一種觸控顯示面板及其制作方法、顯示裝置與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種觸控顯示面板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

通常，薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，簡稱tft-lcd)包括：陣列基板、彩膜基板、以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶，其中，陣列基板與彩膜基板需要完成對盒工藝，形成液晶盒。

近年來帶有觸控功能的顯示器越來越受到廣大使用者的追捧，現(xiàn)有技術(shù)中的可觸控顯示面板通常在彩膜基板的最外層直接貼附一層具有觸控功能的觸控屏來實(shí)現(xiàn)觸控功能。

圖1為現(xiàn)有觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，在液晶盒中的彩膜基板的基底1表面上直接鍍一層透明導(dǎo)電層2作為觸控屏。當(dāng)觸控顯示面板處于點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，即光源從液晶盒內(nèi)射出時(shí)，由于透明導(dǎo)電層2的折射率大于基底1的折射率，因此對于一定厚度的透明導(dǎo)電層，即使不考慮透明導(dǎo)電層對光源的吸收，也會(huì)存在透過率下降的問題。一般來說，在可見光內(nèi)，波長為550納米的綠光對觸控顯示面板的刺激最高，提升觸控顯示面板的透過率主要是提升波長550納米的綠光的透過率，降低其反射率。其中，反射率的公式為其中r為透明導(dǎo)電層的反射率，6為相位差，d0為透明導(dǎo)電層的厚度，由上述公式可知，當(dāng)透明導(dǎo)電層的厚度滿足條件d0＝550k/4(k＝1、2、3、……)時(shí)，透明導(dǎo)電層的透過率最高，反射率較低。

然而，若采用上述厚度的透明導(dǎo)電層，雖然提高了觸控顯示面板處于點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)的透過率，但是當(dāng)觸控顯示面板處于不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，在外界光的作用下，由于透明導(dǎo)電層的厚度針對波長為550納米的綠光透過率最大，而紅光和藍(lán)光的反射率較多，導(dǎo)致觸控顯示面板會(huì)出現(xiàn)屏幕發(fā)紫的問題，極大的影響了觸控顯示面板的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種觸控顯示面板及其制作方法、顯示裝置，能夠避免觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕發(fā)紫的問題，提高觸控顯示面板的質(zhì)量。

為了達(dá)到本發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種觸控顯示面板，包括：基底、形成在基底第一表面的黑矩陣和形成在基底第二表面的觸控層；其中，觸控層包括觸控電極和強(qiáng)化綠光反射的電極塊。

進(jìn)一步地，觸控電極設(shè)置在基底的第二表面上，電極塊設(shè)置在觸控電極上，

或者，觸控電極和電極塊為一體結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，電極塊在基底上的正投影與黑矩陣在基底上的正投影重合。

進(jìn)一步地，觸控電極與電極塊的厚度之和d滿足d＝550k/8，k＝1、3、5、……。

進(jìn)一步地，觸控電極的厚度滿足nd1＝0.5kλ，其中，d1為觸控電極的厚度，n為觸控電極的折射率，λ為綠光波長，k＝1、2、3、……。

進(jìn)一步地，觸控電極和電極塊的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅或氧化銦鎵錫。

另外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括觸控顯示面板。

另外，本發(fā)明還提供一種觸摸顯示面板的制作方法，包括：

在基底第一表面形成黑矩陣；

在基底第二表面形成包括觸控電極和強(qiáng)化綠光反射的電極塊的觸控層。

進(jìn)一步地，在基底第二表面形成包括觸控電極和電極塊的觸控層，包括：

沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成觸控電極；

沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成電極塊。

進(jìn)一步地，在基底第二表面形成包括觸控電極和電極塊的觸控層，包括：

沉積透明導(dǎo)電薄膜；

通過構(gòu)圖工藝去除電極塊圖案以外區(qū)域部分厚度的透明導(dǎo)電薄膜，形成觸控電極和電極塊。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種觸控顯示面板及其制作方法、顯示裝置，該觸控顯示面板，包括：基底、形成在基底第一表面的黑矩陣和形成在基底第二表面的觸控層；其中，觸控層包括觸控電極和強(qiáng)化綠光反射的電極塊，本發(fā)明的技術(shù)方案通過形成強(qiáng)化綠光反射的電極塊，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，提高了觸控顯示面板對于綠光的反射率，使得外界光射向電極塊反射出來的綠光能夠有效中和外界光射向觸控電極時(shí)反射出來的紅光和綠光，解決了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕發(fā)紫的技術(shù)問題，保證了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕顯示正常，提高了觸控顯示面板的質(zhì)量。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為現(xiàn)有觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示面板的外界光反射示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控顯示面板制作方法的流程圖；

