陣列基板、顯示面板和顯示裝置的制作方法

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板、一種包括該陣列基板的顯示面板和一種包括所述顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示裝置包括陣列基板。所述陣列基板包括襯底基板、柵圖形層、有源圖形層和源漏圖形層，所述柵圖形層包括多條柵線，所述源漏圖形層包括多條數(shù)據(jù)線，多條所述柵線和多條所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，以將所述陣列基板劃分為多個(gè)像素單元，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述像素單元中的薄膜晶體管，所述柵圖形層還包括所述薄膜晶體管的柵極，所述源漏圖形層還包括所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述有源圖形層包括所述薄膜晶體管的有源層，為了確保具有足夠的空間設(shè)置與像素電極電連接的過孔，因此，將漏極尺寸制造的比較大，但是，這種情況中，容易造成源極和漏極短路。

因此，如何防止顯示裝置中的源極和漏極發(fā)生短路成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板和一種顯示裝置，所述陣列基板的源極和漏極之間不容易發(fā)生短路。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板、柵圖形層、有源圖形層和源漏圖形層，所述柵圖形層包括多條柵線，所述源漏圖形層包括多條數(shù)據(jù)線，多條所述柵線和多條所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，以將所述陣列基板劃分為多個(gè)像素單元，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述像素單元中的薄膜晶體管，所述柵圖形層還包括所述薄膜晶體管的柵極，所述源漏圖形層還包括所述薄膜晶體管的源極和漏極，所述有源圖形層包括所述薄膜晶體管的有源層，其中，所述薄膜晶體管的漏極在所述襯底基板上的正投影不超出該薄膜晶體管的柵極在所述襯底基板上的正投影。

優(yōu)選地，所述漏極沿?cái)?shù)據(jù)線方向的長(zhǎng)度在7μm至12μm，所述柵極沿所述數(shù)據(jù)線方向的長(zhǎng)度在10μm至15μm之間。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管的源極為相應(yīng)數(shù)據(jù)線的一部分。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。

優(yōu)選地，在至少一個(gè)所述薄膜晶體管中，所述有源層在所述襯底基板上的正投影為梯形，所述有源層上包括梯形的下底的部分與所述源極連接，所述有源層上包括梯形的上底的部分與所述漏極連接。

優(yōu)選地，所述陣列基板包括覆蓋所述源漏圖形層的鈍化絕緣層，所述陣列基板還包括像素電極層，所述像素電極層多個(gè)像素電極，每個(gè)所述像素單元中設(shè)置有一個(gè)所述像素電極，所述像素電極通過貫穿所述鈍化絕緣層的過孔與相應(yīng)的漏極電連接。

作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板，其中，所述顯示面板為本發(fā)明所提供的上述顯示面板。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的一部分的示意圖；

圖2是本發(fā)明所提供的陣列基板的一部分的示意圖。

附圖標(biāo)記說明

100：柵線110：柵極

210：數(shù)據(jù)線220：源極

230：漏極300：薄膜晶體管

400：有源層410：殘余材料

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

經(jīng)本發(fā)明的發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中，陣列基板發(fā)生顯示不良的原因如下：

在形成有源圖形層后，陣列基板的柵線100的邊緣處容易形成有源層材料的殘余材料410，由于該殘余材料410形成在柵線的邊緣，因此過程內(nèi)pi監(jiān)控?zé)o法發(fā)現(xiàn)該殘余。

為了確保足夠的空間設(shè)置過孔(在圖1中所示的實(shí)施方式中，將過孔設(shè)置在虛線圈a處)，將薄膜晶體管300的漏極230的尺寸設(shè)置的比較大，如圖中所示，漏極230已經(jīng)延伸至柵極110的外部。如圖1所示，殘余材料410連接在源極220和漏極230之間。當(dāng)在包括所述陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)，柵線100邊緣的殘余材料410也能夠?qū)⒃礃O220和漏極230導(dǎo)通，從而造成顯示不良。

為了解決上述問題，作為本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板、柵圖形層、有源圖形層和源漏圖形層，如圖2所示，所述柵圖形層包括多條柵線100，所述源漏圖形層包括多條數(shù)據(jù)線210，多條柵線100和多條所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置，以將所述陣列基板劃分為多個(gè)像素單元，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述像素單元中的薄膜晶體管300，所述柵圖形層還包括所述薄膜晶體管的柵極110，所述源漏圖形層還包括所述薄膜晶體管的源極220和漏極230，所述有源圖形層包括所述薄膜晶體管的有源層400，其中，所述薄膜晶體管的漏極230在所述襯底基板上的正投影不超出該薄膜晶體管的柵極110在所述襯底基板上的正投影。

