陣列基板及其驅(qū)動方法與流程

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其驅(qū)動方法。

背景技術：

液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。如：液晶電視、移動電話、個人數(shù)字助理(pda)、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領域中占主導地位。

通常液晶顯示裝置包括殼體、設于殼體內(nèi)的液晶面板及設于殼體內(nèi)的背光模組(backlightmodule)。其中，液晶面板的結構主要是由一陣列基板(thinfilmtransistorarraysubstrate，tftarraysubstrate)、一彩膜基板(colorfiltersubstrate，cfsubstrate)、以及配置于兩基板間的液晶層(liquidcrystallayer)所構成，其工作原理是通過在兩片向tft基板的像素電極和cf基板的公共電極上施加驅(qū)動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

如圖1所示，現(xiàn)有的陣列基板包括：多條水平的掃描線100、多條豎直的數(shù)據(jù)線200、以及陣列排布的多個子像素300，每個子像素300內(nèi)均設置有驅(qū)動薄膜晶體管t1、以及與所述驅(qū)動薄膜晶體管t1的漏極電性連接的像素電極p，同一行的各個子像素300中的驅(qū)動薄膜晶體管t1的柵極均電性連接同一條掃描線100，位于同一列的相鄰兩行的兩子像素300中的兩驅(qū)動薄膜晶體管t1的源極分別電性連接位于該列子像素300兩側的兩數(shù)據(jù)線200，當掃描線100被驅(qū)動時，驅(qū)動薄膜晶體管t1處于導通狀態(tài)，對應的數(shù)據(jù)線200送入灰階電壓信號并將其加載至像素電極p，從而使得像素電極p與公共電極之間產(chǎn)生相應的電場，液晶層中的液晶分子則在電場的作用下發(fā)生取向變化，以實現(xiàn)不同的圖像顯示。

進一步地，在圖1所示的陣列基板中數(shù)據(jù)線200采用了左右子像素交替驅(qū)動的結構，這種像素結構的優(yōu)點在于可以通過列反轉實現(xiàn)點反轉驅(qū)動效果，降低像素反轉頻率實現(xiàn)低功耗，同時可以通過預充電提升充電效率，如圖2所示，該陣列基板驅(qū)動時，首先第一行掃描線100的掃描信號g1輸出第一行掃描線100開始掃描，隨后在第一行掃描線100的掃描信號g1輸出的后半時間，數(shù)據(jù)信號data輸出同時第二行掃描線100的掃描信號g2輸出為第二行子像素300進行預充電，接著在第二行掃描線100的掃描信號g2輸出的后半時間，數(shù)據(jù)信號data再次輸出同時第三行掃描線100的掃描信號g3輸出為第三行子像素300進行預充電，依次類推直至完全整塊面板的掃描，然而上述掃描過程中第一行子像素300沒有預充電過程，當畫面刷新頻率過高時第一行子像素300的充電率會偏低，進而影響畫面顯示質(zhì)量。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫面顯示質(zhì)量。

本發(fā)明的目的還在于提供一種陣列基板的驅(qū)動方法，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫面顯示質(zhì)量。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括：多條平行間隔排列的掃描線、多條平行間隔排列且與所述掃描線垂直的數(shù)據(jù)線、陣列排布的多個子像素、多個虛擬子像素、一預充電線、以及一電極連接線；

對應每一條掃描線設置一行子像素，相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間設置一列子像素；每個子像素均包括：驅(qū)動薄膜晶體管、以及與所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極電性連接的像素電極，位于同一行子像素中的各個驅(qū)動薄膜晶體管的柵極均與該行子像素對應的掃描線電性連接，位于奇數(shù)行的子像素中的各個驅(qū)動薄膜晶體管的源極分別與位于各個子像素一側的數(shù)據(jù)線電性連接，位于偶數(shù)行的子像素中的各個驅(qū)動薄膜晶體管的源極分別與位于各個子像素的另一側的數(shù)據(jù)線電性連接；

