陣列基板及其制作方法以及液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法以及液晶顯示器，包括：基板；多條數(shù)據(jù)線，配置在基板上；多條掃描線，與數(shù)據(jù)線相交；多條共用電極線，相交于數(shù)據(jù)線；每相鄰兩條掃描線以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線定義出一像素結(jié)構(gòu)，像素結(jié)構(gòu)包括：薄膜晶體管組件，電連接數(shù)據(jù)線以及掃描線；第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極，形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于薄膜晶體管組件，通過共用電極線間隔開，其中第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極的共用電極線連接在一起。通過上述方式，本發(fā)明能夠使共用電線極形成低電阻值的緊密網(wǎng)絡(luò)，極好地穩(wěn)定了共用電極線的電位，杜絕了像素充電不準(zhǔn)而造成的顯示不良。
【專利說明】陣列基板及其制作方法以及液晶顯示器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法以及液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1詳細(xì)示例了一個五道光罩制程的液晶面板像素。其中，細(xì)黑線框出了一個像素100的大小。像素100包括:第一金屬層11、13用于制作掃描線11、共用電極線13 ;非晶娃層14用于制作TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)的有源層；第二金屬層12用于制作信號線、TFT的源極和漏極；過孔層16用于制作過孔使上下層的金屬導(dǎo)通；像素電極層15用于制作像素電極ITO區(qū)。
[0003]在一般面板設(shè)計中，像素為簡單地重復(fù)性排列。因此，可以將圖1所示的像素陣列化為圖2所示的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，由于共用電極線13和掃描線11為同層金屬制備，而每行像素的共用電極線13在列陣內(nèi)都是不能相接的，所以只能在陣列外通過專門的走線相接。出于開口率的考慮，共用電極線13—般都很窄，無法通過額外挖過孔來連接不同行的共用電極線13。并且，陣列內(nèi)的共用電極線13的電容電阻延遲(RC Delay)很大，共用電極線13的電位容易在像素的充電過程被數(shù)據(jù)線11和像素電極層15拉動，導(dǎo)致像素電極ITO的充電電壓不準(zhǔn)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是，提供一種陣列基板及其制作方法以及液晶顯示器，能夠使共用電線極形成低電阻值的緊密網(wǎng)絡(luò)，極好地穩(wěn)定了共用電極線的電位，杜絕了像素充電不準(zhǔn)而造成的顯示不良。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括:
[0006]基板；
[0007]多條數(shù)據(jù)線，配置在基板上；
[0008]多條掃描線，與數(shù)據(jù)線相交；
[0009]多條共用電極線，相交于數(shù)據(jù)線；
[0010]每相鄰兩條掃描線以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線定義出一像素結(jié)構(gòu)，像素結(jié)構(gòu)包括:
[0011]薄膜晶體管組件，電連接數(shù)據(jù)線以及掃描線；
[0012]第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極，形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于薄膜晶體管組件，通過共用電極線間隔開，其中第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極的共用電極線連接在一起。
[0013]其中，像素結(jié)構(gòu)呈中心對稱。
[0014]其中，位于像素結(jié)構(gòu)中部的共用電極線呈十字架形狀。
[0015]其中，共用電極線靠近掃描線的兩端分別設(shè)置過孔。
[0016]其中，過孔通過金屬走線與相鄰像素結(jié)構(gòu)的共用電極線連接。
[0017]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，包括:在基板上將每相鄰兩條掃描線以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線定義出一像素結(jié)構(gòu)，像素結(jié)構(gòu)包括:薄膜晶體管組件，電連接數(shù)據(jù)線以及掃描線；第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極，形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于薄膜晶體管組件，通過共用電極線間隔開；將第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極的共用電極線連接在一起。
[0018]其中，像素結(jié)構(gòu)呈中心對稱。
[0019]其中，位于像素結(jié)構(gòu)中部的共用電極線呈十字架形狀。
[0020]其中，共用電極線靠近掃描線的兩端分別設(shè)置過孔，通過金屬走線與相鄰像素結(jié)構(gòu)的共用電極線連接。
[0021]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，包括前述的陣列基板。
[0022]通過上述方案，本發(fā)明的有益效果是:通過每相鄰兩條掃描線以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線定義出一像素結(jié)構(gòu)，包括:薄膜晶體管組件，電連接數(shù)據(jù)線以及掃描線；第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極，形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于薄膜晶體管組件，通過共用電極線間隔開，其中第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極的共用電極線連接在一起，能夠使共用電線極形成低電阻值的緊密網(wǎng)絡(luò)，極好地穩(wěn)定了共用電極線的電位，杜絕了像素充電不準(zhǔn)而造成的顯示不良。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3是本發(fā)明實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4是本發(fā)明實施例的陣列基板的像素的排列示意圖；
