一種處理基板表面碳化光阻的方法及裝置與流程

本發(fā)明涉及基板制造領(lǐng)域，特別是涉及一種處理基板表面碳化光阻的方法及裝置。

背景技術(shù)：

目前業(yè)界LTPS中存在多次離子植入，主要包含N+/P+離子植入。離子植入使得表面的光阻碳化。目前業(yè)界普遍的做法為，使用干蝕刻機(jī)臺(tái)通入O2在RF電極作用下清除表面碳化的光阻，但實(shí)際在使用過(guò)程也存在著兩點(diǎn)問(wèn)題：

1)使用干蝕刻機(jī)臺(tái)，對(duì)于LTPS的產(chǎn)能損失較大，且花費(fèi)很高；

2)使用干蝕刻機(jī)臺(tái)，若調(diào)試不佳，無(wú)法有效的清除PR表面碳化光阻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種處理基板表面碳化光阻的方法及裝置，能夠有效的清除基板表面碳化的光阻，節(jié)省花費(fèi)，提高產(chǎn)能。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種處理基板表面碳化光阻的方法，包括：使空氣在高電壓下被電離，產(chǎn)生離子；用電極吸引所述離子；所述離子在吸引或排斥力的作用下轟擊基板表面，清除碳化光阻。

其中，對(duì)所述離子進(jìn)行加熱，加快所述離子的運(yùn)動(dòng)速度。

其中，檢測(cè)所述基板表面的碳化光阻是否清除完畢；在未清除完畢的情況下，繼續(xù)使用所述離子轟擊所述基板表面。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種處理基板表面碳化光阻的裝置，包括：傳送帶，用于傳送待處理的基板；空氣等離子體射流裝置，用于電離空氣，產(chǎn)生離子，并使所述離子射向所述基板。

其中，所述裝置進(jìn)一步包括，光阻剝離器，設(shè)置于所述空氣等離子體射流裝置下方，用于清洗所述完成碳化光阻清除的基板。

其中，所述空氣等離子體射流裝置安裝于所述傳送帶上方。

其中，所述傳送帶位于所述在光阻剝離器機(jī)臺(tái)的上方。

其中，所述裝置進(jìn)一步包括：升降臺(tái)，用于將上方所述傳送帶上完成碳化光阻清除的基板傳送到下方所述光阻剝離器。

其中，所述空氣等離子體射流裝置作為所述光阻剝離器的蝕刻單元使用。

其中，所述空氣等離子體射流裝置有多個(gè)。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明利用空氣等離子體射流裝置取代干蝕刻機(jī)臺(tái)，對(duì)基板表面碳化光阻進(jìn)行處理，可以提高產(chǎn)能，降低花費(fèi)，提高整體效果。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明處理基板表面碳化光阻的方法實(shí)施方式的流程示意圖；

圖2是空氣等離子體射流裝置射出的離子在不同溫度下對(duì)碳化光阻蝕刻的不同深度的折線圖；

圖3是本發(fā)明處理基板表面碳化光阻的裝置實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1，圖1是本發(fā)明處理基板表面碳化光阻的方法實(shí)施方式的流程圖。如圖1所示，處理基板表面碳化光阻的方法包括以下步驟：

步驟S101：使空氣在高電壓下被電離，產(chǎn)生離子；

具體地說(shuō)，空氣在電壓高壓條件下被電離為等離子體，比如5KV～20KV，更進(jìn)一步比如10KV。此時(shí)，電離出的電子移動(dòng)到外部電場(chǎng)的陽(yáng)下方極端，電離產(chǎn)生的陽(yáng)離子運(yùn)動(dòng)到外部電場(chǎng)的陰極端。整個(gè)空氣仍然是處于電中和狀態(tài)，即正電荷與負(fù)電荷總數(shù)仍然相等。

步驟S102：用電極吸引所述離子；

具體地說(shuō)，在下方設(shè)置一個(gè)電壓為比前述高壓低的電極，比如2KV～5KV左右，用于吸引被電離出的離子。

步驟S103：所述離子在吸引力的作用下轟擊基板表面，清除碳化光阻。

具體地說(shuō)，在2KV～5KV左右的電極形成的電場(chǎng)作用下，離子以極快的速度射向基板表面，轟擊基板表面的碳化電阻，將碳化光阻通過(guò)物理撞擊作用來(lái)移除，這樣可以達(dá)到清除基板表面碳化的光阻的目的。

通過(guò)上述描述可知，本發(fā)明采用空氣等離子體射流裝置來(lái)電離空氣，產(chǎn)生離子，并使離子射向基板，從而達(dá)到處理基板表面碳化光阻的效果。被電離的氣體只需是空氣，簡(jiǎn)單易得。本發(fā)明操作簡(jiǎn)單，花費(fèi)較低，且可以有效清除基板表面被碳化的光阻。

