顯示基板的制作方法、顯示基板、顯示面板和顯示裝置與流程

本發(fā)明的實(shí)施例涉及顯示領(lǐng)域，具體地，涉及一種顯示基板的制作方法、一種顯示基板、一種顯示面板和一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

在液晶顯示領(lǐng)域中，顯示基板是顯示面板實(shí)現(xiàn)彩色顯示的重要部件。在傳統(tǒng)顯示基板的制作過程中，通常在例如玻璃的透明基板上形成黑矩陣(Black Matrix)并在形成有黑矩陣的基板上形成彩膜層。曝光→顯影是彩膜層制作中的重要工藝，通常使用曝光設(shè)備來完成，其中通過曝光設(shè)備自動(dòng)實(shí)時(shí)檢測(cè)預(yù)先設(shè)置的曝光對(duì)位標(biāo)記(mark)，并將設(shè)置有彩膜層圖案的掩膜板與對(duì)位標(biāo)記對(duì)位。具體地，傳統(tǒng)的對(duì)位過程可以包括：將透明基板與曝光設(shè)備的機(jī)臺(tái)(Stage)進(jìn)行對(duì)位并形成黑矩陣和黑矩陣對(duì)位標(biāo)記；將形成有黑矩陣的基板與曝光設(shè)備的機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)位；以及將黑矩陣與彩膜層掩膜進(jìn)行對(duì)位，其中通過黑矩陣對(duì)位標(biāo)記與彩膜層對(duì)位標(biāo)記之間的對(duì)位來實(shí)現(xiàn)黑矩陣與彩膜層掩膜的對(duì)位。

然而，當(dāng)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記與彩膜層對(duì)位標(biāo)記之間正好錯(cuò)開整數(shù)個(gè)對(duì)位標(biāo)記間距時(shí)，曝光設(shè)備會(huì)認(rèn)為沒有對(duì)位誤差，并因此產(chǎn)生誤判。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種顯示基板的制作方法、一種顯示基板、一種顯示面板以及一種顯示裝置，以克服或緩解以上技術(shù)問題。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提出了一種顯示基板的制作方法，包括：

形成黑矩陣和多個(gè)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記；

形成多個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記；和

通過將所述多個(gè)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記分別與多個(gè)關(guān)聯(lián)的彩膜層對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行N次順序?qū)ξ?，在黑矩陣上形成彩膜層?/p>

其中，在黑矩陣的一側(cè)邊沿處的兩端各形成N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記，所述N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記之間的間距為第一間距；在黑矩陣的相對(duì)一側(cè)邊沿處的兩端各形成N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記，所述N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記之間的間距為第二間距，第一間距與第二間距不相等；與所述N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記相關(guān)聯(lián)地形成N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記以及與所述N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記相關(guān)聯(lián)地形成N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記，N是大于1的整數(shù)。

例如，所述N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記的中心位于第一直線上，所述N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記的中心位于第二直線上，所述第二間距等于第一間距+n*3P，其中n是正整數(shù)，P是相鄰子像素中心線之間的間距。

例如，所述N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記位于第三直線上，所述N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記位于第四直線上，所述N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記之間的間距為所述第一間距+P或第一間距-P；以及所述N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記之間的間距為所述第二間距+P或第二間距-P。

例如，所述N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記之間沿所述第一直線方向上的間距為所述第一間距，在與所述第一直線垂直的方向上的間距為P；以及所述N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記之間沿所述第一直線方向上的間距為所述第二間距，在與所述第一直線垂直的方向上的間距為P。

例如，第一間距等于1.5mm，且0.4mm＜n*3P＜1.1mm。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供了一種顯示基板，包括：

黑矩陣；

彩膜層；以及

形成彩膜層使用的多個(gè)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記和多個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記；

其中，在黑矩陣的一側(cè)邊沿處的兩端各形成有N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記，所述N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記之間的間距為第一間距；在黑矩陣的相對(duì)一側(cè)邊沿處的兩端各形成有N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記，所述N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記之間的間距為第二間距，第一間距與第二間距不相等；N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記與所述N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記相關(guān)聯(lián)地設(shè)置，以及N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記與所述N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記相關(guān)聯(lián)地設(shè)置，N是大于1的整數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供了一種顯示面板，包括陣列基板和根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提了一種顯示裝置，包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，圖中：