圖6(a)為本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控顯示面板制作方法的示意圖一；

圖6(b)為本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控顯示面板制作方法的示意圖二；

圖6(c)為本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控顯示面板制作方法的示意圖三；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例四提供的觸控顯示面板制作方法的示意圖二。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或微結(jié)構(gòu)的厚度和尺寸被放大?？梢岳斫猓?dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

實(shí)施例一：

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板包括：基底11、形成在基底11第一表面的黑矩陣12和形成在基底第二表面的觸控層；其中，觸控層包括觸控電極13和強(qiáng)化綠光反射的電極塊14。

需要了解的是，本發(fā)明實(shí)施例中提供的觸控顯示面板包括：液晶盒10，其中，液晶盒包括陣列基板、彩膜基板以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶，本實(shí)施例中提到的基底11為彩膜基板中的玻璃基板。其中，基底11的第一表面指的是彩膜基板中的玻璃基板靠近陣列基板的表面，第二表面指的是彩膜基板中的玻璃基板中遠(yuǎn)離陣列基板的表面，即觸控層設(shè)置在液晶盒的外側(cè)。

具體的，觸控電極13設(shè)置在基底11的第二表面上，電極塊14設(shè)置在觸控電極32上。電極塊14并未完全覆蓋觸控電極。當(dāng)觸控顯示面板在點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，來自液晶盒的光線從未被電極塊覆蓋的觸控電極射出，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，外界光射向電極塊以及未被電極塊覆蓋的觸控電極上。

其中，電極塊14在基底11上的正投影與黑矩陣12在基底11上的正投影重合，即電極塊設(shè)置在黑矩陣的正上方，且電極塊與黑矩陣的長寬均相同。本發(fā)明實(shí)施例通過將電極塊只設(shè)置在黑矩陣的正上方，不會(huì)影響出射光和入射光的透過率，可以保證觸控顯示面板在點(diǎn)亮狀態(tài)或不點(diǎn)亮狀態(tài)的透過率。

具體的，在本實(shí)施例中，觸控電極13的厚度d1與電極塊14的厚度d2之和等于d滿足d＝550k/8，k＝1、3、5、……，該厚度的觸控層能夠保證綠光的反射率最大。本發(fā)明通過將觸控電極和電極塊的厚度之和滿足上述公式，可以保證觸控顯示面板不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，射向電極塊的光中的綠光反射率最高。

觸控電極13的厚度滿足nd1＝0.5kλ，其中，d1為觸控電極13的厚度，n為觸控電極13的折射率，λ為綠光波長，k＝1、2、3、……，滿足厚度為d1的觸控電極對于綠光的透過率最高。本發(fā)明通過使用滿足厚度條件的觸控電極可以保證觸控顯示面板對于綠光的透過率最大。

觸控電極13和電極塊14為透明電極，且材料為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅或氧化銦鎵錫。需要說明的是，在本實(shí)施例中，觸控電極13和電極塊14的材料可以相同，也可以不同，具體根據(jù)實(shí)際需求確定，本發(fā)明并不以此為限，需要說明的是，圖2是以觸控電極和電極塊的材料不同為例進(jìn)行說明的。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示面板的外界光反射示意圖，下面結(jié)合圖3具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板的光線反射情況，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，由于觸控電極的厚度使得綠光的透過率較高，紅光和藍(lán)光的反射率較高，因此，射向觸控電極的外界光中的綠光射入液晶盒中，紅光和藍(lán)光反射至觀測者眼中，由于觸控電極與電極塊的厚度使得綠光的反射率較高，紅光和藍(lán)光的透過率較高，因此，射向電極塊的外界光中的綠光反射至觀測者眼中，紅光和藍(lán)光射入液晶盒中。

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板包括：基底、形成在基底第一表面的黑矩陣和形成在基底第二表面的觸控層；其中，觸控層包括觸控電極和強(qiáng)化綠光反射的電極塊，本發(fā)明的技術(shù)方案通過形成強(qiáng)化綠光反射的電極塊，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，提高了觸控顯示面板對于綠光的反射率，使得外界光射向電極塊反射出來的綠光能夠有效中和外界光射向觸控電極時(shí)反射出來的紅光和綠光，解決了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕發(fā)紫的技術(shù)問題，保證了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕顯示正常，提高了觸控顯示面板的質(zhì)量。

實(shí)施例二：

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板包括：基底11、形成在基底11第一表面的黑矩陣12和形成在基底第二表面的觸控層；其中，觸控層包括觸控電極13和強(qiáng)化綠光反射的電極塊14。

