一種陣列基板及顯示裝置制造方法

一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。包括橫縱交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線的表面依次形成有刻蝕阻擋層以及第一透明電極；所述數(shù)據(jù)線的遠離所述柵線的部分與所述柵線同層形成在透明基板的表面，所述數(shù)據(jù)線在所述柵線區(qū)域斷開；所述柵線區(qū)域具有源漏金屬層的圖案，所述源漏金屬層的圖案與所述柵線絕緣，位于所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線通過所述源漏金屬層的圖案電連接。這樣一種陣列基板可以降低數(shù)據(jù)線與透明電極之間的寄生電容，提高顯示裝置的質(zhì)量。
【專利說明】—種陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，各種新型半導體元件及其在顯示裝置中的應(yīng)用技術(shù)也隨之得到了飛躍性的進步。
[0003]在現(xiàn)有的顯示面板TFT的制造過程當中，為了進一步提高顯示面板的開口率，通常采用透明的金屬氧化物材料(如氧化銦錫Ι--)來制作TFT的源漏極以及數(shù)據(jù)線，這樣一種陣列基板沿數(shù)據(jù)線方向的截面結(jié)構(gòu)可以如圖1所示，包括依次形成在透明基板10表面的TFT的柵極11以及柵絕緣層12，數(shù)據(jù)線13形成在柵絕緣層12的表面，該數(shù)據(jù)線13采用ITO材料制成，數(shù)據(jù)線13的表面依次形成有刻蝕阻擋層14以及透明電極15。
[0004]與傳統(tǒng)的陣列基板相比，這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板制作簡單且具有更高的開口率。但其不足之處在于，在如圖1所示的陣列基板中，數(shù)據(jù)線13與透明電極15之間具有較長的一段交疊區(qū)域，這樣一來，在通電的情況下，由于層級差異，數(shù)據(jù)線14與透明電極15之間將產(chǎn)生寄生電容Cdc，在數(shù)據(jù)線14輸入驅(qū)動信號的瞬間，由于寄生電容的存在，數(shù)據(jù)線14上電壓信號由高到低的變化會使得透明電極15相應(yīng)發(fā)生電壓變化，從而引起像素中液晶電壓的突然降低，使得顯示畫面閃爍，數(shù)據(jù)線延時以及功耗也將隨之增加。 實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可以降低數(shù)據(jù)線與透明電極之間的寄生電容，提聞顯不裝置的質(zhì)量。
[0006]本實用新型實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括:橫縱交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線的表面依次形成有刻蝕阻擋層以及第一透明電極；所述數(shù)據(jù)線的遠離所述柵線的部分與所述柵線同層形成在透明基板的表面，所述數(shù)據(jù)線在所述柵線區(qū)域斷開；
[0007]所述柵線區(qū)域具有源漏金屬層的圖案，所述源漏金屬層的圖案與所述柵線絕緣，位于所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線通過所述源漏金屬層的圖案電連接。
[0008]進一步地，所述陣列基板還包括:
[0009]第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述柵線與所述數(shù)據(jù)線的遠離所述柵線的部分，在所述柵線區(qū)域內(nèi)，位于所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線部分露出在所述第一絕緣層的表面；
[0010]在所述柵線區(qū)域，所述源漏金屬層的圖案形成在所述第一絕緣層的表面。
[0011]進一步地，其特征在于，所述陣列基板還包括:
[0012]TFT的柵極，所述TFT的柵極與所述柵線同層制成；
[0013]所述第一絕緣層形成在所述TFT的柵極的表面，在所述TFT的溝道區(qū)域，所述TFT的柵極部分露出在所述第一絕緣層的表面。
[0014]進一步地，所述陣列基板還包括:
[0015]依次形成在所述TFT的柵極表面的所述柵絕緣層以及半導體有源層的圖案；
[0016]所述半導體有源層的圖案采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。
[0017]或者，所述陣列基板還包括:
[0018]形成在所述第一絕緣層表面的柵絕緣層；
[0019]所述刻蝕阻擋層形成在所述柵絕緣層的表面；
[0020]在所述柵線區(qū)域，過孔貫穿所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層，以暴露出底部的所述第一絕緣層以及所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線。
[0021]在本實用新型實施例中，所述陣列基板還包括:
[0022]第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述柵線與所述數(shù)據(jù)線；
[0023]在所述柵線區(qū)域，所述源漏金屬層的圖案形成在所述第二絕緣層的表面，且所述源漏金屬層的圖案通過過孔分別與位于所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線電連接。
