩膜的方向上所出現(xiàn)的皺褶的深度，相較于相同厚度的現(xiàn)有掩膜，本實施例的掩膜在撐開時，掩膜上產(chǎn)生之皺褶的最大深度減少為107微米，有顯著改善。

第一島狀物100的側(cè)壁sw1具有第一坡度，第一坡度為正切函數(shù)，代表的是第一島狀物100的厚度h1除上側(cè)壁sw1投影至第一島狀物100的底面bs1的長度l1。第二島狀物200的側(cè)壁sw2具有第二坡度，第二坡度為正切函數(shù)，代表的是第二島狀物200的厚度h2除上側(cè)壁sw2投影至第二島狀物200底面bs2的長度l2。在本實施例中，第一坡度大于第二坡度，換句話說，第一島狀物100的側(cè)壁sw1比第二島狀物200的側(cè)壁sw2還要陡。在一實施例中，第一坡度介于60度與80度之間，且第二坡度介于30度與50度之間。在一實施例中，第一島狀物100的厚度h1等于第二島狀物200的厚度h2。在一實施例中，第一島狀物100的厚度h1與第二島狀物200的厚度h2介于10微米與100微米之間。

在一實施例中，每兩個鄰近的第一島狀物100的頂面ts1邊緣之間的最大距離tw1小于每兩個鄰近的第二島狀物200的頂面ts2邊緣之間的最大距離tw2。在一實施例中，每兩個鄰近的第一島狀物100的底面bs1邊緣之間的最大距離bw1等于每兩個鄰近的第二島狀物200的底面bs2邊緣之間的最大距離bw2。

基于上述，本發(fā)明的掩膜20包括交錯排列的多個第一島狀物100以及多個第二島狀物200，且第一島狀物100的頂面面積a1與第二島狀物200的頂面面積b1不同，借由頂面面積較大的第一島狀物100提供較大的支撐力，可降低掩膜整體于中央的變形。

綜上所述，本發(fā)明的掩膜包括交錯排列的多個第一島狀物以及多個第二島狀物，且第一島狀物的頂面面積與第二島狀物的頂面面積不同，因此，掩膜在撐開時，掩膜的中間不會有明顯的變形。在本發(fā)明一實施例中，掩膜中的通孔在掩膜頂面具有較大的開口，因此材料能夠較容易從通孔的頂部穿過掩膜。

當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領域的技術人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。