一種COA陣列基板及液晶顯示面板的制作方法

本發(fā)明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種COA陣列基板及液晶顯示面板。

背景技術：

隨著科技的發(fā)展，液晶顯示裝置的應用越來越多。為了提高液晶顯示裝置的開口率，降低寄生電容效應，采用COA(Color Filter on array)技術，將彩膜設置在陣列基板上。

現有的COA陣列基板一般采用在色阻層上形成通孔，通過通孔將像素電極與薄膜晶體管的漏極連接在一起，這樣使得像素電極覆蓋性差，容易產生裂紋甚至斷路；并且形成的通孔會導致后續(xù)的液晶滴注制程中液晶擴散性變差，影響產品良率。

故，有必要提供一種COA陣列基板及液晶顯示面板，以解決現有技術所存在的問題。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種具有第一像素電極以及第二像素電極，并且第一像素電極和第二像素電極繞過色阻層連接在一起的COA陣列基板及液晶顯示面板，以解決現有的COA陣列基板需要在色阻層上形成通孔，使得像素電極覆蓋性差，容易產生裂紋甚至斷路；并且形成的通孔會導致后續(xù)的液晶滴注制程中液晶擴散性變差，影響產品良率的技術問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術方案如下：

本發(fā)明實施例提供一種COA陣列基板，其包括：

基板襯底；

第一金屬層，設置在所述基板襯底上，用于形成薄膜晶體管的柵極區(qū)；

第一絕緣層，設置在所述第一金屬層上；

半導體層，設置在所述第一絕緣層上，用于形成所述薄膜晶體管的溝道；

第二金屬層，設置在所述半導體層上，用于形成所述薄膜晶體管的源極區(qū)以及漏極區(qū)；

第一像素電極，設置在所述第二金屬層上，用于將所述薄膜晶體管的漏極區(qū)與第二像素電極連接在一起；

色阻層，設置在所述第二金屬層和所述第一像素電極上，用于形成彩色濾光片；以及，

所述第二像素電極，設置在所述色阻層上。

在本發(fā)明的COA陣列基板中，所述第一像素電極包括位于所述色阻層下面的第一部分以及未被所述色阻層覆蓋的第二部分。

在本發(fā)明的COA陣列基板中，在所述第二金屬層與所述第一像素電極以及所述色阻層之間設有一保護層。

在本發(fā)明的COA陣列基板中，所述保護層上設置有通孔，所述第一像素電極通過所述通孔與所述薄膜晶體管的漏極區(qū)連接。

在本發(fā)明的COA陣列基板中，所述色阻層為紅色色阻、綠色色阻或藍色色阻。

本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示面板，其包括COA陣列基板、玻璃基板以及設置在所述COA陣列基板和所述玻璃基板之間的液晶層；其中所述COA陣列基板包括：

基板襯底；

第一金屬層，設置在所述基板襯底上，用于形成薄膜晶體管的柵極區(qū)；

第一絕緣層，設置在所述第一金屬層上；

半導體層，設置在所述第一絕緣層上，用于形成所述薄膜晶體管的溝道；

第二金屬層，設置在所述半導體層上，用于形成所述薄膜晶體管的源極區(qū)以及漏極區(qū)；

第一像素電極，設置在所述第二金屬層上，用于將所述薄膜晶體管的漏極區(qū)與像素電極連接在一起；

色阻層，設置在所述第二金屬層和所述第一像素電極上，用于形成彩色濾光片；以及，

所述第二像素電極，設置在所述色阻層上。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述第一像素電極包括位于所述色阻層下面的第一部分以及未被所述色阻層覆蓋的第二部分。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，在所述第二金屬層與所述第一像素電極以及所述色阻層之間設有一保護層。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述保護層上設置有通孔，所述第一像素電極通過所述通孔與所述薄膜晶體管的漏極區(qū)連接。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述色阻層為紅色色阻、綠色色阻或藍色色阻。

相較于現有的COA陣列基板及液晶顯示面板，本發(fā)明的COA陣列基板及液晶顯示面板通過設置第一像素電極以及第二像素電極，并且第一像素電極和第二像素電極繞過色阻層連接在一起，避免了像素電極產生裂紋或者斷路，提升了液晶的流動性，從而提升產品良率與品質；解決了現有的COA陣列基板需要在色阻層上形成通孔，使得像素電極覆蓋性差，容易產生裂紋甚至斷路；并且形成的通孔會導致后續(xù)的液晶滴注制程中液晶擴散性變差，影響產品良率的技術問題。