圖1A示出了傳統(tǒng)形成黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的示意圖；

圖1B示出了圖1A中黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的詳細(xì)示意圖；

圖2示出了利用傳感器監(jiān)控透明基板初對(duì)位的示意圖；

圖3示出了在黑矩陣上形成彩膜層的示意圖；

圖4A示出了傳統(tǒng)彩膜層掩膜與黑矩陣對(duì)位的示意圖；

圖4B示出了當(dāng)子像素沿橫向依次排布時(shí)圖4A中一組彩膜層對(duì)位標(biāo)記的詳細(xì)示意圖；

圖4C示出了當(dāng)子像素沿縱向依次排布時(shí)圖4A中一組彩膜層對(duì)位標(biāo)記的詳細(xì)示意圖；

圖5A示出了黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的示例示意圖；

圖5B示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記的示例示意圖；

圖6A示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)的顯示示例；

圖6B示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的一種顯示示例；

圖7A示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)的示意圖；

圖7B示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第一示例示意圖；

圖7C示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第二示例示意圖；

圖7D示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第三示例示意圖；

圖7E示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第四示例示意圖；

圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板的制作方法的示意流程圖；

圖9A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的設(shè)置示意圖；

圖9B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一示例彩膜層對(duì)位標(biāo)記的設(shè)置示意圖；

圖9C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二示例彩膜層對(duì)位標(biāo)記的設(shè)置示意圖；

圖10示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板的示意圖；

圖11A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第一示例示意圖；

圖11B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第二示例示意圖；

圖11C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第三示例示意圖；

圖12A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在圖11A所示情況下的顯示示例；

圖12B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在圖11B所示情況下的顯示示例；以及

圖12C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在圖11C所示情況下的顯示示例。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下獲得的所有其他實(shí)施例都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。應(yīng)注意，貫穿附圖，相同的元素由相同或相近的附圖標(biāo)記來表示。在以下描述中，一些具體實(shí)施例僅用于描述目的，而不應(yīng)該理解為對(duì)本發(fā)明有任何限制，而只是本發(fā)明實(shí)施例的示例。在可能導(dǎo)致對(duì)本發(fā)明的理解造成混淆時(shí)，將省略常規(guī)結(jié)構(gòu)或構(gòu)造。應(yīng)注意，圖中各部件的形狀和尺寸不反映真實(shí)大小和比例，而僅示意本發(fā)明實(shí)施例的內(nèi)容。

除非另外定義，本發(fā)明實(shí)施例使用的技術(shù)術(shù)語或科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)是本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的通常意義。本發(fā)明實(shí)施例中使用的“第一”、“第二”以及類似詞語并不表示任何順序、數(shù)量或重要性，而只是用于區(qū)分不同的組成部分。

此外，在本發(fā)明實(shí)施例的附圖中，只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例涉及的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。此外，可以理解，當(dāng)下文中諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“之上”或“之下”，也可以存在中間元件。此外，“上”或“下”僅僅表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)翻轉(zhuǎn)元件或整個(gè)設(shè)備時(shí)，其“上”或“下”關(guān)系也將相應(yīng)改變。在本文中，以基板為底層的相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行描述。

在顯示基板的制作中，通常清洗透明基板并在透明基板上形成黑矩陣以避免各彩膜層漏光，然后分別制作第一彩膜層(例如紅色)、第二彩膜層(例如綠色)、第三彩膜層(例如藍(lán)色)等各彩膜層。圖1A示出了傳統(tǒng)形成黑矩陣和黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的示意圖。如圖1A所示，利用黑矩陣掩膜101在透明基板102上形成黑矩陣的圖案，得到形成有黑矩陣的基板103。同時(shí)黑矩陣掩膜101的四個(gè)角設(shè)置有4組黑矩陣對(duì)位標(biāo)記104，從而在基板103上形成對(duì)應(yīng)的黑矩陣對(duì)位標(biāo)記104。圖1A中將黑矩陣對(duì)位標(biāo)記104示出為十字形標(biāo)記，并且針對(duì)紅色(R)層、綠色(G)層和藍(lán)色(R)層各設(shè)置一個(gè)形狀相同的對(duì)位標(biāo)記。圖1B示出了圖1A中一組黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的詳細(xì)示意圖。如圖1B所示，四組黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的形狀和排列方式相同，每組黑矩陣對(duì)位標(biāo)記之間彼此相距相同的距離，例如1.5mm。

