光學(xué)擴(kuò)散板以及光源模組的制作方法

本發(fā)明涉及一種光學(xué)元件以及光學(xué)裝置，且特別涉及一種光學(xué)擴(kuò)散板以及光源模組。

背景技術(shù)：

隨著光學(xué)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)有的背光模組所提供的光束可用于照明應(yīng)用或作為液晶熒幕顯示畫面所需的光源。在現(xiàn)有的背光模組中，直下式背光模組可以提供充足的光束來照射大尺寸的顯示面板，進(jìn)而讓大尺寸的顯示面板可以顯示良好的畫面。

在目前顯示技術(shù)的研發(fā)目標(biāo)中，具有高亮度的薄型化顯示裝置一直是目前的主要課題之一。然而，顯示裝置在降低厚度的同時(shí)也會減少直下式背光模組中的光源與顯示面板之間的距離，進(jìn)而使光源所發(fā)出的光束無法提供均勻的照明效果。現(xiàn)有的直下式背光模組會藉由光學(xué)透鏡來調(diào)整光束，進(jìn)而使每個(gè)光源發(fā)出的光束可以照亮更大的區(qū)域，但是當(dāng)顯示裝置的厚度要再進(jìn)一步降低時(shí)，光源及光學(xué)透鏡的分布密度也要隨之提高，而高密度的光源及光學(xué)透鏡不但降低了制作顯示裝置的良率，同時(shí)也增加了顯示裝置的制作成本。

“背景技術(shù)”段落只是用來幫助了解本

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
，因此在“背景技術(shù)”段落所揭露的內(nèi)容可能包含一些沒有構(gòu)成所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知道的公知技術(shù)。在“背景技術(shù)”段落所揭露的內(nèi)容，不代表該內(nèi)容或者本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所要解決的問題，在本發(fā)明申請前已被所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知曉或認(rèn)知。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種光學(xué)擴(kuò)散板，其可以擴(kuò)散來自光源的光束，進(jìn)而提供均勻的照明光束。

本發(fā)明提供一種光源模組，其在降低厚度的同時(shí)，還能提供均勻的照明光束。

本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本發(fā)明所揭露的技術(shù)特征中得到進(jìn)一步的了解。

為達(dá)上述之一或部分或全部目的或是其他目的，本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種光學(xué)擴(kuò)散板，其包括入光面、相對于入光面的出光面、至少一個(gè)圖案區(qū)以及反射層。圖案區(qū)位于入光面與出光面的至少其中之一。反射層覆蓋部分圖案區(qū)。圖案區(qū)包括位于中心位置的中央?yún)^(qū)、多個(gè)第一環(huán)形區(qū)以及至少一個(gè)第二環(huán)形區(qū)。這些第一環(huán)形區(qū)以及第二環(huán)形區(qū)交替環(huán)繞中央?yún)^(qū)，且中央?yún)^(qū)的四周鄰接這些第一環(huán)形區(qū)的其中之一。反射層在第二環(huán)形區(qū)與中央?yún)^(qū)的覆蓋率高于反射層在這些第一環(huán)形區(qū)的覆蓋率。

