黑色矩陣光罩、黑色矩陣制作方法及顯示面板與流程

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種黑色矩陣光罩、黑色矩陣制作方法及顯示面板。

背景技術(shù)：

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)面板的生產(chǎn)制作是一個(gè)復(fù)雜的過程，在生產(chǎn)的過程中會(huì)出現(xiàn)各種缺陷。有些缺陷在制作的過程中就可以檢測(cè)出其位置所在，并進(jìn)行修復(fù)。有些缺陷是在制作完成之后，由人工檢查看到缺陷，并進(jìn)行修復(fù)。通常對(duì)于出現(xiàn)的缺陷都需要進(jìn)行裂片解析，找到缺陷產(chǎn)生的原因，并進(jìn)行改善，以提高產(chǎn)能和良率。通常在面板的四周會(huì)將掃描線和數(shù)據(jù)線進(jìn)行對(duì)應(yīng)的編號(hào)(如圖1所示)，這種方式需要先找到對(duì)應(yīng)線的編號(hào)，然后沿著走線找到缺陷的像素，但對(duì)于大尺寸面板查找面板內(nèi)的像素缺陷時(shí)，仍然面臨著查找與定位不方便的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種黑色矩陣光罩、黑色矩陣制作方法及顯示面板，以在面板內(nèi)對(duì)像素編號(hào)，進(jìn)而方便快速查找與定位缺陷。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種黑色矩陣光罩，所述黑色矩陣光罩包括多個(gè)不透光區(qū)域及位于多個(gè)不透光區(qū)域之間的透光區(qū)域，在所述透光區(qū)域上且位于所述不透光區(qū)域周邊設(shè)置有像素編號(hào)，以標(biāo)識(shí)像素位置。

其中，所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)基板上的顯示區(qū)域，所述透光區(qū)域?qū)?yīng)所述基板上的非顯示區(qū)域，所述像素編號(hào)由像素對(duì)應(yīng)的掃描線編號(hào)及數(shù)據(jù)線編號(hào)組成。

其中，所述像素編號(hào)為不透光的數(shù)字。

其中，所述黑色矩陣光罩為矩形，所述每一不透光區(qū)域?yàn)榫匦巍?/p>

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種應(yīng)用上述的黑色矩陣光罩制備黑色矩陣的方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板上涂布黑色矩陣材料層；

使用所述黑色矩陣光罩對(duì)基板上的黑色矩陣材料層進(jìn)行曝光；

對(duì)曝光后的黑色矩陣材料層進(jìn)行顯影；

對(duì)顯影后的黑色矩陣材料層進(jìn)行烘烤，以在所述基板上形成具有像素編號(hào)的黑色矩陣。

其中，所述“使用所述黑色矩陣光罩對(duì)基板上的黑色矩陣材料層進(jìn)行曝光”的步驟包括：通過黑色矩陣光罩將涂布有黑色矩陣薄膜層的基板的非顯示區(qū)域進(jìn)行曝光以形成曝光區(qū)域且在所述曝光區(qū)域上有遮光區(qū)域，遮光區(qū)域顯影后形成像素編號(hào)，將涂布有所述黑色矩陣薄膜層的基板的顯示區(qū)域進(jìn)行遮光以形成遮光區(qū)域。

其中，在所述基板的顯示區(qū)域形成有薄膜晶體管陣列和電極結(jié)構(gòu)；或者在所述基板的顯示區(qū)域形成有彩色樹脂結(jié)構(gòu)。

其中，所述像素編號(hào)在所述基板的黑色矩陣上且位于顯示區(qū)域的周邊。

其中，在所述基板的黑色矩陣上對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容的位置設(shè)置所述像素編號(hào)。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種顯示面板的制備方法，所述顯示面板的黑色矩陣按照上述的黑色矩陣制作方法進(jìn)行制備。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明采用在黑色矩陣光罩上設(shè)置像素編號(hào)，通過UV曝光的方式將所述黑色矩陣光罩上的像素編號(hào)蝕刻在所述基板的黑色矩陣上，以此實(shí)現(xiàn)在面板內(nèi)即可根據(jù)所述像素編號(hào)快速查找到對(duì)應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線，也可根據(jù)所述像素編號(hào)快速找到對(duì)應(yīng)像素，進(jìn)而快速定位缺陷位置。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有顯示面板四周的編號(hào)示意圖；