所述虛擬子像素的數(shù)量與所述數(shù)據(jù)線的數(shù)量相等并在第一行子像素之前排成一行，所述預充電線和電極連接線分別與該行虛擬子像素相對應，所述電極連接線與彩膜基板公共電極電性連接，每個虛擬子像素均包括一共享薄膜晶體管，所述共享薄膜晶體管的柵極電性連接預充電線，源極電性連接該虛擬子像素對應的數(shù)據(jù)線，漏極電性連接電極連接線。

所述多個子像素包括：依次重復排列的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素。

所述像素電極均為米字型的圖案電極。

掃描時，所述預充電線先掃描，然后所述多條掃描線再按照從第一條往最后一條的順序依次掃描。

所述驅(qū)動薄膜晶體管和共享薄膜晶體管為氧化物半導體薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的驅(qū)動方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一陣列基板，包括：多條平行間隔排列的掃描線、多條平行間隔排列且與所述掃描線垂直的數(shù)據(jù)線、陣列排布的多個子像素、多個虛擬子像素、一預充電線、以及一電極連接線；

對應每一條掃描線設置一行子像素，相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間設置一列子像素；每個子像素均包括：驅(qū)動薄膜晶體管、以及與所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極電性連接的像素電極，位于同一行子像素中的各個驅(qū)動薄膜晶體管的柵極均與該行子像素對應的掃描線電性連接，位于奇數(shù)行的子像素中的各個驅(qū)動薄膜晶體管的源極分別與位于各個子像素一側的數(shù)據(jù)線電性連接，位于偶數(shù)行的子像素中的各個驅(qū)動薄膜晶體管的源極分別與位于各個子像素的另一側的數(shù)據(jù)線電性連接；

所述虛擬子像素的數(shù)量與所述數(shù)據(jù)線的數(shù)量相等并在第一行子像素之前排成一行，所述預充電線和電極連接線分別與該行虛擬子像素相對應，所述電極連接線與彩膜基板公共電極電性連接，每個虛擬子像素均包括一共享薄膜晶體管，所述共享薄膜晶體管的柵極電性連接預充電線，源極電性連接該虛擬子像素對應的數(shù)據(jù)線，漏極電性連接電極連接線；

步驟2、從第一行子像素往最后一行子像素依次進行掃描；

設n為大于1的正整數(shù)，第n行子像素的掃描過程包括：所述第n-1條掃描線先輸出第n-1掃描信號，所述第n-1行子像素中的驅(qū)動薄膜晶體管均打開，隨后所述第n-1條掃描線繼續(xù)輸出第n-1掃描信號，第n條掃描線開始輸出第n掃描信號，第n行子像素中的各個驅(qū)動薄膜晶體管均打開，對所述第n行子像素進行預充電，最后所述第n-1條掃描線停止輸出第n-1掃描信號，所述第n掃描線繼續(xù)輸出第n掃描信號，所述數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號；

所述第一行子像素的掃描過程包括：所述預充電線先輸出預充電信號，所述各個共享薄膜晶體管打開，隨后所述預充電線繼續(xù)輸出預充電掃描信號，第一條掃描線輸出第一掃描信號，第一行子像素中的各個驅(qū)動薄膜晶體管打開，對所述第一行子像素進行預充電，最后所述預充電線停止輸出預充電信號，所述第一掃描線繼續(xù)輸出第一掃描信號，所述數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號。

所述多個子像素包括：依次重復排列的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素。

所述像素電極均為米字型的圖案電極。

所述驅(qū)動薄膜晶體管和共享薄膜晶體管為氧化物半導體薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供一種陣列基板，該陣列基板通過在第一行子像素之前增設一行虛擬子像素，并對應該行虛擬子像素設置一條預充電線和一條電極連接線，每一個虛擬子像素均包括一共享薄膜晶體管，所述共享薄膜晶體管的柵極電性連接預充電線，源極電性連接數(shù)據(jù)線，漏極通過電極連接線電性連接彩膜基板公共電極，在所述陣列基板掃描時，首先進行預充電線的掃描，然后使得預充電線和第一條掃描線同時掃描，對第一行子像素進行預充電，最后第一條掃描線單獨掃描，同時數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫面顯示質(zhì)量。本發(fā)明還提供一種陣列基板的驅(qū)動方法，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫面顯示質(zhì)量。