為達(dá)上之一或部分或全部目的或是其他目的，本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種光源模組，其包括上述的光學(xué)擴(kuò)散板以及至少一個(gè)發(fā)光元件。發(fā)光元件配置于鄰近光學(xué)擴(kuò)散板的入光面的一側(cè)，且發(fā)光元件的位置對應(yīng)圖案區(qū)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層包括多個(gè)配置于圖案區(qū)中的反射圖案。這些反射圖案在中央?yún)^(qū)及第二環(huán)形區(qū)的單位面積中所占的區(qū)域大于這些反射圖案在這些第一環(huán)形區(qū)的單位面積中所占的區(qū)域。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些反射圖案的形狀相同。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些反射圖案中相鄰兩反射圖案的距離相同。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些反射圖案在圖案區(qū)的配置為圓對稱性。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些反射圖案的半徑小于或等于1.5毫米。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述位于中央?yún)^(qū)的反射圖案為一反射圓盤，而位于這些第一環(huán)形區(qū)與第二環(huán)形區(qū)的這些反射圖案為環(huán)繞反射圓盤的反射圓環(huán)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的光學(xué)擴(kuò)散板還包括摻雜于至少部分反射層的吸光粒子。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層的吸收率小于50％。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層的反射率落在10％至90％的范圍。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層在中央?yún)^(qū)的覆蓋率大于反射層在第二環(huán)形區(qū)的覆蓋率。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射層在這些第一環(huán)形區(qū)的覆蓋率彼此不同，且自中心位置往外遞減。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的發(fā)光元件包括發(fā)光單元以及光學(xué)透鏡。發(fā)光單元用于發(fā)出一光束，光束用于經(jīng)光學(xué)透鏡傳遞至入光面，且圖案區(qū)的中心位置位于光學(xué)透鏡的主光軸上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的光束在入光面的光型與中央?yún)^(qū)、這些第一環(huán)形區(qū)及第二環(huán)形區(qū)在圖案區(qū)的位置互相對應(yīng)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的光學(xué)透鏡具有一面向入光面的一頂面。其中一第一環(huán)型區(qū)的位置配置于(R-5)≦S≦(R+10)的范圍內(nèi)，其中R為頂面的半徑，S為第二環(huán)型區(qū)與中心位置的距離，且R與S的單位為毫米。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的光源模組還包括一反射片，其具有至少一個(gè)開孔。反射片配置于光學(xué)擴(kuò)散板的入光面的一側(cè)，且發(fā)光元件配置于開孔中。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的反射片與入光面之間的距離小于或等于15毫米。

基于上述，本發(fā)明的實(shí)施例至少具有以下其中一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或功效。本發(fā)明的實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板具有反射層覆蓋于入光面或出光面的圖案區(qū)，因此自外界傳遞至圖案區(qū)的光束可以藉由反射層的反射來使自出光面發(fā)出的光束可以具有良好的均勻度。本發(fā)明的實(shí)施例的光源模組因?yàn)榫哂猩鲜龅墓鈱W(xué)擴(kuò)散板，因此可以縮短發(fā)光元件和光學(xué)擴(kuò)散板之間的距離，進(jìn)而在降低光源模組整體的厚度的同時(shí)，也提供良好地照明光束。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板的仰視示意圖。

圖1B是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的光源模組的局部剖面示意圖。

圖2是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖面示意圖。

圖3是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的光源模組的剖面示意圖。

圖4A是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板上的光型分布示意圖。

圖4B是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的光源模組所提供的光束的亮度分布示意圖。

圖5A是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的圖案區(qū)的局部仰視示意圖。

圖5B是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的圖案區(qū)的局部仰視示意圖。

圖6A是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的圖案區(qū)的仰視示意圖。

圖6B是依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的圖案區(qū)的仰視示意圖。

具體實(shí)施方式

有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合附圖的一優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實(shí)施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或后等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本發(fā)明。

本發(fā)明的實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板用于傳遞部分光束并反射另一部分光束，進(jìn)而使光束傳遞至光學(xué)擴(kuò)散板的另一側(cè)時(shí)可以具有良好的均勻度。圖1A是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板的仰視示意圖。圖1B是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的光源模組的剖面示意圖，其中圖1B所示出的光學(xué)擴(kuò)散板100是根據(jù)圖1A的剖面線I-I’所示。請參照圖1A與圖1B，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，光學(xué)擴(kuò)散板100包括入光面110、相對于入光面110的出光面120、至少一個(gè)圖案區(qū)112以及反射層130。圖案區(qū)112位于入光面110與出光面120的其中之一或同時(shí)位于入光面110與出光面120，在本實(shí)施例中，圖案區(qū)112是以位于入光面120為例說明。圖案區(qū)112包括位于中心位置的中央?yún)^(qū)114、第一環(huán)形區(qū)116A、116B以及第二環(huán)形區(qū)118。第一環(huán)形區(qū)116A、第二環(huán)形區(qū)118和第一環(huán)形區(qū)116B交替環(huán)繞中央?yún)^(qū)114，且中央?yún)^(qū)114的四周鄰接第一環(huán)形區(qū)116A。具體而言，本實(shí)施例的圖案區(qū)112自中心位置往外(遠(yuǎn)離中心位置)的方向上依序排列有中央?yún)^(qū)114、第一環(huán)形 區(qū)116A、第二環(huán)形區(qū)118和第一環(huán)形區(qū)116B。

