陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型揭示了一種陣列基板和顯示裝置。陣列基板的柵極集成驅(qū)動區(qū)域形成有位于柵極絕緣層之下的第一信號線，并且所述柵極絕緣層之上形成有與所述第一信號線交疊的第二信號線，在所述柵極集成驅(qū)動區(qū)域的所述柵極絕緣層上未形成有第二信號線的部分設(shè)置有至少一個第一絕緣塊。本實(shí)用新型能夠降低在陣列基板過程中柵極集成驅(qū)動區(qū)域產(chǎn)生的ESD不良，同時還可以提高顯示裝置在使用過程中的抗靜電能力，提高產(chǎn)品品質(zhì)以及良率。
【專利說明】陣列基板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(LCD, Liquid Crystal Display)具有輕薄、低功耗及低發(fā)熱等優(yōu)點(diǎn)，使其在眾多不同類型的顯示裝置中脫穎而出，被廣泛使用在如電視、計(jì)算機(jī)、平板電腦以及移動電話等現(xiàn)代化信息設(shè)備上。
[0003]目前為了降低成本以及采用窄邊框的設(shè)計(jì)，通常采用GOA (Gate Driver onArray,陣列基板柵極集成驅(qū)動)結(jié)構(gòu)來取代面板外邦定的柵極驅(qū)動集成電路芯片，即直接將柵極驅(qū)動電路制作在陣列基板上。但是采用GOA的設(shè)計(jì)之后，在陣列基板的周邊有許多走線交疊的區(qū)域(如圖1所示)，在制造和后續(xù)使用的過程中，在這些交疊的部位極易發(fā)生ESD (Electrostatic Discharge,靜電放電)，目前為了緩和交疊處金屬層的坡度角，通常在交疊的區(qū)域保留非晶硅(a-Si)層以緩和柵極層的坡度角(如圖2所示)，以減少交疊處ESD的發(fā)生率。
[0004]但是在交疊的區(qū)域保留非晶硅層之后，GOA區(qū)域通常會發(fā)生另一種ESD，該ESD發(fā)生非晶硅層刻蝕之后，在源漏極(S/D)層沉積之前，主要發(fā)生在非晶硅層和柵極層的交疊處，發(fā)生ESD的區(qū)域通常都會發(fā)生GI (gate insulating,柵極絕緣)層的破壞(如圖3所示)，從而使得在源漏層沉積之后，導(dǎo)致柵極層和源漏極層發(fā)生短路(如圖4所示)，產(chǎn)生顯示不良，影響產(chǎn)品的良率。經(jīng)分析，該不良和設(shè)備接觸有一定的因果關(guān)系，通常ESD均發(fā)生在機(jī)械手或設(shè)備和基板接觸的位置附近。當(dāng)基板和設(shè)備接觸后，基板表面會產(chǎn)生靜電，因?yàn)榻佑|位置的非晶硅塊是孤立的，孤立的非晶硅塊在形變較大的位置產(chǎn)生靜電較多，且所產(chǎn)生的靜電不易導(dǎo)出，當(dāng)靜電達(dá)到一定水平時，即會發(fā)生ESD，破壞柵極絕緣層，當(dāng)源漏層沉積后，即會產(chǎn)生ESD不良，影響產(chǎn)品良率。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005](一)要解決的技術(shù)問題
[0006]本實(shí)用新型的目的是減少陣列基板柵極集成驅(qū)動區(qū)域上走線交疊位置的靜電放電發(fā)生率。
[0007](二)技術(shù)方案
[0008]為達(dá)到上述目的，根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板的柵極集成驅(qū)動區(qū)域形成有位于柵極絕緣層之下的第一信號線，并且所述柵極絕緣層之上形成有與所述第一信號線交疊的第二信號線，在所述柵極集成驅(qū)動區(qū)域的所述柵極絕緣層上未形成有第二信號線的部分設(shè)置有至少一個第一絕緣塊。
[0009]優(yōu)選地，第一信號線和第二信號線交疊的位置處設(shè)置有位于第二信號線和柵極絕緣層之間的第二絕緣塊。
[0010]優(yōu)選地，所述第二絕緣塊為圓形或橢圓形。[0011]優(yōu)選地，所述第二絕緣塊由非晶硅制成。
[0012]優(yōu)選地，所述至少一個第一絕緣塊由非晶硅制成。
[0013]優(yōu)選地，所述至少一個第一絕緣塊包括銳角部分。
[0014]優(yōu)選地，所述至少一個第一絕緣塊的側(cè)面帶有鋸齒。
[0015]優(yōu)選地，所述至少一個第一絕緣塊上形成有導(dǎo)電層。
[0016]優(yōu)選地，所述至少一個第一絕緣塊設(shè)置在所述陣列基板上與外界設(shè)備接觸的位置或所述位置周圍。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0018](三)有益效果
[0019]本實(shí)用新型通過在陣列基板的柵極集成驅(qū)動區(qū)域的非走線交疊區(qū)域設(shè)置絕緣塊，減少走線交疊位置的靜電放電發(fā)生率，從而能夠降低在陣列基板過程中柵極集成驅(qū)動區(qū)域產(chǎn)生的ESD不良，同時還可以提高顯示裝置在使用過程中的抗靜電能力，提高產(chǎn)品品質(zhì)以及良率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上不帶非晶硅塊的柵極集成驅(qū)動區(qū)域局部示意圖。
