包括具有增強(qiáng)部分的配線(xiàn)的柔性顯示裝置及其制造方法與流程

本發(fā)明一般地涉及電子裝置，更具體地，涉及具有顯示器的電子裝置。

背景技術(shù)：

電子裝置通常包括顯示器。例如，移動(dòng)電話(huà)和便攜式計(jì)算機(jī)包括用于向用戶(hù)呈現(xiàn)信息的顯示器。用于電子裝置的部件，包括但不限于顯示器，可以安裝在由塑料或金屬制成的殼體中。

組裝顯示器可以包括顯示面板和用于提供各種功能的許多部件。例如，在顯示組件中可以包括用于控制顯示面板的一個(gè)或更多個(gè)顯示器驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的示例包括柵極驅(qū)動(dòng)器、發(fā)射(源極)驅(qū)動(dòng)器、電源(VDD)布線(xiàn)、靜電放電(ESD)電路、復(fù)用(mux)電路、數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)、陰極接觸和其他功能元件?？梢源嬖诎ㄔ陲@示組件中的用于提供各種類(lèi)型的額外功能(例如觸摸感測(cè)或指紋識(shí)別功能)的多個(gè)外圍電路。

一些部件可以設(shè)置在顯示面板自身上，通常在顯示區(qū)域周邊的區(qū)域中，在本公開(kāi)中其稱(chēng)為非顯示區(qū)域和/或非有源區(qū)域。當(dāng)這樣的部件設(shè)置在顯示面板中時(shí)，它們占據(jù)顯示面板的很大一部分。大的非有源區(qū)域傾向于使顯示面板龐大，使得難以將其合并到電子裝置的殼體中。大的非有源區(qū)域還可能需要顯示面板的很大一部分被過(guò)大的遮蔽物(例如，邊框、邊界、覆蓋材料)覆蓋，導(dǎo)致令人不愉快的裝置美感。

尺寸和重量在設(shè)計(jì)現(xiàn)代電子裝置中至關(guān)重要。此外，有源區(qū)域尺寸與非有源區(qū)域尺寸相比的高比例(其有時(shí)稱(chēng)為屏幕與邊框比例)是最期望的特征之一。在以下方面存在限制：僅僅使用用于將部件連接到顯示面板的單獨(dú)的柔性印刷電路(FPC)，對(duì)于更高的屏幕與邊框比例非有源區(qū)域的尺寸可以減少多少。用于可靠地附接信號(hào)線(xiàn)和沿著顯示面板的邊緣扇出導(dǎo)線(xiàn)所需的空間仍然需要設(shè)置在顯示面板的非有源區(qū)域中。

非常期望使其上形成有非有源區(qū)域和具有像素的有源區(qū)域的基底基板彎曲。這將真正地使顯示面板的需要隱藏在遮蔽物或裝置殼體下方的非有源區(qū)域最小化。不僅基底基板的彎曲將使需要從視野中隱藏的非有源區(qū)域的尺寸最小化，而且還將開(kāi)啟各種新的顯示裝置設(shè)計(jì)的可能性。

然而，在提供這樣的柔性顯示器時(shí)存在各種需要解決的新挑戰(zhàn)。與顯示像素一起直接形成在基底基板上的部件傾向于具有不期望的誤差容限的非常小的尺寸。此外，這些部件需要形成在極薄的片上以提供柔性，使得這些部件對(duì)于在制造和/或使用顯示器期間產(chǎn)生的各種機(jī)械和環(huán)境應(yīng)力極其脆弱。

進(jìn)一步的復(fù)雜性產(chǎn)生于直接在具有顯示像素的基底基板上制造的部件與那些像素的操作常常緊密相關(guān)的事實(shí)。如果不小心，來(lái)自柔性顯示器的彎曲的機(jī)械應(yīng)力可能不利地影響可靠性或甚至導(dǎo)致部件完全失效。即使其部件中的微小缺陷也可能對(duì)顯示像素的性能和/或可靠性具有破壞性影響，這等于廢棄整個(gè)顯示面板而無(wú)法修復(fù)。

例如，電線(xiàn)中的幾微米尺度的裂紋可能導(dǎo)致各種異常顯示問(wèn)題，并且甚至可能使顯示面板的部分或若干行中的像素根本不激活。因此，當(dāng)設(shè)計(jì)要在柔性基底基板上與顯示像素一起制造的電導(dǎo)線(xiàn)方案時(shí)，必須考慮各種特殊參數(shù)。簡(jiǎn)單地增加彎曲半徑可能使得難以在使顯示面板的基底基板彎折時(shí)獲得任何明顯的益處。因此，期望提供一種即使在來(lái)自極端彎曲半徑的彎曲應(yīng)力下也可以可靠地操作的柔性顯示器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的一個(gè)方面涉及柔性顯示器，其包括配線(xiàn)跡線(xiàn)(trace)的構(gòu)造以承受彎曲應(yīng)力用于柔性顯示器的可靠操作。

在一個(gè)實(shí)施方案中，柔性顯示器包括設(shè)置有多個(gè)像素的有源區(qū)域和在有源區(qū)域的外圍的一個(gè)或更多個(gè)非有源區(qū)域。位于有源區(qū)域的一側(cè)或更多側(cè)的非有源區(qū)域包括具有多條導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)的彎曲容許部。具有彎曲容許部的非有源區(qū)域形成有缺口。在缺口線(xiàn)與彎曲容許部的最近的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)之間，基底層上的緩沖層被蝕刻，使得在其中設(shè)置緩沖層蝕刻區(qū)域。通過(guò)從缺口線(xiàn)與導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)之間的區(qū)域移除緩沖層，減少了從缺口線(xiàn)的裂紋開(kāi)始和傳播。

彎曲容許部中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)被布線(xiàn)到相鄰的布線(xiàn)區(qū)域。第一布線(xiàn)區(qū)域位于COF接合區(qū)域與彎曲容許部之間。第二布線(xiàn)區(qū)域位于彎曲容許部與有源區(qū)域之間。在彎曲容許部處的最近的導(dǎo)線(xiàn)與缺口線(xiàn)之間的緩沖層蝕刻區(qū)域延伸到彎曲容許部與膜上芯片(COF)區(qū)域之間的第一布線(xiàn)區(qū)域。

在一些實(shí)施方案中，在缺口線(xiàn)與彎曲容許部的最近的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)之間的緩沖層蝕刻區(qū)域設(shè)置有與最近的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)間隔開(kāi)的緩沖層條?？梢酝ㄟ^(guò)在蝕刻非有源區(qū)域的緩沖層期間留下緩沖層為條來(lái)提供緩沖層的條。緩沖層的條用作用于減少來(lái)自所述缺口邊緣的不希望的水分滲透或其它異物的壩。在彎曲容許部旁邊的緩沖層蝕刻區(qū)域中的緩沖層條可以延伸到COF接合區(qū)域與彎曲容許部之間的第一布線(xiàn)區(qū)域。

在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器包括輔助導(dǎo)線(xiàn)，其設(shè)置在緩沖層蝕刻區(qū)域與彎曲容許部中最近的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)之間。輔助導(dǎo)線(xiàn)具有應(yīng)變減小圖案，其被構(gòu)造為使無(wú)機(jī)絕緣層的平行于彎曲容許部處的曲率的切線(xiàn)向量定向的長(zhǎng)度最小化。輔助導(dǎo)線(xiàn)幫助使從柔性顯示器的缺口邊緣傳播的裂紋偏轉(zhuǎn)。在一些實(shí)施方案中，輔助導(dǎo)線(xiàn)可以與彎曲容許部中的緊鄰輔助導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)間隔開(kāi)。在一個(gè)替代實(shí)施方案中，輔助導(dǎo)線(xiàn)與彎曲容許部中的緊鄰輔助導(dǎo)線(xiàn)的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)接觸。此外，彎曲容許部中的輔助導(dǎo)線(xiàn)可以延伸到位于彎曲容許部與膜上芯片(COF)區(qū)域之間的第一布線(xiàn)區(qū)域中。

在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器包括有源區(qū)域、帶缺口的非有源區(qū)域、在彎曲容許部與膜上芯片(COF)區(qū)域之間的第一布線(xiàn)區(qū)域、在彎曲容許部與有源區(qū)域之間的第二布線(xiàn)區(qū)域。彎曲容許部中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)延伸到第一布線(xiàn)區(qū)域和第二布線(xiàn)區(qū)域。此外，緩沖層和鈍化層在第一布線(xiàn)區(qū)域和第二布線(xiàn)區(qū)域的相鄰導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)之間被蝕刻。

在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器設(shè)置有板內(nèi)柵極(GIP)。GIP可以設(shè)置在設(shè)置于有源區(qū)域的一側(cè)或更多側(cè)上的非有源區(qū)域中。在GIP與柔性顯示器的邊緣之間可以提供可以通過(guò)選擇性蝕刻緩沖層產(chǎn)生的凹陷通道。在一些實(shí)施方案中，在非有源區(qū)域的外邊緣與GIP之間設(shè)置有具有應(yīng)變減小圖案的浮置金屬跡線(xiàn)。

在另一方面，提供了一種制造柔性顯示器的方法。在一個(gè)實(shí)施方案中，在基底層上形成緩沖層。在緩沖層的頂部，形成具有應(yīng)變減小圖案的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)。在緩沖層上形成導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)之后，對(duì)基底層進(jìn)行倒角以產(chǎn)生帶缺口的非有源區(qū)域。帶缺口的非有源區(qū)域可以包括彎曲容許部。由于裂紋可以從柔性顯示器的倒角或劃線(xiàn)邊緣開(kāi)始和傳播，所以緩沖層被蝕刻以使基底層沿著導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)的應(yīng)變減小圖案以及沿著缺口線(xiàn)露出。因?yàn)闊o(wú)機(jī)層從缺口線(xiàn)去除，所以可以抑制從缺口線(xiàn)的裂紋開(kāi)始和傳播。

附圖說(shuō)明

圖1A至1C示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的示例性柔性顯示裝置的示意圖。

圖2A至2B示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的示例性柔性顯示裝置的示意圖。

圖3示出了可以在本公開(kāi)的實(shí)施方案中采用的彎曲圖案的示意性平面圖和相應(yīng)的截面圖。

圖4A至4B示出了可用于根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的柔性顯示裝置的示例性多層導(dǎo)線(xiàn)的示意圖。

圖5A至5B示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的多層導(dǎo)線(xiàn)和絕緣層的示例性構(gòu)造的示意圖。

圖6A示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的凹陷通道和裂紋偏轉(zhuǎn)金屬/絕緣跡線(xiàn)的示例性構(gòu)造的示意圖。

圖6B至6C示出了設(shè)置在缺口線(xiàn)與彎曲容許部之間的示例性構(gòu)造緩沖蝕刻區(qū)域的示意圖。

圖7是根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的可用于柔性顯示器的單線(xiàn)導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的示意圖。

圖8A至8D示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的具有以一定間隔分裂和合并的多個(gè)子跡線(xiàn)的示例性導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)的示意圖。

圖9A至9B示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方案的跨越柔性顯示器的凹陷區(qū)域的示例性導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)的示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1A至1D示出了可以結(jié)合在電子裝置中的示例性柔性顯示器100。參照?qǐng)D1A，柔性顯示器100包括其中形成有顯示像素陣列的至少一個(gè)有源區(qū)域(即，顯示區(qū)域)?？梢栽谟性磪^(qū)域的外圍設(shè)置一個(gè)或更多個(gè)非有源區(qū)域。即，非有源區(qū)域可以與有源區(qū)域的一個(gè)或更多個(gè)側(cè)相鄰。在圖1A中，非有源區(qū)域圍繞矩形有源區(qū)域。然而，應(yīng)當(dāng)理解，有源區(qū)域的形狀以及與有源區(qū)域相鄰的非有源區(qū)域的布置不特別限制為圖1A所示的示例性柔性顯示器100。有源區(qū)域和非有源區(qū)域可以是適合于采用柔性顯示器100的電子裝置的設(shè)計(jì)的任何形狀。柔性顯示器100中的有源區(qū)域形狀的非限制性示例包括五邊形形狀、六邊形形狀、圓形形狀、橢圓形形狀等。