在形成黑矩陣時(shí)，需要將透明基板與曝光設(shè)備的機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)位，可以將該對(duì)位稱作透明基板初對(duì)位。在利用曝光設(shè)備進(jìn)行透明基板初對(duì)位時(shí)，可以通過例如三個(gè)傳感器進(jìn)行監(jiān)控。圖2示出了利用傳感器監(jiān)控透明基板初對(duì)位的示意圖。如圖2所示，例如三個(gè)傳感器PA1、PA2和PA3分別監(jiān)控透明基板202的邊緣。當(dāng)透明基板202在機(jī)臺(tái)230上的位置偏移量超出或未達(dá)到相應(yīng)傳感器的監(jiān)控區(qū)域時(shí)，設(shè)備會(huì)報(bào)警。然而在實(shí)際生產(chǎn)中，由于傳感器靈敏度的限制以及光刻膠對(duì)傳感器的干擾，會(huì)導(dǎo)致傳感器出現(xiàn)誤判。例如透明基板202與機(jī)臺(tái)230之間發(fā)生偏移，但設(shè)備將光刻膠的涂膠邊緣220當(dāng)成透明基板202的邊緣，誤認(rèn)為透明基板202與機(jī)臺(tái)230正常對(duì)準(zhǔn)。如果透明基板的偏移量恰好是黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的間距的1倍或2倍左右(±0.2mm)處，例如，1.3mm～1.7mm或2.8mm～3.2mm的范圍內(nèi)，會(huì)對(duì)后續(xù)彩膜層的制作造成不良影響。

彩膜層的制作可以包括清洗→涂布相應(yīng)顏色的光刻膠→預(yù)固化→曝光→顯影→固化。可以將負(fù)性膠用作彩膜層的光刻膠，由此經(jīng)過曝光→顯影工藝后，保留被曝光的部分并經(jīng)過例如烘烤的固化，從而形成彩膜層。圖3示出了一種在黑矩陣上形成彩膜層的示意圖。黑矩陣掩膜301上形成有黑矩陣的圖案，在曝光工藝中，該圖案使得由大箭頭表示的光303的一部分光通過，并遮擋另一部分光。透過黑矩陣的開口的光形成與彩膜層掩膜對(duì)應(yīng)的圖案，即彩膜層302的圖案。在圖3中，不同的紋理對(duì)應(yīng)不同顏色的光。

圖4A示出了傳統(tǒng)彩膜層掩膜與黑矩陣對(duì)位的示意圖。如圖4A所示，將彩膜層掩膜406與形成有黑矩陣的基板403進(jìn)行對(duì)位，并基于該對(duì)位形成顯示基板410。例如，基板403上形成有四組十字形對(duì)位標(biāo)記404，彩膜層掩膜406上設(shè)置有對(duì)應(yīng)的四組彩膜層對(duì)位標(biāo)記405。圖4A中將彩膜層對(duì)位標(biāo)記405示出為井字形標(biāo)記，并且針對(duì)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(R)各設(shè)置一個(gè)對(duì)位標(biāo)記。圖4B示出了當(dāng)子像素沿橫向依次排布時(shí)圖4A中一組彩膜層對(duì)位標(biāo)記的詳細(xì)示意圖。如圖4B所示，當(dāng)子像素沿橫向依次排布時(shí)，每個(gè)井字形彩膜層對(duì)位標(biāo)記沿橫向方向相距1.5mm±P，縱向方向相距為0。圖4C示出了當(dāng)子像素沿縱向方向依次排布時(shí)圖4A中一組彩膜層對(duì)位標(biāo)記的詳細(xì)示意圖。如圖4C所示，當(dāng)子像素沿縱向依次排布時(shí)，每個(gè)井字形彩膜層對(duì)位標(biāo)記沿橫向方向相距為例如1.5mm，并在縱向方向錯(cuò)開相鄰子像素中心線之間的間距P。在實(shí)際中，該間距P可以近似為一個(gè)子像素的寬度，即彩膜層線寬，也被稱作CD(Critical dimension)線寬。