圖2是本發(fā)明的黑色矩陣制作方法流程圖；

圖3是本發(fā)明的陣列基板的示意圖；

圖4是本發(fā)明的黑色矩陣光罩的示意圖；

圖5是本發(fā)明的陣列基板的黑色矩陣制作完成后的示意圖；

圖6是本發(fā)明的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖2，是本發(fā)明的黑色矩陣制作方法流程圖。所述制作方法包括以下步驟：

步驟S1：提供一基板10。

需要說明的是，如圖3所示，所述基板10上包括單個(gè)面板或多個(gè)面板的情形都適用本發(fā)明實(shí)施例的黑色矩陣的制作方法，只是對(duì)應(yīng)基板上包括多個(gè)面板的情形下，所述基板10包括多個(gè)顯示區(qū)域12和位于多個(gè)顯示區(qū)域12之間的非顯示區(qū)域13。在本實(shí)施例中，所述基板10上的顯示區(qū)域?yàn)?2個(gè)。本發(fā)明實(shí)施例所述的基板10可以為玻璃基板、塑料基板、石英基板等各種適用于制作陣列基板和彩膜基板的材料。在本實(shí)施例中，所述基板10為陣列基板，在其他實(shí)施例中，所述基板10也可為彩膜基板。

其中，所述基板10為完成制作的基板，具體地，所述完成制作的基板具體為：在所述基板10的顯示區(qū)域12形成有薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)陣列和電極結(jié)構(gòu)；或者在所述基板10的顯示區(qū)域12形成有彩色樹脂結(jié)構(gòu)。所述形成有薄膜晶體管陣列和電極結(jié)構(gòu)是針對(duì)陣列基板的制作而言的，即在制作陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結(jié)構(gòu)；所述形成有彩色樹脂結(jié)構(gòu)是針對(duì)彩膜(CF，Color Filter)基板的制作而言的，即在制作彩膜基板的基板上形成彩色樹脂和黑矩陣等結(jié)構(gòu)；所述完成制作的基板還可以是彩膜集成于陣列基板，即在制作陣列基板的基板上形成薄膜晶體管陣列和電極等結(jié)構(gòu)，且將制作彩膜的彩色樹脂和黑矩陣等結(jié)構(gòu)集成于所述陣列基板?？傊景l(fā)明實(shí)施例所述完成制作的基板是指已完成在制作配向膜前的各種必要工序的基板。

已完成制作的陣列基板上應(yīng)已完成柵極、漏極、像素電極、公共電極布線、以及絕緣保護(hù)層的制作。另外，已完成制作的IPS模式陣列基板需兩層透明電極層，一層為像素電極，一層為公共電極；已完成制作的IPS模式陣列基板只需一層透明電極層作為像素電極層。與現(xiàn)有技術(shù)相同，此處不再贅述。

已完成制作的彩膜基板上應(yīng)已完成色阻層(Color Resin)、黑矩陣層(Black Matrix)、保護(hù)層(Over Coat層)和隔墊物(Photo Spacer)、公共電極層(TN、VA等垂直電場(chǎng)模式需要)的制作，與現(xiàn)有技術(shù)相同，此處不再贅述。

已完成制作的Color Filter on Array基板：其陣列基板除包括極、漏極、像素電極、公共電極、絕緣保護(hù)層，還包括色阻層(Color Resin)、黑矩陣層(Black Matrix)，彩膜基板上只包含保護(hù)層(Over Coat層)和隔墊物(Photo Spacer)、公共電極層(TN、VA等垂直電場(chǎng)模式需要)。

步驟S2：在所述基板10上涂布黑色矩陣材料層。

需要說明的是，本實(shí)施例中采用的黑色矩陣材料及其涂布黑色矩陣材料層的方式與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。