附圖說明

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結構圖；

圖2為現(xiàn)有的陣列基板的時序圖；

圖3為本發(fā)明的陣列基板的結構圖；

圖4為本發(fā)明的陣列基板的時序圖；

圖5為本發(fā)明的陣列基板的驅(qū)動方法的流程圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖3，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：多條平行間隔排列的掃描線10、多條平行間隔排列且與所述掃描線10垂直的數(shù)據(jù)線20、陣列排布的多個子像素30、多個虛擬子像素31、一預充電線40、以及一電極連接線50；

對應每一條掃描線10設置一行子像素30，相鄰兩條數(shù)據(jù)線20之間設置一列子像素30；每個子像素30均包括：驅(qū)動薄膜晶體管t10、以及與所述驅(qū)動薄膜晶體管t10的漏極電性連接的像素電極p10，位于同一行子像素30中的各個驅(qū)動薄膜晶體管t10的柵極均與該行子像素30對應的掃描線10電性連接，位于奇數(shù)行的子像素30中的各個驅(qū)動薄膜晶體管t10的源極分別與位于各個子像素30一側的數(shù)據(jù)線20電性連接，位于偶數(shù)行的子像素30中的各個驅(qū)動薄膜晶體管t10的源極分別與位于各個子像素30的另一側的數(shù)據(jù)線20電性連接；

所述虛擬子像素31的數(shù)量與所述數(shù)據(jù)線20的數(shù)量相等且一一對應，該些虛擬子像素31在第一行子像素30之前排成一行，所述預充電線40和電極連接線50分別與該行虛擬子像素31相對應，所述電極連接線50與彩膜基板公共電極(cf--com)電性連接，每個虛擬子像素31均包括一共享薄膜晶體管t20，所述共享薄膜晶體管t20的柵極電性連接預充電線40，源極電性連接該虛擬子像素31對應的數(shù)據(jù)線20，漏極電性連接電極連接線50。

優(yōu)選地，所述多個子像素30可包括：依次重復排列的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素，當然根據(jù)需要所述多個子像素還可以包括白色子像素和黃色子像素等其他顏色的子像素，這并不會影響本發(fā)明的實現(xiàn)。

優(yōu)選地，所述像素電極p10均為米字型的圖案電極，所述米字型的圖案電極包括向不同方向延伸的多個分支電極，通過分支電極使得液晶向不同方向偏轉，從而實現(xiàn)多疇顯示。當然所述像素電極p10也可以為普通的平面電極，這并不會影響本發(fā)明的實現(xiàn)。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動薄膜晶體管t10和共享薄膜晶體管t20可以為氧化物半導體薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管等各種類型的薄膜晶體管。

具體地，請參閱圖4，所述陣列基板掃描時，所述預充電線40先掃描，然后所述多條掃描線10再按照從第一條往最后一條的順序依次掃描，詳細工作過程為：所述預充電線40先輸出預充電信號g0，所述各個共享薄膜晶體管t20打開，隨后所述預充電線40繼續(xù)輸出預充電掃描信號g0，第一條掃描線10輸出第一掃描信號g1，第一行子像素30中的各個驅(qū)動薄膜晶體管t10打開，對所述第一行子像素30進行預充電，最后所述預充電線40停止輸出預充電信號g0，所述第一條掃描線10繼續(xù)輸出第一掃描信號g1，所述數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號data，同時所述第二條掃描線10輸出第二掃描信號g2，第二行子像素30中的各個驅(qū)動薄膜晶體管t10打開，對所述第二行子像素30進行預充電，接著所述第一條掃描線10停止輸出第一掃描信號g1，所述第二條掃描線10繼續(xù)輸出第二掃描信號g2，數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號data，同時所述第三條掃描線10輸出第三掃描信號g3，對所述第三行子像素30進行預充電，接著所述第二條掃描線10停止輸出第二掃描信號g2，所述第三條掃描線10繼續(xù)輸出第三掃描信號g3，數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號data，依次類推直至最后一行子像素30。