需要了解的是，本發(fā)明實(shí)施例中提供的觸控顯示面板包括：液晶盒10，其中，液晶盒包括陣列基板、彩膜基板以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶，本實(shí)施例中提到的基底11為彩膜基板中的玻璃基板。其中，基底11的第一表面指的是彩膜基板中的玻璃基板靠近陣列基板的表面，第二表面指的是彩膜基板中的玻璃基板中遠(yuǎn)離陣列基板的表面，即觸控層設(shè)置在液晶盒的外側(cè)。

具體的，觸控電極13和電極塊14為一體結(jié)構(gòu)，電極塊14并未完全覆蓋觸控電極。當(dāng)觸控顯示面板在點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，來自液晶盒的光線從未被電極塊覆蓋的觸控電極射出，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，外界光射向電極塊以及未被電極塊覆蓋的觸控電極上。

其中，電極塊14在基底11上的正投影與黑矩陣12在基底11上的正投影重合，即電極塊設(shè)置在黑矩陣的正上方，且電極塊與黑矩陣的長寬均相同。本發(fā)明實(shí)施例通過將電極塊只設(shè)置在黑矩陣的正上方，不會(huì)影響出射光和入射光的透過率，可以保證觸控顯示面板在點(diǎn)亮狀態(tài)或不點(diǎn)亮狀態(tài)的透過率。

具體的，在本實(shí)施例中，觸控電極13的厚度d1與電極塊14的厚度d2之和等于d滿足d＝550k/8，k＝1、3、5、……。本發(fā)明通過將觸控電極和電極塊的厚度之和滿足上述公式，可以保證觸控顯示面板不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，射向電極塊的光中的綠光反射率最高。

觸控電極13的厚度滿足nd1＝0.5kλ，其中，d1為觸控電極的厚度，n為觸控電極的折射率，λ為綠光波長，k＝1、2、3、……，滿足厚度為d1的觸控電極對于綠光的透過率最高。本發(fā)明通過使用滿足厚度條件的觸控電極可以保證觸控顯示面板對于綠光的透過率最大。

觸控電極13和電極塊14為透明電極，且材料為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅或氧化銦鎵錫。需要說明的是，在本實(shí)施例中，觸控電極13和電極塊14的材料相同。

下面具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板的光線反射情況，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，由于觸控電極的厚度使得綠光的透過率較高，紅光和藍(lán)光的反射率較高，因此，射向觸控電極的外界光中的綠光射入液晶盒中，紅光和藍(lán)光反射至觀測者眼中，由于觸控電極與電極塊的厚度使得綠光的反射率較高，紅光和藍(lán)光的透過率較高，因此，射向電極塊的外界光中的綠光反射至觀測者眼中，紅光和藍(lán)光射入液晶盒中。

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板包括：基底、形成在基底第一表面的黑矩陣和形成在基底第二表面的觸控層；其中，觸控層包括觸控電極和強(qiáng)化綠光反射的電極塊，本發(fā)明的技術(shù)方案通過形成強(qiáng)化綠光反射的電極塊，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，提高了觸控顯示面板對于綠光的反射率，使得外界光射向電極塊反射出來的綠光能夠有效中和外界光射向觸控電極時(shí)反射出來的紅光和綠光，解決了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕發(fā)紫的技術(shù)問題，保證了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕顯示正常，提高了觸控顯示面板的質(zhì)量。

實(shí)施例三：

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控顯示面板制作方法的流程圖，如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板制作方法，具體包括以下步驟：

步驟100、在基底第一表面形成黑矩陣。

需要了解的是，本發(fā)明實(shí)施例中提供的觸控顯示面板包括：液晶盒，其中，液晶盒包括陣列基板、彩膜基板以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶，本實(shí)施例中提到的基底為彩膜基板中的玻璃基板。其中，基底的第一表面指的是彩膜基板中的玻璃基板靠近陣列基板的表面。

步驟200、在基底第二表面形成包括觸控電極和強(qiáng)化綠光反射的電極塊的觸控層。

需要了解的是，第二表面指的是彩膜基板中的玻璃基板中遠(yuǎn)離陣列基板的表面，即觸控層設(shè)置在液晶盒的外側(cè)。

其中，電極塊在基底上的正投影與黑矩陣在基底上的正投影重合，即電極塊設(shè)置在黑矩陣的正上方，且電極塊與黑矩陣的長寬均相同。本發(fā)明實(shí)施例通過將電極塊只設(shè)置在黑矩陣的正上方，不會(huì)影響出射光和入射光的透過率，可以保證觸控顯示面板在點(diǎn)亮狀態(tài)或不點(diǎn)亮狀態(tài)的透過率。