有源區(qū)域中的每個(gè)像素可以與像素電路相關(guān)聯(lián)，像素電路包括至少一個(gè)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT)和至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT。每個(gè)像素電路可以電連接到柵極線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以與位于柔性顯示器100的非有源區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路例如柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器連通。

例如，一個(gè)或更多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路可以使用在如圖1A所示的非有源區(qū)域中制造的TFT來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣的柵極驅(qū)動(dòng)器可以稱(chēng)為板內(nèi)柵極(GIP)。此外，部件中的一些例如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器-IC可以安裝在單獨(dú)的印刷電路上，并且使用印刷電路膜例如柔性印刷電路板(FPCB)、膜上芯片(COF)、帶載封裝件(TCP)或任何其它合適的技術(shù)耦接到設(shè)置在非有源區(qū)域中的連接接口(焊盤(pán)/凸點(diǎn))。如將在下面進(jìn)一步詳細(xì)描述的，具有連接接口的非有源區(qū)域可以遠(yuǎn)離中心部彎曲，使得印刷電路膜例如COF、FPCB等位于柔性顯示器100的后側(cè)，以減小要被邊框隱藏的非有源區(qū)域的尺寸。

柔性顯示器100可以包括用于產(chǎn)生各種信號(hào)或以其他方式操作有源區(qū)域中的像素的各種附加部件。例如，可以在柔性顯示器100的非有源區(qū)域中設(shè)置逆變電路、復(fù)用器、靜電放電(ESD)電路等。

柔性顯示器100還可以包括與除了用于操作柔性顯示器100的像素之外的其他功能相關(guān)聯(lián)的部件。例如，柔性顯示器100可以包括用于為采用柔性顯示器100的電子裝置提供觸摸感測(cè)功能、用戶(hù)認(rèn)證功能(例如指紋掃描)、多級(jí)壓力感測(cè)功能、觸覺(jué)反饋功能和/或各種其它功能的部件。這些部件可以設(shè)置在非有源區(qū)域中或者設(shè)置在連接至柔性顯示器100的連接接口的單獨(dú)的印刷電路上。

在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器100的背板可以使用利用低溫多晶硅(LTPS)半導(dǎo)體層作為其有源層的TFT來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，像素電路和驅(qū)動(dòng)電路(例如，GIP)使用NMOS LTPS TFT實(shí)現(xiàn)。在一些其它實(shí)施方案中，柔性顯示器100的背板可以使用N型LTPS TFT和P型LTPS TFT的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，柔性顯示器100可以設(shè)置有通過(guò)使用N型LTPS TFT和P型LTPS TFT兩者來(lái)實(shí)現(xiàn)的CMOS GIP。

此外，在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器100可以采用多種TFT來(lái)實(shí)現(xiàn)非有源區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路和/或有源區(qū)域中的像素電路。即，可以使用氧化物半導(dǎo)體TFT和LTPS TFT的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)柔性顯示器100的背板。在背板中，可以根據(jù)TFT在相應(yīng)的電路內(nèi)的操作條件和/或要求來(lái)選擇TFT的類(lèi)型。

低溫多晶硅(LTPS)TFT通常即使在小的分布下亦表現(xiàn)出優(yōu)異的載流子遷移率，使得它們適合于實(shí)現(xiàn)集中驅(qū)動(dòng)電路。LTPS TFT的優(yōu)異載流子遷移率使其成為需要快速工作的部件的理想選擇。盡管具有上述優(yōu)點(diǎn)，但是由于多晶硅半導(dǎo)體層的晶界，在LTPS TFT中初始閾值電壓可能變化。

另一方面，采用基于氧化物材料的半導(dǎo)體層例如銦鎵鋅氧化物(IGZO)半導(dǎo)體層的TFT(以下稱(chēng)為“氧化物TFT”)在許多方面與LTPS TFT不同。盡管氧化物TFT具有比LTPS TFT低的遷移率，但是在其關(guān)斷狀態(tài)期間減少漏電流方面，氧化物TFT通常比LTPS TFT更有利。換句話(huà)說(shuō)，氧化物TFT通常表現(xiàn)出比LTPS TFT更高的電壓保持率(VHR)。當(dāng)不需要像素的高幀率驅(qū)動(dòng)時(shí)，氧化物TFT的較高VHR對(duì)于以降低的幀率驅(qū)動(dòng)像素是非常有利的。

在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器100可以設(shè)置有以下特征，其中整個(gè)有源區(qū)域或有源區(qū)域的選擇部分的像素在特定條件下以降低的幀速率驅(qū)動(dòng)。在示例的方式中，像素可以根據(jù)從柔性顯示器100顯示的內(nèi)容以降低的刷新速率刷新。此外，有源區(qū)域的顯示靜止圖像數(shù)據(jù)(例如，用戶(hù)界面、文本)的部分與有源區(qū)域的顯示快速變化的圖像數(shù)據(jù)(例如，電影)的其它部分相比可以以更低的速率刷新。以降低的刷新速率驅(qū)動(dòng)的像素可以具有其中數(shù)據(jù)信號(hào)沒(méi)有被提供至像素的增加的空白周期。這將使因向像素提供相同圖像數(shù)據(jù)而浪費(fèi)的功率最小化。在這樣的實(shí)施方案中，氧化物TFT可以用于實(shí)現(xiàn)柔性顯示器100的像素電路和/或驅(qū)動(dòng)電路的TFT中的一些，以使空白周期期間的漏電流最小化。通過(guò)減少來(lái)自像素電路和/或驅(qū)動(dòng)電路的電流泄漏，即使當(dāng)像素以降低的速率刷新時(shí)，也可以從像素獲得更穩(wěn)定的亮度水平。

在穩(wěn)定性方面，氧化物TFT沒(méi)有經(jīng)受與LTPS TFT一樣多的晶體管到晶體管初始閾值電壓變化的問(wèn)題。如果柔性顯示器100大，則這樣的特性可以是非常有利的。另一方面，就正向偏壓溫度應(yīng)力(PBTS)和負(fù)向偏壓溫度應(yīng)力(NBTIS)而言，LTPS TFT可以比氧化物TFT更好，正向偏壓溫度應(yīng)力(PBTS)和負(fù)向偏壓溫度應(yīng)力(NBTIS)在使用柔性顯示器100期間可以引起不期望的閾值電壓偏移。

考慮到LTPS TFT和氧化物TFT的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，本文公開(kāi)的柔性顯示器100的一些實(shí)施方案可以采用LTPS TFT和氧化物TFT的組合。特別地，柔性顯示器100的一些實(shí)施方案可以使用LTPS TFT來(lái)在非有源區(qū)域中實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(例如GIP)，并且使用氧化物TFT來(lái)在有源區(qū)域中實(shí)現(xiàn)像素電路。由于LTPS TFT的優(yōu)異的載流子遷移率，使用LTPS TFT實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)電路與使用氧化物TFT實(shí)現(xiàn)的驅(qū)動(dòng)電路相比可以以更快的速度操作。此外，可以使用LTPS TFT提供更多的集中驅(qū)動(dòng)電路，這減小了柔性顯示器100中的非有源區(qū)域的尺寸。

使用在像素電路中使用的氧化物TFT的優(yōu)異的電壓保持率，可以減少來(lái)自像素的泄漏。這還使得能夠在預(yù)定條件下(例如，當(dāng)顯示靜止圖像時(shí))以減小的幀速率刷新有源區(qū)域的選擇部分中的像素或驅(qū)動(dòng)像素，同時(shí)使由漏電流引起的顯示缺陷最小化。

在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器100的非有源區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電路可以使用N型LTPS TFT和P型LTPS TFT的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)，同時(shí)像素電路使用氧化物TFT實(shí)現(xiàn)。例如，N型LTPS TFT和P型LTPS TFT可以用于實(shí)現(xiàn)CMOS柵極驅(qū)動(dòng)器(例如，CMOS GIP)，而氧化物TFT用于像素電路的至少一些部分。與完全由P型或N型LTPS TFT形成的GIP不同，來(lái)自CMOS柵極驅(qū)動(dòng)器的柵極輸出節(jié)點(diǎn)可以由DC信號(hào)控制，并且這使得能夠在空白周期期間更穩(wěn)定地控制柵極輸出節(jié)點(diǎn)。

應(yīng)當(dāng)注意，CMOS柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)使用LTPS TFT和氧化物TFT的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。同樣地，在一些實(shí)施方案中，有源區(qū)域中的像素電路可以通過(guò)使用LTPS TFT和氧化物TFT二者來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)在像素電路和/或驅(qū)動(dòng)電路中采用兩種類(lèi)型的TFT時(shí)，LTPS TFT可以用于電路的經(jīng)受延長(zhǎng)的偏壓應(yīng)力(例如，PBTS，NBTIS)周期的TFT。此外，電路中的連接到存儲(chǔ)電容器的TFT可以由氧化物TFT形成，以使泄漏最小化。

柔性顯示器100的部分可以由中心部和彎曲部限定。參考彎曲線(xiàn)BL，柔性顯示器100的基本上保持平坦的部分稱(chēng)為中心部或基本平坦部，而柔性顯示器100的位于彎曲線(xiàn)BL的另一側(cè)的部分稱(chēng)為彎曲部。應(yīng)當(dāng)注意，柔性顯示器100的中心部不需要是完全平坦的。雖然柔性顯示器100的中心部與彎曲部相比相對(duì)更平坦，但是中心部可以是如圖1B所示向內(nèi)彎曲或向外彎曲的。換句話(huà)說(shuō)，一個(gè)或更多個(gè)彎曲部存在于凸起或凹入的中心部旁邊，并且圍繞彎曲軸以一定彎曲角度沿著彎曲線(xiàn)向內(nèi)或向外彎曲。在彎曲部?jī)?nèi)，具有與基本平坦部成一定傾角或偏角的曲率的部分可以指定為彎曲部的彎曲容許部。

柔性顯示器100的多個(gè)部分可以沿著彎曲線(xiàn)BL彎曲。柔性顯示器100中的彎曲線(xiàn)BL可以水平地(例如，圖1A中所示的X軸)、垂直地(例如，圖1A中所示的Y軸)或甚至斜地延伸。因此，柔性顯示器100可以基于柔性顯示器100的期望設(shè)計(jì)以水平、垂直和/或斜的方向的任何組合彎曲。

柔性顯示器100的一個(gè)或更多個(gè)邊緣可以沿著彎曲線(xiàn)BL遠(yuǎn)離中心部的平面彎曲。盡管彎曲線(xiàn)BL描繪為位于柔性顯示器100的邊緣附近，但是應(yīng)當(dāng)注意，彎曲線(xiàn)BL可以延伸跨越中心部或者在柔性顯示器100的一個(gè)或更多個(gè)角處斜地延伸。這樣的構(gòu)造將使得柔性顯示器100能夠提供在折疊的顯示器的兩個(gè)外側(cè)上具有顯示像素的可折疊顯示器或雙側(cè)顯示器。

圖1C是處于彎曲狀態(tài)的示例性柔性顯示器100的簡(jiǎn)化截面圖。如圖1C所示，柔性顯示器100的中心部可以是基本平坦的，并且一個(gè)或更多個(gè)彎曲部可以以圍繞彎曲軸的特定彎曲角度和彎曲半徑遠(yuǎn)離曲率的切向量被彎曲。遠(yuǎn)離中心部被彎曲的每個(gè)彎曲部的尺寸不需要相同。即，基底層106的從彎曲線(xiàn)BL到基底層106的在每個(gè)彎曲部處的外邊緣的長(zhǎng)度可以與其他彎曲部不同。此外，圍繞彎曲軸的彎曲角度和彎曲軸的彎曲半徑可以在彎曲部之間變化。