在本實(shí)施例中，反射層130覆蓋部分圖案區(qū)112。反射層130在中央?yún)^(qū)114與第二環(huán)形區(qū)118的覆蓋率高于反射層130在第一環(huán)形區(qū)116A、116B的覆蓋率，亦即反射層130在中央?yún)^(qū)114所覆蓋的面積與中央?yún)^(qū)114的總面積的比例高于反射層130在第一環(huán)形區(qū)116A、116B所覆蓋的面積與第一環(huán)形區(qū)116A、116B的總面積的比例，且反射層130在中央?yún)^(qū)114所覆蓋的面積與中央?yún)^(qū)114的總面積的比例高于反射層130在第一環(huán)形區(qū)116A、116B所覆蓋的面積與第一環(huán)形區(qū)116A、116B的總面積的比例。

請參照圖1B，本實(shí)施例的光源模組300還包括發(fā)光元件200。發(fā)光元件200配置于光學(xué)擴(kuò)散板100的入光面110的一側(cè)，且發(fā)光元件200的位置對應(yīng)圖案區(qū)112。透過入光面110的圖案區(qū)112的中央?yún)^(qū)114、第一環(huán)形區(qū)116A、第二環(huán)形區(qū)118和第一環(huán)形區(qū)116B上配置有反射層130，且反射層130在中央?yún)^(qū)114與第二環(huán)形區(qū)118的覆蓋率高于反射層130在第一環(huán)形區(qū)116A、116B的覆蓋率，因此整體上光學(xué)擴(kuò)散板100在中央?yún)^(qū)114和第二環(huán)形區(qū)118的反射率較高，在第一環(huán)形區(qū)116A、116B的反射率較低，而發(fā)光元件200發(fā)出的光束傳遞至中央?yún)^(qū)114和第二環(huán)形區(qū)118時(shí)會有較高比例的部分光束被反射，進(jìn)而使自光學(xué)擴(kuò)散板100的出光面120發(fā)出的光具有良好的均勻度。

詳細(xì)來說，請參照圖1B，發(fā)光元件200發(fā)出的一部分光束L1傳遞至中央?yún)^(qū)114時(shí)，因?yàn)橹醒雲(yún)^(qū)114被反射層130覆蓋的區(qū)域較大，因此較大比例的光束L1會被反射。發(fā)光元件200發(fā)出的一部分光束L2傳遞至第一環(huán)形區(qū)116A時(shí)，因?yàn)榈谝画h(huán)形區(qū)116A被反射層130覆蓋的區(qū)域較小，因此較大比例的光束L2會進(jìn)入光學(xué)擴(kuò)散板100。發(fā)光元件200發(fā)出的一部分光束L3傳遞至第二環(huán)形區(qū)118時(shí)，因?yàn)榈诙h(huán)形區(qū)118被反射層130覆蓋的區(qū)域較大，因此較大比例的光束L3會被反射。

由于本實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板100的入光面110的圖案區(qū)112上有反射層130，進(jìn)而使圖案區(qū)112的反射率自內(nèi)而外依序是高、低、高、低的方式配置，所以當(dāng)發(fā)光元件200發(fā)出光束至入光面110時(shí)，光學(xué)擴(kuò)散板100可以進(jìn)一步補(bǔ)償光源在入光面110上所照射的光束的亮度分布，進(jìn)而讓光束均勻的穿透入光面110。具體來說，由于發(fā)光元件200提供光束L1、L2、 L3至入光面110時(shí)，光束L1、L2、L3照射在入光面110的不同區(qū)域上會有不同的光強(qiáng)度分布，而形成光斑。反射層130在圖案區(qū)112上的分布可以讓光強(qiáng)度較低的區(qū)域(亦即第一環(huán)形區(qū)116A、116B)上的部分光束可以較高的比例穿透入光面110，同時(shí)可以讓光強(qiáng)度較高的區(qū)域(亦即中央?yún)^(qū)114和第二環(huán)形區(qū)118)上的部分光束可以較低的比例穿透入光面110，進(jìn)而讓整體光束均勻地進(jìn)入光學(xué)擴(kuò)散板100，因此自出光面120發(fā)出的光可以具有良好地均勻性。