圖5A示出了黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的示例示意圖。如圖5A所示，單個(gè)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記具有線寬W1，黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的大小可以是例如1000μm×1000μm。圖5B示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記的示例示意圖。如圖5B所示，單個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記具有線寬W2，W2通常小于W1。彩膜層對(duì)位標(biāo)記大小可以是例如700μm×700μm，線間距可以是例如200μm。

當(dāng)進(jìn)行彩膜層掩膜與形成有黑矩陣的基板的對(duì)位時(shí)，將彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位。例如，可以使用例如接近式曝光設(shè)備執(zhí)行對(duì)位。具體地，當(dāng)使用接近式曝光設(shè)備執(zhí)行對(duì)位時(shí)，通過例如4個(gè)CCD鏡頭對(duì)4組對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行監(jiān)控并在顯示設(shè)備上顯示對(duì)位情況，以保證彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。如果發(fā)現(xiàn)沒有對(duì)準(zhǔn)，則設(shè)備報(bào)警。此時(shí)彩膜層掩膜保持固定，通過移動(dòng)曝光設(shè)備的機(jī)臺(tái)帶動(dòng)形成有黑矩陣的基板移動(dòng)以使彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。

圖6A示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)的顯示示例，其中，例如以針對(duì)紅色(R)子像素的對(duì)位標(biāo)記為例，畫面610、620、630和640分別示出了彩膜層掩膜的四個(gè)角處的四個(gè)R彩膜層對(duì)位標(biāo)記與四個(gè)R黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)的情況。圖7A示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)的示意圖。在圖7A中，以子像素沿橫向依次排布為例進(jìn)行演示，彩膜層掩膜706上的彩膜層對(duì)位標(biāo)記與基板703上形成的黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。基于圖7A所示的標(biāo)記對(duì)位可以形成沿橫向依次排布的子像素B、G和R。

關(guān)于彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)可以包括例如兩種情況。在第一種情況下，彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)并且設(shè)備報(bào)警。這可以分為兩種情形，圖6B示出了彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)而報(bào)警的第一情形的顯示示例，其中，例如以針對(duì)紅色(R)子像素的對(duì)位標(biāo)記為例，畫面611、621、631和641分別示出了彩膜層掩膜的四個(gè)角處的四個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記R與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記R沒有對(duì)準(zhǔn)的情況。在圖6B所示的情況下，操作人員能夠手動(dòng)校正對(duì)位誤差，使得后續(xù)工藝正常進(jìn)行。圖7B示出了這種情況下的示意圖，其中與圖7A相同的部分不再贅述。經(jīng)過校正對(duì)位誤差之后，在初始對(duì)位如圖7B所示的情況下仍然可以經(jīng)由對(duì)準(zhǔn)校正來實(shí)現(xiàn)正確對(duì)位。第二情形在于，彩膜層對(duì)位標(biāo)記和黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的偏移超出了設(shè)備的識(shí)別范圍，設(shè)備報(bào)警。但是可能僅顯示了彩膜層對(duì)位標(biāo)記，因此當(dāng)需要操作人員手動(dòng)校正對(duì)位誤差時(shí)，可能存在對(duì)于操作人員的誤導(dǎo)，導(dǎo)致對(duì)位錯(cuò)誤。

在第二種情況下，彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)但設(shè)備沒有報(bào)警。例如，在以上參考圖2所述的情況下，在透明基板初對(duì)位過程中，如果透明基板的偏移量恰好是黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的間距的1倍或2倍左右處，傳感器不能監(jiān)控到對(duì)位偏移。此時(shí)透明基板上形成的黑矩陣圖案和黑矩陣對(duì)位標(biāo)記相對(duì)于正常位置也發(fā)生整體偏移。由于黑矩陣對(duì)位標(biāo)記整體偏移了例如1個(gè)或2個(gè)對(duì)位標(biāo)記的距離，導(dǎo)致黑矩陣對(duì)位標(biāo)記和彩膜層對(duì)位標(biāo)記不對(duì)應(yīng)。圖7C示出了這種情況的示意圖，其中與圖7A相同的部分不再贅述。

