同時(shí)光刻及蝕刻校正流程的方法與流程

本揭露關(guān)于半導(dǎo)體制造，尤其關(guān)于用于進(jìn)行同時(shí)光刻及蝕刻工藝校正流程的系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)：

在一實(shí)施例中，「下線(tapeout)」流程即實(shí)施數(shù)據(jù)處理方法與仿真以建置單一掩模及/或校正半導(dǎo)體層設(shè)計(jì)光刻誤差的流程，在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，本方法能夠移動(dòng)(例如，推移)個(gè)別掩模多邊形以顧及例如，光學(xué)鄰近校正(opc)步驟中或期間任何預(yù)測(cè)的覆蓋誤差。opc通過進(jìn)行仿真、光刻工藝建模、以及例如以用于最佳化掩模尺寸(例如，變更掩模尺寸)的校正建模為基礎(chǔ)，而用以校正光刻非線性度。進(jìn)行opc工藝因此產(chǎn)出掩模「形狀」，而(此形狀的)掩模數(shù)據(jù)用于形成(印刷)光刻工藝中用以形成半導(dǎo)體特征的掩模及印刷掩模。

關(guān)鍵尺寸在超越22nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)持續(xù)縮小，各工藝步驟的工藝窗口從而縮減。結(jié)果是，在使用opc設(shè)計(jì)掩模進(jìn)行光刻印刷工藝之后，看到若在例如反應(yīng)性離子蝕刻(rie)的光刻之后使用蝕刻工藝，則所產(chǎn)生的蝕刻步驟會(huì)在多種關(guān)鍵設(shè)計(jì)組態(tài)中顯著失效。

因此，opc提供用于建置掩模的掩模形狀，而校正光刻的使用將會(huì)印刷特征。然而，由于rie蝕刻階段處理的關(guān)系，基材上的印刷特征正逐漸失效。

在理想的情況下，有一組沒有發(fā)現(xiàn)到故障的工藝條件。這組條件為工藝窗口(pw)，亦即可印刷出無故障的晶圓的焦點(diǎn)及劑量變異范圍。所建立的掩模必須對(duì)這些工藝變異具有容限。舉例而言，正如已知，焦點(diǎn)曝照矩陣(focusexposurematrix)主控晶圓工藝，為了顧及制造程序變數(shù)，有加入一些變異。進(jìn)行光刻時(shí)，光刻中的主要變數(shù)是焦點(diǎn)及曝照劑量(亦即，焦點(diǎn)如何妥適保持、以及光量(曝照劑量))。焦點(diǎn)及曝照與劑量變異是以矩陣形式來產(chǎn)生，而晶圓透過焦點(diǎn)及劑量變異的圖案來曝照以產(chǎn)生此矩陣。此等圖案于所有工藝及曝照條件下測(cè)得。

進(jìn)行圖案化時(shí)，于「工藝窗口」(pw)里，光刻與蝕刻的邊界一直彼此沖突，并且導(dǎo)致最佳化，各該邊界將會(huì)獨(dú)立使另一邊界產(chǎn)生硬失效(hardfails)，這種情況隨著技術(shù)邁向22nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)尤其顯著。

舉一特定實(shí)施例來說，一種過度判定故障類型為在硬掩模開口(hmo)(hmo蝕刻工藝)步驟進(jìn)行蝕刻時(shí)的阻劑頂損(resisttoploss)誘發(fā)型失效。

圖1展示一例示性光阻材料頂損現(xiàn)象、以及透過蝕刻的失效的圖案轉(zhuǎn)移。俯視圖展示一對(duì)掩模邊緣12a、12b，其界定用于在晶圓上沉積阻劑層18的間隙15，如圖所示。如圖1所示，圖解13展示正規(guī)化阻劑厚度，其為對(duì)阻劑層施光(曝照)的函數(shù)。如圖所示，低劑量曝照無材料損耗。如隨附的圖解13所示，當(dāng)曝照之后，在理想的情況下，光阻層不會(huì)損耗任何材料，直到隨著理想曝光量施加此一夠大的劑量(例如：關(guān)鍵劑量)為止。然而，由于這種阻劑特性的關(guān)系，當(dāng)散射的光子撞擊未曝露區(qū)時(shí)，厚度/體積從原始位準(zhǔn)11開始損耗，亦即阻劑頂損(阻劑高度位準(zhǔn)降低)。這導(dǎo)致圖案夾止，并且無法透過蝕刻來轉(zhuǎn)移。不同的設(shè)計(jì)組態(tài)導(dǎo)致不同位準(zhǔn)的隱蔽(阻劑)強(qiáng)度19，而阻劑高度產(chǎn)生程度舉例如圖所示，可能改變相同關(guān)鍵尺寸(cd)的阻劑特征18a、18b或18c。也就是說，只有阻劑的高度受到影響，cd并未受到影響，亦即，底端尺寸不受影響(原因在于焦點(diǎn)及/或劑量的變異(工藝變異)、掩模設(shè)計(jì)形狀等)。

在所運(yùn)用的光刻建模中，對(duì)底端關(guān)鍵尺寸(cd)施作sem測(cè)量以測(cè)量阻劑底端的寬度及/或空間。因?yàn)橹挥凶鑴└叨茸兏饪棠Ｐ筒⒉恢雷鑴└叨茸兏?/p>

由于阻劑特性(圖1的圖解13)的關(guān)系，當(dāng)散射的光子撞擊未曝露區(qū)時(shí)，曝照阻劑損耗其厚度/體積。這導(dǎo)致圖案夾止，并且無法透過蝕刻來轉(zhuǎn)移，造成蝕刻因hmo失效而跟著失效。

圖2展示產(chǎn)生的晶圓影像10，其繪示電子束檢驗(yàn)(ebi)工具結(jié)果，在晶圓20的多個(gè)掩模曝照/晶粒30上展示多個(gè)后rie蝕刻工藝失效25(在一組特定的集合與劑量工藝條件下)。特別的是，圖2展示例示性22nm處理過程，其在「mx」金屬階有誤差。在這里，后hmo處的ebi檢驗(yàn)展示無pw。光刻建模及orc(光學(xué)規(guī)則檢查)兩者都不可預(yù)測(cè)因fbi導(dǎo)致的晶圓失效25。此orc為經(jīng)套用在晶圓期間尋找問題點(diǎn)(潛在故障)的掩模及檢查(測(cè)量)的仿真。沒有預(yù)測(cè)到所示晶圓失效25后蝕刻，亦即，正常光刻模型不可預(yù)測(cè)此類型的故障機(jī)制。