請(qǐng)參閱圖2，圖2是空氣等離子體射流裝置射出的離子在不同溫度下對(duì)碳化光阻不同的清除效果的折線圖。如圖2所示，溫度越高，空氣等離子體射流裝置射出的離子對(duì)碳化光阻清除效果越好。

因此，圖1中步驟S101具體進(jìn)一步包括：

S1011：對(duì)產(chǎn)生的離子加熱，加快離子的運(yùn)動(dòng)速度。

具體地說(shuō)，溫度越高，空氣等離子體射流裝置射出的離子對(duì)碳化光阻清除效果越好，但考慮到實(shí)際應(yīng)用中可操作性的問(wèn)題，一般將溫度加熱到40～80℃。

通過(guò)上述描述可知，本發(fā)明通過(guò)對(duì)電離空氣得到的離子進(jìn)行加熱，加快離子的運(yùn)動(dòng)速度，從而可以更高效的完成清除光阻的工作，節(jié)省時(shí)間和提高了產(chǎn)能。

在其他實(shí)施例中，還可以通過(guò)增大電極的電壓，或營(yíng)造一個(gè)加速電磁場(chǎng)來(lái)加速離子的運(yùn)動(dòng)速度，從而達(dá)到更高效的完成清除光阻的目的。

請(qǐng)參閱圖3，圖3是本發(fā)明處理基板表面碳化光阻的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。處理基板表面碳化光阻的裝置10包括空氣等離子體射流裝置11、升降臺(tái)12、光阻剝離器13、傳送帶14、檢測(cè)裝置15。

如圖2所示，在傳送帶14的上方架設(shè)有數(shù)臺(tái)空氣等離子體射流裝置11，傳送帶14上放置有待處理的基板20，空氣等離子體射流裝置11的離子射出口對(duì)準(zhǔn)待處理的基板20。

其中，空氣等離子體射流裝置11的離子射出口的長(zhǎng)度必須略大于待處理的基板20的長(zhǎng)度，以確保待處理的基板20需要處理的碳化光阻能完全清除。

傳送帶14的速率一般為5000mm/min，可根據(jù)實(shí)際情況做小幅度調(diào)整?？諝獾入x子體射流裝置11的數(shù)量根據(jù)傳送帶14的速率以及每臺(tái)空氣等離子體射流裝置11清除碳化光阻的效率來(lái)決定。傳送帶14的速率越慢，空氣等離子體射流裝置11的數(shù)量越少；每臺(tái)空氣等離子體射流裝置11清除碳化光阻的效率越高，空氣等離子體射流裝置11的數(shù)量越少。

光阻剝離器13用于對(duì)已經(jīng)處理過(guò)表面碳化光阻的基板20進(jìn)行清洗。在經(jīng)過(guò)空氣等離子體射流裝置11處理后，基板20的表面仍有可能在邊角有一些碳化光阻的細(xì)小殘余。殘余的碳化光阻在被離子轟擊后組織結(jié)構(gòu)已變得松散，只需用藥水進(jìn)行清洗即可去除。同時(shí)，清洗的步驟可以保證基板20的表面清潔，方便下一流程的操作。

升降臺(tái)12連接著位于上層的傳送帶14和位于下層的光阻剝離器13。傳送帶14將碳化光阻已被完全清除的基板20傳送到升降臺(tái)12的臺(tái)面上，升降臺(tái)12臺(tái)面降下，將已經(jīng)被處理過(guò)表面的基板20送到光阻剝離器13，光阻剝離器13將已經(jīng)被處理過(guò)表面的基板20進(jìn)行清洗。

通過(guò)上述描述可知，本發(fā)明通過(guò)使用多個(gè)空氣等離子體射流裝置清除基板表面的碳化電阻，可以保證基板表面的碳化光阻能被完全清除。將空氣等離子體射流裝置架設(shè)在傳送帶上方，可以有效的節(jié)省空間。多個(gè)空氣等離子體射流裝置同時(shí)使用，可以提高工作效率，節(jié)省工作時(shí)間。且空氣等離子體射流裝置與干蝕刻裝置相比造價(jià)低廉，能降低成本。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)在干蝕刻機(jī)臺(tái)通入O2，在RF電極作用下清除表面碳化的光阻。本發(fā)明采用空氣等離子體射流裝置清除基板表面的碳化電阻，取代原先的干蝕刻單元，將清除碳化光阻的動(dòng)作與傳送動(dòng)作結(jié)合，可以有效的降低成本，節(jié)省空間，提高產(chǎn)能。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。