[0024]進一步地，所述陣列基板還包括:
[0025]形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋位于所述柵線區(qū)域的源漏金屬層的圖案；
[0026]以及形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。
[0027]其中，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；
[0028]且所述第一透明電極為面狀結(jié)構(gòu)，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結(jié)構(gòu)。
[0029]另一方面，本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置可以包括如上所述的陣列基板。
[0030]本實用新型實施例提供的這樣一種陣列基板及顯示裝置，通過將數(shù)據(jù)線與柵線同層制作，且數(shù)據(jù)線在柵線區(qū)域斷開，采用設(shè)置于柵線區(qū)域的源漏金屬層的圖案將斷開的數(shù)據(jù)線電連接，這樣一來，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在保證了柵線和數(shù)據(jù)線質(zhì)量的基礎(chǔ)上可以顯著增加數(shù)據(jù)線與透明電極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低數(shù)據(jù)線與透明電極之間的寄生電容Cdc，進而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，降低數(shù)據(jù)線延時以及功耗，提高顯示裝置的質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0032]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為本實用新型實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3為本實用新型實施例提供的另一陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖4為本實用新型實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖；
[0036]圖5為本實用新型實施例提供的另一陣列基板制造方法的流程示意圖；[0037]圖6為形成絕緣層圖案后的基板結(jié)構(gòu)局部俯視圖及其A-A向剖視圖；
[0038]圖7為形成柵線、數(shù)據(jù)線以及TFT的柵極后的基板結(jié)構(gòu)局部俯視圖及其B-B向剖視圖；
[0039]圖8為形成絕緣材料層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖9為形成第一絕緣層的圖案后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖10為形成柵絕緣層后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖11為形成半導體有源層后的基板結(jié)構(gòu)局部俯視圖及其C-C向剖視圖；
[0043]圖12為形成刻蝕阻擋層后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖13為圖12所示的基板形成過孔后的基板結(jié)構(gòu)局部俯視圖及其D-D向剖視圖；
[0045]圖14為形成源漏金屬層的圖案及TFT的源漏極后的基板結(jié)構(gòu)局部俯視圖及其E-E向剖視圖；
[0046]圖15為形成第一透明電極后的基板結(jié)構(gòu)局部俯視圖及其F-F向剖視圖；
[0047]圖16為形成鈍化層后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖17為形成第二透明電極后的基板結(jié)構(gòu)局部俯視圖。
【具體實施方式】
[0049]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0050]本實用新型實施例提供的陣列基板，如圖2所示，包括:橫縱交叉設(shè)置的多條柵線21和數(shù)據(jù)線22，數(shù)據(jù)線22的表面依次形成有刻蝕阻擋層23以及第一透明電極241。其中，數(shù)據(jù)線22的遠離所述柵線的部分與柵線21同層形成在透明基板20的表面，數(shù)據(jù)線22在柵線21區(qū)域斷開。
[0051]具體的，柵線21和數(shù)據(jù)線22可以采用同層金屬材料，通過一次構(gòu)圖工藝在透明基板20的表面分別形成相應(yīng)的柵線21或數(shù)據(jù)線22的圖案。
[0052]進一步地，柵線21區(qū)域具有源漏金屬層的圖案25，該源漏金屬層的圖案25與柵線21絕緣，位于柵線21兩側(cè)的數(shù)據(jù)線22通過源漏金屬層的圖案25電連接。