情況為，習(xí)用的opc校正流程無法擷取校正失效機(jī)制，并且無法將掩模尺寸驅(qū)使到介于光刻與蝕刻之間的最佳化公用工藝中心。

再者，缺乏良好的蝕刻模型會(huì)導(dǎo)致圖案化失效，舉例來說，光阻底端cd可能在規(guī)格內(nèi)，但如所述，后蝕刻會(huì)失效。此等失效與光阻頂損相關(guān)，但頂損或3d阻劑外形難以直接測(cè)量并且準(zhǔn)確建模。此外，任何所運(yùn)用的蝕刻模型傾向于不準(zhǔn)確，并且已導(dǎo)致不可制造的光刻條件。舉例而言，蝕刻模型缺乏「工藝窗口」仿真能力：1)原因在于假設(shè)蝕刻偏差僅取決于圖案密度條件；以及2)與光刻圖案逼真度或3d阻劑外形沒有關(guān)系。

此外，盡管3d阻劑仿真昂貴且不適用于全芯片分析，但此一阻劑仿真仍可用于建置更實(shí)體且更準(zhǔn)確的蝕刻模型。

此外，圖案化工藝在建模時(shí)，通常對(duì)光學(xué)光光刻工藝及蝕刻工藝建置不同模型。此光光刻模型涉及描述曝照工具中的光形成的光學(xué)模型、以及描述光阻的曝照與顯影的光阻模型。這些模型通常校準(zhǔn)成使用cd-sem在后顯影光阻中所取得的單組測(cè)量結(jié)果。cd-sem測(cè)量通常是在光阻底端施作，而測(cè)量人為誤差(artifact)透過應(yīng)用于底端cd測(cè)量的sem對(duì)實(shí)體偏差校正(sem-to-physicalbiascorrection)來移除。此蝕刻工藝通常建模為介于后顯影與后蝕刻測(cè)量之間的可變偏差。發(fā)現(xiàn)此可變偏差為與后顯影圖案的圖案密度有關(guān)的參數(shù)的函數(shù)。光光刻的品質(zhì)若適當(dāng)，則可使用光刻設(shè)計(jì)目標(biāo)的圖案密度作為圖案化光阻的代理，導(dǎo)致仿真效率提升。

然而，此方法未完全顧及3維光阻外形、cd-sem測(cè)量功能與光阻圖案透過蝕刻工藝轉(zhuǎn)移成膜件堆迭之間的復(fù)雜交互作用。由于蝕刻轉(zhuǎn)移可能取決于光阻的3維外形，另外還取決于蝕刻模型中諸如局部圖案密度等傳統(tǒng)考量的其它因素，所以建立實(shí)體蝕刻模型時(shí)考慮全阻劑外形是合理的。

然而，3d阻劑外形仿真昂貴又耗時(shí)，因此，不適用于全芯片蝕刻建模。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

由于習(xí)用的opc校正流程無法擷取校正失效機(jī)制，也無法將掩模尺寸驅(qū)進(jìn)到介于光刻與蝕刻之間的最佳化公用工藝中心，因而提供一種通過將該掩模尺寸驅(qū)使到居中于光刻/蝕刻兩工藝之間用于將opc校正流程中的光刻及蝕刻(例如：硬掩模開口(hmo))工藝共最佳化

(co-optimizing)的系統(tǒng)及方法。

因此，提供一種在光刻與蝕刻工藝之間最佳化公用工藝窗口的方法。舉例而言，穩(wěn)健的光刻模型加上hmo模型會(huì)防范缺陷，并且改善光刻工藝控制/計(jì)量。

再者，提供一種用以快速近似3d阻劑外形特征促成經(jīng)轉(zhuǎn)移的蝕刻圖案的方法。

因此，根據(jù)第一態(tài)樣，提供有一種蝕刻掩模校正的系統(tǒng)及方法。本方法包含：在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行第一光刻工藝模型仿真，導(dǎo)致在第一工藝窗口中產(chǎn)生掩模的線路或空間特征；在該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行第二硬掩模開口蝕刻工藝模型仿真，導(dǎo)致在第二工藝窗口中產(chǎn)生該掩模的線路或空間特征；判斷執(zhí)行各該第一工藝模型仿真與第二工藝模型仿真所產(chǎn)生的線路特征或空間特征是否在各別目標(biāo)規(guī)格內(nèi)；以及修改反復(fù)回圈程序的單一迭代里的掩模設(shè)計(jì)，使得線路特征規(guī)格或空間特征規(guī)格在各個(gè)各別目標(biāo)規(guī)格內(nèi)，并且致使獲得光刻與蝕刻之間最佳化的公用工藝窗口(pw)，其中該光刻與蝕刻掩模工藝模型于反復(fù)回圈處理過程中同時(shí)共最佳化。

在進(jìn)一步態(tài)樣中，提供有一種用于硬掩模開口蝕刻工藝的校準(zhǔn)系統(tǒng)及方法。該校準(zhǔn)方法包含：獲得因三維光阻外形變異而顧及已蝕刻圖案的蝕刻模型形式，該模型形式包括與光學(xué)影像直接有關(guān)的光學(xué)與密度兩參數(shù)，該校準(zhǔn)方法包含：執(zhí)行光學(xué)成像模型以基于掩模設(shè)計(jì)規(guī)格產(chǎn)生該光學(xué)與密度參數(shù)；以及在反復(fù)處理回圈中，在每一個(gè)第一光刻工藝模型仿真中輸入該光學(xué)影像參數(shù)，并且使用第二硬掩模開口蝕刻工藝模型仿真中的該光學(xué)影像參數(shù)作為3d阻劑外形的代理，其中產(chǎn)生的是已蝕刻圖案的有效率且準(zhǔn)確的仿真。

附圖說明

本揭露的特征及優(yōu)點(diǎn)經(jīng)由依循其說明性具體實(shí)施例的詳細(xì)描述將變?yōu)轱@而易知，此等說明性具體實(shí)施例須搭配附圖來閱讀。由于說明內(nèi)容是為了清楚描述以協(xié)助所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者搭配詳細(xì)說明來理解本揭露，圖式的各個(gè)特征因而未按照比例。在圖式中：

圖1展示一例示性光阻材料頂損現(xiàn)象、以及導(dǎo)致透過蝕刻的圖案轉(zhuǎn)移失效；

圖2展示產(chǎn)生的晶圓影像，其繪示電子束檢驗(yàn)(ebi)工具結(jié)果，在晶圓的多個(gè)掩模曝照上展示多個(gè)后rie蝕刻工藝失效(在一組特定的焦點(diǎn)與劑量工藝條件下)；

圖3a展示用于給定的劑量及掩模定位錨的慣例，其中光刻工藝窗口光學(xué)鄰近校正(pwopc)工藝用于最佳化掩模尺寸以放大光刻pw，但不用知道或覺察任何潛在的hmo蝕刻偏差問題；

圖3b展示使用根據(jù)圖3a的最佳化光刻pwopc工藝窗口所設(shè)計(jì)光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷；