圖2是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光元件的剖面示意圖。請參照圖2，本發(fā)明的第一實(shí)施例中，發(fā)光元件200包括發(fā)光單元210和光學(xué)透鏡220，發(fā)光單元210用于發(fā)出光束進(jìn)入光學(xué)透鏡220的入光面221。光學(xué)透鏡220還具有相對于入光面221的出光凹面223、出光曲面225、227、229，發(fā)光單元210發(fā)出的光束進(jìn)入入光面221后用于自出光凹面223、出光曲面225、227、229發(fā)出，進(jìn)而增加整體光束的出光角度。具體來說，本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光單元210例如是發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，發(fā)光元件還可以是有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)、激光發(fā)光二極管(Laser diode)或其他適合作為光源的發(fā)光單元。另一方面，本發(fā)明的第一實(shí)施例的光學(xué)透鏡220例如是二次透鏡，其用于折射、反射來自發(fā)光單元210的光束，進(jìn)而讓光束以更大的出光角度發(fā)出。然而，請一并參照圖1B，由于光學(xué)透鏡220會讓投射至入光面110的光束具有特定光斑，亦即會使入光面110上的不同區(qū)域照射到不同強(qiáng)度的光，因此圖案區(qū)112上的反射層130可以適度地反射部分強(qiáng)度過強(qiáng)的光束，并讓強(qiáng)度較低的光束穿透，進(jìn)而讓光學(xué)擴(kuò)散板100可以提供良好地?cái)U(kuò)散功能及均勻化功能。

請參照圖1B，本實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板110例如是導(dǎo)光板或擴(kuò)散板，其是由用于讓光束傳遞的透光材料所形成，本發(fā)明不限制其材質(zhì)或顏色，視光學(xué)擴(kuò)散板100所接收的光束的性質(zhì)及光源模組300所欲呈現(xiàn)的光學(xué)效果而定。在其他實(shí)施例中，光學(xué)擴(kuò)散板100中還可以具有擴(kuò)散粒子摻雜其中，本發(fā)明不限于此。

請參照圖1A及圖1B，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，反射層130包括配置于圖案區(qū)112中的多個(gè)反射圖案132、134、136。反射圖案132在中央?yún)^(qū) 114的單位面積中所占的區(qū)域大于這些反射圖案134在第一環(huán)形區(qū)116A、116B的單位面積中所占的區(qū)域，且這些反射圖案136在第二環(huán)形區(qū)118的單位面積中所占的區(qū)域大于這些反射圖案134在第一環(huán)形區(qū)116A、116B的單位面積中所占的區(qū)域。具體而言，本實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板100的入光面110在中央?yún)^(qū)114和第二環(huán)形區(qū)118的單位面積中被反射層130覆蓋的面積較大，入光面110在第一環(huán)形區(qū)116A、116B的單位面積中被反射層130覆蓋的面積較小，因此可以讓光學(xué)擴(kuò)散板100在入光面110的一側(cè)反射率可以適度地補(bǔ)償來自發(fā)光元件200的光束。

請參照圖1B，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，圖案區(qū)112的中心位置(亦即中央?yún)^(qū)114)位于光學(xué)透鏡220的主光軸T上，而發(fā)光單元210也大致配置于主光軸T上。因此，發(fā)光元件200發(fā)出的光束在入光面110的光型與中央?yún)^(qū)114、這些第一環(huán)形區(qū)116A、116B及第二環(huán)形區(qū)118在圖案區(qū)的位置互相對應(yīng)。具體而言，光束照射入光面110的強(qiáng)度實(shí)質(zhì)上與反射層130在入光面110的覆蓋率正相關(guān)，上述所謂的正相關(guān)指的是光束照射入光面110的強(qiáng)度越強(qiáng)，則反射層130在入光面110的覆蓋率越高。因此反射層130可以反射以較高強(qiáng)度照射在入光面110的光束，進(jìn)而使光源模組300的光源均勻度可以提升。