在圖1C所示的示例中，彎曲部中的一個(gè)(右側(cè))具有90°的彎曲角度θ，并且彎曲部包括基本平坦部。彎曲部可以以較大的彎曲角度θ彎曲，使得彎曲部的至少一些部分作為彎曲部中的一個(gè)(左側(cè))而在柔性顯示器100的中心部的平面下方。此外，彎曲部可以以小于90°的彎曲角θ彎曲。

在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器100中的彎曲部的曲率半徑(即，彎曲半徑)可以在約0.1mm至約10mm之間，更優(yōu)選地在約0.1mm至約5mm之間，更優(yōu)選地在約0.1mm至約1mm之間，更優(yōu)選在約0.1mm至約0.5mm之間。柔性顯示器100的彎曲部的最小彎曲半徑可以小于0.5mm。

如圖1C所示，在基底層106上設(shè)置有有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)元件層102，并且在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)元件層102上設(shè)置有封裝部104。柔性顯示器100還包括支承構(gòu)件116，其可以稱(chēng)為“心軸”。支承構(gòu)件116具有細(xì)長(zhǎng)的主體部和圓化端部?；讓?06和支承構(gòu)件116布置成使得支承構(gòu)件116的圓化端部位于基底層106的彎曲部中。支承構(gòu)件116的圓化端部在彎曲部處為基底層106提供支承?；讓?06的一部分可以如圖1C所示圍繞支承構(gòu)件116的圓化端部，并且定位在支承構(gòu)件116的下側(cè)。以這樣的方式，安裝在柔性芯片(COF)線(xiàn)和/或印刷電路板(PCB)上的電路可以設(shè)置在柔性顯示器100的背部。

柔性顯示器100包括用于在柔性顯示器100的選擇部分處提供剛性的一個(gè)或更多個(gè)支承層108。支承層108附接在基底層106的內(nèi)表面上，該內(nèi)表面與具有在其上設(shè)置OLED元件層102的表面相反。在柔性顯示器100的選擇部分處的剛性的增加可以有助于確保柔性顯示器100的部件的精確構(gòu)造和布置。

基底層106和支承層108可以各自由聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、其它合適的聚合物、這些聚合物的組合等形成的薄塑料膜制成。然而，支承層108應(yīng)該比基底層106更加剛性?？梢杂糜谛纬苫讓?06和支承層108的其它合適的材料包括薄玻璃、覆蓋有電介質(zhì)材料的金屬箔、多層聚合物堆疊體、以及包括與分散在其中的納米顆粒或微顆粒結(jié)合的聚合物材料的聚合物復(fù)合膜等。

基底層106的過(guò)高的厚度使得難以在柔性顯示器100的某個(gè)彎曲部處以所期望的非常小的彎曲半徑彎曲?；讓?06的過(guò)高的厚度還可能增加對(duì)設(shè)置在基底層106上的部件的機(jī)械應(yīng)力。因此，基底層106的厚度可以取決于基底層106的彎曲部處的彎曲半徑。另一方面，具有低于特定水平的厚度的基底層106可能不夠牢固以可靠地支承設(shè)置在其上的各種部件。

因此，基底層106可以具有在約5μm至約50μm的范圍內(nèi)、更優(yōu)選地在約5μm至約30μm的范圍內(nèi)、并且更優(yōu)選地在約5μm至約16μm的范圍內(nèi)的厚度。支承層108可以具有約100μm至約125μm、約50μm至約150μm、約75μm至200μm、小于150μm或大于100μm的厚度。在一個(gè)合適的示例性構(gòu)造中，基底層106由厚度為約10μm的聚酰亞胺層形成，并且支承層108由厚度為約100μm至約125μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。

基底層106可以是透明層。柔性顯示器100的一部分可以暴露于穿過(guò)基底層106的外部光。用于制造設(shè)置在基底層106上的部件的材料或部件中的一些可能由于在制造柔性顯示器100期間的曝光而經(jīng)歷不期望的狀態(tài)變化。柔性顯示器100的一些部分可能比其他部分更多地暴露于外部光，并且這可能導(dǎo)致顯示不均勻性(例如，不均勻性(mura)、陰影缺陷等)。為了使這樣的問(wèn)題最小化，在柔性顯示器100的一些實(shí)施方案中，基底層106和/或支承層108可以包括能夠使穿過(guò)的外部光的量減少的一種或更多種材料。

以示例的方式，阻光材料(例如氯化物改性的炭黑)可以混合在基底層106的構(gòu)成材料(例如，聚酰亞胺)中，使得基底層106可以提供阻光功能。以這樣的方式，基底層106可以由具有陰影的聚酰亞胺形成。這樣的陰影基底層106還可以通過(guò)減少?gòu)娜嵝燥@示器100的前側(cè)進(jìn)入的外部光的反射來(lái)提高在柔性顯示器100上顯示的圖像內(nèi)容的可視性。

與基底層106不同，支承層108可以包括減少?gòu)娜嵝燥@示器100的后側(cè)(即，支承層108附接側(cè))進(jìn)入的光的量的阻光材料。支承層108的構(gòu)成材料可以以與上述基底層106類(lèi)似的方式與一種或更多種阻光材料混合。此外，基底層106和支承層108可以包括一種或更多種阻光材料。這里，在基底層106和支承層108中使用的阻光材料不需要相同。

雖然如上所述使基底層106和支承層108阻擋不需要的外部光可以改善顯示均勻性并且減少反射，但是在柔性顯示器100的制造期間會(huì)產(chǎn)生許多困難。當(dāng)基底層106和支承層108不能使大部分波長(zhǎng)的光透射時(shí)，在它們的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程期間識(shí)別這些層上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可能不容易。特別地，在柔性顯示器100的彎曲期間，部件在基底層106上的精確定位或者對(duì)準(zhǔn)可能變得困難，這是因?yàn)閷拥亩ㄎ豢赡苄枰ㄟ^(guò)比較層的重疊部分的外邊緣確定。此外，如果基底層106和/或支承層108阻擋大部分光譜(即，可見(jiàn)光、紫外線(xiàn)和紅外線(xiàn)光譜中的波長(zhǎng)等)，則檢查柔性顯示器100中的不想要的碎片或其它異物會(huì)有問(wèn)題。

因此，在一些實(shí)施方案中，可以包括在基底層106和/或支承層108中的阻光材料被構(gòu)造為使得在柔性顯示器100的一個(gè)或更多個(gè)制造和/或測(cè)試過(guò)程中使用的一定偏振的光和/或特定波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光穿過(guò)。以示例的方式，支承層108可以使在制造柔性顯示器100期間的質(zhì)量檢查、對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中使用的光(例如，UV、IR光譜光)穿過(guò)，但是過(guò)濾掉可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光。有限的波長(zhǎng)范圍可以幫助減小顯示器不均勻性問(wèn)題，該問(wèn)題可能由附接到基底層106的印刷電路膜產(chǎn)生的陰影引起，特別是如果基底層106包括如上所述的阻光材料時(shí)。

應(yīng)當(dāng)注意，基底層106和支承層108可以在阻擋和使特定類(lèi)型的光通過(guò)中一起工作。例如，支承層108可以改變光的偏振，使得光將不能通過(guò)基底層106。這樣，在柔性顯示器100的制造期間，某種類(lèi)型的光可以穿透支承層108用于各種目的，但是不能穿透基底層106對(duì)設(shè)置在基底層106的相反側(cè)上的部件造成不期望的影響。

如圖1B所示，柔性顯示器100還可以包括用于控制柔性顯示器100的顯示特性(例如，外部光反射、顏色精度、亮度等)的偏振層110。可以是玻璃層的蓋層114可以用于保護(hù)柔性顯示器100?？梢栽谏w層114的內(nèi)表面和/或偏振層110的至少一個(gè)表面上形成用于感測(cè)來(lái)自用戶(hù)的觸摸輸入的電極。

柔性顯示器100還可以包括獨(dú)立層，該獨(dú)立層包括觸摸傳感器電極和/或與觸摸輸入感測(cè)相關(guān)聯(lián)的其他部件(下文稱(chēng)為觸摸傳感器層112)。觸摸傳感器電極(例如，觸摸驅(qū)動(dòng)/感測(cè)電極)可以由透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫)、碳基材料(例如石墨烯或碳納米管)、導(dǎo)電聚合物、由各種導(dǎo)電和非導(dǎo)電材料的混合物制成的混合材料形成。此外，金屬網(wǎng)(例如，鋁網(wǎng)、銀網(wǎng)等)也可以用作觸摸傳感器電極。

觸摸傳感器層112可以包括由一種或更多種可變形介電材料形成的層。一個(gè)或更多個(gè)電極可以與觸摸傳感器層112接口或位于觸摸傳感器層112附近，并且加載有一個(gè)或更多個(gè)信號(hào)，以便于在觸摸傳感器層112變形時(shí)測(cè)量一個(gè)或更多個(gè)電極上的電改變?？梢苑治鲈摐y(cè)量以評(píng)估柔性顯示器100上的多個(gè)離散水平和/或水平范圍處的壓力量。

在一些實(shí)施方案中，觸摸傳感器電極可用于識(shí)別用戶(hù)輸入的位置以及評(píng)估用戶(hù)輸入的壓力。在柔性顯示器100上識(shí)別觸摸輸入的位置和測(cè)量觸摸輸入的壓力可以通過(guò)測(cè)量來(lái)自觸摸傳感器層112的一側(cè)上的觸摸傳感器電極的電容變化來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，測(cè)量壓力量可以使用除了觸摸傳感器電極之外的至少一個(gè)電極來(lái)測(cè)量至少一個(gè)其他信號(hào)，其可以與來(lái)自觸摸傳感器電極的觸摸信號(hào)同時(shí)地獲得或在不同的定時(shí)獲得。

包括在觸摸傳感器層112中的可變形材料可以是電活性材料，其變形的幅度和/或頻率由電信號(hào)和/或電場(chǎng)控制。這樣的可變形材料的示例包括壓電陶瓷、電活性聚合物(EAP)等。因此，觸摸傳感器電極和/或單獨(dú)提供的電極可以激活可變形材料以使柔性顯示器100朝期望的方向彎曲。此外，這樣的電活性材料可以被激活以在期望的頻率下振動(dòng)，從而在柔性顯示器100上提供觸覺(jué)和/或紋理反饋。應(yīng)當(dāng)理解，柔性顯示器100可以使用多個(gè)電活性材料層，使得柔性顯示器100的彎曲和振動(dòng)可以同時(shí)或在不同的定時(shí)被提供。這樣的組合可以用于從柔性顯示器100產(chǎn)生聲波。

如上所述，使非有源區(qū)域彎曲使得能夠最小化或消除從組裝的柔性顯示器100的前側(cè)看到的非有源區(qū)域。非有源區(qū)域的從前側(cè)保持可見(jiàn)的一部分可以用邊框覆蓋。邊框可以例如由安裝到柔性顯示器100的蓋層114、殼體或其他合適部件的獨(dú)立邊框結(jié)構(gòu)形成。從前側(cè)保持可見(jiàn)的非有源區(qū)域也可以隱藏在不透明掩模層例如黑色墨(例如填充有炭黑的聚合物)或不透明金屬層下。這樣的不透明掩模層可以設(shè)置在包括在柔性顯示器100中的層(例如觸摸傳感器層112、偏振層110、蓋層114和其他合適的層)的一部分上。

返回參照1A，柔性顯示器100的彎曲部可以包括能夠從彎曲部顯示圖像的有源區(qū)域，其在下文中稱(chēng)為次級(jí)有源區(qū)域。即，彎曲線(xiàn)BL可以位于有源區(qū)域中，使得有源區(qū)域的至少一些顯示像素包括在柔性顯示器100的彎曲部中。在這樣的情況下，彎曲部的次級(jí)有源區(qū)域中的像素矩陣可以如圖2A所示從中心部的有源區(qū)域中的像素的矩陣連續(xù)延伸?？商娲兀嵝燥@示器100的彎曲部?jī)?nèi)的次級(jí)有源區(qū)域和中心部?jī)?nèi)的有源區(qū)域可以如圖2B所示通過(guò)彎曲容許部彼此分開(kāi)。