圖3c展示給定圖3a的劑量與掩模定位錨及光刻工藝窗口opc(pwopc)工藝而產(chǎn)生的hmo/蝕刻處理窗口；

圖3d展示使用根據(jù)圖3a的最佳化pwopc工藝窗口以及圖3c的產(chǎn)生的hmo/蝕刻工藝窗口所設(shè)計(jì)光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷；

圖3e繪示圖3a的已設(shè)計(jì)光刻工藝窗口(pwopc)及條件與例如例示性pwopc光刻窗口內(nèi)印刷的其產(chǎn)生的cd特征的概念性迭加，與hmo/蝕刻工藝無關(guān)；

圖3f繪示圖3c的已設(shè)計(jì)光刻工藝窗口(pwopc)及條件與例如進(jìn)行hmo/蝕刻工藝后的例示性pwopc光刻窗口期間的條件下印刷的其產(chǎn)生的cd特征的概念性迭加；

圖4a展示用于給定的劑量及掩模定位錨的慣例，其中hmo(硬掩模開口)/蝕刻工藝窗口hmopwopc工藝用于最佳化掩模尺寸以放大hmopw，然而，不用知道或覺查任何潛在的光刻處理問題；

圖4b展示使用根據(jù)最佳化hmopwopc工藝所設(shè)計(jì)光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷用于最佳化使用根據(jù)圖4a的最佳化pwopc工藝窗口所設(shè)計(jì)光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷；

圖4c展示給定圖4a的劑量與掩模定位錨及hmoopc工藝窗口(pwopc)工藝而產(chǎn)生的光刻處理窗口，舉例而言，用于最佳化印刷金屬線用的hmo蝕刻處理窗口；

圖4d展示使用根據(jù)圖4a的最佳化hmopwopc工藝窗口所設(shè)計(jì)光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷；

圖5繪示一種在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，通過驅(qū)使掩模尺寸居中于光刻/蝕刻兩工藝之間，用以在opc校正流程中共最佳化光刻與蝕刻(hmo)兩者的方法。

圖6繪示在opc中用以共最佳化光刻與蝕刻(hmo)兩者的方法流程；

圖7展示因圖6的最佳化回圈處理所產(chǎn)生的具有hmo蝕刻校正的晶圓的生產(chǎn)；

圖8a展示hmo蝕刻偏差(y軸)與已顯影阻劑關(guān)鍵尺寸(x軸)的例示性關(guān)系圖；

圖8b展示hmo蝕刻偏差(y軸)與間距的例示性關(guān)系圖；

圖8c展示hmo蝕刻偏差(y軸)與工作周期的例示性關(guān)系圖；

圖9展示繪示各個(gè)實(shí)體芯片位置的hmo偏差蝕刻與阻劑斜率相關(guān)性的例示性關(guān)系圖；

圖10展示在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行用于在給定指定的光刻及hmo關(guān)鍵尺寸下，使用光刻及hmo模型兩者共最佳化掩模尺寸的方法；

圖11展示在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，指定如何在判定產(chǎn)生的所仿真輸出pw光刻/hmo輪廓不在其目標(biāo)規(guī)格內(nèi)時(shí)修改掩模尺寸或設(shè)計(jì)的例示性表格；以及

圖12繪示一項(xiàng)具體實(shí)施例中用于進(jìn)行諸如圖6及10所述方法的例示性硬件組態(tài)。

具體實(shí)施方式

本揭露現(xiàn)將參照以下本申請(qǐng)案隨附的論述及圖式予以更加詳述。本申請(qǐng)案的圖式是為了說明性目的而提供，下文有較為詳細(xì)的說明。

圖3a展示用于給定的劑量及掩模定位錨的慣例，其中光光刻(「光刻」)工藝窗口opc(pwopc)工藝50用于最佳化掩模尺寸以放大光刻pw，但不用知道或覺察hmo工藝中的任何潛在問題。在這里，虛線53表示舉例而言，透過給定金屬空間目標(biāo)的聚焦及劑量的光刻cd變異。如圖3a所示，一個(gè)目標(biāo)是要確?？捎∷㈥P(guān)鍵尺寸特征的最大光刻工藝窗口，舉例來說，但不用擔(dān)心hmo(硬掩模開口)工藝窗口里正在發(fā)生的事情。在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，接近工藝窗口范圍50的中心線56的處理?xiàng)l件會(huì)導(dǎo)致符合cd要求的更準(zhǔn)確的特征。

圖3b展示使用根據(jù)圖3a的最佳化光刻pwopc工藝窗口50所設(shè)計(jì)的光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷60。如圖所示，在這項(xiàng)所示實(shí)施例中，pwopc工藝窗口50里的工藝變異導(dǎo)致已印刷的光刻特征60，其包括具有所示最大化光刻空間cd可印刷性的高度準(zhǔn)確已印刷且相隔的特征63。

圖3e繪示圖3a的已設(shè)計(jì)的光刻工藝窗口(pwopc)50及條件53與例如例示性pwopc光刻窗口50內(nèi)印刷的其產(chǎn)生的cd特征60的概念性迭加70，與hmo/蝕刻工藝無關(guān)。

圖3c展示給定圖3a的劑量與掩模定位錨及光刻工藝窗口opc(pwopc)工藝50而產(chǎn)生的hmo/蝕刻處理窗口55，舉例而言，用來最佳化印刷金屬線用的光刻處理窗口。在這里，嘗試放大光刻pw時(shí)，導(dǎo)致非最佳化hmo蝕刻窗口條件。也就是說，虛線57表示跨越工藝窗口條件的給定目標(biāo)的產(chǎn)生的hmo蝕刻cd變異，在此期間，要進(jìn)行光刻工藝以獲得關(guān)鍵特征光刻工藝窗口的已印刷掩模。然而，因?yàn)槭艿焦饪蘰wopc工藝50驅(qū)動(dòng)，目標(biāo)印刷于最大光刻pw，但相同的目標(biāo)58未于其hmo工藝窗口的中心被圖案化。事實(shí)上，它被推往圖3c的hmo工藝窗口55的邊緣處或附近，導(dǎo)致此圖案在hmo步驟殘存的機(jī)會(huì)非常小。

圖3d展示使用根據(jù)圖3a的最佳化pwopc工藝窗口50所設(shè)計(jì)的掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷65、以及用以在hmo步驟導(dǎo)致關(guān)鍵特征尺寸的特征印刷65的圖3c的產(chǎn)生的hmo/蝕刻工藝窗口55。然而，如圖3d所繪示的這項(xiàng)實(shí)施例中所示，hmo/蝕刻用的pwopc工藝窗口55里的工藝變異在64處的已印刷及已蝕刻特征與(尤其是)線路特征合并的66處的硬失效故障印刷之間導(dǎo)致更緊密的邊界，但是所印刷的光刻特征63更準(zhǔn)確，在接近圖3c的工藝窗口范圍55的線路58的處理?xiàng)l件下，工藝窗口的邊緣附近所示的cd特征最大。在這里，rie蝕刻工藝已在對(duì)應(yīng)于線路58的條件下，遭推往其理想處理窗口幾乎外側(cè)的位置。