此外，即使黑矩陣對(duì)位標(biāo)記位置正確，但彩膜層對(duì)位標(biāo)記可能相對(duì)于黑矩陣對(duì)位標(biāo)記整體偏移了例如1個(gè)或2個(gè)對(duì)位標(biāo)記的距離。圖7D示出了整體偏移了1個(gè)對(duì)位標(biāo)記的示意圖。圖7E示出了整體偏移了2個(gè)對(duì)位標(biāo)記的示意圖。在圖7C-圖7E的情況下，由于整體偏移了例如1個(gè)或2個(gè)對(duì)位標(biāo)記的距離，設(shè)備不會(huì)報(bào)警，并且可能會(huì)顯示與圖6A類似的畫面。設(shè)備會(huì)誤認(rèn)為黑矩陣對(duì)位標(biāo)記和彩膜層對(duì)位標(biāo)記完全對(duì)應(yīng)，并將對(duì)應(yīng)位置進(jìn)行登記記錄為后續(xù)對(duì)位的基準(zhǔn)位置。這樣操作會(huì)導(dǎo)致后續(xù)的對(duì)位全部錯(cuò)亂。由于對(duì)位錯(cuò)誤，導(dǎo)致在形成彩膜層時(shí)不能在正確的位置處形成對(duì)應(yīng)子像素。

為此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種顯示基板的制作方法。應(yīng)注意，以下方法中各個(gè)步驟的序號(hào)僅作為該步驟的表示以便描述，而不應(yīng)被看作表示該各個(gè)步驟的執(zhí)行順序。除非明確指出，否則該方法不需要完全按照所示順序來執(zhí)行。

圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板的制作方法的示意流程圖。如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板的制備方法800可以包括以下步驟。

在步驟801，形成黑矩陣和多個(gè)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記。

在步驟803，形成多個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記。

在步驟805，通過將所述多個(gè)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記分別與多個(gè)對(duì)應(yīng)的彩膜層對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行N次順序?qū)ξ?，在黑矩陣上形成彩膜層?/p>

接下來，將結(jié)合圖8和圖9A-9C來詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板的制作方法。

在步驟801，形成黑矩陣和多個(gè)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記。具體地，在黑矩陣的一側(cè)邊沿處的兩端各形成N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記BM₁₁～BM_1N，N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記BM₁₁～BM_1N之間的間距為第一間距BM_P₁；在黑矩陣的相對(duì)一側(cè)邊沿處的兩端各形成N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記BM₂₁～BM_2N，N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記BM₂₁～BM_2N之間的間距為第二間距BM_P₂，第一間距BM_P₁與第二間距BM_P₂不相等。在圖9A中，以N等于3為例進(jìn)行演示，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，N可以是大于1的任意整數(shù)。此外，例如，可以在黑矩陣以外的一側(cè)邊沿處形成黑矩陣對(duì)位標(biāo)記。

例如，N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記BM₁₁～BM_1N的中心可以位于第一直線X_BM1上，N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記BM₂₁～BM_2N的中心位于第二直線X_BM2上，第二間距等于(第一間距+n*3P)，即，BM_P₂＝BM_P₁+n*3P，其中n是正整數(shù)，P是相鄰子像素的中心線之間的間距。在實(shí)際應(yīng)用中，可以將P近似為一個(gè)子像素的寬度。

例如，第一間距BM_P₁可以等于1.5mm，且0.4mm＜n*3P＜1.1mm。即，第二間距BM_P₂在1.9mm～2.6mm之間。在實(shí)際應(yīng)用中，例如曝光設(shè)備的透光孔為10mm，因此整組對(duì)位標(biāo)記的整體尺寸應(yīng)小于10mm，且對(duì)位標(biāo)記顯示區(qū)域直徑為0.4mm。保證0.4mm＜n*3P＜1.1mm能夠更好地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例。