彎曲部中的次級(jí)有源區(qū)域可以用作柔性顯示器100中的次級(jí)顯示區(qū)域。次級(jí)有源區(qū)域的尺寸沒(méi)有特別限制。次級(jí)有源區(qū)域的大小可以取決于其在電子裝置內(nèi)的功能。例如，次級(jí)有源區(qū)域可以用于提供圖像和/或文本(例如圖形用戶(hù)界面、按鈕、文本消息等)。在一些情況下，次級(jí)有源區(qū)域可用于為各種目的(例如，狀態(tài)指示燈)提供各種顏色的光，因此次級(jí)有源區(qū)域的尺寸不需要與柔性顯示器100的中心部中的有源區(qū)域一樣大。

次級(jí)有源區(qū)域中的像素和中心有源區(qū)域中的像素可以通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路(例如，柵極驅(qū)動(dòng)器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器等)來(lái)尋址，就好像它們?cè)趩蝹€(gè)矩陣中一樣。在這樣的情況下，中心有源區(qū)域的像素和次級(jí)有源區(qū)域的像素可以由同一組驅(qū)動(dòng)電路操作。以示例的方式，中心有源區(qū)域的第N行像素和次級(jí)有源區(qū)域的第N行像素可以構(gòu)造為接收來(lái)自同一柵極驅(qū)動(dòng)器的柵極信號(hào)。如圖2B所示，柵極線(xiàn)的跨過(guò)彎曲容許部(即，彎曲容許區(qū)域)的部分或用于連接兩個(gè)有源區(qū)域的柵極線(xiàn)的橋可以具有彎曲應(yīng)力減小設(shè)計(jì)，這將在下面更詳細(xì)地描述。

根據(jù)次級(jí)有源區(qū)域的功能，次級(jí)有源區(qū)域的像素可以相對(duì)于中心有源區(qū)域中的像素被離散地驅(qū)動(dòng)。即，次級(jí)有源區(qū)域的像素可以被顯示器驅(qū)動(dòng)電路識(shí)別為與中心有源區(qū)域中的像素矩陣分開(kāi)的獨(dú)立的像素矩陣。在這樣的情況下，中心有源區(qū)域的像素和次級(jí)有源區(qū)域的像素可以接收來(lái)自中心有源區(qū)域采用的驅(qū)動(dòng)電路中的至少一個(gè)離散驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)。

柔性顯示器100的部件可能使得難以使柔性顯示器100沿著彎曲線(xiàn)BL彎曲。元件中的一些(例如支承層108、觸摸傳感器層112、偏振層110等)可能對(duì)柔性顯示器100增加太多的剛性。此外，這樣的元件的厚度使得柔性顯示器100的中性面偏移，并且因此部件中的一些可能經(jīng)受比其他部件更大的彎曲應(yīng)力。

為了便于使柔性顯示器100更容易地彎曲并且為了增強(qiáng)柔性顯示器100的可靠性，柔性顯示器100的彎曲部中的部件的構(gòu)造不同于柔性顯示器100的基本平坦部。存在于基本平坦部分中的部件中的一些可以不設(shè)置在柔性顯示器100的彎曲部中，或者可以以不同的厚度設(shè)置。彎曲部可以沒(méi)有可能阻礙柔性顯示器100的彎曲的支承層108、偏振層110、觸摸傳感器層114、濾色器層和/或其他部件。如果彎曲部從視線(xiàn)隱藏或者對(duì)于柔性顯示器100的用戶(hù)來(lái)說(shuō)不可訪(fǎng)問(wèn)的話(huà)，則在彎曲部中可能不需要這樣的部件。

即使次級(jí)有源區(qū)域在彎曲部中用于向用戶(hù)提供信息，次級(jí)有源區(qū)域也可以根據(jù)次級(jí)有源區(qū)域提供的信息的使用和/或類(lèi)型而不需要這些部件中的一些。例如，當(dāng)次級(jí)有源區(qū)域用于簡(jiǎn)單地發(fā)射彩色光、在對(duì)比顏色組合(例如，在白色背景中的黑色的文本或圖標(biāo))中顯示文本或簡(jiǎn)單的圖形用戶(hù)界面時(shí)，在彎曲部中可以不需要偏振層110和/或?yàn)V色器層。此外，如果在彎曲部中不需要這樣的功能，則柔性顯示器100的彎曲部可以沒(méi)有觸摸傳感器層114。如果需要，即使在彎曲部中沒(méi)有設(shè)置用于顯示信息的次級(jí)有源區(qū)域，彎曲部也可以設(shè)置有觸摸傳感器層112和/或電活性材料層。

由于彎曲容許部受到彎曲應(yīng)力的最大影響，因此各種彎曲應(yīng)力降低特性被施加到彎曲容許部的基底層106上的部件。為此，中心部中的一些元件可以不形成在彎曲部的至少一些部分中?？梢酝ㄟ^(guò)選擇性地移除柔性顯示器100的彎曲容許部處的元件使得彎曲容許部沒(méi)有各個(gè)元件，來(lái)使得中心部和彎曲部中的部件之間分開(kāi)。

如圖2A和2B所示，通過(guò)在彎曲容許部處的基底層106下方?jīng)]有支承層108，中心部中的支承層108A和彎曲部中的支承層108B可以彼此分開(kāi)。與使用附接到基底層106的支承層108不同，可以如上所述將支承構(gòu)件116的圓化端部定位在位于彎曲容許部處的基底層106的下側(cè)。各種其它部件(例如偏振層110和觸摸傳感器層114等)也可以不在柔性顯示器100的彎曲容許部中。元件的去除可以通過(guò)切割、濕法蝕刻、干法蝕刻、劃線(xiàn)和斷裂、或其它合適的材料去除方法來(lái)完成。不是切割或以其它方式移除元件，而是可以在中心部和彎曲部處形成單獨(dú)的元件，以使彎曲容許部沒(méi)有這樣的元件。中心部和彎曲部中的一些部件可以經(jīng)由跨越柔性顯示器100的彎曲容許部布置的一個(gè)或更多條導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120電連接。

與從彎曲部完全移除不同，一些元件可以沿著彎曲線(xiàn)或以其他方式在彎曲容許部?jī)?nèi)設(shè)置有彎曲圖案，以減小彎曲應(yīng)力。圖3示出了示例性彎曲圖案300的平面圖和截面圖。應(yīng)當(dāng)注意，在柔性顯示器100的平面圖中示出的彎曲圖案的順序不一定與圖3中的柔性顯示器100的截面圖中示出的彎曲圖案的順序匹配。上述彎曲圖案300可以用在柔性顯示器100的支承層108、偏振層110、觸摸傳感器層114和各種其它元件中。

柔性顯示器100可以使用多于一種類(lèi)型的彎曲模式。應(yīng)當(dāng)理解，部件所使用的彎曲圖案的數(shù)量和彎曲圖案300的類(lèi)型不受限制。如果需要，圖案的深度可以不用深到足以完全穿透部件，而是僅部分地穿過(guò)相應(yīng)的層。另外，也可以使用彎曲圖案設(shè)置位于基底層106與TFT之間的緩沖層以及覆蓋導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)的鈍化層用于減小彎曲應(yīng)力。

若干導(dǎo)線(xiàn)包括在柔性顯示器100中，用于其中的各種部件之間的電互連。在有源區(qū)域和非有源區(qū)域中制造的電路可以經(jīng)由一條或更多條導(dǎo)線(xiàn)傳輸各種信號(hào)，以在柔性顯示器100中提供多個(gè)功能。如簡(jiǎn)要討論的，一些導(dǎo)線(xiàn)可以用于提供柔性顯示器100的中心部和彎曲部中的電路和/或其他部件之間的互連。

如本文所使用，導(dǎo)線(xiàn)廣泛地指用于將任何類(lèi)型的電信號(hào)、功率和/或電壓從柔性顯示器100中的一個(gè)點(diǎn)傳輸?shù)搅硪稽c(diǎn)的導(dǎo)電路徑。因此，導(dǎo)線(xiàn)可以包括TFT的源電極/漏電極以及用于將來(lái)自非有源區(qū)域中的顯示器驅(qū)動(dòng)電路(例如，柵極驅(qū)動(dòng)器，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器)中的一些的信號(hào)傳輸?shù)接性磪^(qū)域中的像素電路的柵極線(xiàn)/數(shù)據(jù)線(xiàn)。同樣地，一些導(dǎo)線(xiàn)(例如觸摸傳感器電極、壓力傳感器電極和/或指紋傳感器電極)可以在柔性顯示器100上提供用于感測(cè)觸摸輸入或識(shí)別指紋的信號(hào)。導(dǎo)線(xiàn)還可以提供在柔性顯示器100的中間部中的有源區(qū)域的像素與彎曲部中的次級(jí)有源區(qū)域的像素之間的互連。柔性顯示器100中的導(dǎo)線(xiàn)的上述功能僅僅是說(shuō)明性的。

導(dǎo)線(xiàn)中的一些可以從柔性顯示器100的基本平坦部延伸到柔性顯示器100的彎曲部。在這樣的情況下，導(dǎo)線(xiàn)的一些部分可以與其他部分以不同方式構(gòu)造以承受彎曲應(yīng)力。特別地，導(dǎo)線(xiàn)的在柔性顯示器100的彎曲容許部上方布置的部分可以包括用于減少導(dǎo)線(xiàn)的裂紋和斷裂以保持適當(dāng)互連的若干特征。

首先，柔性顯示器100的一些導(dǎo)線(xiàn)可以具有多層結(jié)構(gòu)，這可以使得具有更大的柔性，并且具有較少的斷裂機(jī)會(huì)。圖4A和4B各自示出了導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的示例性堆疊結(jié)構(gòu)。

在圖4A中，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120可以具有多層結(jié)構(gòu)，其中初級(jí)導(dǎo)電層122夾在次級(jí)導(dǎo)電層124之間。初級(jí)導(dǎo)電層122可以由具有比次級(jí)導(dǎo)電層124的電阻低的電阻的材料形成。用于初級(jí)導(dǎo)電層122的材料的非限制性示例包括銅、鋁、透明導(dǎo)電氧化物或其它柔性導(dǎo)體。次級(jí)導(dǎo)電層124應(yīng)當(dāng)由當(dāng)在初級(jí)導(dǎo)電層122上方的堆疊體中形成時(shí)可以表現(xiàn)出足夠低的歐姆接觸電阻的導(dǎo)電材料形成。

這樣的組合的示例包括夾在鈦層之間的鋁層(Ti/Al/Ti)、夾在上鉬層與下鉬層之間的鋁層(Mo/Al/Mo)、夾在鈦層之間的銅層(Ti/Co/Ti)和夾在上鉬層和下鉬層之間的銅層(Mo/Co/Mo)。然而，導(dǎo)電層堆疊體的低歐姆接觸電阻不是用于選擇用于柔性顯示器100中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的材料的唯一因素。

用于形成導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的材料應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足最小楊氏模量要求，同時(shí)滿(mǎn)足柔性顯示器100的嚴(yán)格的電和熱要求(例如，電阻、發(fā)熱等)。因此，初級(jí)導(dǎo)電層122和次級(jí)導(dǎo)電層124二者應(yīng)當(dāng)由具有低脆性(E)的材料形成。在這點(diǎn)上，Al具有約71GPa的模量，Ti具有116GPa的模量，并且Mo具有329GPa的模量。因此，Al的脆性(E)為Mo的脆性(E)的約1/4，并且Ti的脆性(E)為Mo的脆性(E)的約1/3。因此，在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器100的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的至少一些由包括Al和Ti的堆疊體形成。與Mo不同，Al和Ti二者在0.5mm的彎曲半徑處都沒(méi)有呈現(xiàn)出裂紋。