[0053]本實用新型實施例提供的這樣一種陣列基板，通過將數(shù)據(jù)線與柵線同層制作，且數(shù)據(jù)線在柵線區(qū)域斷開，采用設(shè)置于柵線區(qū)域的源漏金屬層的圖案將斷開的數(shù)據(jù)線電連接，這樣一來，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在保證了柵線和數(shù)據(jù)線質(zhì)量的基礎(chǔ)上可以顯著增加數(shù)據(jù)線與透明電極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低數(shù)據(jù)線與透明電極之間的寄生電容Cdc，進而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，降低數(shù)據(jù)線延時以及功耗，提高顯示裝置的質(zhì)量。
[0054]具體的，如圖2所示，該陣列基板還可以包括:
[0055]第一絕緣層26，該第一絕緣層26覆蓋柵線21與數(shù)據(jù)線22的遠離所述柵線的部分，在柵線21區(qū)域內(nèi)，位于柵線21兩側(cè)的數(shù)據(jù)線22部分露出在該第一絕緣層26的表面。
[0056]在柵線21區(qū)域，源漏金屬層的圖案25形成在第一絕緣層26的表面。[0057]具體的，為了實現(xiàn)位于柵線21兩側(cè)的數(shù)據(jù)線22部分露出在該第一絕緣層26的表面，可以在透明基板20的表面預(yù)先通過構(gòu)圖工藝形成具有一定高度的絕緣層圖案261，該絕緣層圖案261可以位于柵線21的兩側(cè)。在形成有絕緣層圖案261的基板的表面進一步形成柵線21和數(shù)據(jù)線22，其中斷開的兩段數(shù)據(jù)線22均有一端覆蓋在絕緣層圖案261的表面。進一步通過沉積絕緣層材料以至少暴露出位于絕緣層圖案261表面的數(shù)據(jù)線，從而最終形成第一絕緣層26。
[0058]當然，以上也僅僅是對形成具有上述特征的第一絕緣層26的舉例說明，也可以采用其他已知的工藝形成上述這樣一種結(jié)構(gòu)的第一絕緣層26，本實用新型對此并不做限制。
[0059]這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板相比，可以明顯的看到，在圖2所示的陣列基板中，數(shù)據(jù)線22與第一透明電極241之間的間距D’遠遠大于圖1中數(shù)據(jù)線13與透明電極15之間的間距D。根據(jù)平行板電容公式C= ε S/d可知，為了減小平行電極之間的電容值，當其他條件不變時，可以通過增大兩電極之間的間距實現(xiàn)電容的減小。在本實用新型實施例中，為了有效減小數(shù)據(jù)線22與第一透明電極241之間的寄生電容，可以增大數(shù)據(jù)線22與第一透明電極241之間的間距，與現(xiàn)有技術(shù)中兩電極之間的間距相比，兩電極之間的電容值減小，從而能夠有效降低寄生電容所產(chǎn)生的跳變電壓的影響。
[0060]需要說明的是，在本實用新型實施例中，陣列基板還可以包括TFT的柵極(圖2中未示出)，該TFT的柵極與柵線21同層制成。
[0061]其中，第一絕緣層26形成在該TFT的柵極的表面，在TFT的溝道區(qū)域，該TFT的柵極部分露出在第一絕緣層26的表面。
[0062]這樣一來，通過在TFT的溝道區(qū)域制作第一絕緣層26，可以抬高位于該區(qū)域的TFT的柵極，以使得TFT的溝道區(qū)域與位于柵線區(qū)域的數(shù)據(jù)線之間沒有明顯的段差，這樣一來，在后續(xù)加工的過程中，可以避免TFT的源漏極與源漏金屬層的圖案25之間由于存在較大的段差而產(chǎn)生斷路，從而提高了顯示面板的質(zhì)量。
[0063]進一步地，陣列基板還可以包括依次形成在TFT的柵極表面的柵絕緣層以及半導體有源層的圖案(圖2中未示出)。
[0064]其中，半導體有源層的圖案可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。例如，金屬氧化物薄膜可以包括=IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IG0 (銦鎵氧化物)、ΙΤΖ0 (銦錫鋅氧化物)、AlZnO (鋁鋅氧化物)中的至少一種。采用這樣一種透明金屬氧化物材料取代a-Si(非晶硅)或LTPS (低溫多晶硅)來形成TFT的半導體有源層，相對于a-Si TFT或LTPS TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢，該技術(shù)可應(yīng)用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對于LTPS TFT技術(shù)具有設(shè)備投資成本低、運營保障成本低等優(yōu)點。
[0065]在如圖2所示的陣列基板中，還可以包括:
[0066]形成在第一絕緣層26表面的柵絕緣層27?？涛g阻擋層23形成在柵絕緣層27的表面。
[0067]在柵線21區(qū)域，過孔貫穿刻蝕阻擋層23和柵絕緣層27，以暴露出底部的第一絕緣層26以及柵線21兩側(cè)的數(shù)據(jù)線22。
[0068]這樣一來，可以在該過孔的區(qū)域通過構(gòu)圖工藝進一步形成源漏金屬層的圖案25，這樣可以有效限定源漏金屬層的圖案25的覆蓋區(qū)域。采用這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板，由于在數(shù)據(jù)線22和第一透明電極241之間進一步增加了具有一定厚度的第一絕緣層26以及柵絕緣層27結(jié)構(gòu)，從而可以進一步增大數(shù)據(jù)線22與第一透明電極241之間的間距，減小數(shù)據(jù)線22與第一透明電極241之間存在的寄生電容Cdc。
[0069]或者，本實用新型實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)還可以如圖3所示，包括:
[0070]第二絕緣層262，該第二絕緣層262覆蓋柵線21與數(shù)據(jù)線22。
[0071]在柵線21區(qū)域，源漏金屬層的圖案25形成在第二絕緣層262的表面，且源漏金屬層的圖案25通過過孔分別與位于柵線21兩側(cè)的數(shù)據(jù)線22電連接。
[0072]在這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板中，其余結(jié)構(gòu)均可以參考圖2所示的陣列基板，與圖2所示的陣列基板的不同之處在于，這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板無需預(yù)先在透明基板的表面形成絕緣層的圖案261，從而可以在一定程度上簡化陣列基板的制作工藝，降低生產(chǎn)難度。
[0073]在本實用新型實施例中，第一絕緣層26和第二絕緣層262均可以采用具有良好絕緣性的有機樹脂材料等材料制成，本實用新型對此并不做限制。
[0074]需要說明的是，本實用新型實施例提供的TFT-1XD陣列基板可以適用于FFS(Fringe Field Switching,邊緣場開關(guān))型、AD-SDS (Advanced-Super DimensionalSwitching,簡稱為ADS,高級超維場開關(guān))型、IPS (In Plane Switch,橫向電場效應(yīng))型、TN(Twist Nematic,扭曲向列)型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。其中,ADS技術(shù)是通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0075]無論上述哪種液晶顯示裝置都包括對盒成形的彩膜基板和陣列基板。不同的是，TN型顯示裝置的公共電極設(shè)置在彩膜基板上，像素電極設(shè)置在陣列基板上；FFS型顯示裝置、ADS型顯示裝置以及IPS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設(shè)置在陣列基板上。
[0076]具體的，如圖2所示，在本實用新型實施例中是以FFS型顯示裝置為例進行的說明。其中，陣列基板還可以包括:
[0077]形成在第一透明電極241表面的鈍化層的圖案28，該鈍化層的圖案28覆蓋位于柵線21區(qū)域的源漏金屬層的圖案25。
[0078]以及形成在該鈍化層表面的第二透明電極242。
[0079]其中，第一透明電極241可以為像素電極，第二透明電極242可以為公共電極，且該第一透明電極241可以為面狀結(jié)構(gòu)，第二透明電極242可以為間隔排列的條狀結(jié)構(gòu)。
[0080]在所述FFS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極和所述像素電極異層設(shè)置，可選的，位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極可以包含多個條形電極或為平板形。在本實用新型實施例中，是以位于下層的電極為平板形的面狀結(jié)構(gòu)為例進行的說明。其中，異層設(shè)置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設(shè)置是指，分別將至少兩層薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設(shè)置是指，通過構(gòu)圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設(shè)置是指:由第一層透明導電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成下層電極，由第二層透明導電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0081]本實用新型實施例提供的這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板同樣可以適用于IPS型顯示裝置，與FFS型顯示裝置不同的是，所述公共電極和所述像素電極同層設(shè)置，所述公共電極包含多個第一條形電極，所述像素電極包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設(shè)置。其中，同層設(shè)置是針對至少兩種圖案而言的；至少兩種圖案同層設(shè)置是指:將同一薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。例如，公共電極和像素電極同層設(shè)置是指:由同一透明導電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極。其中，像素電極是指通過開關(guān)單元(例如，可以是薄膜晶體管)與數(shù)據(jù)線電連接的電極，公共電極是指和公共電極線電連接的電極。
[0082]本實用新型實施例提供的顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0083]該陣列基板具體包括橫縱交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線的表面依次形成有刻蝕阻擋層以及第一透明電極。其中，數(shù)據(jù)線與柵線同層制成，數(shù)據(jù)線在柵線區(qū)域斷開；在柵線區(qū)域還具有源漏金屬層的圖案，該源漏金屬層的圖案與柵線絕緣，位于柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過該源漏金屬層的圖案電連接。