圖3f繪示圖3c的已設(shè)計(jì)的hmo工藝窗口(pwopc)55及條件57與例如進(jìn)行hmo/蝕刻工藝后的例示性pwopchmo窗口55期間的條件下印刷的其產(chǎn)生的cd特征63、64、66的概念性迭加75。

圖4a展示用于給定的劑量及掩模定位錨的慣例，其中hmo(硬掩模開口)/蝕刻工藝窗口hmopwopc工藝80用于最佳化掩模尺寸以放大hmopw，然而，不用知道或覺查任何潛在光刻處理問題。在這里，虛線83表示跨越工藝窗口的hmocd變異，其中舉例而言，將會(huì)針對(duì)金屬空間印刷各種程度的掩模關(guān)鍵特征尺寸。如圖4a所示，一個(gè)目標(biāo)在于確?？稍谧畲蠊に嚧翱谥形g刻關(guān)鍵尺寸特征(硬掩模開口)。在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，接近工藝窗口范圍80的中心線86的處理?xiàng)l件會(huì)導(dǎo)致符合cd要求的更準(zhǔn)確的已蝕刻特征。

圖4b展示使用根據(jù)最佳化hmopwopc工藝80所設(shè)計(jì)的光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷90用于最佳化使用根據(jù)圖4a的最佳化pwopc工藝窗口80所設(shè)計(jì)的光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷90。如圖所示，在所繪示的這項(xiàng)實(shí)施例中，pwopc工藝窗口80里的工藝變異導(dǎo)致光刻已印刷及已蝕刻特征90，其包括具有所示最大化cd工藝窗口的高度準(zhǔn)確的已印刷特征93。

圖4c展示給定圖4a的劑量與掩模定位錨及hmoopc工藝窗口(pwopc)工藝80而產(chǎn)生的光刻處理窗口85，舉例而言，用于最佳化印刷金屬空間用的hmo蝕刻處理窗口。在這里，獨(dú)自嘗試最佳化hmo蝕刻窗口條件時(shí)，導(dǎo)致非最佳化光刻pw。也就是說，虛線87表示跨越工藝窗口條件給定目標(biāo)的產(chǎn)生的光刻cd變異，在此期間，要進(jìn)行hmo蝕刻工藝以獲得關(guān)鍵特征hmocd工藝窗口的已印刷掩模。然而，因?yàn)槭艿絟mopwopc工藝80驅(qū)動(dòng)，目標(biāo)88于最大hmopw被圖案化，但相同的目標(biāo)未印刷于其光刻工藝窗口的中心。事實(shí)上，它被推往圖4c的光刻工藝窗口85的邊緣處或附近，導(dǎo)致此圖案無法在光刻步驟印刷。

圖4d展示使用根據(jù)圖4a的最佳化hmopwopc工藝窗口80所設(shè)計(jì)的光阻掩模的關(guān)鍵特征尺寸的產(chǎn)生的阻劑特征印刷95、以及用以在后光刻時(shí)導(dǎo)致關(guān)鍵特征尺寸的阻劑特征印刷95的圖4c的產(chǎn)生的光刻工藝窗口85。然而，如圖4d所繪示的這項(xiàng)實(shí)施例中所示，光刻用的hmopwopc工藝窗口85里的工藝變異在線路特征遭夾止的96處導(dǎo)致硬失效故障，但是所印刷的光刻特征93更準(zhǔn)確，在接近圖4c的工藝窗口范圍85的線路88的處理?xiàng)l件下，工藝窗口的邊緣附近所示的cd特征最大。在這里，rie蝕刻工藝已居中于工藝窗口里；然而，光刻工藝已在對(duì)應(yīng)于線路88的條件下，遭推往理想光刻處理窗口幾乎外側(cè)的位置。

圖5概念性繪示一種通過驅(qū)使掩模尺寸居中于光刻與蝕刻兩工藝之間，用以在opc校正流程中共最佳化光刻與蝕刻(hmo)兩者的方法。在圖5中，opc處理流程仿真100達(dá)到光刻與蝕刻之間最佳化的公用工藝窗口(pw)110。在圖5的方法100中，用以達(dá)到對(duì)應(yīng)于如圖4a所提的針對(duì)hmopwopc條件而最佳化pw的最佳化所產(chǎn)生的蝕刻/hmopwopc工藝窗口80的仿真處理于相同的處理最佳化回圈中，與用以達(dá)到對(duì)應(yīng)于如圖4c所提的針對(duì)hmopwopc條件而最佳化pw的最佳化hmopwopc光刻工藝窗口85的仿真處理組合，用來為提供光刻/hmo共最佳化而產(chǎn)生共最佳化光刻/hmo公用窗口110。如圖所示，共最佳化光刻/hmo公用窗口110提供經(jīng)最佳化包括后hmo蝕刻cd變異86之后光刻關(guān)鍵尺寸cd變異56的居中范圍。在這里，掩模尺寸遭驅(qū)往用以容納光刻與hmo/蝕刻兩工藝的最佳位置?？蓪?duì)全芯片實(shí)施這些仿真。