為讓本發(fā)明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。

圖1為本發(fā)明的COA陣列基板的第一優(yōu)選實施例的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明的COA陣列基板的第一優(yōu)選實施例的相鄰薄膜晶體管的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明的COA陣列基板的第二優(yōu)選實施例的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明的COA陣列基板的第二優(yōu)選實施例的相鄰薄膜晶體管的結構示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如【上】、【下】、【前】、【后】、【左】、【右】、【內】、【外】、【側面】等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明的COA陣列基板的第一優(yōu)選實施例的結構示意圖；

本優(yōu)選實施例的COA陣列基板，其包括基板襯底101、第一金屬層102、第一絕緣層103、半導體層104、第二金屬層105、第一像素電極106、色阻層107以及第二像素電極108。

第一金屬層102設置在基板襯底101上，用于形成薄膜晶體管的柵極區(qū)，該第一金屬層102的材料可為為鉻、鉬、鋁或銅等。第一絕緣層103設置在第一金屬層102上，該第一絕緣層103的材料可為氮化硅等。半導體層104設置在第一絕緣層103上，用于形成薄膜晶體管的溝道，該半導體層104的材料可為非晶硅。第二金屬層105設置在半導體層104上，用于形成薄膜晶體管的源極區(qū)以及漏極區(qū)，該第二金屬層105的材料可為鉻、鉬、鋁或銅等。第一像素電極106設置在第二金屬層105上，并且第一像素電極106與薄膜晶體管的漏極區(qū)直接接觸，第一像素電極106的材料可為氧化銦錫(ITO)。色阻層107設置在第二金屬層105和第一像素電極106上，用于形成彩色濾光片。第二像素電極108設置在色阻層107上，并沿著色阻層107的側部與第一像素電極106連接。

進一步地，第一像素電極106包括第一部分以及第二部分，第一部分位于色阻層107下面，并且與薄膜晶體管的漏極區(qū)直接接觸；第二部分與第一部分連接，并且未被色阻層107覆蓋，第二像素電極108與第一像素電極106的第二部分連接。特別地，第一像素電極106與第二像素電極108繞過色阻層107連接在一起，而不需要在色阻層107上形成通孔，將第二像素電極108與薄膜晶體管的漏極區(qū)連接起來。

本優(yōu)選實施例的COA陣列基板，通過設置第一像素電極106以及第二像素電極108，并且第一像素電極106和第二像素電極108繞過色阻層107連接在一起，不需要在色阻層107上形成通孔，從而提高了生產效率；另一方面，第二像素電極108與薄膜晶體管的漏極區(qū)之間的連接結構更加簡單，避免了第二像素電極108產生裂紋或者斷路，提升了液晶的流動性，從而提高了產品的良率與品質。

參閱圖2，圖2為本發(fā)明的COA陣列基板的第一優(yōu)選實施例的相鄰薄膜晶體管的結構示意圖；

需要注意的是，COA陣列基板上設置有多個薄膜晶體管區(qū)域，每個薄膜晶體管區(qū)域的結構如上述所描述，其中，每個薄膜晶體管區(qū)域上的色阻層可為紅色色阻、綠色色阻或藍色色阻。本優(yōu)選實施例的COA陣列基板通過設置第一像素電極106以及第二像素電極108，并且第二像素電108極繞過色阻層107與第一像素電極106連接，使得相鄰薄膜晶體管區(qū)域之間留有一間隙109，為了使得COA陣列基板結構更加的平坦，可在相鄰的薄膜晶體管區(qū)域之間的間隙109上填充聚苯乙烯、黑矩陣或者其他有機材料。

本優(yōu)選實施例的COA陣列基板通過設置第一像素電極以及第二像素電極，并且第一像素電極和第二像素電極繞過色阻層連接在一起，避免了第二像素電極產生裂紋或者斷路，提升了液晶的流動性，從而提升產品良率與品質。

參閱圖3，圖3為本發(fā)明的COA陣列基板的第二優(yōu)選實施例的結構示意圖；

本優(yōu)選實施例與第一優(yōu)選實施例的區(qū)別在于在第二金屬層與色阻層之間設置有一保護層，通過保護層使得陣列基板的品質更優(yōu)。

本優(yōu)選實施例的COA陣列基板，其包括基板襯底201、第一金屬層202、第一絕緣層203、半導體層204、第二金屬層205、保護層206、第一像素電極207、色阻層208以及第二像素電極209。