[0084]需要說明的是本實用新型所提供的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0085]本實用新型實施例提供的這樣一種顯示裝置，包括陣列基板，通過將數(shù)據(jù)線與柵線同層制作，且數(shù)據(jù)線在柵線區(qū)域斷開，采用設(shè)置于柵線區(qū)域的源漏金屬層的圖案將斷開的數(shù)據(jù)線電連接，這樣一來，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在保證了柵線和數(shù)據(jù)線質(zhì)量的基礎(chǔ)上可以顯著增加數(shù)據(jù)線與透明電極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低數(shù)據(jù)線與透明電極之間的寄生電容Cdc，進而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，降低數(shù)據(jù)線延時以及功耗，提高顯示裝置的質(zhì)量。
[0086]本實用新型實施例還提供一種陣列基板制造方法，該方法如圖4所示，包括:
[0087]S401、在透明基板的表面同層形成柵線和數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線在柵線區(qū)域斷開，數(shù)據(jù)線的遠離柵線的部分與柵線同層制成。
[0088]具體的，柵線和數(shù)據(jù)線可以采用同層金屬材料，通過一次構(gòu)圖工藝在透明基板的表面分別形成相應(yīng)的柵線或數(shù)據(jù)線的圖案。
[0089]S402、在形成有柵線和數(shù)據(jù)線的基板上對應(yīng)柵線區(qū)域形成源漏金屬層的圖案，該源漏金屬層的圖案與柵線絕緣，位于柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過源漏金屬層的圖案電連接。
[0090]本實用新型實施例提供的這樣一種陣列基板及其制造方法，通過將數(shù)據(jù)線與柵線同層制作，且數(shù)據(jù)線在柵線區(qū)域斷開，采用設(shè)置于柵線區(qū)域的源漏金屬層的圖案將斷開的數(shù)據(jù)線電連接，這樣一來，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在保證了柵線和數(shù)據(jù)線質(zhì)量的基礎(chǔ)上可以顯著增加數(shù)據(jù)線與透明電極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低數(shù)據(jù)線與透明電極之間的寄生電容Cdc，進而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，降低數(shù)據(jù)線延時以及功耗，提高顯示裝置的質(zhì)量。
[0091]進一步地，本實用新型實施例提供的陣列基板制造方法，如圖5所示，具體包括:
[0092]S501、在透明基板的表面通過構(gòu)圖工藝形成絕緣層圖案，在柵線區(qū)域內(nèi)，絕緣層圖案位于柵線兩側(cè)。
[0093]在陣列基板的實際生產(chǎn)過程當中，透明基板具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成。在透明基板上需要采用一次構(gòu)圖工藝以形成絕緣層圖案。
[0094]例如，可以首先在透明基板的表面涂覆一層具有一定厚度的有機樹脂材料，通過具有特定圖案的掩膜進行曝光顯影最終形成如圖6所示的絕緣層圖案261。
[0095]其中，如圖6中陣列基板的俯視圖所示，絕緣層圖案261可以分別形成在TFT的溝道區(qū)域以及柵線的兩側(cè)。
[0096]S502、在形成有絕緣層圖案的基板的表面通過構(gòu)圖工藝形成柵線和數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線位于柵線兩側(cè)的端部覆蓋在絕緣層圖案的表面。
[0097]例如，在形成有絕緣層圖案的基板上可以采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，形成金屬層。其中，該金屬層可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。在該金屬層的表面形成有光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進行曝光顯影以使光刻膠產(chǎn)生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬層，最終在第二絕緣層的圖案的表面形成TFT的柵極71、柵線21以及數(shù)據(jù)線22，其結(jié)構(gòu)可以如圖7中陣列基板的俯視圖所示。
[0098]S503、在柵線和數(shù)據(jù)線的表面沉積形成絕緣材料層。
[0099]例如，可以在形成有柵線和數(shù)據(jù)線的基板的表面涂覆一層具有一定厚度的有機樹脂材料，如圖8所示，以形成絕緣材料層260。該絕緣材料層260將完全覆蓋柵線和數(shù)據(jù)線。
[0100]S504、采用灰化工藝處理絕緣材料層，以至少暴露出位于絕緣層圖案表面的數(shù)據(jù)線，形成第一絕緣層。
[0101]如圖9所示，該絕緣材料層260通過灰化工藝的處理，其厚度將整體降低，直至暴露出數(shù)據(jù)線的表面為止，最終形成圖案化的第一絕緣層26。在本實用新型實施例中是以采用灰化工藝為例進行的說明，應(yīng)當理解，為了暴露出數(shù)據(jù)線的表面，還可以采用其他各種已知的構(gòu)圖工藝，本實用新型對此并不作限制。