進(jìn)一步來說，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，反射層130在中央?yún)^(qū)114的覆蓋率可以大于反射層130在第二環(huán)形區(qū)118的覆蓋率。由于本實(shí)施例的反射層130覆蓋入光面110的區(qū)域?qū)?yīng)于發(fā)光元件200照射在入光面110上的光型，發(fā)光元件200發(fā)出的光束整體而言在近軸區(qū)域(亦即靠近主光軸T的區(qū)域)的強(qiáng)度會高于在遠(yuǎn)軸區(qū)域(亦即偏離主光軸T的區(qū)域)的強(qiáng)度。因此，圖案區(qū)112被發(fā)光元件200照射的光的強(qiáng)度會由中心位置向外遞減，而由于本實(shí)施例的反射層130在中央?yún)^(qū)114的覆蓋率大于反射層130在第二環(huán)形區(qū)118的覆蓋率，因此穿透中央?yún)^(qū)114和第二環(huán)形區(qū)118的光束的強(qiáng)度會更加接近，進(jìn)而讓光源模組300的光源均勻度可以提升。

同時(shí)，由于發(fā)光元件200發(fā)出的光束整體而言在近軸區(qū)域(亦即靠近主光軸T的區(qū)域)的強(qiáng)度會高于在遠(yuǎn)軸區(qū)域(亦即偏離主光軸T的區(qū)域)的強(qiáng)度，因此反射層130在這些第一環(huán)形區(qū)116A、116B的覆蓋率彼此不同，且自中心位置往外遞減。具體而言，反射層130在第一環(huán)形區(qū)116A的覆蓋 率會大于反射層130在第一環(huán)形區(qū)116B的覆蓋率，亦即反射層130的分布可以對應(yīng)于發(fā)光元件200往外遞減的光強(qiáng)度分布情形，進(jìn)而讓光學(xué)擴(kuò)散板100的出光面120所發(fā)出的光束具有良好地均勻度。

另一方面，請一并參照圖1B及圖2，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，光學(xué)透鏡220具有一面向入光面110的一頂面。舉例來說，本實(shí)施例的光學(xué)透鏡220的頂面例如是出光凹面223，其在垂直于光軸T的平面的半徑為R，且第一環(huán)型區(qū)116A的位置配置于(R-5)≦S≦(R+10)的范圍內(nèi)，其中S為第一環(huán)型區(qū)116A與圖案區(qū)112的中心位置(或光軸T的位置)的距離，且R與S的單位為毫米。因此，第一環(huán)形區(qū)116A的位置可以適當(dāng)?shù)脤?yīng)到發(fā)光元件200照射入光面110的區(qū)域中強(qiáng)度較低的區(qū)域。

在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，反射層130的吸收率小于50％，且反射層130的反射率落在10％至90％的范圍。具體來說，反射層130例如是白色反射層，其用于反射來自發(fā)光元件200的光束，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，反射層130還可以是鏡面反射層，藉以提升反射層130的反射率，亦可以是具有其他顏色的反射層，藉以吸收發(fā)光元件200發(fā)出的光束中部分波段的光束，進(jìn)而一并改善光源模組300所發(fā)出的光束的顏色品質(zhì)。在又一其他實(shí)施例中，為了使反射層130具有適當(dāng)?shù)奈章剩鈱W(xué)擴(kuò)散板100還包括摻雜于至少部分反射層130的吸光粒子，本發(fā)明不限于此。

下述實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件符號與部分內(nèi)容，其中采用相同的符號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。

圖3是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的光源模組的剖面示意圖。請參照圖3，本發(fā)明的第二實(shí)施例的光源模組300A大致類似于上述實(shí)施例的光源模組300，惟其不同之處在于：本發(fā)明的第二實(shí)施例的光源模組300A還包括光學(xué)膜片組400、反射片500、供多個(gè)發(fā)光元件200配置的電路板230以及燈箱50。

本實(shí)施例的發(fā)光元件200電連接至電路板230，進(jìn)而形成燈條來提供光束，而燈箱50提供容置空間來容置發(fā)光元件200和電路板230，進(jìn)而使這些發(fā)光元件200和光學(xué)擴(kuò)散板100之間可以具有相同的距離。

本實(shí)施例的反射片500具有開孔510并配置于光學(xué)擴(kuò)散板100的入光 面110的一側(cè)，且發(fā)光元件200配置于開孔510中。反射片500的反射面501用于反射來自發(fā)光元件200的光束及反射層130所反射的光束，而在反射片500和光學(xué)擴(kuò)散板100之間的光腔提供良好的混光效果，進(jìn)而使光束可以以均勻的強(qiáng)度進(jìn)入光學(xué)板140。