圖6繪示用以在opc中共最佳化光刻與蝕刻兩者(例如：硬掩模開口或hmo)的流程200。盡管本文中的方法描述成與硬掩模開口蝕刻工藝有關(guān)，但應(yīng)了解的是，本文中的方法適用于遭蝕刻的任何類型材料，例如：氮化物蝕刻、氧化物蝕刻工藝等。在第一設(shè)計(jì)步驟204中，產(chǎn)生有使用所屬技術(shù)領(lǐng)域中已知技術(shù)的電路設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)可分成子設(shè)計(jì)區(qū)域或次芯片(chiplet)設(shè)計(jì)，舉例而言，用以避免一次性處理整個(gè)分劃板場(chǎng)(reticlefield)。此流程于210持續(xù)以進(jìn)行下一個(gè)虛設(shè)填充，其為一種形貌填充，于此加入形狀以提供圖案均勻的布局或避免形貌問題。此虛設(shè)填充步驟可針對(duì)各次芯片以局部化的基礎(chǔ)(亦即次芯片接著次芯片)或針對(duì)全芯片來實(shí)施。舉例來說，這些顧及形貌校正的設(shè)計(jì)以局部化(即次芯片接著次芯片)或全芯片為基礎(chǔ)，于典型的重定(retargeting)步驟210中進(jìn)一步進(jìn)行處理。接著的這數(shù)個(gè)步驟實(shí)施光刻/hmo共最佳化技術(shù)300以獲得光刻與hmo蝕刻兩者的最佳化工藝窗口。在這里，于302，基于模型的次解析輔助特征步驟先根據(jù)搭配305的pwopc光刻用最佳化的已知技術(shù)來進(jìn)行，產(chǎn)生圖5所示的輸出輪廓56，然而，現(xiàn)進(jìn)行的是，與最佳化pwhmo蝕刻310結(jié)合進(jìn)行以產(chǎn)生圖5所示的輸出輪廓86。輸出250為基于處理回圈300而針對(duì)掩模所運(yùn)算的最佳特征尺寸，并且經(jīng)受進(jìn)一步的光學(xué)規(guī)則檢查程序275。在處理回圈300中，于各迭代里，亦即采同時(shí)方式，進(jìn)行光刻pwopc與hmopwopc兩最佳化工藝，通過驅(qū)使掩模設(shè)計(jì)(例如：掩模尺寸)輪廓居中于光刻/蝕刻兩工藝之間，共最佳化opc校正流程中的光刻與蝕刻(hmo)。舉例而言，在回圈300中產(chǎn)生opc碼時(shí)，輸入有光刻pwopc模型及hmopwopc模型數(shù)據(jù)，還可選用mbsraf數(shù)據(jù)，以便使用相同處理回圈300里的計(jì)算來調(diào)整兩模型以設(shè)定指示是否需要如判定來增加、或減少光刻cd的規(guī)格；以及使用相同處理回圈300里的計(jì)算以設(shè)定是否需要如判定來增加、或減少hmo蝕刻cd的規(guī)格。接著，使用出自兩工藝cd仿真的結(jié)合資訊來導(dǎo)引掩模尺寸變更，致使其將會(huì)在最佳化結(jié)束時(shí)，符合光刻cd與hmocd兩特征規(guī)格。

因此，在方法200中，達(dá)到同時(shí)分析并且共最佳化兩個(gè)獨(dú)立工藝模型的掩模校正。光刻pwopc與hmopwopc兩工藝模型在(相同回圈里的)各迭代中同時(shí)執(zhí)行，導(dǎo)致避免各模型獨(dú)立失效的掩模解決方案。此最佳化的掩模尺寸將會(huì)驅(qū)使工藝停留在最佳化時(shí)規(guī)格里起自獨(dú)立工藝的路徑中。舉例而言，在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，透過光刻與hmo仿真建模，處理步驟包括：判定確保光刻cd特征成功的最小光刻cd的第一規(guī)格；以及同樣地，判定確保蝕刻cd特征成功的最小hmo蝕刻cd的第二規(guī)格。此等第一規(guī)格與第二規(guī)格輸入到回圈處理過程300，并且用于判定掩模尺寸以試著符合各規(guī)格的限制。取決于是否符合兩規(guī)格，這兩個(gè)hmo(工藝窗口rie)與光刻cd工藝之間的加權(quán)使得掩模尺寸從而變更，為的是要加速收斂以獲得符合第一與第二兩規(guī)格的掩模尺寸解決方案。

因此，圖6、圖7的處理過程200及最佳化回圈處理過程300展示具有hmo蝕刻校正的晶圓375的生產(chǎn)。相較于圖2的先前技術(shù)掩模與晶圓處理過程，根據(jù)圖2的最佳化架構(gòu)200所產(chǎn)生的晶圓350實(shí)際上未出現(xiàn)阻劑頂損。

因此，為一種得以同時(shí)分析并且共最佳化兩個(gè)獨(dú)立工藝模型的掩模校正方法。兩工藝模型在各迭代中同時(shí)執(zhí)行，導(dǎo)致避免各模型獨(dú)立失效的掩模解決方案。(亦即，各別或循序執(zhí)行掩模最佳化的情況。)此最佳化的掩模尺寸將會(huì)驅(qū)使工藝停留在最佳化時(shí)規(guī)格里起自獨(dú)立工藝的路徑中。

在進(jìn)一步具體實(shí)施例中，本文中的系統(tǒng)及方法使用光學(xué)影像作為3d阻劑外形的代理，以及用以使用此影像建立已蝕刻圖案的有效率且準(zhǔn)確的模型的方法。正如此光學(xué)影像可當(dāng)作可在光阻中準(zhǔn)確預(yù)測(cè)邊緣置放的光阻曝照與顯影模型的輸入，一光學(xué)影像當(dāng)作將會(huì)準(zhǔn)確預(yù)測(cè)已蝕刻圖案的邊緣置放的蝕刻工藝模型的輸入。在建立已蝕刻圖案的有效率且準(zhǔn)確的模型時(shí)：1)使用的只有導(dǎo)致處理更快的光學(xué)器件及蝕刻模型；以及2)最終的蝕刻邊緣仿真因近似3d阻劑效應(yīng)而更準(zhǔn)確。

因此，在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，提供一種圖6的pwhmo處理過程330所用的更準(zhǔn)確的蝕刻模型形式，其擷取3d阻劑資訊作為影像。光學(xué)影像條件結(jié)合「阻劑」模型條件當(dāng)作3d阻劑外形的代理使用。圖6的處理過程330需要用以蝕刻數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?，其包括：建模蝕刻cd，非蝕刻偏差，用以導(dǎo)致具有更純凈數(shù)據(jù)的更容易的測(cè)量方法。

在這里，鑒于圖8a至8c，繪制的是與hmo偏差有關(guān)的各種關(guān)系圖的實(shí)施例，亦即由后顯影至后蝕刻的變更與局部已印刷圖案密度相關(guān)的各種參數(shù)的關(guān)系。在圖8a至8c的各者中，hmo偏差隨著光阻的測(cè)量尺寸變更至硬掩模測(cè)量(導(dǎo)因于蝕刻工藝)而加以運(yùn)算。舉例而言，圖8a展示hmo蝕刻偏差(y軸)與已顯影阻劑關(guān)鍵尺寸(x軸)(即阻劑特征尺寸)的例示性關(guān)系圖377，圖8b展示hmo蝕刻偏差(y軸)與間距(即特征的光阻cd圖案的周期性)的例示性關(guān)系圖380，以及圖8c展示hmo蝕刻偏差(y軸)與圖案化特征的工作周期的例示性關(guān)系圖383。這些關(guān)系圖377、380及383各展示圖案密度條件未擷取的顯著系統(tǒng)變異。也就是說，圖案密度未妥適擷取hmo蝕刻偏差，亦即，后顯影特征測(cè)量與運(yùn)算的局部已印刷圖案密度的相關(guān)性不強(qiáng)。