[0102]這樣一來，可以在柵線與數(shù)據(jù)線的遠離柵線的部分的表面形成第一絕緣層，在柵線區(qū)域內(nèi)，位于柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線部分露出在第一絕緣層的表面。
[0103]S505、在形成有第一絕緣層的圖案的基板的表面形成柵絕緣層。
[0104]如圖10所示，可見，在形成有第一絕緣層的圖案26的基板的表面上形成有厚度均一的柵絕緣層27。
[0105]S506、在柵絕緣層對應(yīng)TFT的柵極區(qū)域的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成半導體有源
層的圖案。
[0106]例如，可以在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成具有半導體特性的半導體有源層，通過掩膜曝光形成如圖11中陣列基板俯視圖所示的半導體有源層的圖案111。
[0107]需要說明的是，在本實用新型實施例中，半導體有源層的圖案23可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。例如，金屬氧化物薄膜可以包括:IGZ0、IG0、ΙΤΖ0、AlZnO中的至少一種。采用這樣一種透明金屬氧化物材料取代a-Si (非晶硅)或LTPS (低溫多晶硅)來形成TFT的半導體有源層，相對于a-Si TFT或LTPSTFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢，該技術(shù)可應(yīng)用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對于LTPS TFT技術(shù)具有設(shè)備投資成本低、運營保障成本低等優(yōu)點。
[0108]S507、在形成有半導體有源層的基板的表面形成刻蝕阻擋層。
[0109]刻蝕阻擋層的圖案23可以如圖12所示，具體的，可以通過在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板上涂覆或沉積刻蝕阻擋層。
[0110]S508、在刻蝕阻擋層的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成貫穿刻蝕阻擋層和柵絕緣層的過孔，以暴露出底部的第一絕緣層以及柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線。
[0111]形成的基板結(jié)構(gòu)可以如圖13所示。
[0112]這樣一來，可以在該過孔的區(qū)域通過構(gòu)圖工藝進一步形成源漏金屬層的圖案25，這樣可以有效限定源漏金屬層的圖案25的覆蓋區(qū)域。采用這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板，由于在數(shù)據(jù)線22和第一透明電極241之間進一步增加了具有一定厚度的第一絕緣層26以及柵絕緣層27結(jié)構(gòu)，從而可以進一步增大數(shù)據(jù)線22與第一透明電極241之間的間距，減小數(shù)據(jù)線22與第一透明電極241之間存在的寄生電容Cdc。
[0113]S509、在第一絕緣層的表面，對應(yīng)柵線區(qū)域通過構(gòu)圖工藝形成源漏金屬層的圖案。
[0114]形成有源漏金屬層的圖案25的基板結(jié)構(gòu)可以如圖14所不。
[0115]S510、在形成有刻蝕阻擋層的基板的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成第一透明電極。
[0116]形成有第一透明電極241的基板結(jié)構(gòu)可以如圖15所示
[0117]S511、在第一透明電極的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成鈍化層的圖案，該鈍化層的圖案覆蓋位于柵線區(qū)域的源漏金屬層的圖案。
[0118]形成有鈍化層的圖案28的基板結(jié)構(gòu)可以如圖16所示。
[0119]S512、在鈍化層的表面通過構(gòu)圖工藝處理形成第二透明電極。
[0120]形成有第二透明電極242的基板結(jié)構(gòu)俯視圖可以如圖17所示，其沿G-G方向的截面示意圖即為圖2所示的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0121]當然，以上也僅是以圖2的制作方法為例進行的說明，在本實用新型實施例中，同樣可以采用如圖3所示的陣列基板，相應(yīng)的需要對工藝步驟進行一定的調(diào)整。其中各個獨立的生產(chǎn)工序均可以參照現(xiàn)有技術(shù)中的工序要求，本實用新型對此并不做限定。
[0122]需要說明的是，在本實用新型實施例中是以FFS型顯示裝置為例進行的說明。其中，第一透明電極241可以為像素電極，第二透明電極242可以為公共電極，且該第一透明電極241可以為面狀結(jié)構(gòu)，第二透明電極242可以為間隔排列的條狀結(jié)構(gòu)。
