殺菌鍍膜膜層結(jié)構(gòu)及方法與流程

本發(fā)明涉及透光元件表面鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種殺菌鍍膜膜層結(jié)構(gòu)及方法。

背景技術(shù)：

在對如各種顯示器的面板、光學儀器中的透光元件來說，由于其大多是直接暴露在外界環(huán)境中的，因此均對抗菌性能有所需求。另一方面，由于透光元件表面的反射，不僅會影響其通光能量，而且還會形成雜散光，進而會對透光效果造成影響?，F(xiàn)有技術(shù)中，缺乏一種能夠用在透光元件表面的兼具殺菌和增透效果的如膜層結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種殺菌鍍膜膜層結(jié)構(gòu)，其能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的某種或某些缺陷。

根據(jù)本發(fā)明的殺菌鍍膜膜層結(jié)構(gòu)，其包括用于設(shè)于基體表面的膜層本體，膜層本體包括至少一層膜層單元，膜層單元包括在遠離基體表面的方向上依次層疊的膜層單元組件層A和膜層單元組件層B，膜層單元組件層A的材質(zhì)為二氧化硅，膜層單元組件層B的材質(zhì)為氯化銀。

本發(fā)明的殺菌鍍膜膜層結(jié)構(gòu)中，膜層單元組件層B的材質(zhì)為氯化銀，使得膜層單元組件層B會存在微量的銀離子，該微量的銀離子可以破壞細菌的蛋白質(zhì)，因而有很強殺菌作用，而且相對于其他重金屬銀對人體的危害較小。

作為優(yōu)選，所述至少一層膜層單元的數(shù)量為3個，分別為在遠離基體表面的方向上依次層疊第一膜層單元、第二膜層單元和第三膜層單元。

作為優(yōu)選，第一膜層單元包括第一膜層單元組件層A和第一膜層單元組件層B，第一膜層單元組件層A的厚度為95.42nm，和第一膜層單元組件層B的厚度為5.46nm；

第二膜層單元包括第二膜層單元組件層A和第二膜層單元組件層B，第二膜層單元組件層A的厚度為61.46nm，第二膜層單元組件層B的厚度為34.88nm；

第三膜層單元包括第三膜層單元組件層A和第三膜層單元組件層B，第三膜層單元組件層A的厚度為16.40nm，第三膜層單元組件層B的厚度為69.91nm。

本發(fā)明的殺菌鍍膜膜層結(jié)構(gòu)中，通過設(shè)置3層膜層單元，并使得該3層膜層單元的構(gòu)造為上述方式，使得該膜層本體能夠具備較佳的增透效果，其對可見光的反射率基本在0.5％左右。

本發(fā)明還提供了一種殺菌鍍膜方法，其能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的某種或某些缺陷。

根據(jù)本發(fā)明的殺菌鍍膜方法，其包括以下步驟：

(1)在基體表面鍍一層第一膜層單元組件層A，第一膜層單元組件層A的材質(zhì)為二氧化硅、厚度為95.42nm；

(2)在第一膜層單元組件層A表面鍍一層第一膜層單元組件層B，第一膜層單元組件層B的材質(zhì)為氯化銀、厚度為5.46nm；

(3)在第一膜層單元組件層B表面鍍一層第二膜層單元組件層A，第二膜層單元組件層A的材質(zhì)為二氧化硅、厚度為61.46nm；

(4)在第二膜層單元組件層A表面鍍一層第二膜層單元組件層B，第二膜層單元組件層B的材質(zhì)為氯化銀、厚度為34.88nm；

(5)在第二膜層單元組件層B表面鍍一層第三膜層單元組件層A，第三膜層單元組件層A的材質(zhì)為二氧化硅、厚度為16.40nm；

(6)在第三膜層單元組件層A表面鍍一層第三膜層單元組件層B，第三膜層單元組件層B的材質(zhì)為氯化銀、厚度為69.91nm。

作為優(yōu)選，步驟(1)～(6)中的鍍膜方法采用蒸發(fā)鍍膜方法或磁控濺射鍍膜方法。

通過本發(fā)明的殺菌鍍膜方法，使得能夠較佳的基體表面形成一層膜層本體，且該膜層本體能夠同時兼具較佳的殺菌能力和較佳的增透效果。

附圖說明

圖1為實施例1中的一種殺菌鍍膜膜層結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為實施例1中的膜層本體對不同波長光線的反射率關(guān)系圖。

圖2中，橫軸為波長(nm)，縱軸為反射率(％)。

具體實施方式

為進一步了解本發(fā)明的內(nèi)容，結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作詳細描述。應當理解的是，實施例僅僅是對本發(fā)明進行解釋而并非限定。

實施例1

如圖1所示，本實施例提供了一種殺菌鍍膜膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括用于設(shè)于基體110表面的膜層本體120，膜層本體120包括至少一層膜層單元，膜層單元包括在遠離基體110表面的方向上依次層疊的膜層單元組件層A和膜層單元組件層B，膜層單元組件層A的材質(zhì)為二氧化硅，膜層單元組件層B的材質(zhì)為氯化銀。

本實施例中，膜層單元的數(shù)量為3個，分別為在遠離基體110表面的方向上依次層疊第一膜層單元、第二膜層單元和第三膜層單元。

第一膜層單元包括第一膜層單元組件層A121和第一膜層單元組件層B122，第一膜層單元組件層A121的厚度為95.42nm，和第一膜層單元組件層B122的厚度為5.46nm。

第二膜層單元包括第二膜層單元組件層A123和第二膜層單元組件層B124，第二膜層單元組件層A123的厚度為61.46nm，第二膜層單元組件層B124的厚度為34.88nm。

第三膜層單元包括第三膜層單元組件層A125和第三膜層單元組件層B126，第三膜層單元組件層A125的厚度為16.40nm，第三膜層單元組件層B126的厚度為69.91nm。

如圖2所示，本實施例中的膜層本體120在可見光的范圍內(nèi)均具備較低的反射率，尤其是在常見光的范圍內(nèi)，反射率能夠保持在0.5％左右。

實施例2

本實施例提供了一種殺菌鍍膜方法，其包括以下步驟：

1、在基體表面鍍一層第一膜層單元組件層A121，第一膜層單元組件層A121的材質(zhì)為二氧化硅、厚度為95.42nm；

2、在第一膜層單元組件層A121表面鍍一層第一膜層單元組件層B122，第一膜層單元組件層B122的材質(zhì)為氯化銀、厚度為5.46nm；

3、在第一膜層單元組件層B122表面鍍一層第二膜層單元組件層A123，第二膜層單元組件層A123的材質(zhì)為二氧化硅、厚度為61.46nm；

4、在第二膜層單元組件層A123表面鍍一層第二膜層單元組件層B124，第二膜層單元組件層B124的材質(zhì)為氯化銀、厚度為34.88nm；

5、在第二膜層單元組件層B124表面鍍一層第三膜層單元組件層A125，第三膜層單元組件層A125的材質(zhì)為二氧化硅、厚度為16.40nm；

6、在第三膜層單元組件層A125表面鍍一層第三膜層單元組件層B126，第三膜層單元組件層B126的材質(zhì)為氯化銀、厚度為69.91nm。

本實施例中，步驟1～6中的鍍膜方法能夠采用蒸發(fā)鍍膜方法或磁控濺射鍍膜方法。

以上示意性的對本發(fā)明及其實施方式進行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本發(fā)明的實施方式之一，實際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。所以，如果本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員受其啟示，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性的設(shè)計出與該技術(shù)方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實施例，均應屬于本發(fā)明的保護范圍。