[0021]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上帶非晶硅塊的柵極集成驅(qū)動區(qū)域局部示意圖。
[0022]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上帶非晶硅塊的柵極集成驅(qū)動區(qū)域在蝕刻非晶硅層之后和沉積源漏極層之前于一非晶硅塊處發(fā)生靜電釋放的平面示意圖。
[0023]圖4是圖3中的陣列基板上柵極集成驅(qū)動區(qū)域在沉積源漏極層形成第二信號線之后的平面示意圖。
[0024]圖5是圖3中靜電釋放處發(fā)生靜電釋放時的剖面示意圖。
[0025]圖6是圖3中靜電釋放處發(fā)生靜電釋放后的剖面示意圖。
[0026]圖7是圖3中靜電釋放處發(fā)生靜電釋放并形成第二信號線之后的剖面示意圖。
[0027]圖8是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板的柵極集成驅(qū)動區(qū)域未形成第二信號線之前的局部示意圖。
[0028]圖9是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板的柵極集成驅(qū)動區(qū)域沉積源漏極層形成第二信號線之后的局部示意圖。
[0029]圖10是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第二非晶硅塊的形狀示意圖。
[0030]圖11是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第一非晶硅塊的形狀示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型的實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型，而不能用來限制本實(shí)用新型的范圍。
[0032]為了更清楚的說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)，下面首先描述作為本實(shí)用新型改進(jìn)基礎(chǔ)的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)。
[0033]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中不帶非晶硅塊的陣列基板的局部示意圖，可以看到，第一信號線I和第二信號線2通過跳線4 一一相連，第二信號線2連接到GOA (陣列基板集成柵極驅(qū)動)單元3。在一些位置，第一信號線I和第二信號線2出現(xiàn)交疊。注意，第一信號線I在形成陣列基板的柵極層時形成，其上還存在柵極絕緣層，而第二信號線2形成在柵極絕緣層上，在形成陣列基板的源漏極層時形成，只是圖1中未示出柵極絕緣層(在圖5-7中附圖標(biāo)記為7)，因此第一信號線I和第二信號線2在沒有跳線4的交疊處并未連通。一般而言，第一信號線I用于接收驅(qū)動信號，通過第二信號線2傳送給GOA單元3，GOA單元3再驅(qū)動各個像素單元(圖中未示出)的柵極。
[0034]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中帶非晶硅塊的陣列基板的局部示意圖，與圖1的區(qū)別在于，第一信號線I和第二信號線2在沒有跳線4的交疊處于兩者之間設(shè)置有非晶硅塊5。
[0035]非晶硅塊5在沒有沉積S/D (源漏極)層(第二信號線2也是在形成源漏極層時形成)之前形成，此時一旦發(fā)生如圖3和圖5中附圖標(biāo)記6所不的ESD,就會破壞非晶娃塊5和柵極絕緣層7，形成缺口，如圖6所示。
[0036]當(dāng)沉積S/D層并同時形成第二信號線2之后，在缺口處第二信號線2直接接觸第一信號線1，如圖7所示，從而形成不必要的電連接，即ESD不良，使生產(chǎn)的產(chǎn)品出現(xiàn)品質(zhì)缺陷。圖4示出了形成第二信號線2后的示意圖。
[0037]本實(shí)用新型的基本原理在于在陣列基板的柵極集成驅(qū)動區(qū)域的柵極絕緣層上未布設(shè)有第二信號線的區(qū)域設(shè)置有第一絕緣塊，避免ESD發(fā)生在走線交疊區(qū)域，從而降低陣列基板在生產(chǎn)和使用過程中的ESD不良發(fā)生率，提高產(chǎn)品品質(zhì)和良率。
[0038]圖8是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板未形成第二信號線2之前的局部示意圖。與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于，圖8中不僅在預(yù)定的走線交疊區(qū)域形成有第二絕緣塊5，而且在預(yù)定的非走線交疊區(qū)域也形成有第一絕緣塊7。當(dāng)然，在一些實(shí)施例中，也可以不形成第二絕緣塊5。
[0039]注意第二絕緣塊5和第一絕緣塊7的材質(zhì)可以相同也可以不同，優(yōu)選都為非晶硅，這是為了在現(xiàn)有的形成非晶硅層的工藝時同時形成第二絕緣塊5和第一絕緣塊7，從而簡化制造工藝。