[0123]在所述FFS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極和所述像素電極異層設(shè)置，可選的，位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極可以包含多個條形電極或為平板形。在本實用新型實施例中，是以位于下層的電極為平板形的面狀結(jié)構(gòu)為例進行的說明。其中，異層設(shè)置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設(shè)置是指，分別將至少兩層薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設(shè)置是指，通過構(gòu)圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設(shè)置是指:由第一層透明導電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成下層電極，由第二層透明導電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0124]本實用新型實施例提供的這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板同樣可以適用于ADS型顯示裝置、IPS型顯示裝置或TN型顯示裝置等各種顯示裝置陣列基板的生產(chǎn)?？梢韵氲?，當像素電極或公共電極的位置或形狀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時，通過改變上述工序中的相關(guān)步驟，同樣可以實現(xiàn)各種結(jié)構(gòu)陣列基板的生產(chǎn)，本實用新型實施例中對此并不一一列舉。
[0125]采用上述陣列基板制造方法，可以顯著增加數(shù)據(jù)線與透明電極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低數(shù)據(jù)線與透明電極之間的寄生電容Cdc，進而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，降低數(shù)據(jù)線延時以及功耗，提高顯示裝置的質(zhì)量。[0126]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:橫縱交叉設(shè)置的多條柵線和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線的表面依次形成有刻蝕阻擋層以及第一透明電極；其特征在于，所述數(shù)據(jù)線的遠離所述柵線的部分與所述柵線同層形成在透明基板的表面，所述數(shù)據(jù)線在所述柵線區(qū)域斷開； 所述柵線區(qū)域具有源漏金屬層的圖案，所述源漏金屬層的圖案與所述柵線絕緣，位于所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線通過所述源漏金屬層的圖案電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述柵線與所述數(shù)據(jù)線的遠離所述柵線的部分，在所述柵線區(qū)域內(nèi)，位于所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線部分露出在所述第一絕緣層的表面；在所述柵線區(qū)域，所述源漏金屬層的圖案形成在所述第一絕緣層的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: TFT的柵極，所述TFT的柵極與所述柵線同層制成； 所述第一絕緣層形成在所述TFT的柵極的表面，在所述TFT的溝道區(qū)域，所述TFT的柵極部分露出在所述第一絕緣層的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 依次形成在所述TFT的柵極表面的柵絕緣層以及半導體有源層的圖案； 所述半導體有源層的圖案采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 形成在所述第一絕緣層表面的柵絕緣層； 所述刻蝕阻擋層形成在所述柵絕緣層的表面； 在所述柵線區(qū)域，過孔貫穿所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層，以暴露出底部的所述第一絕緣層以及所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述柵線與所述數(shù)據(jù)線； 在所述柵線區(qū)域，所述源漏金屬層的圖案形成在所述第二絕緣層的表面，且所述源漏金屬層的圖案通過過孔分別與位于所述柵線兩側(cè)的所述數(shù)據(jù)線電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋位于所述柵線區(qū)域的源漏金屬層的圖案； 以及形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極； 且所述第一透明電極為面狀結(jié)構(gòu)，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結(jié)構(gòu)。
9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-8任一所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK203721727SQ201320877890
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】金熙哲, 宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn) 申請人:京東方科技集團股份有限公司