第一金屬層202設置在基板襯底201上，用于形成薄膜晶體管的柵極區(qū)，該第一金屬層202的材料可為為鉻、鉬、鋁或銅等。第一絕緣層203設置在第一金屬層202上，該第一絕緣層203的材料可為氮化硅等。半導體層204設置在第一絕緣層203上，用于形成薄膜晶體管的溝道，該半導體層204的材料可為非晶硅。第二金屬層205設置在半導體層204上，用于形成薄膜晶體管的源極區(qū)以及漏極區(qū)，該第二金屬層205的材料可為為鉻、鉬、鋁或銅等。保護層206設置在第二金屬層205與色阻層208之間。第一像素電極207設置在第二金屬層205上，并且第一像素電極207與薄膜晶體管的漏極區(qū)接觸，第一像素電極207的材料可為氧化銦錫(ITO)。色阻層208設置在設置在第二金屬層205和第一像素電極207上，用于形成彩色濾光片。第二像素電極209設置在色阻層208上。

進一步地，第一像素電極207包括第一部分以及第二部分，第一部分位于色阻層208下面；第二部分與第一部分連接，第二部分未被色阻層208覆蓋，第二像素電極209與第一像素電極207的第二部分連接。本優(yōu)選實施例通過在保護層206上設置通孔，第一像素電極207通過通孔與薄膜晶體管的漏極區(qū)連接，其中，保護層206的厚度比較薄，一方面使得色阻層208與薄膜晶體管之間結構更加緊湊，另一方面，通過在保護層206上制作通孔，使得第一像素電極207與薄膜晶體管的漏極區(qū)連接，不會使得第一像素電極207產生裂紋或者斷路。

特別地，第一像素電極207與第二像素電極209繞過色阻層208連接在一起，而不需要在色阻層208形成通孔，將第二像素電極209與薄膜晶體管的漏極區(qū)連接起來。

本優(yōu)選實施例的COA陣列基板，通過設置第一像素電極207以及第二像素電極209，并且第一像素電極207和第二像素電極209繞過色阻層208連接在一起，不需要在色阻層形成通孔，從而提高了生產效率；另一方面，第二像素電極209與薄膜晶體管的漏極區(qū)之間的連接結構更加簡單，避免了第二像素電極209產生裂紋或者斷路，提升了液晶的流動性，從而提升產品良率與品質。

參閱圖4，圖4為本發(fā)明的COA陣列基板的第二優(yōu)選實施例的相鄰薄膜晶體管的結構示意圖；

需要注意的是，COA陣列基板上設置有多個薄膜晶體管區(qū)域，每個薄膜晶體管區(qū)域的結構如上述所描述，其中，每個薄膜晶體管區(qū)域上的色阻層可為紅色色阻、綠色色阻或藍色色阻。本優(yōu)選實施例的COA陣列基板通過設置第一像素電極207以及第二像素電極209，并且第二像素電209極繞過色阻層208與第一像素電極207連接，使得相鄰薄膜晶體管區(qū)域之間留有一間隙210，為了使得COA陣列基板結構更加的平坦，可在相鄰的薄膜晶體管區(qū)域之間的間隙210上填充聚苯乙烯、黑矩陣或者其他有機材料。

本優(yōu)選實施例的COA陣列基板通過設置第一像素電極以及第二像素電極，并且第一像素電極和第二像素電極繞過色阻層連接在一起，避免了第二像素電極產生裂紋或者斷路，提升了液晶的流動性，從而提升產品良率與品質。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，其包括COA陣列基板、玻璃基板以及設置在所述COA陣列基板和所述玻璃基板之間的液晶層。

本發(fā)明的液晶顯示面板上的COA陣列基板與上述所述的COA陣列基板相同，在此不做贅述，具體可參照以上第一優(yōu)選實施例的COA陣列基板以及第二優(yōu)選實施例的COA陣列基板。

本發(fā)明的本發(fā)明的COA陣列基板及液晶顯示面板通過設置第一像素電極以及第二像素電極，并且第一像素電極和第二像素電極繞過色阻層連接在一起，避免了第二像素電極產生裂紋或者斷路，提升了液晶的流動性，從而提升產品良率與品質；解決了現有的COA陣列基板需要在色阻層上形成通孔，使得像素電極覆蓋性差，容易產生裂紋甚至斷路；并且形成的通孔會導致后續(xù)的液晶滴注制程中液晶擴散性變差，影響產品良率的技術問題。

綜上，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。