另一方面，由于本實(shí)施例的反射片500和反射層130之間的光腔可以來回反射來自發(fā)光元件200的光束，因此可以增加發(fā)光元件200之間的間距d1，進(jìn)而降低光源模組300A的制作難度及成本，并提升整體制作良率。

由于本實(shí)施例的反射片500和反射層130可以來回反射來自發(fā)光元件200的光束，同時(shí)反射層130配置在入光面110的圖案區(qū)位置有對應(yīng)發(fā)光元件200的光型，因此反射片500和入光面110之間的光腔的厚度距離d2得以進(jìn)一步降低，進(jìn)而形成薄型的光腔。具體來說，本實(shí)施例的距離d2小于或等于15毫米，例如可為8毫米，但本發(fā)明不限于此。在一實(shí)施例中，距離d2與間距d1之間的比值例如是小于或等于0.2，但本發(fā)明不限于此。

另一方面，請一并參照圖2及圖3，在平行于入光面110的法向量的方向k1上，光學(xué)透鏡220在方向k1上的高度d3小于或等于反射片230與入光面110之間的距離d2。其中當(dāng)光學(xué)透鏡220的高度d3等于反射片230與入光面110之間的距離d2時(shí)，光學(xué)透鏡220可用以支撐光學(xué)擴(kuò)散板100。

舉例而言，在一實(shí)施例中(可參照圖1B、圖2及圖3)，光學(xué)透鏡220的半徑R例如為6.5毫米，則第一環(huán)形區(qū)116A的位置配置于與圖案區(qū)112的中心位置的距離S例如介于2.5～16.5毫米的范圍內(nèi)。進(jìn)一步而言，當(dāng)反射片230與入光面110之間的距離d2例如為10毫米，第一環(huán)形區(qū)116A的距離S例如介于3～7毫米，而當(dāng)反射片230與入光面110之間的距離d2例如為15毫米，第一環(huán)形區(qū)116A的距離S例如介于9～15毫米，亦即第一環(huán)形區(qū)116A的位置還隨著反射片230與入光面110之間的距離d2不同而調(diào)整。另外，當(dāng)光學(xué)透鏡220的半徑R例如為小于5毫米時(shí)，第一環(huán)型區(qū)116A的位置配置于0≦S≦(R+10)之范圍內(nèi)。以上僅作為舉例說明，本發(fā)明不限于此。

詳細(xì)來說，請一并參照圖1A、1B及圖3，本實(shí)施例的入光面110上位于兩個(gè)發(fā)光元件200之間的第一環(huán)狀區(qū)116B可以連接兩個(gè)發(fā)光元件200所對應(yīng)的圖案區(qū)。由于位于第一環(huán)狀區(qū)116B的入光面110所接收到的光束的 強(qiáng)度最低，因此反射層130第一環(huán)狀區(qū)116B的覆蓋率會最低，進(jìn)而讓進(jìn)入第一環(huán)狀區(qū)116B的光束得以增加。

本實(shí)施例的光學(xué)膜片組400配置于出光面120上，其用以接受來自出光面120的光束，藉以進(jìn)一步改善來自出光面120的光束的品質(zhì)。光學(xué)膜片組400例如包括增亮膜(brightness enhancing film)、濾波片(filter)或偏振片，本發(fā)明不限于此。

圖4A是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板上的光型分布及反射層分布示意圖。請參照圖3及圖4A，相鄰發(fā)光元件200疊加的光分布曲線62示出發(fā)光元件200所發(fā)出的光束沒有經(jīng)過反射層130反射的光強(qiáng)度分布情形。反射層分布曲線64可以看出反射層130在入光面110的分布密度隨著相鄰發(fā)光元件200疊加的光分布曲線62的上升而上升，亦即反射層130的分布情形對應(yīng)于這些發(fā)光元件200投射至入光面110的光型。接著，當(dāng)反射層130配置于入光面時(shí)，位于出光面120的光強(qiáng)度分布曲線66可以看出本實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板100可以藉由反射層130來提供良好的光均勻化效果。

圖4B是依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的光源模組所提供的光束的亮度分布示意圖。請參照圖4B，其中無反射層的光源模組的亮度分布曲線72的均勻度明顯低于具有反射層的光源模組的亮度分布曲線74，亦即本發(fā)明的實(shí)施例的光源模組可以提供均勻度良好的光源。