相比于現(xiàn)有技術，本發(fā)明通過在第一行子像素30之前增設一行虛擬子像素31，在所述陣列基板掃描時，首先進行預充電線40的掃描，然后使得預充電線40和第一條掃描線10同時掃描，對第一行子像素30進行預充電，最后第一條掃描線10單獨掃描，同時數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號data，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫面顯示質(zhì)量。

請參閱圖5，一種陣列基板的驅(qū)動方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一陣列基板，具體結構如上述，此處不再贅述。

步驟2、從第一行子像素30往最后一行子像素30依次進行掃描；

設n為大于1的正整數(shù)，第n行子像素30的掃描過程包括：所述第n-1條掃描線10先輸出第n-1掃描信號gn-1，所述第n-1行子像素30中的驅(qū)動薄膜晶體管t10均打開，隨后所述第n-1條掃描線10繼續(xù)輸出第n-1掃描信號gn-1，第n掃描線10開始輸出第n掃描信號gn，第n行子像素30中的各個驅(qū)動薄膜晶體管t10均打開，對所述第n行子像素30進行預充電，最后所述第n-1條掃描線10停止輸出第n-1掃描信號gn-1，所述第n掃描線10繼續(xù)輸出第n掃描信號gn，所述數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號data；

所述第一行子像素30的掃描過程包括：所述預充電線40先輸出預充電信號g0，所述各個共享薄膜晶體管t20打開，隨后所述預充電線40繼續(xù)輸出預充電掃描信號g0，第一條掃描線10輸出第一掃描信號g1，第一行子像素30中的各個驅(qū)動薄膜晶體管t10打開，對所述第一行子像素30進行預充電，最后所述預充電線40停止輸出預充電信號g0，所述第一掃描線10繼續(xù)輸出第一掃描信號g1，所述數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號data。

優(yōu)選地，所述多個子像素30可包括：依次重復排列的紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素，當然根據(jù)需要所述多個子像素還可以包括白色子像素和黃色子像素等其他顏色的子像素，這并不會影響本發(fā)明的實現(xiàn)。

優(yōu)選地，所述像素電極p10均為米字型的圖案電極，所述米字型的圖案電極包括向不同方向延伸的多個分支電極，通過分支電極使得液晶向不同方向偏轉，從而實現(xiàn)多疇顯示。當然所述像素電極p10也可以為普通的平面電極，這并不會影響本發(fā)明的實現(xiàn)。

優(yōu)選地，所述驅(qū)動薄膜晶體管t10和共享薄膜晶體管t20可以為氧化物半導體薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管等各種類型的薄膜晶體管。

具體地，相比于現(xiàn)有技術，本發(fā)明通過在第一行子像素30之前增設一行虛擬子像素31，在所述陣列基板掃描時，首先進行預充電線40的掃描，然后使得預充電線40和第一條掃描線10同時掃描，對第一行子像素30進行預充電，最后第一條掃描線10單獨掃描，同時數(shù)據(jù)線20輸出數(shù)據(jù)信號data，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫面顯示質(zhì)量。

綜上所述，本發(fā)明提供一種陣列基板，該陣列基板通過在第一行子像素之前增設一行虛擬子像素，并對應該行虛擬子像素設置一條預充電線和一條電極連接線，每一個虛擬子像素均包括一共享薄膜晶體管，所述共享薄膜晶體管的柵極電性連接預充電線，源極電性連接數(shù)據(jù)線，漏極通過電極連接線電性連接彩膜基板公共電極，在所述陣列基板掃描時，首先進行預充電線的掃描，然后使得預充電線和第一條掃描線同時掃描，對第一行子像素進行預充電，最后第一條掃描線單獨掃描，同時數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫面顯示質(zhì)量。本發(fā)明還提供一種陣列基板的驅(qū)動方法，能夠提高第一行像素的充電效率，保證高刷新速率下的畫面顯示質(zhì)量。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。