在步驟803，形成多個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記。具體地，與N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記BM₁₁～BM_1N相關(guān)聯(lián)地形成N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記CF₁₁～CF_1N以及與N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記BM₂₁～BM_2N相對(duì)應(yīng)地形成N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記CF₂₁～CF_2N。

圖9B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的彩膜層對(duì)位標(biāo)記的第一位置示例。圖9B示出了彩膜層掩膜906上子像素沿顯示陣列的橫向方向依次排布的示例。如圖9B所示，與N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記BM₁₁～BM_1N相關(guān)聯(lián)的N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記CF₁₁～CF_1N位于第三直線X_CF1上，N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記CF₁₁～CF_1N之間的間距CF_P₁為(第一間距±P)，即，CF_P₁＝(BM_P₁+P)；或CF_P₁＝(BM_P₁-P)。此外，N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記CF₂₁～CF_2N之間的間距CF_P₂為(第二間距±P)，即，CF_P₂＝(BM_P₂+P)；或CF_P₂＝(BM_P₂-P)。N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記CF₂₁～CF_2N可以位于第四直線X_CF2上。第一直線X_BM1、第二直線X_BM2、第三直線X_CF1和第四直線X_CF2可以彼此平行。

例如，在圖9A所示第一間距BM_P₁等于1.5mm的情況下，CF_P₁＝(BM_P₁+P)＝1.5mm+P，或CF_P₁＝(BM_P₁-P)＝1.5mm-P。CF_P₂＝(BM_P₂+P)＝1.5mm+(n*3+1)P；或CF_P₂＝(BM_P₂-P)＝1.5mm+(n*3-1)P。類似地，保證0.4mm＜n*3P＜1.1mm，能夠更好地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例。

圖9C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的彩膜層對(duì)位標(biāo)記的第二位置示例。圖9C示出了彩膜層掩膜906上子像素沿顯示基板的縱向方向依次排布的示例。如圖9C所示，與N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記BM₁₁～BM_1N相關(guān)聯(lián)的N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記CF₁₁～CF_1N沿第一直線X_BM1的延伸方向上的間距CF_P_1x為第一間距BM_P₁，在與第一直線X_BM1垂直的方向上的間距CF_P_1y為P。N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記CF₂₁～CF_2N之間沿第一直線X_BM1的延伸方向上的間距CF_P_2x為上述第二間距BM_P₂，在與第一直線X_BM1垂直的方向上的間距CF_P_2y為P。

例如，在圖9A所示第一間距BM_P₁等于1.5mm的情況下，CF_P_1x＝BM_P₁＝1.5mm，并且CF_P_1y＝P；CF_P_2x＝BM_P₂＝1.5mm+n*3P，并且CF_P_2y＝P。類似地，保證0.4mm＜n*3P＜1.1mm，能夠更好地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，還提供了一種用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板。圖10示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板1010的示意圖。應(yīng)注意，圖10僅示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板。由于工藝中需要對(duì)基板進(jìn)行裁切，在實(shí)際形成的顯示基板中可能并不存在圖10所示的各個(gè)對(duì)位標(biāo)記。

如圖10所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板1010可以包括：

黑矩陣1003；

彩膜層1006；以及

形成彩膜層使用的多個(gè)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記1004和多個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記1005。

在黑矩陣的一側(cè)邊沿處的兩端各形成有N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記，N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記之間的間距為第一間距；在黑矩陣的相對(duì)一側(cè)邊沿處的兩端各形成有N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記，N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記之間的間距為第二間距，第一間距與第二間距不相等；N個(gè)彩膜層第一對(duì)位標(biāo)記與N個(gè)黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記相關(guān)聯(lián)地設(shè)置，以及N個(gè)彩膜層第二對(duì)位標(biāo)記與N個(gè)黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記相關(guān)聯(lián)地設(shè)置，N是大于1的整數(shù)。應(yīng)注意，圖10中各個(gè)標(biāo)記的相對(duì)位置關(guān)系僅為示意。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，可以將參考圖9A-9C所述的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的黑矩陣對(duì)位標(biāo)記和彩膜層對(duì)位標(biāo)記的相對(duì)位置關(guān)系應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板。