以下將再列舉本發(fā)明的其他實(shí)施例來說明本發(fā)明的實(shí)施例的反射層的細(xì)部特征。

圖5A是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的圖案區(qū)的局部仰視示意圖。請參照圖5A，在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，反射層的反射圖案132、134和136例如具有相同的形狀，例如為圓形，且位于中央?yún)^(qū)114的反射圖案132的面積和位于第二環(huán)狀區(qū)118的反射圖案136的面積比位于第一環(huán)狀區(qū)116A和116B的反射圖案134的面積大，因此可以藉由覆蓋入光面上較大的面積來使第二環(huán)狀區(qū)118和中央?yún)^(qū)114的反射率較第一環(huán)狀區(qū)116A和116B的反射率高。

詳細(xì)來說，為了清楚說明本實(shí)施例的圖案區(qū)的細(xì)部特征，圖5A放大示出了其中部分元件，其并非用以限定本發(fā)明的元件的大小、位置或形狀。 在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，這些反射圖案132、134及136的半徑實(shí)質(zhì)上小于或等于1.5毫米，且位于圖案區(qū)的中心位置的中央?yún)^(qū)114的反射圖案132的面積大于位于第二環(huán)狀區(qū)118的反射圖案136的面積，而位于第一環(huán)狀區(qū)116A的反射圖案134的分布密度大于位于第一環(huán)狀區(qū)116B的反射圖案134的分布密度，因此本實(shí)施例的圖案區(qū)中的這些反射圖案132、134和136可以藉由調(diào)整其大小及分布密度來適度調(diào)整其覆蓋率，因此本發(fā)明的實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板因?yàn)榫哂猩鲜龅姆瓷鋵?，其具有良好地自由度來與任何光型的發(fā)光元件來匹配。另外，本發(fā)明的第三實(shí)施例中，反射圖案134例如是均勻分布于第一環(huán)狀區(qū)116A中。然而在其他實(shí)施例中，反射圖案134在第一環(huán)狀區(qū)116A中的分布密度可自中央?yún)^(qū)114往第二環(huán)狀區(qū)118的方向先逐漸遞增后，再逐漸遞減，本發(fā)明不限于此。圖5B是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的圖案區(qū)的局部仰視示意圖。請參照圖5B，本發(fā)明的實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板的反射層的反射圖案并不限于上述的反射圖案132、134或136，在本發(fā)明的第四實(shí)施例中，位于中央?yún)^(qū)114A的反射圖案132A為反射圓盤，位于第一環(huán)形區(qū)116C、116D和第二環(huán)形區(qū)118A的這些反射圖案134A和136A為環(huán)繞反射圓盤的反射圓環(huán)。由于這些反射圖案134A和136A可以配置于這些第一環(huán)形區(qū)116C、116D和第二環(huán)形區(qū)118A中或相鄰兩區(qū)之間來達(dá)成各區(qū)所需的覆蓋率，因此可以降低由這些反射圖案132A、134A和136A所形成的反射層的制作難度，進(jìn)而提升光學(xué)擴(kuò)散板的整體制作良率。

圖6A是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的圖案區(qū)的仰視示意圖。請參照圖6A，在本發(fā)明的第五實(shí)施例中，位于中央?yún)^(qū)114B、第一環(huán)狀區(qū)116E、116F、第二環(huán)狀區(qū)118B、118C的這些反射圖案中相鄰兩反射圖案的距離相同，亦即這些反射圖案可以藉由例如是印刷的方式來以網(wǎng)點(diǎn)的形式形成于光學(xué)擴(kuò)散板的入光面上，同時(shí)再藉由個(gè)別設(shè)定中央?yún)^(qū)114B、第一環(huán)狀區(qū)116E、116F、第二環(huán)狀區(qū)118B、118C中每個(gè)網(wǎng)點(diǎn)的大小來調(diào)整各區(qū)的覆蓋率，進(jìn)而使穿透光學(xué)擴(kuò)散板的光束可以具有良好地均勻度。