如圖2中所示，由于漏極230在柵極110的范圍內(nèi)，因此，即便柵線100的邊緣處存在有源層材料的殘余材料410，該殘余材料410也不會(huì)將源極220和漏極230連接，因此，在包括所述陣列基板的顯示裝置進(jìn)行顯示時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)因源極220和漏極230短路而造成的顯示不良。進(jìn)而可以提高包括所述陣列基板的顯示面板的顯示效果。

在本發(fā)明中，對(duì)柵極110、漏極230的尺寸并沒有特殊的要求，為了確保漏極230上具有足夠的空間形成與像素電極相連的過孔(如圖2中所示，過孔形成在虛線框a處)，優(yōu)選地，漏極230沿?cái)?shù)據(jù)線210方向的長(zhǎng)度l1在7μm至12μm之間，柵極110沿?cái)?shù)據(jù)線210方向的長(zhǎng)度l2在10μm至15μm之間。需要指出的是，l1＜l2。

當(dāng)然，本發(fā)明并不限于此，在設(shè)置柵極110的尺寸以及漏極230的尺寸時(shí)，只要滿足l1＜l2、且在臨界尺寸(cd，criticaldimension)管控范圍內(nèi)即可。

在本發(fā)明中，對(duì)源極220的具體結(jié)構(gòu)沒有特殊的規(guī)定，只要源極220能夠接收來自數(shù)據(jù)線210的數(shù)據(jù)信號(hào)即可。例如，源極220可以從數(shù)據(jù)線上凸出。為了簡(jiǎn)化形成源漏圖形層的掩膜板，優(yōu)選地，如圖2所示，薄膜晶體管的源極220為相應(yīng)數(shù)據(jù)線210的一部分。

容易理解的是，同一列的薄膜晶體管300對(duì)應(yīng)同一條數(shù)據(jù)線210。

本發(fā)明所提供的結(jié)構(gòu)尤其適用于底柵型薄膜晶體管，即，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管，即，柵圖形層位于有源圖形層和襯底基板之間。

本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，在柵圖形層和有源圖形層之間設(shè)置有柵絕緣層。

為了提高陣列基板的開口率，優(yōu)選地，如圖2所示，在至少一個(gè)薄膜晶體管300中，有源層400在所述襯底基板上的正投影為梯形，有源層400上包括梯形的下底的部分與源極220連接，有源層400上包括梯形的上底的部分與漏極230連接。

形狀為梯形的有源層可以在確保具有足夠的溝道尺寸的同時(shí)減少柵極面積，從而可以提高開口率。

通常，所述陣列基板包括公共電極和像素電極。每個(gè)像素單元中均設(shè)置有一個(gè)所述像素電極。公共電極與公共電極線電連接，通過該公共電極線向公共電極提供公共電壓。像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接，通過漏極向薄膜晶體管提供數(shù)據(jù)電壓。

為了形成存儲(chǔ)電容，公共電極和像素電極絕緣間隔設(shè)置。在本發(fā)明中，對(duì)公共電極和像素電極的具體位置并沒有特殊的要求，可以將公共電極設(shè)置在像素電極與襯底基板之間，也可以將像素電極設(shè)置在公共電極與襯底基板之間。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式，可以將公共電極設(shè)置在像素電極與所述襯底基板之間。具體地，所述陣列基板包括覆蓋所述源漏圖形層的鈍化絕緣層，所述陣列基板還包括像素電極層，所述像素電極層多個(gè)像素電極，每個(gè)所述像素單元中設(shè)置有一個(gè)所述像素電極，所述像素電極通過貫穿所述鈍化絕緣層的過孔與相應(yīng)的漏極電連接。

作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

由于所述陣列基板的薄膜晶體管中，源極和漏極之間不存在殘余的有源層材料，因此，在所述顯示面板進(jìn)行顯示時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)因源極和漏極短路而造成的顯示不良。

作為一種實(shí)施方式，所述顯示面板為液晶顯示面板。因此，所述顯示面板還包括陣列基板、與陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)盒基板以及填充在陣列基板與對(duì)盒基板之間的液晶材料。

優(yōu)選地，可以在對(duì)盒基板上設(shè)置彩膜層，以實(shí)現(xiàn)彩色顯示。當(dāng)然，也可以將彩膜層設(shè)置在陣列基板上。

當(dāng)然，所述顯示面板還可以是電致變色顯示面板，在陣列基板和對(duì)盒基板之間設(shè)置電致變色材料。

作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板，其中，所述顯示面板為本發(fā)明所提供的上述顯示面板。

如上文中所述，所述顯示裝置中不會(huì)出現(xiàn)因有源層殘余導(dǎo)致源漏極短路而形成的不良而造成的顯示不良。

容易理解的是，所述顯示裝置可以為液晶顯示裝置。

優(yōu)選地，所述顯示裝置還可以包括背光源，以為所述顯示面板提供光源。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。