由于初級(jí)導(dǎo)電層122應(yīng)當(dāng)具有比次級(jí)導(dǎo)電層124更低的電阻，所以導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120可以以Ti/Al/Ti的堆疊體形成。特別地，設(shè)置在彎曲容許部中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120中的至少一些可以形成為T(mén)i/Al/Ti的堆疊體。

在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器100可以用在可穿戴電子裝置中。在這樣的情況下，柔性顯示器100可以在高濕度環(huán)境下使用。在一些情況下，水分可以到達(dá)導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120。異種金屬和合金具有不同的電極電勢(shì)，并且當(dāng)兩種或更多種在電解質(zhì)中接觸時(shí)，一種金屬用作陽(yáng)極，另一種用作陰極。異種金屬之間的電勢(shì)差是用于加速侵蝕電偶的陽(yáng)極構(gòu)件的驅(qū)動(dòng)力，該電偶是Ti/Al/Ti堆疊體中的初級(jí)導(dǎo)電層202。陽(yáng)極金屬溶解到電解質(zhì)中，并且沉積物聚集在陰極金屬上。由于Al層腐蝕，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的電特性可能劣化或完全喪失。

通常，電偶腐蝕由在多層導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的截面?zhèn)冉佑|的電解質(zhì)開(kāi)始。因此，在一些實(shí)施方案中，至少一些導(dǎo)線(xiàn)120設(shè)置有以下結(jié)構(gòu)：其中初級(jí)導(dǎo)電層122被次級(jí)導(dǎo)電層124包圍，使得初級(jí)導(dǎo)電層122如圖4B所示被次級(jí)導(dǎo)電層124覆蓋。這可以使初級(jí)導(dǎo)電層122因電偶腐蝕的損失最小化，并且進(jìn)一步降低導(dǎo)電性斷開(kāi)的可能性。

這樣的多層導(dǎo)線(xiàn)120可以通過(guò)首先在次級(jí)導(dǎo)電層124(例如，Ti)上方沉積用于初級(jí)導(dǎo)電層122(例如，Al)的材料來(lái)產(chǎn)生。這里，在初級(jí)導(dǎo)電層122下面的次級(jí)導(dǎo)電層124可以具有更大的寬度。在這兩層的堆疊體上方形成有抗蝕刻材料并且該材料被蝕刻(例如，干法蝕刻、濕法蝕刻等)以形成所需的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)(例如，菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì))。在剝離抗蝕刻材料之后，在圖案化結(jié)構(gòu)(即，Ti/Al)上方沉積另一次級(jí)導(dǎo)電層124(即，Ti)的層。再者，在初級(jí)導(dǎo)電層122的頂部上的次級(jí)導(dǎo)電層124可以具有更大的寬度，使得初級(jí)導(dǎo)電層122包圍在次級(jí)導(dǎo)電層124內(nèi)。對(duì)抗蝕刻材料進(jìn)行另一輪干法蝕刻和剝離以在期望的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)設(shè)計(jì)中形成多層結(jié)構(gòu)的堆疊體(即，Ti/Al/Ti)。

可以在導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的下側(cè)和/或上側(cè)形成各種絕緣層，例如緩沖層126、鈍化層128、柵極絕緣層(GI層)、以及層間介電層(ILD層)。這些絕緣層可以由有機(jī)和/或無(wú)機(jī)材料形成或者包括由無(wú)機(jī)材料形成的子層。

無(wú)機(jī)材料層通常比導(dǎo)線(xiàn)120的金屬更不易延展。給定相同量的彎曲應(yīng)力，通常從導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的絕緣層開(kāi)始裂紋。即使導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120具有足夠的模量來(lái)承受彎曲應(yīng)力而沒(méi)有裂紋，從絕緣層開(kāi)始的裂紋趨于生長(zhǎng)并傳播到導(dǎo)線(xiàn)120中，產(chǎn)生可能使柔性顯示器100不可用的差的電接觸點(diǎn)。因此，在絕緣層和導(dǎo)線(xiàn)120兩者中使用各種彎曲應(yīng)力減小技術(shù)。

應(yīng)當(dāng)注意，裂紋主要通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣層傳播。因此，通過(guò)從易于產(chǎn)生裂紋的區(qū)域中選擇性地除去無(wú)機(jī)絕緣層，能夠抑制裂紋的傳播。因此，可以在柔性顯示器100的某些部分處選擇性地蝕刻掉無(wú)機(jī)絕緣層和/或絕緣層的包括無(wú)機(jī)材料層的堆疊體。

例如，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120下方的絕緣層可以如圖5A所示被蝕刻掉。導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120下方的絕緣層可以是緩沖層126，緩沖層126可以包括一個(gè)或更多個(gè)無(wú)機(jī)材料層。緩沖層126可以由SiNx層和SiO2層中的一個(gè)或更多個(gè)形成。在一個(gè)適當(dāng)?shù)臉?gòu)造中，緩沖層126可以由SiNx層和SiO2層的交替堆疊體形成。緩沖層126設(shè)置在基底層126上，但在TFT下方。

形成在基底層106的基本平坦部上的緩沖層126可以比基底層106的彎曲部上方的緩沖層126厚。為了便于使柔性顯示器100更容易彎曲，緩沖層126的一部分可以在柔性顯示器100的彎曲部中被蝕刻掉。因此，柔性顯示器100的基本平坦部中的緩沖層126與柔性顯示器100的彎曲部中的緩沖層相比具有至少一個(gè)附加子層。例如，基本平坦部中的緩沖層126可以包括SiNx層和SiO2層的多個(gè)堆疊體，并且彎曲部中的緩沖層126包括SiNx層和SiO2層的單個(gè)堆疊體。在彎曲部的一些部分中也可以?xún)H具有SiNx層或SiO2層的單層。

堆疊緩沖層126的每個(gè)SiNx層和SiO2層可以具有約1000A的厚度。因此，柔性顯示器的彎曲部中的緩沖層的厚度可以在約100A至約2000A的范圍內(nèi)。在柔性顯示器100的基本平坦部中，可以在TFT的半導(dǎo)體的正下方設(shè)置附加的無(wú)機(jī)層。位于TFT的有源層最近下方的無(wú)機(jī)層可以比緩沖層126的各個(gè)無(wú)機(jī)層厚得多。

在彎曲容許部中，可以進(jìn)一步蝕刻緩沖層126以露出基底層106，同時(shí)使緩沖層126完整地留在導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120下方。換句話(huà)說(shuō)，在柔性顯示器100的彎曲部中提供凹陷區(qū)域和突出區(qū)域。突出區(qū)域包括設(shè)置在基底層106上的緩沖層126，而凹陷區(qū)域具有露出的在其上沒(méi)有設(shè)置緩沖層126的基底層106。

導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120位于突出區(qū)域上，鈍化層128位于突出區(qū)域上的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120上方。雖然鈍化層128可以暫時(shí)沉積在凹陷區(qū)域上方，但是可以通過(guò)干法蝕刻或濕法蝕刻工藝從鈍化區(qū)域去除鈍化層128。因此，凹陷區(qū)域可以基本上沒(méi)有鈍化層128。當(dāng)從凹陷區(qū)域蝕刻鈍化層128時(shí)，基底層106的一部分也可以被蝕刻掉。因此，基底層106在凹陷區(qū)域處的厚度可以低于基底層106在柔性顯示器100中其他地方的厚度。當(dāng)緩沖層126如圖5A所示被蝕刻掉時(shí)，由于凹陷區(qū)域可以減少?gòu)木彌_層126到導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的裂紋傳播。

如圖5B所示，在一些實(shí)施方案中，凹陷區(qū)域包括被蝕刻到某一深度的基底層106，并且導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120沉積在凹陷區(qū)域的基底層106上。在該設(shè)置中，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的該部分設(shè)置在基底層106內(nèi)。導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120也沉積在緩沖層126的提供突出區(qū)域的部分上。鈍化層128可以沉積在導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120上，然后從凹陷區(qū)域被蝕刻掉以露出凹陷區(qū)域中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120。

因此，鈍化層128保留在位于突出區(qū)域上的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120上。在該構(gòu)造中，保留在緩沖層126上的鈍化層128抑制電偶腐蝕，這是因?yàn)槠涓采w多層導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的側(cè)表面。因此，凹陷區(qū)域中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120不需要被鈍化層128覆蓋。在該構(gòu)造中，從緩沖層126產(chǎn)生的裂紋可以穿透到緩沖層126的側(cè)表面上的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120，而沒(méi)有穿透到導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的位于基底層106內(nèi)的部分。使用從凹陷區(qū)域中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的表面移除的鈍化層128，也可以防止從鈍化層128的裂紋傳播。由于電偶腐蝕從導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的在緩沖層上的邊緣開(kāi)始，所以如果緩沖層126上的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120與基底層106中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120之間的距離足夠遠(yuǎn)，則可以不需要覆蓋導(dǎo)線(xiàn)120的在緩沖層126上的邊緣的鈍化層128。

在對(duì)柔性顯示器100的一些部分進(jìn)行劃線(xiàn)和/或倒角期間，也可能在絕緣層中出現(xiàn)裂紋。在這樣的制造過(guò)程期間在柔性顯示器100的邊緣處產(chǎn)生的裂紋可以朝向柔性顯示器100的中心部傳播。在一些情況下，在所述非有源區(qū)域的邊緣處的裂紋朝向有源區(qū)域傳播并且損壞非有源區(qū)域中的GIP。

因此，在頂部和底部邊緣處的無(wú)機(jī)層使得從柔性顯示器100的劃線(xiàn)開(kāi)始的裂紋最小化。更具體地，緩沖層126可以沿著在圖6A中表示為“劃線(xiàn)蝕刻區(qū)域”的區(qū)域中的頂部和底部邊緣被蝕刻。在這些區(qū)域中，可以暴露基底層106或者僅沿著柔性顯示器100的劃線(xiàn)保留最小厚度的無(wú)機(jī)層。

也可以在有源區(qū)域的側(cè)面設(shè)置幾個(gè)裂紋阻擋部結(jié)構(gòu)。例如，可以通過(guò)蝕刻如圖6A中的有源區(qū)域的左側(cè)邊緣所示的絕緣層而在非有源區(qū)域中形成凹陷通道。在一些實(shí)施方案中，可以在位于非有源區(qū)域中的電路與非有源區(qū)域的外邊緣之間形成能夠改變裂紋方向的金屬和絕緣層圖案。例如，在圖6A中，可以在GIP與柔性顯示器100的作為柔性顯示器100的右側(cè)的邊緣之間形成具有應(yīng)變減小圖案的金屬跡線(xiàn)和覆蓋金屬跡線(xiàn)的絕緣層。

應(yīng)當(dāng)注意，有源區(qū)域的左側(cè)上的凹陷通道也可以設(shè)置在有源區(qū)域的右側(cè)上。同樣地，具有設(shè)置在非有源區(qū)域的右側(cè)上的應(yīng)變減小圖案的金屬跡線(xiàn)也可以設(shè)置在非有源區(qū)域的左側(cè)上。在一些實(shí)施方案中，凹陷通道和具有應(yīng)變減小圖案的金屬跡線(xiàn)可以設(shè)置在有源區(qū)的兩側(cè)上。在該構(gòu)造中，從非有源區(qū)域的外邊緣朝向GIP的方向上傳播的裂紋可以由于在GIP之前形成的菱形金屬/絕緣跡線(xiàn)的角度而改變其路線(xiàn)。

絕緣層的蝕刻也可以在有源區(qū)域與彎曲容許部之間的布線(xiàn)區(qū)域以及COF區(qū)域與彎曲容許部之間的布線(xiàn)區(qū)域中執(zhí)行。此外，可以從倒角線(xiàn)旁邊的區(qū)域去除無(wú)機(jī)層，使得裂紋不從倒角線(xiàn)側(cè)朝向?qū)Ь€(xiàn)120傳播。