在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，如本文中關(guān)于圖10所述，實(shí)施的是一種方法，其包括：獲得并且使用光學(xué)影像作為3d阻劑外形的代理，以及在處理回圈300中實(shí)施本方法以將光學(xué)影像參數(shù)用于建立已蝕刻圖案的有效率且準(zhǔn)確的模型。也就是說，通過獲得光學(xué)影像并且使用此影像作為蝕刻工藝的模型的輸入，已蝕刻圖案的預(yù)測(cè)邊緣置放將會(huì)準(zhǔn)確。此方法的優(yōu)點(diǎn)在于：1)僅使用光學(xué)器件及蝕刻模型而快速；以及2)最終蝕刻仿真因近似3d阻劑效應(yīng)而更準(zhǔn)確。

在這里，提供有一種有效率的光阻外形感知蝕刻模型形式、以及因三維光阻外形的變異而顧及已蝕刻圖案的差異的校準(zhǔn)方法。因此，舉例而言：模型形式包括與光學(xué)影像直接有關(guān)的條件；以及校準(zhǔn)方法仰仗已蝕刻影像的cd測(cè)量結(jié)果。再者，校準(zhǔn)方法包括cd測(cè)量結(jié)果對(duì)模型形式條件的經(jīng)驗(yàn)擬合(empiricalfit)。

在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，此模型形式包括光學(xué)與密度兩條件。

圖9展示繪示各個(gè)實(shí)體芯片位置的hmo偏差蝕刻392與阻劑斜率相關(guān)性的例示性關(guān)系圖390。在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，阻劑斜率為頂端與底端cdsem測(cè)量結(jié)果之間的差異，亦即被測(cè)量作為阻劑與基材之間形成的接觸角。在圖9中，看到hmo偏差與阻劑斜率有更好的相關(guān)性。舉例而言，所示于芯片上所形成并顯影的阻劑圖案的各個(gè)位置，繪制以納米為測(cè)量單位運(yùn)算的差值392(阻劑斜率的差異)與hmo偏差394的關(guān)系圖。

因此，提供有一種用于仿真蝕刻圖案的有效率的模型形式，其包括光學(xué)與密度兩條件；以及圖10中所示因三維光阻外形的變異而顧及已蝕刻圖案的差異的校準(zhǔn)方法。在一項(xiàng)具體實(shí)施例中：模型形式包括與光學(xué)影像直接有關(guān)的條件；以及校準(zhǔn)方法仰仗已蝕刻影像的cd測(cè)量結(jié)果。此外，校準(zhǔn)方法包括cd測(cè)量結(jié)果對(duì)模型形式條件的經(jīng)驗(yàn)擬合。接著，蝕刻模型使用光學(xué)資訊來導(dǎo)引蝕刻cd預(yù)測(cè)。

圖10展示在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行基于已印刷特征影像仿真使用光學(xué)模型參數(shù)用于最佳化掩模設(shè)計(jì)的opc掩模制作方法325。使用光學(xué)模型參數(shù)(例如：強(qiáng)度分布)提供在全芯片設(shè)計(jì)空間用于將光刻與rie兩工藝置于各工藝窗口中心(亦即，光刻與hmo(例如：rie)蝕刻關(guān)鍵尺寸(cd)規(guī)格內(nèi))的公用「旋鈕」。

如本方法在327所示，第一步驟包括將光刻阻劑涂敷與hmo(反應(yīng)性離子蝕刻)兩階段的工藝控制范圍限制輸入至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。這些范圍限制包括光光刻模型及hmo(蝕刻)工藝中使用的目標(biāo)掩模尺寸誤差、(光)焦點(diǎn)誤差及(光)劑量誤差。對(duì)于光光刻模型及hmo(蝕刻)模型工藝，這些值不一定要相同。

在本方法中，于329，下一個(gè)步驟包括將用于光刻模型工藝的(多個(gè))特征的關(guān)鍵尺寸(cd)輸入至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，并且于330，將用于hmo(例如：反應(yīng)性離子蝕刻)模型工藝的(多個(gè))特定特征的關(guān)鍵尺寸(cd)輸入至計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。

于331，將初始掩模設(shè)計(jì)規(guī)格輸入至系統(tǒng)。

再者，于332，運(yùn)算系統(tǒng)的輸入包括用于相關(guān)聯(lián)的初始掩模設(shè)計(jì)的(多個(gè))次解析輔助特征cd規(guī)格。

在較佳具體實(shí)施例中，hmo(蝕刻)模型以光學(xué)仿真為基礎(chǔ)。也就是說，在本方法中，所進(jìn)行的有仿真光刻工藝(典型為光學(xué)工藝)以及仿真蝕刻工藝。于335，本方法使用光學(xué)模型來仿真來自所仿真的印刷工藝(晶圓上特征的曝光及顯影)的光學(xué)影像，其將會(huì)通過初始掩模來建立。光學(xué)影像仿真的結(jié)果是光刻(光阻模型)與hmo蝕刻兩仿真中使用的光學(xué)影像參數(shù)。在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，光學(xué)影像參數(shù)包括產(chǎn)生的所仿真光學(xué)影像的強(qiáng)度分布。接著，于340，光刻(阻劑涂敷)模型基于光學(xué)影像參數(shù)而建置，其中此模型進(jìn)行光阻回應(yīng)方式的特性分析。然而，現(xiàn)于343，hmo蝕刻模型套用至產(chǎn)生的所仿真影像的光學(xué)影像參數(shù)。也就是說，hmo蝕刻模型也是使用所仿真光學(xué)影像所建置。由于hmo蝕刻模型基于所仿真光學(xué)模型而建置，所以光的實(shí)體模型透過掩模與曝照系統(tǒng)來表現(xiàn)。因此，在較佳具體實(shí)施例中，光刻工藝與蝕刻仿真工藝兩者使用相同的光學(xué)模型在圖6的回圈300中的光刻與hmo蝕刻之間進(jìn)行共最佳化。也就是說，從光學(xué)仿真獲得的光學(xué)模型參數(shù)為光刻模型與hmo蝕刻模型之間的公用元件。

接著，于346，本方法基于pw光刻/蝕刻仿真而輸出產(chǎn)生的pw光刻/hmo輪廓56、86。

接著，于350，共最佳化處理回圈判斷輸出的所產(chǎn)生的pw光刻/hmo輪廓是否在光刻與蝕刻兩工藝窗口的中心位置里。也就是說，判斷掩模設(shè)計(jì)(例如：掩模節(jié)段或片段)是否在仿真處理回圈300(圖6)中進(jìn)行最佳化而致使符合這些cd規(guī)格，亦即，圖5中對(duì)應(yīng)的輪廓56、86在最佳化工藝窗口里。

在校正演算法300中，同時(shí)使用所計(jì)算的光學(xué)參數(shù)進(jìn)行光刻與蝕刻兩者的共最佳化以提升最佳化的效率，因此，在工藝窗口限制內(nèi)產(chǎn)生最佳掩模設(shè)計(jì)。