[0027]圖5是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0028]請參閱圖3，圖3是本發(fā)明實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3中的圖a所示，陣列基板包括基板(圖未示)、多條數(shù)據(jù)線22、多條掃描線21以及多條共用電極線23。多條數(shù)據(jù)線22配置在基板上，多條掃描線21與數(shù)據(jù)線22相交，多條共用電極線23相交于數(shù)據(jù)線22。每相鄰兩條掃描線21以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線22定義出一像素結(jié)構(gòu)200。像素結(jié)構(gòu)200包括:薄膜晶體管組件24、第一像素電極200、第二像素電極201、第三像素電極202以及第四像素電極203。薄膜晶體管組件24電連接數(shù)據(jù)線22以及掃描線21 ;第一像素電極200、第二像素電極201、第三像素電極以及第四像素電極形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于薄膜晶體管組件，通過共用電極線間隔開。其中第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極202以及第四像素電極203的共用電極線連接在一起。位于像素結(jié)構(gòu)20中部的共用電極線23呈十字架形狀，其寬度為5-20 μ m，有足夠的空間制作過孔272以與相鄰像素結(jié)構(gòu)的共用電極線連接。圖3中，圖b為虛線框27放大后的結(jié)構(gòu)示意圖，圖c為虛線框27放大后的結(jié)構(gòu)示意圖。共用電極線23靠近掃描線21的兩端分別設(shè)置過孔272、282。該過孔272、282通過金屬走線271、281與相鄰像素結(jié)構(gòu)的共用電極線連接。從圖3中的圖a可以看出，像素結(jié)構(gòu)20呈中心對稱。其形成過程如圖4所示，每2X2個相鄰的像素200、201、202、203組成一個像素結(jié)構(gòu)20，采用中心對稱的布局進(jìn)行重新排列，像素200與像素201間的共用電極線、像素200與像素202間的共用電極線、以及像素201與像素203間的共用電極線不再被掃描線隔開，因此可以將其全部相接，形成如圖3所示的呈十字架形狀的共用電極線，其寬度也增加，使得能夠在靠近掃描線的上下兩端分別制作一過孔，通過該過孔分別與上下相鄰的像素結(jié)構(gòu)的共用電極線連接，使共用電極線形成低電阻值的緊密網(wǎng)絡(luò)，極大地降低了共用電極線的電阻，單點的共用電極線電位波動能迅速地被平衡掉，杜絕了像素充電不準(zhǔn)而造成的顯示不良。
[0029]圖5是本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖。如圖5所示，陣列基板的制作方法包括:
[0030]步驟SlO:在基板上將每相鄰兩條掃描線以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線定義出一像素結(jié)構(gòu)，像素結(jié)構(gòu)包括:薄膜晶體管組件，電連接數(shù)據(jù)線以及掃描線。
[0031]陣列基板包括基板、多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線以及多條共用電極線。多條數(shù)據(jù)線配置在基板上，多條掃描線與數(shù)據(jù)線相交，多條共用電極線相交于數(shù)據(jù)線。步驟S1中形成的像素結(jié)構(gòu)呈中心對稱。薄膜晶體管組件位于掃描線與數(shù)據(jù)線的交界處，即像素結(jié)構(gòu)的四個角處。
[0032]步驟Sll:第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極，形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于薄膜晶體管組件，通過共用電極線間隔開。如此兩相鄰像素電極間的共用電極線不再被掃描線間隔開，可以將相鄰的共用電極線進(jìn)行連接。
[0033]步驟S12:將第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極的共用電極線連接在一起。
[0034]在步驟S12中，將兩相鄰像素電極間的共用電極線進(jìn)行連接，如此位于像素結(jié)構(gòu)中部的共用電極線呈十字架形狀，共用電極線的寬度也增加。在共用電極線靠近掃描線的兩端分別設(shè)置過孔，通過金屬走線與相鄰像素結(jié)構(gòu)的共用電極線連接，使共用電極線形成低電阻值的緊密網(wǎng)絡(luò)，極大地降低了共用電極線的電阻，單點的共用電極線電位波動能迅速地被平衡掉，杜絕了像素充電不準(zhǔn)而造成的顯示不良。
[0035]本發(fā)明實施例還提供一種液晶顯示器，包括如圖3所示的陣列基板。
[0036]本發(fā)明通過每相鄰兩條掃描線以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線定義出一像素結(jié)構(gòu)，包括:薄膜晶體管組件，電連接數(shù)據(jù)線以及掃描線；第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極，形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于薄膜晶體管組件，通過共用電極線間隔開，其中第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極的共用電極線連接在一起，能夠使共用電極線形成低電阻值的緊密網(wǎng)絡(luò)，極好地穩(wěn)定了共用電極線的電位，杜絕了像素充電不準(zhǔn)而造成的顯示不良。
[0037]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括: 基板； 多條數(shù)據(jù)線，配置在所述基板上； 多條掃描線，與所述數(shù)據(jù)線相交； 多條共用電極線，相交于所述數(shù)據(jù)線； 每相鄰兩條掃描線以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線定義出一像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括: 薄膜晶體管組件，電連接所述數(shù)據(jù)線以及所述掃描線； 第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極，形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于所述薄膜晶體管組件，通過所述共用電極線間隔開，其中所述第一像素電極、所述第二像素電極、所述第三像素電極以及所述第四像素電極的共用電極線連接在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)呈中心對稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于所述像素結(jié)構(gòu)中部的所述共用電極線呈十字架形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述共用電極線靠近所述掃描線的兩端分別設(shè)置過孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔通過金屬走線與相鄰像素結(jié)構(gòu)的所述共用電極線連接。
6.—種陣列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括: 在基板上將每相鄰兩條掃描線以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線定義出一像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括: 薄膜晶體管組件，電連接所述數(shù)據(jù)線以及所述掃描線； 第一像素電極、第二像素電極、第三像素電極以及第四像素電極，形成2x2結(jié)構(gòu)，電連接于所述薄膜晶體管組件，通過所述共用電極線間隔開； 將所述第一像素電極、所述第二像素電極、所述第三像素電極以及所述第四像素電極的共用電極線連接在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)呈中心對稱。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，位于所述像素結(jié)構(gòu)中部的所述共用電極線呈十字架形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述共用電極線靠近所述掃描線的兩端分別設(shè)置過孔，通過金屬走線與相鄰像素結(jié)構(gòu)的所述共用電極線連接。
10.一種液晶顯示器，其特征在于，所述液晶顯示器包括如權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1345GK104375345SQ201410692999
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月26日
【發(fā)明者】鄭華 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司