[0040]圖中的第一絕緣塊7都形成在第一信號線I的上方，實(shí)際上也可以形成在其他位置，本實(shí)用新型并不對此進(jìn)行限制，優(yōu)選第一絕緣塊7設(shè)置在柵極集成驅(qū)動區(qū)域與外界設(shè)備接觸的位置或其附近，這樣能避免靜電積累到第二絕緣塊5上。
[0041]注意，實(shí)際上第一絕緣塊7和第二絕緣塊5與第一信號線I之間還存在柵極絕緣層，但圖中沒有示出。
[0042]圖9是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板的柵極集成驅(qū)動區(qū)域沉積源漏極層形成第二信號線2之后的局部示意圖。此時第二絕緣塊5上都有第二信號線2經(jīng)過。
[0043]如圖10所示，第二絕緣塊5可以制成方形，優(yōu)選為圓形或橢圓形，這樣能防止發(fā)生ESD0相應(yīng)的，如圖11所示，第一絕緣塊7也可以設(shè)置成方形，但優(yōu)選包括銳角部分，例如可在其側(cè)面帶有鋸齒，這樣使ESD更容易發(fā)生在第一絕緣塊7而不發(fā)生在第二絕緣塊5。可以設(shè)置使鋸齒的尖端距離下側(cè)金屬層(即第一信號線I)的邊緣較近(圖11所示)，當(dāng)外界設(shè)備接觸陣列基板時，鋸齒狀結(jié)構(gòu)產(chǎn)生變形且靜電更易集中在鋸齒的尖端，當(dāng)靜電達(dá)到一定程度后，鋸齒尖端和下側(cè)金屬層邊緣發(fā)生ESD，從而有效的釋放非晶硅層的靜電，雖然有可能破壞柵極絕緣層，但是由于該位置處不存在第二信號線2，因此并不會導(dǎo)致不必要的電連接而產(chǎn)生ESD不良。
[0044]本實(shí)用新型實(shí)施例中，還可以在第一絕緣塊7上形成導(dǎo)電層，導(dǎo)電層例如在形成源漏極層時形成，這樣使得更容易在第一絕緣塊7上發(fā)生ESD。
[0045]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。顯示裝置例如為:液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0046]下面通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來證明本實(shí)用新型的效果。
[0047]表1是本實(shí)用新型的陣列基板制作過程中的ESD不良率列表?？梢?，采用本實(shí)用新型方案后，制作過程中的ESD不良率有明顯下降，其中以增加帶鋸齒非晶硅塊且上側(cè)有S/D層的方案效果最好。
[0048]表2是采用不同電壓對GOA區(qū)域進(jìn)行非接觸抗靜電破壞實(shí)驗(yàn)后，不同的結(jié)構(gòu)在不同的電壓下產(chǎn)生的ESD不良率列表?？梢?，采用本實(shí)用新型方案的抗靜電能力有明顯提升，特別是增加帶鋸齒非晶硅塊且上側(cè)有導(dǎo)電層的方案效果最好。
[0049]表1
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的柵極集成驅(qū)動區(qū)域形成有位于柵極絕緣層之下的第一信號線，并且所述柵極絕緣層之上形成有與所述第一信號線交疊的第二信號線，在所述柵極集成驅(qū)動區(qū)域的所述柵極絕緣層上未形成有第二信號線的部分設(shè)置有至少一個第一絕緣塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，第一信號線和第二信號線交疊的位置處設(shè)置有位于第二信號線和柵極絕緣層之間的第二絕緣塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣塊為圓形或橢圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣塊由非晶硅制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述至少一個第一絕緣塊由非晶硅制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述至少一個第一絕緣塊包括銳角部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述至少一個第一絕緣塊的側(cè)面帶有鋸齒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述至少一個第一絕緣塊上形成有導(dǎo)電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述至少一個第一絕緣塊設(shè)置在所述柵極集成驅(qū)動區(qū)域與外界設(shè)備接觸的位置或所述位置周圍。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK203733797SQ201420130961
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月21日
【發(fā)明者】丁金波, 李彬, 李健, 任健 申請人:北京京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司