若于步驟350判定輸出的所產(chǎn)生的pw光刻/hmo輪廓是在光刻與蝕刻兩工藝窗口的中心位置里(亦即，符合其目標(biāo)規(guī)格)，則結(jié)束掩模設(shè)計(jì)(例如：掩模片段)的處理。否則，于350，若判定所輸出產(chǎn)生的pw光刻/hmo輪廓不在光刻與蝕刻兩工藝窗口的中心位置里(亦即，不符合其目標(biāo)規(guī)格)，則于步驟335，變更掩模設(shè)計(jì)(例如：尺寸)，并且工藝回到步驟335以基于掩模設(shè)計(jì)或掩模片段的變更而再次地進(jìn)行光學(xué)模型仿真。

因此，本方法在步驟335與353之間反復(fù)進(jìn)行，直到確定最佳化掩模設(shè)計(jì)為止。

圖11展示在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，例示性表格360指定如何在步驟350判定光刻與蝕刻兩工藝窗口里所輸出產(chǎn)生的pw光刻/hmo輪廓不在其目標(biāo)規(guī)格內(nèi)時(shí)修改掩模(片段或節(jié)段)尺寸或設(shè)計(jì)。

如圖11所示，表格360包括一連串進(jìn)行判斷的列，第一列362繪示所仿真光刻線路cd是在目標(biāo)規(guī)格內(nèi)或外；第二列364繪示所仿真光刻空間cd特征是在目標(biāo)規(guī)格內(nèi)或外；第三列366繪示所仿真hmo蝕刻線路cd是在目標(biāo)規(guī)格內(nèi)或外；以及第四列368繪示所仿真光刻空間cd特征是在目標(biāo)規(guī)格內(nèi)或外。在一項(xiàng)具體實(shí)施例中，第五列370展示如何基于光刻線路、光刻空間、hmo線路及hmo空間特征與其相應(yīng)目標(biāo)規(guī)格的比較來修改掩模設(shè)計(jì)(或掩模設(shè)計(jì)片段)。表格列362至370用于告知如何基于如共最佳化仿真中的判定所示的規(guī)格內(nèi)與規(guī)格外的關(guān)鍵特征的任意組合來修改掩模設(shè)計(jì)。

舉例而言，若光刻線路、光刻空間、hmo線路及hmo空間cd特征各在目標(biāo)規(guī)格內(nèi)，則不需要移動(dòng)掩模。然而，細(xì)看表格360的行，規(guī)格外誤差的任何排列將會(huì)促使修改掩模設(shè)計(jì)。在表格中，掩模設(shè)計(jì)的移動(dòng)可涉及以下參數(shù)的一或多者：lle為光刻線路誤差，其表示掩?；蜓谀Ｆ蔚乃抡婢€路cd與其目標(biāo)規(guī)格之間的差異；lse為光刻空間誤差，其表示所仿真cd與相鄰特征之間相較于目標(biāo)規(guī)格的差值距離；hle為hmo線路誤差，其表示掩?；蜓谀Ｆ蔚乃抡婢€路cd與其目標(biāo)規(guī)格之間旳差異；hse為hmo蝕刻空間誤差，其表示所仿真cd與相鄰特征之間相較于目標(biāo)規(guī)格的差值距離；fb為回授因子，可按照如所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者將知道的方式組配為用于opc配方最佳化的調(diào)整參數(shù)；lithow為基于所判定的光刻參數(shù)誤差而將在下一個(gè)opc掩模設(shè)計(jì)迭代中套用的調(diào)整或「加權(quán)」因子；以及類似的是，hmow為基于所判定的hmo蝕刻工藝參數(shù)誤差而將在下一個(gè)opc掩模設(shè)計(jì)迭代中套用的調(diào)整或「加權(quán)」因子。因此，基于處理回圈300(圖6)及方法325(圖10)中所仿真誤差的任意特定組合，掩模/片段設(shè)計(jì)從而可由圖11的表格360來修改，例如依正方向、負(fù)方向、以及根據(jù)如表格360所判定的大小來移動(dòng)。

圖12繪示計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400的例示性硬件組態(tài)的一項(xiàng)具體實(shí)施例，其經(jīng)編程以進(jìn)行用于在各迭代中同時(shí)執(zhí)行兩個(gè)仿真(光刻與蝕刻)工藝模型的方法步驟，產(chǎn)生避免各工藝模型獨(dú)立失效的掩模解決方案，例如：本文中關(guān)于圖5、6及10所述者。運(yùn)算系統(tǒng)400經(jīng)進(jìn)一步編程以進(jìn)行形成蝕刻偏差模型的方法步驟，此模型使用所套用與圖案蝕刻偏差值相關(guān)聯(lián)的阻劑形式(即阻劑角度)的光學(xué)影像，諸如本文中與圖8a、8b、8c及9相關(guān)所述者。

硬件組態(tài)較佳為具有至少一個(gè)處理器或中央處理單元(cpu)411。cpu411經(jīng)由系統(tǒng)總線412互連至隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)414、只讀內(nèi)存(rom)416、輸入/輸出(i/o)配接器418(用于將諸如碟片單元421及磁帶機(jī)440等周邊裝置連接至總線412)、使用者介面配接器422(用于將鍵盤424、滑鼠426、揚(yáng)聲器428、麥克風(fēng)432、及/或其它使用者介面裝置連接至總線412)、用于將系統(tǒng)400連接至數(shù)據(jù)處理網(wǎng)絡(luò)、互聯(lián)網(wǎng)、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)、局域網(wǎng)絡(luò)(lan)等的通訊配接器434、以及用于將總線412連接至顯示裝置438及/或印表機(jī)439(例如：此類的數(shù)字印表機(jī))的顯示配接器436。

本發(fā)明可以是系統(tǒng)、方法、及/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可包括(多個(gè))計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體，其上有用于令處理器實(shí)行本發(fā)明的態(tài)樣的計(jì)算機(jī)可讀程序指令。

計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體可以是可保留并儲(chǔ)存供指令執(zhí)行裝置使用的指令的有形裝置。計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體舉例而言，可以是但不限于電子儲(chǔ)存裝置、磁性儲(chǔ)存裝置、光學(xué)儲(chǔ)存裝置、電磁儲(chǔ)存裝置、半導(dǎo)體儲(chǔ)存裝置、或前述任何合適的組合。計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體更多特定實(shí)施例的非窮舉清單包括以下所列：可攜式計(jì)算機(jī)碟片、硬碟、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)、只讀內(nèi)存(rom)、可擦除可編程只讀內(nèi)存(eprom或閃存)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)、可攜式只讀光盤(cd-rom)、數(shù)字多功能光碟(dvd)、記憶條、軟碟、凹槽中諸如打孔卡(punch-card)或隆起結(jié)構(gòu)上記錄有指令的機(jī)械編碼裝置、以及前述任何合適的組合。計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體于本文中使用時(shí)，并非要解讀為本身屬于諸如無線電波或其它自由傳播電磁波等的暫存信號(hào)、透過波導(dǎo)或其它傳輸介質(zhì)傳播的電磁波(例如：通過光纖電纜的光脈沖)、或透過導(dǎo)線傳輸?shù)碾娦盘?hào)。