圖11A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第一示例示意圖。圖11A對(duì)應(yīng)于圖2所示的情況，即，在透明基板初對(duì)位過程中，如果透明基板的偏移量恰好是黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的間距的1倍或2倍左右，傳感器不能監(jiān)控到對(duì)位偏移，此時(shí)透明基板上形成的黑矩陣圖案和黑矩陣對(duì)位標(biāo)記相對(duì)于正常位置也發(fā)生整體偏移。在圖11A所示的情況下，基板1103上的黑矩陣對(duì)位標(biāo)記整體偏移了例如1個(gè)對(duì)位標(biāo)記的距離。與圖7C所示的傳統(tǒng)技術(shù)不同，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例設(shè)置彩膜層掩膜1106上的彩膜層對(duì)位標(biāo)記和基板1103上的黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的相對(duì)位置。例如，在圖11A的示例中，參考圖9A設(shè)置黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的位置并在子像素沿顯示基板的橫向方向依次排布的情況下，參考圖9B設(shè)置彩膜層對(duì)位標(biāo)記的相對(duì)位置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，盡管在黑矩陣的一側(cè)(例如圖11A的上側(cè))由于黑矩陣對(duì)位標(biāo)記整體偏移了1個(gè)對(duì)位標(biāo)記的距離，導(dǎo)致彩膜層對(duì)位標(biāo)記R與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)位G看起來是對(duì)準(zhǔn)的，但是在黑矩陣的相對(duì)另一側(cè)(例如圖11A的下側(cè))，彩膜層對(duì)位標(biāo)記R并沒有與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記G對(duì)準(zhǔn)。曝光設(shè)備會(huì)顯示如圖12A所示的顯示示例，以例如針對(duì)紅色(R)子像素的對(duì)位標(biāo)記為例，畫面1210、1220、1230和1240分別示出了彩膜層掩膜的四個(gè)角處的四個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記R與關(guān)聯(lián)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)的情況。如圖12A所示，盡管顯示示例中與圖11A的上側(cè)的對(duì)位標(biāo)記對(duì)應(yīng)的兩個(gè)畫面1210、1220中看起來彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)(實(shí)際上是彩膜層對(duì)位標(biāo)記R錯(cuò)誤地與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記G對(duì)準(zhǔn))，但是與圖11A的下側(cè)的對(duì)位標(biāo)記對(duì)應(yīng)的兩個(gè)畫面1230、1240中清楚地顯示了黑矩陣對(duì)位標(biāo)記與彩膜層對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)。由此曝光設(shè)備報(bào)警，使得能夠校正對(duì)準(zhǔn)誤差。在例如第一間距BM_P₁等于1.5mm的情況下，第二間距BM_P₂可以在1.9mm～2.6mm之間。

圖11B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第二示例示意圖。對(duì)應(yīng)于圖7D所示，圖11B示出了對(duì)位標(biāo)記整體偏移了1個(gè)對(duì)位標(biāo)記的情況。與圖7D所示的傳統(tǒng)技術(shù)不同，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例設(shè)置彩膜層掩膜1106上的彩膜層對(duì)位標(biāo)記和基板1103上的黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的相對(duì)位置。例如，在圖11B的示例中，參考圖9A設(shè)置黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的位置并在子像素沿顯示陣列的橫向方向依次排布的情況下，參考圖9B設(shè)置彩膜層對(duì)位標(biāo)記的相對(duì)位置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，盡管在黑矩陣一側(cè)(例如圖11B的上側(cè))由于黑矩陣對(duì)位標(biāo)記整體偏移了1個(gè)對(duì)位標(biāo)記的距離，導(dǎo)致彩膜層對(duì)位標(biāo)記B與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記G對(duì)位，在黑矩陣的相對(duì)另一側(cè)(例如圖11B的下側(cè))彩膜層對(duì)位標(biāo)記B并沒有與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記G對(duì)位。曝光設(shè)備會(huì)顯示如圖12B所示的顯示示例，以例如針對(duì)藍(lán)色(B)子像素的對(duì)位標(biāo)記為例，畫面1210’、1220’、1230’和1240’分別示出了彩膜層掩膜的四個(gè)角處的四個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記B與關(guān)聯(lián)黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)位的情況。如圖12B所示，盡管顯示示例中與圖11B的上側(cè)對(duì)應(yīng)的兩個(gè)畫面1210’、1220’中看起來彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記分別對(duì)準(zhǔn)(實(shí)際上是彩膜層對(duì)位標(biāo)記B錯(cuò)誤地與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記G對(duì)準(zhǔn))，而與圖11B的下側(cè)對(duì)應(yīng)的兩個(gè)畫面1230’、1240’中顯示了彩膜層對(duì)位標(biāo)記B沒有與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記B對(duì)準(zhǔn)。由此曝光設(shè)備報(bào)警，使得能夠校正對(duì)準(zhǔn)誤差。