圖6B是倒角線(xiàn)附近的彎曲容許部的放大圖。為了減少來(lái)自倒角線(xiàn)附近的無(wú)機(jī)層的裂紋開(kāi)始和傳播，絕緣層在從VSS線(xiàn)到倒角線(xiàn)的區(qū)域中被蝕刻掉。特別地，可以蝕刻掉設(shè)置在彎曲容許部(例如，VSS)中的最近的導(dǎo)線(xiàn)120與倒角線(xiàn)之間的區(qū)域中的緩沖層126。在該區(qū)域中，可以暴露基底層106(例如，PI)或者可以?xún)H留下最少量的緩沖層126。因此，可以使從倒角線(xiàn)開(kāi)始和傳播的裂紋最小化。

當(dāng)蝕刻倒角線(xiàn)附近的緩沖層126時(shí)，可以在倒角線(xiàn)與最近的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120(例如，VSS)之間留下緩沖層126條。這樣的緩沖層條可以用作用于抑制其它異物的水分從柔性顯示器100的倒角側(cè)到達(dá)導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的壩。

緩沖層126的去除也可以應(yīng)用在倒角線(xiàn)與最近的導(dǎo)線(xiàn)120之間的布線(xiàn)區(qū)域中。緩沖層126的條也可以設(shè)置在布線(xiàn)區(qū)域中。此外，導(dǎo)線(xiàn)120下方的緩沖層126和導(dǎo)線(xiàn)120上的鈍化層128可以在整個(gè)布線(xiàn)區(qū)域被蝕刻掉，以進(jìn)一步減少由布線(xiàn)區(qū)域中的無(wú)機(jī)層引起的裂紋傳播的機(jī)會(huì)。因此，圖5A和5B中描繪的結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于布線(xiàn)區(qū)域中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120。

圖6C是倒角線(xiàn)附近的設(shè)置有另一個(gè)裂紋阻擋部結(jié)構(gòu)的彎曲容許部的放大圖。在本實(shí)施方案中，在倒角線(xiàn)和導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120(例如，VSS)之間設(shè)置有具有菱形跡線(xiàn)圖案的輔助導(dǎo)線(xiàn)130。輔助導(dǎo)線(xiàn)130下方的緩沖層126和輔助導(dǎo)線(xiàn)130上的鈍化層128可以以與圖5A和5B所示類(lèi)似的方式被蝕刻。因此，輔助導(dǎo)線(xiàn)130可以抑制裂紋從倒角線(xiàn)傳播到導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)130。輔助導(dǎo)線(xiàn)130可以是浮置線(xiàn)。如果需要，輔助導(dǎo)線(xiàn)130可以進(jìn)一步朝向柔性顯示器100的底部邊緣延伸。在一些實(shí)施方案中，輔助導(dǎo)線(xiàn)130可以與相鄰導(dǎo)線(xiàn)120接觸。除了輔助導(dǎo)線(xiàn)130之外，也可以設(shè)置緩沖層126的條以阻止水分或其它異物朝向輔助導(dǎo)線(xiàn)130行進(jìn)。

去除柔性顯示器100的TFT附近的無(wú)機(jī)絕緣層可能影響柔性顯示器100中的部件的電特性。例如，當(dāng)從緩沖層126去除SiNx層時(shí)，觀(guān)察到TFT的閾值電壓的不期望的偏移。為了保持TFT的穩(wěn)定性，可以在TFT的半導(dǎo)體層下方形成附加的屏蔽金屬層。屏蔽金屬層可以在緩沖層126之下或插入在緩沖層126的無(wú)機(jī)層之間。在一些實(shí)施方案中，屏蔽金屬層可以電連接到TFT的源電極或柵電極。

跡線(xiàn)設(shè)計(jì)在減小導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和絕緣層兩者中的彎曲應(yīng)力方面起重要作用。為了便于說(shuō)明，在下面的描述中將導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和覆蓋導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的至少一部分的絕緣層(即，鈍化層128)的跡線(xiàn)統(tǒng)稱(chēng)為“配線(xiàn)跡線(xiàn)”。

應(yīng)當(dāng)通過(guò)考慮導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的電要求以及在導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120上傳輸?shù)男盘?hào)的類(lèi)型來(lái)確定跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。此外，可以在設(shè)計(jì)跡線(xiàn)時(shí)考慮用于形成導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和絕緣層的材料的性質(zhì)(例如，楊氏模量)。應(yīng)當(dāng)注意，可能需要考慮各種其他因素(例如用于部分以及整條導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和絕緣層的厚度、寬度、長(zhǎng)度、布局角度)，以提供具有用于柔性顯示器100的足夠的電氣和機(jī)械可靠性的跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。

可以基于其關(guān)于柔性顯示器100的彎曲方向(即，曲線(xiàn)的切線(xiàn)向量)的設(shè)置和取向，針對(duì)導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和絕緣層特別地定制配線(xiàn)跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。配線(xiàn)跡線(xiàn)將隨著配線(xiàn)跡線(xiàn)延伸的方向與曲率的切線(xiàn)向量更加對(duì)準(zhǔn)受到更多的彎曲應(yīng)力。換句話(huà)說(shuō)，當(dāng)與曲率的切線(xiàn)向量對(duì)準(zhǔn)的配線(xiàn)跡線(xiàn)的長(zhǎng)度減小時(shí)，配線(xiàn)跡線(xiàn)將更好地抵抗彎曲應(yīng)力。

為了減少與曲率的切線(xiàn)向量對(duì)準(zhǔn)的配線(xiàn)跡線(xiàn)部分的長(zhǎng)度，柔性顯示器100的配線(xiàn)跡線(xiàn)可以采用圖7中所示的正弦波、方波、蛇形、鋸齒形和傾斜線(xiàn)跡線(xiàn)設(shè)計(jì)中的任何一個(gè)或更多個(gè)。在這樣的構(gòu)造中，彎曲應(yīng)力可以分布到以偏離曲率的切線(xiàn)向量的角度取向的跡線(xiàn)部分。圖7中所示的應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)僅僅是示例性的，并且不應(yīng)解釋為對(duì)可以在柔性顯示器100的實(shí)施方案中使用的跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的限制。

一些導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120可以采用與柔性顯示器100的其他導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120不同的應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。在一些實(shí)施方案中，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120可以具有變化的尺寸以便于導(dǎo)線(xiàn)之間的緊密間隔。例如，第一配線(xiàn)跡線(xiàn)的凸起側(cè)可以設(shè)置在第一導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)旁邊的第二導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)的凹入側(cè)中。

為了防止或最小化由導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120中的裂紋引起的互連的分離，配線(xiàn)跡線(xiàn)可以分裂成多個(gè)子跡線(xiàn)，其以特定間隔會(huì)聚回到單個(gè)跡線(xiàn)中。在圖8A的示例中，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的單個(gè)跡線(xiàn)包括子跡線(xiàn)A和子跡線(xiàn)B，其在每個(gè)節(jié)點(diǎn)X處合并回來(lái)，類(lèi)似于菱形鏈。該跡線(xiàn)設(shè)計(jì)在下文中可以稱(chēng)為菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。因?yàn)樽盂E線(xiàn)布置成在以與離開(kāi)曲率的切線(xiàn)向量成角度的向量延伸，所以與曲率的切線(xiàn)向量對(duì)準(zhǔn)的配線(xiàn)跡線(xiàn)的長(zhǎng)度的減少以與圖7所示的跡線(xiàn)設(shè)計(jì)類(lèi)似的方式實(shí)現(xiàn)。

圖8所示的菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)提供了優(yōu)于圖7的單線(xiàn)配線(xiàn)跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的顯著的電優(yōu)點(diǎn)。首先，在給定相同的寬度、厚度和偏離曲線(xiàn)的切線(xiàn)向量的角度的情況下，與使用山跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的配線(xiàn)跡線(xiàn)相比，從使用菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的線(xiàn)跡中觀(guān)察到幾乎一半的電阻(即，4.4Ω：8.6Ω)。此外，在其中一個(gè)子跡線(xiàn)被裂紋損壞的情況下，將跡線(xiàn)分裂成多個(gè)子跡線(xiàn)可以提供備用電通路。因此，菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)可以用于彎曲部中的配線(xiàn)跡線(xiàn)，并且可以特別有助于彎曲容許部?jī)?nèi)的經(jīng)受?chē)?yán)重彎曲應(yīng)力的配線(xiàn)跡線(xiàn)。

如上所述，彎曲應(yīng)力的分布取決于子跡線(xiàn)相對(duì)于彎曲方向的向量(即，分離角)。具有遠(yuǎn)離彎曲方向的較大分離角度(即，曲率的切線(xiàn)向量)的子跡線(xiàn)將經(jīng)受較小的彎曲應(yīng)力。然而，應(yīng)當(dāng)注意，與由于導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)的取向偏離曲率的切線(xiàn)向量而實(shí)現(xiàn)的彎曲應(yīng)力減小相比，將導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)分裂成多個(gè)子跡線(xiàn)本身不會(huì)在每個(gè)子跡線(xiàn)上提供任何更多的彎曲應(yīng)力減少。事實(shí)上，在給定相同的導(dǎo)線(xiàn)寬度和偏離曲率的切線(xiàn)向量的角度的情況下，幾乎反映了菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)中的子跡線(xiàn)之一的形狀的山形配線(xiàn)跡線(xiàn)中的彎曲應(yīng)力模擬的結(jié)果幾乎與在菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的每個(gè)子跡線(xiàn)上展示的彎曲應(yīng)力模擬的結(jié)果相同。

然而，從菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的額外優(yōu)點(diǎn)之一是，該設(shè)計(jì)使得能夠最小化或消除絕緣層跡線(xiàn)的長(zhǎng)度，該絕緣層跡線(xiàn)與曲率的切線(xiàn)向量對(duì)準(zhǔn)(即，平行延伸)，而電阻相對(duì)增加很少。由于裂紋通常從絕緣層開(kāi)始，因此絕緣跡線(xiàn)的與曲率的切線(xiàn)向量對(duì)準(zhǔn)的長(zhǎng)度必須最小化。當(dāng)使用菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)時(shí)，在應(yīng)力點(diǎn)A處的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120與在應(yīng)力點(diǎn)B處的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120之間產(chǎn)生偏移，因此減小了導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120與曲率的切線(xiàn)向量對(duì)準(zhǔn)的長(zhǎng)度。

這同樣適用于導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120下方的緩沖層126以及導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120上的鈍化層128。換句話(huà)說(shuō)，無(wú)機(jī)緩沖層126在應(yīng)力點(diǎn)A和應(yīng)力點(diǎn)B處的緩沖層126之間的區(qū)域中被蝕刻掉，使得在兩點(diǎn)之間不存在緩沖層126的連續(xù)直線(xiàn)路徑。同樣，鈍化層128在應(yīng)力點(diǎn)A和應(yīng)力點(diǎn)B處的鈍化層128之間的區(qū)域中被蝕刻掉，因此在兩點(diǎn)之間不存在鈍化層128的連續(xù)直線(xiàn)路徑。不僅菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)提供了低得多的裂紋起始速率，而且它還阻止裂紋傳播到導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120。

可以通過(guò)減小導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和覆蓋導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的絕緣層的寬度來(lái)實(shí)現(xiàn)與曲率的切線(xiàn)向量對(duì)準(zhǔn)的絕緣層跡線(xiàn)的減小。當(dāng)通過(guò)減小導(dǎo)線(xiàn)寬度和絕緣跡線(xiàn)寬度消除了與曲線(xiàn)的切線(xiàn)向量對(duì)準(zhǔn)的絕緣層跡線(xiàn)時(shí)，裂紋的平均尺寸從3.79μm減小到2.69μm。歐姆接觸電阻從3.15Ω增加到4.51Ω，但是這樣的增加對(duì)柔性顯示器100的操作具有最小的影響。