步驟S3：使用黑色矩陣光罩20對(duì)基板10上的黑色矩陣材料層進(jìn)行曝光。

其中，如圖4所示，所述黑色矩陣光罩20包括多個(gè)不透光區(qū)域21及位于多個(gè)不透光區(qū)域之間的透光區(qū)域22，所述黑色矩陣光罩20上的每一不透光區(qū)域21對(duì)應(yīng)所述基板10上的每一顯示區(qū)域12，所述黑色矩陣光罩20上的透光區(qū)域22對(duì)應(yīng)所述基板10上的非顯示區(qū)域13。所述黑色矩陣光罩20上的不透光區(qū)域21為12個(gè)且與所述基板10上的顯示區(qū)域12一一對(duì)應(yīng)。在所述黑色透光區(qū)域22上且位于所述不透光區(qū)域21周邊設(shè)置有像素編號(hào)23，以標(biāo)識(shí)像素位置。所述像素編號(hào)23由像素對(duì)應(yīng)的掃描線編號(hào)及數(shù)據(jù)線編號(hào)組成，如掃描線編號(hào)為G2表示所指向的本條掃描線為第2條掃描線，數(shù)據(jù)編號(hào)為D2表示所指向的本條數(shù)據(jù)線為第2條數(shù)據(jù)線，如此，在面板內(nèi)即可根據(jù)所述像素編號(hào)快速查找到對(duì)應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線，同時(shí)也可根據(jù)所述像素編號(hào)快速找到對(duì)應(yīng)像素。

其中，所述像素編號(hào)為透光的鏤空數(shù)字，設(shè)置在所述黑色透光區(qū)域22上且位于所述不透光區(qū)域21的右上方，以對(duì)應(yīng)于所述基板10上的存儲(chǔ)電容的位置，在其他實(shí)施例中，所述像素編號(hào)也可根據(jù)需要設(shè)置在其他位置。所述黑色矩陣光罩20為矩形，所述每一不透光區(qū)域21為矩形。

具體的，所述黑色矩陣材料為負(fù)光阻。通過黑色矩陣光罩20對(duì)涂布有所述黑色矩陣材料層的基板10的非顯示區(qū)域13進(jìn)行紫外光照射進(jìn)行曝光，黑色矩陣光罩20的圖案要求能使紫外光(UV光)照射在所述基板10的非顯示區(qū)域13的對(duì)應(yīng)位置，即所述非顯示區(qū)域13的位置為曝光區(qū)域，而顯示區(qū)域12和待形成像素編號(hào)的區(qū)域被所述黑色矩陣光罩20遮擋，以形成遮光區(qū)域且在所述遮光區(qū)域上形成像素編號(hào)23。

步驟S4：對(duì)曝光后的黑色矩陣材料層進(jìn)行顯影。

具體的，如圖5所示，可以通過顯影去除顯示區(qū)域12的黑色矩陣材料，顯影液可以采用氫氧化鉀KOH顯影液等。顯示區(qū)域12的黑色矩陣材料在顯影時(shí)，會(huì)被去除，同時(shí)非顯示區(qū)域13上的像素編號(hào)23的不透光數(shù)字處的黑色矩陣材料在顯影時(shí)也被去除，以將像素編號(hào)數(shù)字蝕刻在非顯示區(qū)域13的黑色矩陣上，非顯示區(qū)域13的其他透光區(qū)域的黑色矩陣材料會(huì)被保留。

其中，所述像素編號(hào)23形成在所述基板10的黑色矩陣14上且位于顯示區(qū)域12的周邊，在本實(shí)施例中，所述像素編號(hào)23形成在所述基本10的顯示區(qū)域12的右上方，且對(duì)應(yīng)于所述基板10上的存儲(chǔ)電容的位置，在其他實(shí)施例中，也可以根據(jù)需要將所述像素編號(hào)設(shè)置在其他位置。

步驟S5：對(duì)顯影后的黑色矩陣材料層進(jìn)行烘烤，以在所述基板10上形成具有像素編號(hào)的黑色矩陣14。

其中，將基板10和黑色矩陣材料層進(jìn)行烘烤包括：1、預(yù)烤；2、后烤，以在基板10上形成固化的黑色矩陣材料層。

本發(fā)明采用在黑色矩陣光罩上設(shè)置像素編號(hào)，通過UV曝光的方式將所述黑色矩陣光罩上的像素編號(hào)蝕刻在所述基板的黑色矩陣上，以此實(shí)現(xiàn)在面板內(nèi)即可根據(jù)所述像素編號(hào)快速查找到對(duì)應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線，也可根據(jù)所述像素編號(hào)快速找到對(duì)應(yīng)像素，進(jìn)而快速定位缺陷位置，該方法不會(huì)增加成本且不影響面板的正常顯示。

請(qǐng)參閱圖6，是本發(fā)明的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。所述顯示面板30包括上述黑色矩陣制作方法制作的基板10，具體為：將上述基板10經(jīng)過切割后形成的每一面板應(yīng)用于所述顯示面板中作為陣列基板或者彩膜基板，所述顯示面板的其他器件與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不再贅述。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。