另一方面，位于圖案區(qū)112A和圖案區(qū)112B之間是由第一環(huán)形區(qū)116G連接，當(dāng)光束沿著圖案區(qū)112A的中間區(qū)域和圖案區(qū)112B的中間區(qū)域照射光束時(shí)，照射至第一環(huán)形區(qū)116G的光束會具有最低的強(qiáng)度，因此第一環(huán)形區(qū)116G的反射圖案的覆蓋率會較圖案區(qū)112A、112B的其他區(qū)域的反射圖 案的覆蓋率低，藉以使整體的光學(xué)均勻度可以更加提升。

另一方面，本實(shí)施例中位于圖案區(qū)112A和圖案區(qū)112B的這些反射圖案各自在圖案區(qū)112A、112B的配置為圓對稱性，而分別可對應(yīng)配置二個(gè)發(fā)光元件所發(fā)出的光束的光型。

圖6B是依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的圖案區(qū)的仰視示意圖。請參照圖6B，本發(fā)明的第六實(shí)施例的反射層具有四個(gè)圖案區(qū)112C、112D、112E及112F，因此第一環(huán)狀區(qū)116H位于這四個(gè)圖案區(qū)112C、112D、112E及112F之間，且反射圖案在第一環(huán)狀區(qū)116H的覆蓋率相較于反射圖案在這四個(gè)圖案區(qū)112C、112D、112E及112F的覆蓋率要低，因此還可以讓穿透這四個(gè)圖案區(qū)112C、112D、112E及112F的光束可以具有良好的均勻度。

本發(fā)明上述的實(shí)施例中的圖案區(qū)中的第一環(huán)狀區(qū)中所配置的是面積較小或分布較稀疏的反射圖案，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，光學(xué)擴(kuò)散板的入光面上的圖案區(qū)的這些第一環(huán)狀區(qū)還可以是直接暴露入光面來提升其光穿透率。

綜上所述，本發(fā)明的實(shí)施例至少具有以下其中一個(gè)優(yōu)點(diǎn)或功效。本發(fā)明的實(shí)施例的光學(xué)擴(kuò)散板具有反射層覆蓋于入光面或出光面的圖案區(qū)，且圖案區(qū)是由中央?yún)^(qū)和環(huán)繞中央?yún)^(qū)的第一環(huán)狀區(qū)和第二環(huán)狀區(qū)所構(gòu)成，由于反射層在中央?yún)^(qū)和第一環(huán)狀區(qū)的覆蓋率較高，因此當(dāng)外界的光沿著圖案區(qū)的中間區(qū)域照射光束時(shí)，反射層可以反射部分光束來使自出光面發(fā)出的光束可以具有良好的均勻度。本發(fā)明的實(shí)施例的光源模組因?yàn)榫哂猩鲜龅墓鈱W(xué)擴(kuò)散板，因此可以縮短發(fā)光元件和光學(xué)擴(kuò)散板之間的距離，同時(shí)也可以藉由反射層的反射來增加發(fā)光元件之間的間距，進(jìn)而在降低光源模組整體的厚度的同時(shí)，也提供良好地照明光束，還進(jìn)一步降低光源模組的制作成本并提高光源模組的制作良率。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修改，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。另外本發(fā)明的任一實(shí)施例或權(quán)利要求不須達(dá)成本發(fā)明所揭露的全部目的或優(yōu)點(diǎn)或特點(diǎn)。此外，摘要和標(biāo)題僅是用來輔助專利文件檢索之用，并非用來限制本發(fā)明的權(quán)利范圍。此外，本說明書或權(quán)利要求中提及的“第一”、“第二”等用語僅用以命名元件(element) 的名稱或區(qū)別不同實(shí)施例或范圍，而并非用來限制元件數(shù)量上的上限或下限。

【符號說明】

d1：間距

d2：距離

d3：高度

k1：方向

L1、L2、L3：光束

I-I’：剖面線

R：半徑

T：主光軸

62、64、66、72、74：曲線

100：光學(xué)擴(kuò)散板

110：入光面

112、112A～112F：圖案區(qū)

114、114A、114B：中央?yún)^(qū)

116A～116H：第一環(huán)狀區(qū)

118、118A～118C：第二環(huán)狀區(qū)

120：出光面

130：反射層

132、134、136、132A、134A、136A：反射圖案

200：發(fā)光元件

210：發(fā)光單元

220：光學(xué)透鏡

221：入光面

223：出光凹面

225、227、229：出光曲面

300、300A：光源模組

400：光學(xué)膜元件

500：反射片