導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的寬度的減小量受到圖1中所示的單線(xiàn)跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的限制，這是因?yàn)閷?dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的電阻可以變得太高而不能用于柔性顯示器100。然而，與使用非分裂應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)相比，通過(guò)分裂和合并導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120而產(chǎn)生的附加電通路在導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120中產(chǎn)生低得多的電阻。

應(yīng)當(dāng)注意，子跡線(xiàn)的分裂角度影響菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)800中的兩個(gè)相鄰節(jié)點(diǎn)X之間的距離。節(jié)點(diǎn)X之間的距離不需要在整條導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)上是均勻的?；谑┘釉谂渚€(xiàn)跡線(xiàn)的部分上的彎曲應(yīng)力的水平，跡線(xiàn)分裂和合并的間隔可以在單個(gè)配線(xiàn)跡線(xiàn)內(nèi)變化。節(jié)點(diǎn)X之間的距離可以對(duì)于配線(xiàn)跡線(xiàn)的部分朝向柔性顯示器100的經(jīng)受較高彎曲應(yīng)力的區(qū)域(例如，具有較低曲率半徑的區(qū)域、具有較大彎曲角度的區(qū)域)逐漸縮短。相反，節(jié)點(diǎn)X之間的距離可以朝向經(jīng)受較低彎曲應(yīng)力的區(qū)域逐漸變寬。

在圖8B的示例性跡線(xiàn)設(shè)計(jì)中，在端部部分中的跡線(xiàn)的節(jié)點(diǎn)X之間的距離處于第一距離(例如，27μm)，但是該距離朝著跡線(xiàn)的中間部分逐漸變短。在中間部分中，節(jié)點(diǎn)X之間的距離減小一半。圖8B所示的跡線(xiàn)的端部可以是用于柔性顯示器100的彎曲容許部的開(kāi)始端附近的配線(xiàn)跡線(xiàn)的部分，并且跡線(xiàn)的中間部分可以是用于彎曲容許部的中間或其附近的部分。

通過(guò)在高彎曲應(yīng)力區(qū)域處選擇性地增加導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)中的子跡線(xiàn)的角度，在配線(xiàn)跡線(xiàn)中提供較少可能產(chǎn)生裂紋。使用以遠(yuǎn)離彎曲方向的較大角度分裂和合并的子跡線(xiàn)，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和沿曲率的切線(xiàn)向量延伸的絕緣層的長(zhǎng)度的減少更徹底。這樣，可以避免不必要的電阻增加。

配線(xiàn)跡線(xiàn)可以分裂成附加數(shù)量的子跡線(xiàn)，如圖8C所示在柔性顯示器100的彎曲區(qū)域中產(chǎn)生網(wǎng)格狀的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)。作為示例，子跡線(xiàn)可以被構(gòu)造為形成由菱形跡線(xiàn)形狀形成的多個(gè)網(wǎng)。這樣的跡線(xiàn)設(shè)計(jì)可以用于傳輸公共信號(hào)(例如VSS和VDD)的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)。形成柵格狀跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的子跡線(xiàn)的數(shù)量和子跡線(xiàn)的形狀沒(méi)有特別限制于如圖8C所示的示例。在一些實(shí)施方案中，子跡線(xiàn)可以會(huì)聚到柔性顯示器100的彎曲容許部的單個(gè)跡線(xiàn)中。

上面討論的應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)可以用于導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的全部或部分。在一些實(shí)施方案中，柔性顯示器100的彎曲部中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的部分可以采用這樣的應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的在具有應(yīng)變降低跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的部分之前或之后的部分可以具有相同的跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。如果需要，應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)可以應(yīng)用于導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的多個(gè)部分。

即使使用應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)，在跡線(xiàn)的某些點(diǎn)(即，應(yīng)力點(diǎn))仍不可避免地保留彎曲應(yīng)力。應(yīng)力點(diǎn)的位置很大程度上取決于跡線(xiàn)的形狀以及彎曲方向。因此，對(duì)于給定的彎曲方向，配線(xiàn)和/或絕緣層的跡線(xiàn)可以設(shè)計(jì)成使得剩余的彎曲應(yīng)力將集中在它們的跡線(xiàn)的期望部分。因此，可以在跡線(xiàn)設(shè)計(jì)中提供抗裂紋區(qū)域，以增強(qiáng)配線(xiàn)跡線(xiàn)的彎曲應(yīng)力集中的部分。

返回參照?qǐng)D8A，當(dāng)具有菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的配線(xiàn)跡線(xiàn)在彎曲方向上彎曲時(shí)，彎曲應(yīng)力傾向于集中在成角度的角處，其被表示為應(yīng)力點(diǎn)A和應(yīng)力點(diǎn)B。當(dāng)裂紋在這些成角度的角處形成時(shí)，其通常在相對(duì)于彎曲方向的橫向方向上生長(zhǎng)。例如，在應(yīng)力點(diǎn)A處，裂紋可以從外部跡線(xiàn)820開(kāi)始并且朝向內(nèi)部跡線(xiàn)830生長(zhǎng)。類(lèi)似地，裂紋在應(yīng)力點(diǎn)B可以從外部跡線(xiàn)830開(kāi)始并且朝向內(nèi)部跡線(xiàn)820生長(zhǎng)。

因此，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的在應(yīng)力點(diǎn)A處的寬度可以在與相對(duì)于彎曲方向的橫向方向上選擇性地增加，從而用作抗裂紋區(qū)域。即，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的在裂紋生長(zhǎng)方向上測(cè)量的應(yīng)力點(diǎn)A和B處的寬度(WA，WB)可以比導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的在如圖8A所示的其他部分處的寬度(W)長(zhǎng)。在應(yīng)力點(diǎn)處的裂紋生長(zhǎng)方向上的額外寬度使得導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120在完全斷開(kāi)發(fā)生之前保持更長(zhǎng)時(shí)間。

在測(cè)試中，配線(xiàn)具有在17μm厚的PI基底層106上形成的三層結(jié)構(gòu)在基底層106與多層導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120之間形成厚的SiNx層。此外，在多層導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120上形成SiO2層。導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120上的SiO2的最厚部分為導(dǎo)線(xiàn)1至導(dǎo)線(xiàn)4中的每一個(gè)在應(yīng)力點(diǎn)A處分別具有8.5μm、2.5μm、3.5μm和4.5μm的不同的寬度。

對(duì)于每條導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)，首先在彎曲時(shí)測(cè)量電阻，并在15小時(shí)后再次測(cè)量。如果在導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120中產(chǎn)生裂紋，則導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的電阻也將增加。在應(yīng)力點(diǎn)A具有最長(zhǎng)寬度的配線(xiàn)跡線(xiàn)1表現(xiàn)出最低的平均增加電阻率，而在應(yīng)力點(diǎn)A具有最短寬度的導(dǎo)線(xiàn)2表現(xiàn)出最大的平均增加電阻率。此外，在配線(xiàn)跡線(xiàn)2的三個(gè)樣本和配線(xiàn)跡線(xiàn)3的兩個(gè)樣本中觀(guān)察到完全斷開(kāi)。在導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)4中完全切斷的同時(shí)，在15小時(shí)后觀(guān)察到電阻的顯著增加。因此，需要在應(yīng)力點(diǎn)A處的足夠的寬度以保持配線(xiàn)的可靠性。

例如，在應(yīng)力點(diǎn)A處的配線(xiàn)的寬度可以長(zhǎng)于4.0μm。在裂紋生長(zhǎng)方向的方向上測(cè)量的配線(xiàn)的寬度可以長(zhǎng)于5.0μm，以進(jìn)一步提高可靠性。即使導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的寬度在沿著相對(duì)于彎曲方向的橫向方向上增加，絕緣層的連續(xù)部分與彎曲方向?qū)?zhǔn)的長(zhǎng)度也應(yīng)當(dāng)保持最小。因此，在一個(gè)實(shí)施方案中，配線(xiàn)在應(yīng)力點(diǎn)A處的寬度范圍為約2.5μm至約8μm，更優(yōu)選地為約3.5μm至約6μm，更優(yōu)選地為約4.5μm至約8.5μm，更優(yōu)選約4.0μm。

在應(yīng)力點(diǎn)B處沿裂紋生長(zhǎng)方向測(cè)量的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的寬度也應(yīng)該以與導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120在應(yīng)力點(diǎn)A處的寬度類(lèi)似的方式保持。因此，配線(xiàn)的寬度在應(yīng)力點(diǎn)B可以為約2.5μm至約8μm，更優(yōu)選為約3.5μm至約6μm，更優(yōu)選為約4.5μm至約8.5μm，更優(yōu)選為約4.0μm。由于成角度的角部的緊密接近以及它們?cè)趹?yīng)力點(diǎn)B處的裂紋生長(zhǎng)方向，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120在應(yīng)力點(diǎn)B處的寬度可以大于在應(yīng)力點(diǎn)A處的寬度。

為了使裂紋從內(nèi)部跡線(xiàn)820和外部跡線(xiàn)830兩者開(kāi)始的機(jī)會(huì)最小化，跡線(xiàn)中的至少一個(gè)可以不與應(yīng)力點(diǎn)A處的其他跡線(xiàn)一樣尖銳地成角。在如圖8A所示的實(shí)施方案中，在應(yīng)力點(diǎn)A處的內(nèi)部跡線(xiàn)820具有成角度的角，并且在應(yīng)力點(diǎn)A處的外部跡線(xiàn)830與彎曲方向基本平行(例如，±5°)。然而，外部跡線(xiàn)830在彎曲方向上過(guò)度延伸的長(zhǎng)度L可能首先破壞使用應(yīng)變降低跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的目的。因此，外部跡線(xiàn)830的基本上平行于彎曲方向延伸的部分的長(zhǎng)度L可以等于或稍微偏離(例如，在±2.5μm內(nèi))導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)的寬度W。替代地，可以用外部跡線(xiàn)830形成尖角，而在應(yīng)力點(diǎn)A處的內(nèi)部跡線(xiàn)820基本上平行于彎曲方向。在這兩種情況下，較不尖銳成角的跡線(xiàn)可以簡(jiǎn)單地更加圓化，而不是具有如圖8A所示的直線(xiàn)跡線(xiàn)。

如上所述，跡線(xiàn)的分裂和合并產(chǎn)生了共享給定量的彎曲應(yīng)力的應(yīng)力點(diǎn)。由于在每個(gè)應(yīng)力點(diǎn)處具有相對(duì)低的彎曲應(yīng)力，所以裂紋開(kāi)始的機(jī)會(huì)較小。然而，在一些情況下，柔性顯示器100上的可用空間可以限制跡線(xiàn)的節(jié)點(diǎn)X的數(shù)量。即，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)中的多余節(jié)點(diǎn)X可能占據(jù)柔性顯示器100中太多的空間。另一方面，跡線(xiàn)中有限數(shù)量的節(jié)點(diǎn)X可能不足以防止或最小化在應(yīng)力點(diǎn)處開(kāi)始的裂紋。

因此，可以提供具有沿著一個(gè)或更多個(gè)子跡線(xiàn)策略性地定位的多個(gè)微應(yīng)力點(diǎn)810的跡線(xiàn)，使得子跡線(xiàn)上的彎曲應(yīng)力分布在微應(yīng)力點(diǎn)810之間。在如圖8D所示的示例中，絕緣跡線(xiàn)包括多個(gè)微應(yīng)力點(diǎn)810。如所討論的，成角度的角傾向于跡線(xiàn)設(shè)計(jì)中的應(yīng)力點(diǎn)。因此，可以沿著絕緣層跡線(xiàn)形成多個(gè)成角度的缺口，以用作微應(yīng)力點(diǎn)810。在該設(shè)置中，每個(gè)子跡線(xiàn)上的彎曲應(yīng)力的至少一部分將集中在微應(yīng)力點(diǎn)810中的每一個(gè)上。使用占據(jù)子跡線(xiàn)上的給定彎曲應(yīng)力的部分的每個(gè)微應(yīng)力點(diǎn)810，每個(gè)微應(yīng)力點(diǎn)810處的裂紋的尺寸可以小于在沒(méi)有微應(yīng)力點(diǎn)810的情況下在絕緣層跡線(xiàn)中產(chǎn)生的裂紋尺寸。因此，這可以減少導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120完全斷開(kāi)的機(jī)會(huì)。