圖11C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例彩膜層對(duì)位標(biāo)記與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記沒有對(duì)準(zhǔn)的第三示例示意圖。對(duì)應(yīng)于圖7E所示，圖11C示出了對(duì)位標(biāo)記整體偏移了2個(gè)對(duì)位標(biāo)記的情況。與圖7E所示的傳統(tǒng)技術(shù)不同，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例設(shè)置彩膜層掩膜1106上的彩膜層對(duì)位標(biāo)記和基板1103上的黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的相對(duì)位置。例如，在圖11C的示例中，參考圖9A設(shè)置黑矩陣對(duì)位標(biāo)記的位置并在子像素沿顯示基板的橫向方向依次排布的情況下參考圖9B設(shè)置彩膜層對(duì)位標(biāo)記的相對(duì)位置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，盡管在黑矩陣一側(cè)(例如圖11C的上側(cè))由于黑矩陣對(duì)位標(biāo)記整體偏移了2個(gè)對(duì)位標(biāo)記的距離，導(dǎo)致彩膜層對(duì)位標(biāo)記B與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記R對(duì)位，但是在黑矩陣的相對(duì)另一側(cè)(例如圖11C的下側(cè))彩膜層對(duì)位標(biāo)記B并沒有與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記R對(duì)準(zhǔn)。曝光設(shè)備會(huì)顯示如圖12C所示的顯示示例，以例如針對(duì)藍(lán)色(B)子像素的對(duì)位標(biāo)記為例，畫面1210”、1220”、1230”和1240”分別示出了彩膜層掩膜的四個(gè)角處的四個(gè)彩膜層對(duì)位標(biāo)記B與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)的情況。如圖12C所示，盡管顯示示例中與圖11C的上側(cè)對(duì)應(yīng)的兩個(gè)畫面1210”、1220”中看起來黑矩陣對(duì)位標(biāo)記與彩膜層對(duì)位標(biāo)記分別對(duì)準(zhǔn)(實(shí)際上是彩膜層對(duì)位標(biāo)記B錯(cuò)誤地與黑矩陣對(duì)位標(biāo)記R對(duì)準(zhǔn))，而與圖11C的下側(cè)對(duì)應(yīng)的兩個(gè)畫面1230”、1240”中清楚地顯示了彩膜層對(duì)位標(biāo)記B與沒有黑矩陣對(duì)位標(biāo)記B對(duì)準(zhǔn)。由此曝光設(shè)備報(bào)警，使得能夠校正對(duì)準(zhǔn)誤差。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，盡管以上示例中以子像素沿顯示基板的橫向方向依次排布為例進(jìn)行描述，根據(jù)以上描述，能夠?qū)⒈景l(fā)明實(shí)施例顯而易見地應(yīng)用于當(dāng)子像素沿顯示基板的縱向方向依次排布的情況。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括陣列基板和如上所述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示基板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，如上所述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板。該顯示裝置可以是電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，通過將黑矩陣的一側(cè)邊處的黑矩陣第一對(duì)位標(biāo)記之間的第一間距設(shè)置為與黑矩陣的相對(duì)一側(cè)處的黑矩陣第二對(duì)位標(biāo)記之間的第二間距不相等，相關(guān)聯(lián)地設(shè)置彩膜層對(duì)位標(biāo)記，能夠在即使對(duì)位偏移量為1個(gè)或2個(gè)對(duì)位標(biāo)記的情況下，也不會(huì)出現(xiàn)自動(dòng)對(duì)位錯(cuò)誤的情況。

盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的典型實(shí)施例，具體示出和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的多種改變。