具體的，觸控電極和電極塊為透明電極，且材料為氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅或氧化銦鎵錫。

具體的，步驟200具體包括：

步驟211、沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成觸控電極。

其中，第一透明導(dǎo)電薄膜的材料為氧化銦錫薄膜、氧化銦鋅薄膜、氧化銦鎵鋅薄膜或氧化銦鎵錫薄膜。

步驟212、沉積第二透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成電極塊。

其中，第二透明導(dǎo)電薄膜的材料為氧化銦錫薄膜、氧化銦鋅薄膜、氧化銦鎵鋅薄膜或氧化銦鎵錫薄膜。

具體的，在本實(shí)施例中，觸控電極的厚度與電極塊的厚度之和d滿足d＝550k/8，k＝1、3、5、……。本發(fā)明通過將觸控電極和電極塊的厚度之和滿足上述公式，可以保證觸控顯示面板不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，射向電極塊的光中的綠光反射率最高。

在本實(shí)施例中，觸控電極的厚度滿足nd1＝0.5kλ，其中，d1為觸控電極的厚度，n為觸控電極的折射率，λ為綠光波長，k＝1、2、3、……，滿足厚度為d1的觸控電極對于綠光的透過率最高。本發(fā)明通過使用滿足厚度條件的觸控電極可以保證觸控顯示面板對于綠光的透過率最大。

下面結(jié)合圖6(a)-圖6(c)，進(jìn)一步地描述本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控顯示面板的制作方法：

步驟301、在基底11的第一表面形成有黑矩陣12的彩膜基板上滴注液晶，并在陣列基板的周邊區(qū)域涂覆封框膠；將陣列基板和彩膜基板對盒，形成液晶盒10，具體如圖6(a)所示。

具體的，步驟301還可以為在陣列基板上滴注液晶，并在基底11的第一表面形成有黑矩陣12的彩膜基板的周邊區(qū)域涂覆封框膠，將陣列基板和彩膜基板對盒，形成液晶盒10。

其中，第一表面為基底靠近陣列基板的表面。

步驟302、在基底11第二表面沉積第一透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成觸控電極13，具體如圖6(b)所示。

其中，第一透明導(dǎo)電薄膜的材料為氧化銦錫薄膜、氧化銦鋅薄膜、氧化銦鎵鋅薄膜或氧化銦鎵錫薄膜。

具體的，本實(shí)施例中采用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、蒸鍍等工藝沉積第一透明導(dǎo)電薄膜。其中，構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。

具體的，觸控電極的厚度滿足nd1＝0.5kλ，其中，d1為觸控電極的厚度，n為觸控電極的折射率，λ為綠光波長，k＝1、2、3、……。

步驟303、在觸控電極13上沉積第二透明導(dǎo)電薄膜140，具體如圖6(c)所示。

其中，第二透明導(dǎo)電薄膜140的材料為氧化銦錫薄膜、氧化銦鋅薄膜、氧化銦鎵鋅薄膜或氧化銦鎵錫薄膜。

本實(shí)施例中采用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、蒸鍍等工藝沉積第二透明導(dǎo)電薄膜。

步驟304、通過構(gòu)圖工藝形成電極塊14，具體如圖2所示。

具體的，構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，具體的，本步驟中的構(gòu)圖工藝采用的是形成黑矩陣的單色調(diào)掩膜板，本發(fā)明通過采用形成黑矩陣的掩模板形成電極塊，使得在形成觸控顯示面板的工藝中無需增加新的掩膜板，降低了工藝成本。

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板制作方法，通過在基底第一表面形成黑矩陣，在基底第二表面形成包括觸控電極和強(qiáng)化綠光反射的電極塊的觸控層，本發(fā)明的技術(shù)方案通過形成強(qiáng)化綠光反射的電極塊，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，提高了觸控顯示面板對于綠光的反射率，使得外界光射向電極塊反射出來的綠光能夠有效中和外界光射向觸控電極時(shí)反射出來的紅光和綠光，解決了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕發(fā)紫的技術(shù)問題，保證了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕顯示正常，提高了觸控顯示面板的質(zhì)量。

實(shí)施例四：

基于上述實(shí)施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供一種觸控顯示面板的制作方法，具體步驟與實(shí)施例三提供的觸控顯示面板的制作方法中的步驟100和步驟200相同，不同之處在于，步驟200包括的具體步驟不同，在本實(shí)施例中，步驟200具體包括：