本文所述的計(jì)算機(jī)可讀程序指令可從計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體下載至各別的運(yùn)算/處理裝置，或經(jīng)由例如互聯(lián)網(wǎng)、局域網(wǎng)絡(luò)、廣域網(wǎng)絡(luò)及/或無線網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)下載至外部計(jì)算機(jī)或外部?jī)?chǔ)存裝置。網(wǎng)絡(luò)可包含銅傳送纜線、光傳輸纖維、無線傳輸、路由器、防火墻、交換器、閘道計(jì)算機(jī)(gatewaycomputer)及/或邊緣伺服器(edgeserver)。各運(yùn)算/處理裝置中的網(wǎng)絡(luò)配接器卡或網(wǎng)絡(luò)介面從網(wǎng)絡(luò)接收計(jì)算機(jī)可讀程序指令，并且轉(zhuǎn)發(fā)此計(jì)算機(jī)可讀程序指令以供各別運(yùn)算/處理裝置里的計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體中的儲(chǔ)存。

用于實(shí)行本發(fā)明的操作的計(jì)算機(jī)可讀程序指令可以是組譯器指令、指令集架構(gòu)(isa)指令、機(jī)器指令、機(jī)器相依指令、微碼、韌體指令、狀態(tài)設(shè)定數(shù)據(jù)、或?qū)懭胍换蚨喾N程序語(yǔ)言的任意組合的原始碼或目標(biāo)碼，此程序語(yǔ)言包括諸如smalltalk、c++或類似者等物件導(dǎo)向程序語(yǔ)言、以及諸如「c」程序語(yǔ)言或類似程序語(yǔ)言等習(xí)用的程序性程序語(yǔ)言。計(jì)算機(jī)可讀程序指令可完全在使用者的計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、部分在使用者的計(jì)算機(jī)上執(zhí)行(如單機(jī)型套裝軟體)、部分在使用者的計(jì)算機(jī)上且部分在遠(yuǎn)端計(jì)算機(jī)上執(zhí)行、或完全在遠(yuǎn)端計(jì)算機(jī)或伺服器上執(zhí)行。在后者情境中，遠(yuǎn)端計(jì)算機(jī)可透過包括局域網(wǎng)絡(luò)(lan)或廣域網(wǎng)絡(luò)(wan)等任何類型的網(wǎng)絡(luò)連接至使用者的計(jì)算機(jī)，或可連接至外部計(jì)算機(jī)(例如，使用互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)供應(yīng)商透過互聯(lián)網(wǎng))。在一些具體實(shí)施例中，為了進(jìn)行本發(fā)明的態(tài)樣，電子電路系統(tǒng)舉例而言，包括可編程邏輯電路系統(tǒng)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(fpga)、或可編程邏輯陣列(pla)，可通過計(jì)算機(jī)可讀程序指令的狀態(tài)資訊執(zhí)行計(jì)算機(jī)可讀程序指令以個(gè)人化電子電路系統(tǒng)。

本發(fā)明的態(tài)樣在本文中參照根據(jù)本發(fā)明的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖說明及/或方塊圖來描述。將會(huì)理解的是，流程圖說明及/或方塊圖的各方塊、以及流程圖說明及/或方塊圖中的方塊組合可通過計(jì)算機(jī)可讀程序指令來實(shí)施?？蓪?duì)通用型計(jì)算機(jī)、特殊用途計(jì)算機(jī)、或其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器提供這些計(jì)算機(jī)可讀程序指令以產(chǎn)生機(jī)器，使得經(jīng)由計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令建立用于實(shí)施流程圖及/或方塊圖一或多個(gè)方塊中指定的功能/動(dòng)作。這些計(jì)算機(jī)可讀程序指令亦可儲(chǔ)存于計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體中，其可指揮計(jì)算機(jī)、可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備、及/或其它裝置而按照特定方式作用，使得上有儲(chǔ)存指令的計(jì)算機(jī)可讀儲(chǔ)存媒體包括含有指令的制品，此等指令實(shí)施流程圖及/或方塊圖一或多個(gè)方塊中指定的功能/動(dòng)作。

計(jì)算機(jī)可讀程序指令亦可載入到計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備、或其它裝置以令一連串操作步驟得以在計(jì)算機(jī)、其它可編程設(shè)備或其它裝置上進(jìn)行以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)施程序，使得計(jì)算機(jī)、其它可編程設(shè)備、或其它裝置上執(zhí)行的指令實(shí)施流程圖及/或方塊圖一或多個(gè)方塊中指定的功能/動(dòng)作。

圖中的流程圖及方塊圖根據(jù)本發(fā)明的各項(xiàng)具體實(shí)施例，說明系統(tǒng)、方法、以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可能實(shí)作態(tài)樣的架構(gòu)、功能、以及操作。就此而言，流程圖或方塊圖中的各方塊可表示模塊、節(jié)段、或部分指令，其包含用于實(shí)施此(等)指定邏輯功能的一或多個(gè)可執(zhí)行指令。在一些替代實(shí)作態(tài)樣中，方塊中注記的功能可不按照?qǐng)D中所示順序作用。舉例而言，兩個(gè)接續(xù)展示的方塊事實(shí)上，可實(shí)質(zhì)并行執(zhí)行，或此等方塊有時(shí)可按照反向順序執(zhí)行，端視涉及的功能而定。亦應(yīng)注意的是，方塊圖及/或流程圖說明的各方塊、以及方塊圖及/或流程圖說明中的方塊組合可通過特殊用途硬件為主的系統(tǒng)來實(shí)施，此等系統(tǒng)進(jìn)行指定功能或動(dòng)作、或?qū)嵭刑厥庥猛居布坝?jì)算機(jī)指令的組合。

本發(fā)明的各項(xiàng)具體實(shí)施例的描述已為了說明目的而介紹，但用意不在于窮舉或受限于所揭示的具體實(shí)施例。許多修改及變例對(duì)于所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者將會(huì)顯而易知，但不會(huì)脫離所述具體實(shí)施例的范疇及精神。本文中使用的術(shù)語(yǔ)是為了最佳闡釋具體實(shí)施例的原理、對(duì)市場(chǎng)出現(xiàn)的技術(shù)所作的實(shí)務(wù)應(yīng)用或技術(shù)改良、或讓所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者能夠理解本文中所揭示的具體實(shí)施例而選擇。