應(yīng)當(dāng)理解，微應(yīng)力點(diǎn)810的位置和數(shù)量不限于如圖8D所示。可以在相應(yīng)的絕緣跡線(xiàn)中的期望位置處形成額外的微應(yīng)力點(diǎn)810，以進(jìn)一步減少裂紋發(fā)生的機(jī)會(huì)。

如上所述，一些結(jié)構(gòu)元件可以不存在于柔性顯示器100的一些區(qū)域中以便于彎曲。例如，諸如觸摸傳感器層112、偏振層110等的元件可以不在柔性顯示器100的彎曲區(qū)域中。另外，一些絕緣層，例如多緩沖層118可以在某種程度上簡(jiǎn)化，使得與柔性顯示器100中的其它區(qū)域相比，絕緣層具有更少數(shù)量的子層或具有在一個(gè)區(qū)域處減小的厚度。這些部件和層的缺乏或簡(jiǎn)化將產(chǎn)生其中配線(xiàn)跡線(xiàn)和/或絕緣層跡線(xiàn)需要跨過(guò)的凹陷區(qū)域。

彎曲應(yīng)力的量和彎曲應(yīng)力施加在布置在凹陷區(qū)域上的配線(xiàn)跡線(xiàn)上的方向可以不同于施加到彎曲部的其他部分的彎曲應(yīng)力。為了適應(yīng)差異，凹陷區(qū)域處的配線(xiàn)跡線(xiàn)的應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)也可以不同于其他地方使用的應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。

圖9A示出了在示例性柔性顯示器100的背板的邊緣處的截面圖，其中從彎曲部移除了若干絕緣層以便于更可靠的彎曲。

如圖所示，在基底層106與OLED元件層102之間形成有幾個(gè)有機(jī)層和無(wú)機(jī)層。在該特定示例中，SiNx和SiO2層的交替堆疊體可以設(shè)置在基底層106上以用作緩沖層126。TFT的半導(dǎo)體層可以?shī)A在由SiO2層形成的有源緩沖層與柵極絕緣層之間。TFT的柵極設(shè)置在層間電介質(zhì)層(ILD)上，并且具有如上所述的多層結(jié)構(gòu)的TFT的源極/漏極夾在ILD與鈍化層之間。這里，ILD可以由SiNx和SiO2的堆疊體形成，并且鈍化層由SiNx形成。然后，在鈍化層上設(shè)置平坦化層，從而可以在其上設(shè)置用于OLED的陽(yáng)極。

應(yīng)當(dāng)注意，應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)的使用不僅限于配線(xiàn)在彎曲部?jī)?nèi)的部分。換句話(huà)說(shuō)，應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)可以在彎曲部外部的區(qū)域中開(kāi)始和結(jié)束。在這樣的縮短區(qū)域中使用應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)用于配線(xiàn)跡線(xiàn)可以增加保護(hù)配線(xiàn)跡線(xiàn)抵抗彎曲應(yīng)力。

然而，在縮短區(qū)域中，在基底層106與OLED元件層102之間不存在若干層以便于柔性顯示器100的彎曲。例如，通過(guò)第一蝕刻過(guò)程在修整區(qū)域中蝕刻掉ILD和柵極絕緣層，其后是通過(guò)第二蝕刻過(guò)程蝕刻掉有源緩沖層和緩沖層126的一部分(例如，SiNx層和SiO2層的堆疊體)。這些蝕刻過(guò)程產(chǎn)生多個(gè)臺(tái)階，其中在設(shè)置在垂直傾斜表面上的配線(xiàn)跡線(xiàn)與設(shè)置在水平地水平表面上的配線(xiàn)跡線(xiàn)之間發(fā)生方向的急劇變化。換句話(huà)說(shuō)，配線(xiàn)跡線(xiàn)將具有若干彎曲點(diǎn)，例如EB1和EB2。

當(dāng)使柔性顯示器100在彎曲方向上彎曲時(shí)，配線(xiàn)跡線(xiàn)可以在臺(tái)階處或附近經(jīng)歷更多的應(yīng)變。許多測(cè)試和實(shí)驗(yàn)表明，在跨越EB1區(qū)域與EB2區(qū)域之間的臺(tái)階的配線(xiàn)跡線(xiàn)中，裂紋的機(jī)會(huì)特別高。因此，在一些實(shí)施方案中，用于配線(xiàn)跡線(xiàn)的應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)在由柔性顯示器的絕緣層提供的高水平表面與低水平表面之間的臺(tái)階處或其附近具有增強(qiáng)部分。

在圖9B所示的示例中，配線(xiàn)跡線(xiàn)在開(kāi)始時(shí)具有簡(jiǎn)單的直線(xiàn)跡線(xiàn)設(shè)計(jì)，其在縮短區(qū)域中變?yōu)榉至押秃喜?yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。此外，導(dǎo)線(xiàn)的在彎曲點(diǎn)EB1和EB2之前和之后穿過(guò)的部分以額外增強(qiáng)寬度WR。即，導(dǎo)線(xiàn)具有基本上更寬的寬度以增強(qiáng)彎曲點(diǎn)EB1和EB2附近的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120，以確保導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的保持，即使從覆蓋導(dǎo)線(xiàn)的增強(qiáng)部分的絕緣層開(kāi)始出現(xiàn)裂紋亦如此。導(dǎo)線(xiàn)的以更寬的增大寬度WR被增強(qiáng)的增強(qiáng)部分的距離DR取決于由蝕刻工藝產(chǎn)生的臺(tái)階的尺寸以及彎曲點(diǎn)EB1與EB2之間的距離。通過(guò)增強(qiáng)部分，導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)繼續(xù)上面討論的菱形跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。配線(xiàn)跡線(xiàn)的在增強(qiáng)部分之前和之后的應(yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)不特別限于如圖9B所示的跡線(xiàn)設(shè)計(jì)?？梢允褂蒙厦嬗懻摰娜魏纹渌鼞?yīng)變減小跡線(xiàn)設(shè)計(jì)。

盡管這可能并不總是這樣，但是縮短區(qū)域可能在彎曲容許部之前稍微朝向柔性顯示器100的中心部，因?yàn)樗鼘⒂兄谌嵝燥@示器100的最大彎曲。在這樣的情況下，彎曲點(diǎn)EB1和EB2將位于彎曲部中的彎曲容許部的剛剛外部開(kāi)始處。

增強(qiáng)的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120部分的增加的寬度WR可以在彎曲容許部的曲率相對(duì)較小的開(kāi)始處或其附近很好地用于其目的。然而，配線(xiàn)跡線(xiàn)的較寬的寬度WR將增加配線(xiàn)跡線(xiàn)的與彎曲方向成直線(xiàn)的長(zhǎng)度。這將使得配線(xiàn)跡線(xiàn)更難抵抗具有較大彎曲半徑的區(qū)域處的彎曲應(yīng)力。為此，應(yīng)當(dāng)限制使用增強(qiáng)部分的距離DR，使得增強(qiáng)導(dǎo)線(xiàn)部分不會(huì)朝向彎曲容許部過(guò)度延伸。換句話(huà)說(shuō)，可以限制增強(qiáng)導(dǎo)線(xiàn)部分的距離DR，使得增強(qiáng)導(dǎo)線(xiàn)部分的跡線(xiàn)設(shè)計(jì)不超過(guò)具有多于一個(gè)閾值彎曲角度的彎曲容許部。作為示例，增強(qiáng)的導(dǎo)線(xiàn)部分可以不延伸超過(guò)其遠(yuǎn)離曲率的切平面彎曲30°的點(diǎn)。閾值彎曲角度可以小于20°，例如10°，更優(yōu)選地小于7°。

具有增強(qiáng)部分的配線(xiàn)跡線(xiàn)可以延伸超過(guò)彎曲容許區(qū)域并且到達(dá)次級(jí)有源區(qū)域。在這樣的情況下，在彎曲容許部的端部處或附近可能存在額外的彎曲點(diǎn)(類(lèi)似于EB1和EB2)。在這樣的彎曲點(diǎn)處或附近的導(dǎo)線(xiàn)可以以與彎曲點(diǎn)EB1和EB2處的配線(xiàn)跡線(xiàn)部分類(lèi)似的方式被增強(qiáng)。如果需要，位于彎曲容許部的另一端處的彎曲點(diǎn)處或附近的增強(qiáng)導(dǎo)線(xiàn)部分可以與如圖9B所示的不同。

雖然上面參照OLED顯示技術(shù)描述了本公開(kāi)中的概念和教導(dǎo)，但是應(yīng)當(dāng)理解，幾個(gè)特征可以延伸到任何形式的柔性顯示技術(shù)(例如電泳、液晶、電致變色、包括柔性基板上的分立無(wú)機(jī)LED發(fā)射器的顯示器、電流體和電動(dòng)顯示器)，以及任何其它合適形式的顯示技術(shù)。

如上所述，柔性顯示器100可以包括多個(gè)創(chuàng)新，其被構(gòu)造為允許一個(gè)或更多個(gè)部分的彎曲以減小組裝的柔性顯示器100的明顯邊界尺寸和/或使用組裝的柔性顯示器100的所述側(cè)表面。在一些實(shí)施方案中，可以?xún)H在僅具有導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120而不是有源顯示組件或外圍電路的彎曲部和/或彎曲容許部中執(zhí)行彎曲。在一些實(shí)施方案中，可以加熱基底層106和/或待彎曲的其它層和基板以促進(jìn)彎曲而不斷裂，然后在彎曲之后冷卻。在一些實(shí)施方案中，可以使用諸如具有無(wú)源電介質(zhì)層的不銹鋼的金屬而不是上面討論的聚合物材料作為基底層106?？梢栽趲讉€(gè)識(shí)別和對(duì)準(zhǔn)處理步驟中使用光學(xué)標(biāo)記，以確保在沒(méi)有敏感部件斷裂的情況下適當(dāng)?shù)膹澢?。在裝置組裝和彎曲操作期間可以主動(dòng)監(jiān)視柔性顯示器100的部件，以監(jiān)視對(duì)部件和互連的損壞。

導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和/或絕緣層的組成材料可以被優(yōu)化以促進(jìn)拉伸和/或壓縮而不是在彎曲區(qū)域內(nèi)斷裂。導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的厚度可以在彎曲區(qū)域和/或彎曲容許部上變化，以最小化柔性顯示器100的彎曲部或彎曲容許部周邊的應(yīng)力。導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120和絕緣層的跡線(xiàn)設(shè)計(jì)可以遠(yuǎn)離彎曲方向(即，曲率的切線(xiàn)向量)成角度、彎曲、波動(dòng)或以其它方式布置以減小彎曲期間切斷的可能性。導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120、絕緣層和其它部件的厚度可以在柔性顯示器100的彎曲部中改變或優(yōu)化，以減少?gòu)澢陂g的斷裂。除了所公開(kāi)的封裝層之外，通過(guò)在部件上方添加保護(hù)性微涂層，可以減少?gòu)澢鷳?yīng)力。導(dǎo)電膜可以在修復(fù)過(guò)程中彎曲之前、期間或之后施加到導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120。此外，柔性顯示器100的基本平坦區(qū)域中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120的構(gòu)成材料和/或結(jié)構(gòu)可以與彎曲部和/或彎曲容許部中的導(dǎo)線(xiàn)跡線(xiàn)120不同。

所描述的實(shí)施方案的這些各個(gè)方面、實(shí)施方案、實(shí)現(xiàn)或特征可以單獨(dú)使用或以任何組合使用。前述內(nèi)容僅僅是對(duì)本發(fā)明的原理的說(shuō)明，并且在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行各種修改。