步驟221、沉積透明導(dǎo)電薄膜。

其中，透明導(dǎo)電薄膜的材料為氧化銦錫薄膜、氧化銦鋅薄膜、氧化銦鎵鋅薄膜或氧化銦鎵錫薄膜

步驟222、通過構(gòu)圖工藝去除電極塊圖案以外區(qū)域部分厚度的透明導(dǎo)電薄膜，形成觸控電極和電極塊。

具體的，在本實(shí)施例中，觸控電極的厚度與電極塊的厚度之和等于預(yù)設(shè)厚度，預(yù)設(shè)厚度滿足公式，該厚度的觸控層能夠保證綠光的反射率最大。本發(fā)明通過將觸控電極和電極塊的厚度之和滿足上述公式，可以保證觸控顯示面板不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，射向電極塊的光中的綠光反射率最高。

在本實(shí)施例中，觸控電極的厚度滿足nd1＝0.5k2，其中，d1為觸控電極的厚度，n為觸控電極的折射率，λ為綠光波長，k＝1、2、3、……，滿足厚度為d1的觸控電極對于綠光的透過率最高。本發(fā)明通過使用滿足厚度條件的觸控電極可以保證觸控顯示面板對于綠光的透過率最大。

下面結(jié)合圖6(a)和圖7，進(jìn)一步地描述本發(fā)明實(shí)施例四提供的觸控顯示面板的制作方法：

步驟401、在基底11的第一表面形成有黑矩陣12的彩膜基板上滴注液晶，并在陣列基板的周邊區(qū)域涂覆封框膠；將陣列基板和彩膜基板對盒，形成液晶盒10，具體如圖6(a)所示。

具體的，步驟401還可以為在陣列基板上滴注液晶，并在基底11的第一表面形成有黑矩陣12的彩膜基板的周邊區(qū)域涂覆封框膠，將陣列基板和彩膜基板對盒，形成液晶盒10。

其中，第一表面為基底靠近陣列基板的表面。

步驟402、在基底11第二表面沉積透明導(dǎo)電薄膜130，具體如圖7所示。

其中，透明導(dǎo)電薄膜130的材料為氧化銦錫薄膜、氧化銦鋅薄膜、氧化銦鎵鋅薄膜或氧化銦鎵錫薄膜。

具體的，本實(shí)施例中采用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、蒸鍍等工藝沉積透明導(dǎo)電薄膜。

步驟403、通過構(gòu)圖工藝去除電極塊圖案以外區(qū)域部分厚度的透明導(dǎo)電薄膜，形成觸控電極13和電極塊14，具體如圖4所示。

其中，構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。具體的，本步驟中的構(gòu)圖工藝采用的是半色調(diào)掩膜板。

具體的，觸控電極的厚度滿足nd1＝0.5kλ，其中，d1為觸控電極的厚度，n為觸控電極的折射率，λ為綠光波長，k＝1、2、3、……。觸控電極的厚度與電極塊的厚度之和等于預(yù)設(shè)厚度，預(yù)設(shè)厚度滿足公式。

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板制作方法，通過在基底第一表面形成黑矩陣，在基底第二表面形成包括觸控電極和強(qiáng)化綠光反射的電極塊的觸控層，本發(fā)明的技術(shù)方案通過形成強(qiáng)化綠光反射的電極塊，當(dāng)觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)，提高了觸控顯示面板對于綠光的反射率，使得外界光射向電極塊反射出來的綠光能夠有效中和外界光射向觸控電極時(shí)反射出來的紅光和綠光，解決了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕發(fā)紫的技術(shù)問題，保證了觸控顯示面板在不點(diǎn)亮狀態(tài)時(shí)屏幕顯示正常，提高了觸控顯示面板的質(zhì)量。

實(shí)施例五：

基于前述實(shí)施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例五提供了一種顯示裝置，包括觸控顯示面板。

其中，本實(shí)施例中的觸控顯示面板為實(shí)施例一或?qū)嵤├龅挠|控顯示面板，其實(shí)現(xiàn)原理和實(shí)現(xiàn)效果類似，在此不再贅述。

在本實(shí)施例中，顯示裝置可以為液晶顯示(liquidcrystaldisplay，簡稱lcd)面板、電子紙、有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，簡稱oled)面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，本發(fā)明實(shí)施例對比并不做任何限定。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中所述的顯示裝置可以為扭曲向列(twistednematic，簡稱tn)模式、垂直(verticalalignment，簡稱va)模式、平面轉(zhuǎn)換技術(shù)(in-planeswitching，簡稱ips)模式或高級(jí)超維廠轉(zhuǎn)換技術(shù)(advancesuperdimensionswitch，簡稱ads)模式，本發(fā)明對此不做任何限定。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。